專利名稱：半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種能夠發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的半導體器件。
背景技術：
近年來，已經(jīng)研制出用于發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的半導體器件，并且這種半導體器件稱作RF(射頻)標簽、無線標簽、電子標簽等。實際使用中的大部分半導體器件具有使用半導體襯底(IC芯片)的電路以及天線，雖然它們中一些另外具有CPU或專用硬件。
發(fā)明內(nèi)容
無線標簽難以穩(wěn)定來自天線的電源并且需要盡可能地抑制功耗。無線標簽具有從存儲介質中讀取數(shù)據(jù)并且執(zhí)行密碼分析的功能，雖然后者密碼分析需要復雜的處理，導致增加的功耗。強電磁波隨著功耗的增加而需要，從而出現(xiàn)例如讀寫器的功耗增加以及對其他設備和人體的不利影響的問題。此外，無線標簽與讀寫器之間的通信距離受到限制。
考慮到上述，本發(fā)明提供一種能夠通過盡可能地抑制功耗來穩(wěn)定電源的半導體器件。也就是，本發(fā)明提供一種甚至當執(zhí)行復雜處理例如密碼分析時能夠維持穩(wěn)定電源的半導體器件。此外，本發(fā)明提供一種不需要強電磁波并且具有距離讀寫器的改進通信距離的半導體器件。
為了解決常規(guī)技術的上述問題，本發(fā)明將采取下面的措施。
本發(fā)明的半導體器件包括包含多個單元和控制電路的中央處理單元，以及天線?？刂齐娐钒ɑ诎P于來自天線(通過天線)的電源的數(shù)據(jù)的電源信號或者由從每個單元提供的事件信號而獲得的負荷信號，輸出用于停止到一個或多個單元的電源的第一控制信號，用于改變提供到一個或多個單元的電源電勢的第二控制信號，以及用于停止提供時鐘信號到一個或多個單元的第三控制信號中一個或多個的裝置。
多個單元和控制電路提供在玻璃襯底或柔性襯底上。
多個單元選自總線接口、數(shù)據(jù)高速緩沖存儲器、指令譯碼器、預留緩存、指令高速緩沖存儲器、運算邏輯單元(ALU)、浮點單元(FPU)、分支單元、加載/存儲單元、通用寄存器、流水線單元、外圍存儲控制器和外圍總線控制器。
本發(fā)明的半導體器件包括電源電路、時鐘發(fā)生電路、數(shù)據(jù)解調/調制電路、CPU和接口電路中的一個或多個。
本發(fā)明的半導體器件包括多個存儲塊和控制電路。每個存儲塊包括存儲單元陣列，其包括每個在位線和字線彼此相交且絕緣體置于其間的區(qū)域中具有存儲元件的多個存儲單元，以及連接到字線的行譯碼器。控制電路包括基于包含存儲塊操作數(shù)據(jù)的操作信號，輸出用于改變提供到存儲單元陣列的電源電勢的第一控制信號和用于停止提供到行譯碼器的電源電勢的第二控制信號的一個或全部兩個的裝置。
多個存儲塊和控制電路提供在玻璃襯底或柔性襯底上。
包括在每個存儲塊中并且提供在同一列中的多個存儲單元連接到相同的位線。包括在每個存儲塊中的多個存儲單元連接到相同的列譯碼器。而且，每個存儲塊包括獨立操作的列譯碼器，并且字線對每個存儲塊獨立地提供。
存儲塊的每個是DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、掩模ROM(只讀存儲器)、PROM(可編程只讀存儲器)、EPROM(電可編程只讀存儲器)、EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)或閃速存儲器。
本發(fā)明的半導體器件包括CPU或用于輸出操作信號的專用電路。另外，本發(fā)明的半導體器件包括電源電路、時鐘發(fā)生電路、數(shù)據(jù)解調/調制電路、CPU和接口電路的一個或多個。
根據(jù)具有上述結構的本發(fā)明，可以提供一種能夠通過實現(xiàn)低功耗而穩(wěn)定電源的半導體器件。也就是，本發(fā)明可以提供一種甚至當執(zhí)行復雜處理例如密碼分析時能夠維持穩(wěn)定電源的半導體器件。此外，本發(fā)明可以提供一種不需要強電磁波并且具有距離讀寫器的改進通信距離的半導體器件。
圖1A和1B是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式1)。
圖2A和2B是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式1)。
圖3是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式1)。
