專利名稱：具有改進(jìn)的電源信號連接的集成電路封裝的制作方法
背景隨著微處理器的工作速度持續(xù)提高，由微處理器提取的電流趨向于逐步增大。增大的電流趨向于放大電源噪聲，所述電源噪聲可能限制處理器性能。高頻電源噪聲或“第一下垂處(droop)”一般與電流改變的速率成比例，并且通過使用去耦合電容器被控制，所述去耦合電容器被設(shè)置(install)在封裝襯底(substrate)的“焊盤”側(cè)(“l(fā)and”side)的中心、在主板上的插座中的腔的位置。另一方面，低頻電源噪聲或“第三下垂處”與由微處理器提取的電流成比例，并且通常通過最小化從板上的電壓調(diào)節(jié)器(VR)到微處理器管芯(die)的總通路阻抗被控制。但是，典型的管芯封裝布置使不采取昂貴的方法而實(shí)現(xiàn)最小化阻抗的這個目標(biāo)變得困難，所述昂貴的方法諸如(a)增加封裝襯底中層的數(shù)量；(b)增加封裝襯底中金屬層的厚度；(c)增加插座接觸體的數(shù)量；和/或(d)增加主板中金屬層的厚度。
附圖簡要說明

圖1是包括根據(jù)一些實(shí)施方案的集成電路(IC)封裝的主板的示意側(cè)視圖。
圖2是示出圖1的IC封裝的一些細(xì)節(jié)的部分示意側(cè)視圖。
圖3A-3D是根據(jù)一些實(shí)施方案，示出圖1和2的IC封裝的封裝襯底的焊盤側(cè)(land-side)的中央部分的示例性布局(layout)的倒置示意平面圖。
圖4是包括如圖1-3D中的一個或更多個中的IC封裝的實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。
詳細(xì)描述圖1是根據(jù)一些實(shí)施方案的主板10的示意側(cè)視圖。主板10包括電路板襯底12和安裝在所述電路板襯底12上的IC插座14。主板10還包括設(shè)置在IC插座14中的IC封裝16。IC封裝16又包括封裝襯底18和安裝在所述封裝襯底18上的IC管芯(例如，微處理器管芯)20。具體來說，IC管芯20通過管芯凸起22(在圖2中以最佳的方式看到)被安裝在封裝襯底18的管芯面24上，所述管芯面24是背對電路板襯底12的面。封裝襯底18還具有焊盤側(cè)26(圖1和2)，所述焊盤側(cè)26與管芯面24相反，并且面向電路板襯底12的頂部面28。
IC插座14包括插座體(在30處以虛像的方式指示)和LGA(焊盤柵格組件)引線32，通過所述LGA引線32，電路板襯底12被電連接到封裝襯底18。現(xiàn)在具體參照圖2，IC封裝16包括安裝在封裝襯底18的焊盤側(cè)26上的焊盤側(cè)電容器34。如從圖1最佳地認(rèn)識到的，焊盤側(cè)電容器34被安置在位于封裝襯底18的焊盤側(cè)26中央的位置，并且IC管芯20被安裝在位于封裝襯底18的管芯面24中央的位置。
再次參照圖2，IC封裝16還包括在封裝襯底18的焊盤側(cè)26上形成的傳導(dǎo)接觸焊盤36。傳導(dǎo)接觸焊盤36被散置在焊盤側(cè)電容器34之間，并且與LGA引線32中的一些相接觸，以將IC管芯20和電源電壓連接在一起，所述電源電壓由安裝在電路板襯底12上的電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)38(圖1)提供。
圖3A是根據(jù)一些實(shí)施方案，圖示封裝襯底的焊盤側(cè)上的焊盤側(cè)電容器34和傳導(dǎo)接觸焊盤36的布局的實(shí)施例的示意倒置平面圖。在圖3A中，虛線框40指示封裝襯底的焊盤側(cè)上的中央?yún)^(qū)，所述中央?yún)^(qū)對應(yīng)于在常規(guī)IC插座中被提供來容納焊盤側(cè)電容器的腔的位置。
在圖3A中圖示的示例性布局中，傳導(dǎo)接觸焊盤包括五個細(xì)長的矩形傳導(dǎo)接觸焊盤36-1到36-5。更具體地，在圖中從左到右，示例性布局包括(a)在布局的左手側(cè)的第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-1；(b)有三個焊盤側(cè)電容器34的第一列42，所述列42平行于第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-1延伸并且鄰近第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-1；(c)第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2，所述第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2平行于第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-1延伸，并且在焊盤側(cè)電容器列42的與第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-1相對的側(cè)；(d)有三個焊盤側(cè)電容器的第二列44，所述列44平行于第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2延伸并且鄰近第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2，并且在第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2的與焊盤側(cè)電容器列42相對的側(cè)；(e)第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-3，所述第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-3平行于第一和第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-1和36-2延伸，并且在焊盤側(cè)電容器列44的與第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-2相對的側(cè)；(f)有三個焊盤側(cè)電容器的第三列46，所述列46平行于并且鄰近第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-3延伸，并且在第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-3的與焊盤側(cè)電容器34列44相對的側(cè)；(g)第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-4，所述第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-4平行于第一、第二和第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-1到36-3延伸，并且在焊盤側(cè)電容器列46的與第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-3相對的側(cè)；(h)有三個焊盤側(cè)電容器的第四列48，所述列48平行于并且鄰近第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-4延伸，并且在第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-4的與焊盤側(cè)電容器34列46相對的側(cè)；以及(i)第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-5，所述第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-5平行于第一、第二、第三和第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-1到36-4延伸，并且在焊盤側(cè)電容器列48的與第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-4相對的側(cè)。
如從圖3A看到的，傳導(dǎo)接觸焊盤36被散置在焊盤側(cè)電容器之間，并且也可以認(rèn)為是，電容器被散置在傳導(dǎo)接觸焊盤36之間。在這個布局中，焊盤側(cè)電容器保持接近IC管芯20(圖1和2)——即，剛好在封裝襯底18的另一面上——使得電容器被適當(dāng)?shù)匕仓?，以最小化第一下垂處噪聲。?xì)長的傳導(dǎo)接觸焊盤可以沿著接觸焊盤的長度與LGA引線相接觸，以提供許多從VRM到IC管芯的平行傳導(dǎo)通路，由此與常規(guī)IC封裝布置相比降低總通路阻抗。降低的總通路阻抗可以導(dǎo)致改進(jìn)的第三下垂處噪聲性能。
在這里示出的這個示例性實(shí)施方案以及一些其他示例性實(shí)施方案中，電容器列包括三個電容器，但是在其他實(shí)施方案中，至少一些列可以具有多于或少于三個電容器。
應(yīng)該理解，根據(jù)可替換的實(shí)施方案，在封裝襯底的焊盤側(cè)上可以存在傳導(dǎo)接觸焊盤和焊盤側(cè)電容器的許多可替換布局，其中傳導(dǎo)接觸焊盤被散置在電容器之間，和/或電容器被散置在傳導(dǎo)接觸焊盤之間。圖3B-3D給出這樣的可替換布局的實(shí)施例。例如，在圖3B中圖示的實(shí)施方案中，從左到右，布局包括(a)在布局的左手側(cè)的第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-6；(b)第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-7，所述第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-7平行于第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-6延伸并且鄰近第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-6；(c)有三個焊盤側(cè)電容器34的第一列50，所述列50平行于鄰近第二傳導(dǎo)接船焊盤36-7延伸并且鄰近第二傳導(dǎo)接船焊盤36-7，并且在第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-7的與第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-6相對的側(cè)；(d)有三個焊盤側(cè)電容器34的第二列52，所述列52平行于第一列50延伸并且鄰近第一列50，并且在第一列50的與第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-7相對的側(cè)；(e)第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8，所述第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8平行于第二列52電容器延伸并且鄰近第二列52電容器，并且在第二列52的與第一列50相對的側(cè)；(f)第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9，所述第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9平行于第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8延伸并且鄰近第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8，并且在第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8的與第二列52電容器相對的側(cè)；(g)有三個焊盤側(cè)電容器的第三列54，所述列54平行于第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9延伸并且鄰近第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9，并且在第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9的與第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-8相對的側(cè)；(h)有三個焊盤側(cè)電容器的第四列56，所述列56平行于第三列54延伸并且鄰近第三列54，并且在第三列54的與第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-9相對的側(cè)；(i)第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-10，所述第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-10平行于第四列56電容器延伸并且鄰近第四列56電容器，并且在第四列56的與第三列54相對的側(cè)；以及(j)第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-11，所述第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-11平行于第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-10延伸并且鄰近第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-10，并且在第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-10的與第四列56電容器相對的側(cè)。
在圖3C中圖示的實(shí)施方案中，從左到右，布局包括(a)在布局的左手側(cè)的第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-12；(b)第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13，所述第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13平行于第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-12延伸并且鄰近第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-12；
(c)有三個焊盤側(cè)電容器34的第一列58，所述列58平行于第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13延伸并且鄰近第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13，并且在第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13的與第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-12相對的側(cè)；(d)第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14，所述第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14平行于第一列58電容器延伸并且鄰近第一列58電容器，并且在第一列58的與第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-13相對的側(cè)；(e)第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15，所述第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15平行于第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14延伸并且鄰近第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14，并且在第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14的與第一列58電容器相對的側(cè)；(f)有三個焊盤側(cè)電容器的第二列60，所述列60平行于第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