圖4A～4D是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方案1)。
圖5A～5D是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方案1)。
圖6A～6H是顯示本發(fā)明半導體器件的應用的圖(實施方案3)。
圖7A和7B是顯示本發(fā)明半導體器件的應用的圖(實施方案3)。
圖8A～8C是顯示本發(fā)明半導體器件的應用的圖(實施方案2)。
圖9是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式1)。
圖10是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式1)。
圖11A和11B是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式2)。
圖12是顯示本發(fā)明半導體器件的圖(實施方式2)。
具體實施例方式
雖然本發(fā)明將參考附隨附圖通過實施方式來描述，應當理解，各種改變和修改將對本領域技術人員顯然。因此，除非這種改變和修改背離于本發(fā)明的范圍，否則它們應當解釋為包括在其中。注意，完全相同的部分在所有附圖中由相同的參考數(shù)字表示。
本發(fā)明的半導體器件具有經(jīng)由無線通信數(shù)據(jù)的功能，并且主要包括電源電路11、時鐘發(fā)生電路12、數(shù)據(jù)解調/調制電路13、中央處理單元14(在下文也稱作CPU)、接口電路15、存儲器16、數(shù)據(jù)總線17、天線(天線線圈)18等(參看圖3)。電源電路11基于從天線18輸入的AC信號產(chǎn)生提供到半導體器件中每個電路的各種類型的電源。時鐘發(fā)生電路12基于從天線18輸入的AC信號產(chǎn)生提供到半導體器件中每個電路的各種類型的時鐘信號。數(shù)據(jù)解調/調制電路13具有解調/調制與讀寫器19通信的數(shù)據(jù)的功能。天線18具有發(fā)送和接收電磁波的功能。讀寫器19與半導體器件通信并控制半導體器件，并且控制其數(shù)據(jù)處理。注意，半導體器件的構造并不局限于上述一種，并且各種構造可以采用。例如，其他組件例如電源電壓限幅器電路和用于密碼分析的專用硬件可以另外提供。
本發(fā)明其特征在于下面描述的CPU 14的構造。CPU 14包括CPU核心64和控制電路65(參看圖2A)。CPU核心64具有多個單元，包括例如總線接口51、數(shù)據(jù)高速緩沖存儲器52、指令譯碼器53、預留緩存54、指令高速緩沖存儲器55、由各種單元組成的流水線單元62以及通用寄存器63。流水線單元62包括運算邏輯單元(在下文也稱作ALU)56和57、浮點單元(在下文也稱作FPU)58和59、分支單元60以及加載/存儲單元61。CPU核心64的這種構造是超標量芯片的典型構造。
CPU 14的另一種構造，例如CPU核心64、控制電路65和外圍控制器70可以提供。外圍控制器70具有多個單元，包括例如外圍存儲控制器67和68以及外圍總線控制器69(參看圖2B)。
注意，CPU 14的構造并不局限于上述一種，并且多余的組件可以省略或其他組件可以根據(jù)需要增加。
上述單元X(X＝51～63，這里51)通過開關74連接到電源71～73(參考圖1A)。電源71的電源電勢(在下文也稱作第一電源電勢或VDD1)，電源72的電源電勢(在下文也稱作第二電源電勢或VDD2)以及電源73的電源電勢(在下文也稱作第三電源電勢或GND)設置以滿足VDD1＞VDD2＞GND。開關74由從控制電路65提供的控制信號控制。
另外，單元X通過開關75連接到時鐘發(fā)生電路12和電源73。開關75由從控制電路65提供的控制信號控制。
注意，電源71～73的電源電勢可以是在電源電路11中產(chǎn)生的電源電勢或者在CPU 14中提供的電源電路中產(chǎn)生的電源電勢。
控制電路65具有基于從電源電路11輸入的電源信號或由從CPU核心64的每個單元提供的事件信號而獲得的負荷信號提供控制信號的裝置(功能)?？刂齐娐?5改變電源電勢和時鐘信號的設置，也就是改變模式(正常模式或備用模式)以便實現(xiàn)低功耗。但是，當僅電源電勢和時鐘信號的設置改變時，整個CPU 14的操作可能受影響。因此，改變模式的操作指各種類型的設置以及開關74和75的控制。
在正常模式中，單元X通過開關74電連接到電源71并且通過開關75電連接到時鐘發(fā)生電路12。換句話說，VDD1和時鐘信號提供到單元X。這種狀態(tài)稱作(VDD1，CLK)。