15延伸并且鄰近第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15，并且在第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15的與第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-14相對的側(cè)；(g)第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16，所述第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16平行于第二列60電容器延伸并且鄰近第二列60電容器，并且在第二列60的與第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-15相對的側(cè)；(h)第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-17，所述第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-17平行于第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16延伸并且鄰近第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16，并且在第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16的與第二列60電容器相對的側(cè)；(i)有三個焊盤側(cè)電容器的第三列62，所述列62平行于第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-17延伸并且鄰近第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-17，并且在第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-17的與第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-16相對的側(cè)；(j)第七傳導(dǎo)接觸焊盤36-18，所述第七傳導(dǎo)接觸焊盤36-18平行于第三列62電容器延伸并且鄰近第三列62電容器，并且在第三列62的與第六傳導(dǎo)接觸焊盤36-19相對的側(cè)；以及(k)第八傳導(dǎo)接觸焊盤36-19，所述第八傳導(dǎo)接觸焊盤36-19平行于第七傳導(dǎo)接觸焊盤36-18延伸并且鄰近第七傳導(dǎo)接觸焊盤36-18，并且在第七傳導(dǎo)接觸焊盤36-18的與第三列62電容器相對的側(cè)。
在圖3D圖示的實(shí)施方案中，布局包括左手部分64的傳導(dǎo)接觸焊盤和電容器，以及右手部分66的傳導(dǎo)接觸焊盤和電容器。左手部分64包括(a)在左手部分64的左手側(cè)的第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-20；(b)第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21，所述第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21平行于第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-20延伸并且鄰近第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-20；(c)第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-22，所述第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-22在沿著第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21的路線的約三分之一處被接合(join)到第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21，并且以與第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21和第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-20成直角的方式延伸出去；(d)第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-23，所述第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-23在沿著第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21的路線的約三分之二處被接合到第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21，并且平行于第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-22從第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21和第一傳導(dǎo)接觸焊盤36-20延伸出去；
(e)第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-24，所述第五傳導(dǎo)接觸焊盤36-24平行于第一和第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-20和36-21延伸，并且被接合到第三和第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-22和36-23的與第二傳導(dǎo)接觸焊盤36-21相對的端，以與傳導(dǎo)接觸焊盤36-21、36-22和36-23一起圍住矩形區(qū)域68；(f)位于矩形區(qū)域68中的第一對70焊盤側(cè)電容器；(g)第二對72焊盤側(cè)電容器，所述第二對72焊盤側(cè)電容器位于鄰近第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-22的位置，并且在第三傳導(dǎo)接觸焊盤36-22的與第一對70電容器相對的側(cè)；以及(h)第三對74焊盤側(cè)電容器，所述第三對74焊盤側(cè)電容器位于鄰近第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-23的位置，并且在第四傳導(dǎo)接觸焊盤36-23的與第一對70電容器相對的側(cè)。
右手部分66的傳導(dǎo)接觸焊盤和電容器是左手部分64的鏡像，所以不需要進(jìn)一步描述。
在其他實(shí)施方案中，傳導(dǎo)接觸焊盤不需要是矩形，而可以是，例如，圓形的或橢圓形的。例如，在一些實(shí)施方案中，在圖3A-3D中示出的細(xì)長的矩形傳導(dǎo)接觸焊盤中的一些或全部可以用一系列小的圓形或橢圓形焊盤，或者可替換地，一系列小的矩形焊盤來代替。
再次參照圖1，將注意到，電路板襯底12具有安裝在其上的多個板上電容器76以及上面提到的VRM 38。另外，電路板襯底可以具有安裝在其上的其他常規(guī)部件(未示出)，例如存儲器件。同樣，雖然沒有在附圖中明確指出，但是根據(jù)常規(guī)實(shí)踐，電路板襯底12和封裝襯底18(圖2)中的每一個可以包括一個或更多個跡線(trace)層，以提供主板10的部件之間的信號通路。
從前面將認(rèn)識到，主板10的組裝可能需要提供包括插座14和電源/VRM 38的主板；提供IC封裝16；并且將IC封裝16連接到插座14，使得IC管芯20通過傳導(dǎo)接觸焊盤36和插座14被耦合到電源38。
圖4是包括微處理器管芯20的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的框圖，所述微處理器管芯20如圖1-3D中的一個或更多個中那樣被封裝。微處理器管芯20包括許多子塊，諸如算術(shù)邏輯單元(ALU)104和管芯上緩存106。微處理器20還可以與其他等級的緩存(諸如管芯外緩存108)通信。諸如系統(tǒng)存儲器110的較高存儲器體系結(jié)構(gòu)等級是通過主機(jī)總線112和芯片組114來被訪問的。另外，僅列舉一些，諸如圖形加速器116和網(wǎng)絡(luò)接口控制器(NIC)118的其他管芯外功能單元可以通過合適的總線或端口與微處理器20通信。在一些實(shí)施方案中，系統(tǒng)可以包括多于一個微處理器。
在這里公開的管芯封裝布置可以被應(yīng)用于除微處理器外的其他類型的IC管芯的封裝。
在這里描述的幾個實(shí)施方案僅用于圖示說明的目的。在這里描述的各個特征不需要全部在一起使用，并且這些特征中的任何一個或更多個可以被結(jié)合在單個實(shí)施方案中。因此，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將從本說明書認(rèn)識到，通過各種修改和更改可以實(shí)踐其他實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種集成電路(IC)封裝，包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯；安裝在所述襯底的第二面上的多個電容器，所述第二面與所述第一面相反；以及多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述電容器之間。
2.如權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤是矩形的。
3.如權(quán)利要求2所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
4.如權(quán)利要求3所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少六個細(xì)長的焊盤。
5.如權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤將所述IC管芯和電源電壓連接在一起。
6.如權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中所述電容器和傳導(dǎo)接觸焊盤被安置在位于所述襯底的所述第二面中央的位置。
7.如權(quán)利要求6所述的IC封裝，其中所述IC管芯被安裝在所述襯底的所述第一面中央的位置。
8.一種集成電路(IC)封裝，包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯；以及多個矩形傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個矩形傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的第二面上，以將所述IC管芯和電源電壓連接在一起，所述第二面與所述第一面相反。
9.如權(quán)利要求8所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
10.如權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少六個細(xì)長的焊盤。
11.如權(quán)利要求8所述的IC封裝，還包括多個電容器，所述多個電容器被安裝在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述傳導(dǎo)接觸焊盤之間。
12.一種集成電路(IC)封裝，包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯；多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的第二面上，以將所述IC管芯和電源電壓連接在一起，所述傳導(dǎo)接觸焊盤被安置在位于所述襯底的所述第二面中央的位置，所述第二面與所述第一面相反；以及多個電容器，所述多個電容器被安裝在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述傳導(dǎo)接觸焊盤之間。
13.如權(quán)利要求12所述的IC封裝，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤是矩形的。
14.如權(quán)利要求13所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
15.如權(quán)利要求14所述的IC封裝，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少六個細(xì)長的焊盤。
16.一種裝置，包括電路板；安裝在所述電路板上的插座；設(shè)置在所述插座中的集成電路(IC)封裝，所述IC封裝包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯；安裝在所述襯底的第二面上的多個電容器，所述第二面與所述第一面相反；以及多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述電容器之間。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，還包括電壓調(diào)節(jié)模塊，所述電壓調(diào)節(jié)模塊被安裝在所述電路板上，并且被電耦合到所述傳導(dǎo)接觸焊盤，以將電源電壓供應(yīng)給所述IC管芯。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤是矩形的。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
20.一種系統(tǒng)，包括集成電路(IC)封裝，所述集成電路封裝包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯，所述IC管芯包括微處理器；安裝在所述襯底的第二面上的多個電容器，所述第二面與所述第一面相反；以及多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述電容器之間；以及與所述微處理器通信的芯片組。
21.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤是矩形的。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
23.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤將所述IC管芯和電源電壓連接在一起。
24.一種方法，包括提供主板，所述主板包括安裝在所述主板上的插座和電源；提供集成電路(IC)封裝，所述集成電路封裝包括襯底；安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯；安裝在所述襯底的第二面上的多個電容器，所述第二面與所述第一面相反；以及多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在所述電容器之間；以及將所述IC封裝連接到所述插座，使得所述IC管芯通過所述傳導(dǎo)接觸焊盤和所述插座被耦合到所述電源。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述傳導(dǎo)接觸焊盤是矩形的。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤包括彼此平行布置的至少三個細(xì)長的焊盤。
全文摘要
集成電路(IC)封裝包括襯底和安裝在所述襯底的第一面上的IC管芯。所述IC封裝還包括安裝在所述襯底的第二面上的多個電容器。所述第二面與所述第一面相反。所述IC封裝還包括多個傳導(dǎo)接觸焊盤，所述多個傳導(dǎo)接觸焊盤被形成在所述襯底的所述第二面上，并且被散置在電容器之間。描述了其他實(shí)施方案，并且主張對它們的權(quán)利要求。
文檔編號H01L23/64GK1973372SQ200580020370
公開日2007年5月30日 申請日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月26日
發(fā)明者達(dá)斯廷·伍德, 卡拉哈·拉達(dá)克里什南 申請人:英特爾公司