在備用模式中，單元X(1)通過開關74電連接到電源71并且通過開關75電連接到電源73(VDD1，GND)；(2)通過開關74電連接到電源72并且通過開關75電連接到時鐘發(fā)生電路12(VDD2，CLK)；(3)通過開關74電連接到電源72并且通過開關75電連接到電源73(VDD2，GND)；(4)通過開關74電連接到電源73并且通過開關75電連接到時鐘發(fā)生電路12(GND，CLK)；或者(5)通過開關74電連接到電源73并且通過開關75電連接到電源73(GND，GND)。
單元X通過開關74電連接到電源73的情況，也就是情況(4)或(5)僅當單元X的狀態(tài)不需要保存在單元X自身中時可以采用。因此，當操作不期望返回到初始狀態(tài)時，采用情況(1)～(3)中的一個以提供VDD1或VDD2到單元X。在提供VDD2的情況(2)或(3)中，存儲單元X設置的寄存器的值可以保存在單元X中。因此，當備用模式變成正常模式時，操作不能返回到初始狀態(tài)而是切換到備用模式之前的狀態(tài)。
輸入到控制電路65的電源信號包括關于來自天線18的電源的數(shù)據(jù)，更具體地說，它包括關于來自天線18的電源穩(wěn)定還是不穩(wěn)定的數(shù)據(jù)。
負荷信號依賴于計數(shù)事件信號的結果在控制電路65中產(chǎn)生。事件信號從每個單元提供，并且包括例如在ALU 56和57中操作的事件信號，在FPU 58和59中操作的事件信號，指令高速緩沖存儲器未命中或數(shù)據(jù)高速緩沖存儲器未命中的事件信號等?？刂齐娐?5周期性地計數(shù)事件信號，并且依賴于其結果，它在內(nèi)部產(chǎn)生ALU 56和57的負荷信號，F(xiàn)PU 58和59的負荷信號，以及包括關于高速緩沖存儲器效率的數(shù)據(jù)的負荷信號等。然后，控制電路65根據(jù)負荷信號改變單元X的模式。更具體地說，當包括指示低負荷或效率的數(shù)據(jù)的負荷信號產(chǎn)生時，控制電路65輸出將單元X設置為備用模式的控制信號。同時，當包括指示正常負荷或效率的數(shù)據(jù)的負荷信號產(chǎn)生時，控制電路65輸出將單元X設置為正常模式的控制信號。
例如，如果包括指示ALU 56和57低負荷的數(shù)據(jù)的負荷信號作為某個時期內(nèi)計數(shù)事件信號的結果而產(chǎn)生時，僅ALU 56設置為操作模式而ALU 57設置為備用模式。CPU 14被設置使得當ALU 57處于備用模式時，使用ALU 57的操作不執(zhí)行。更具體地說，不使用ALU 57的設置可以在執(zhí)行指令調度的預留緩存54中執(zhí)行。同時，如果包括指示ALU 56高負荷的數(shù)據(jù)的負荷信號作為另一個時期內(nèi)計數(shù)事件信號的結果而產(chǎn)生時，ALU 57返回到正常模式。
作為選擇，如果包括指示分支單元60低負荷的數(shù)據(jù)的負荷信號作為某個時期內(nèi)計數(shù)事件信號的結果而產(chǎn)生時，分支單元60設置為備用模式。但是，當在分支單元60處于備用模式期間分支指令執(zhí)行時，異常處理執(zhí)行以將分支單元60返回到正常模式。
如上所述，設置為備用模式的單元是其使用局限于某些指令的單元X(例如僅在分支指令執(zhí)行時使用的分支單元)，或CPU正常操作所不需要的單元X(例如CPU 14不使用高速緩沖存儲器的情況下的高速緩沖存儲器)。其使用局限于某些指令的單元是例如流水線單元、外圍存儲控制單元或總線接口單元的一個或多個。如果未使用的單元依賴于指令在備用模式中被訪問時，異常處理可以執(zhí)行以將該單元返回到正常模式，此后指令執(zhí)行。
具有未使用操作模式的單元X包括高速緩沖存儲器、超標量中的并行流水線單元等。當備用模式被設置時，高速緩沖存儲器或流水線單元中的一個或多個可以預先設置為不使用。當高速緩沖存儲器設置為備用模式時，可以采用高速緩沖存儲器未命中在每個高速緩沖存儲器訪問期間發(fā)生的構造。當流水線單元的一個或多個設置為使用的操作模式時，可以利用預留緩存54，僅以使用所選流水線單元的指令執(zhí)行指令調度。
前述內(nèi)容概述如下。設置單元X為正常模式的電源信號或負荷信號輸入到的控制電路65基于這種信號輸出設置單元X為(VDD1，GND)的控制信號。另一方面，設置單元X為備用模式的電源信號或負荷信號輸入到的控制電路65基于這種信號輸出設置單元X為(VDD1，GND)，(VDD2，CLK)，(VDD2，GND)，(GND，CLK)和(GND，GND)中一個的控制信號。在該說明書中，停止到一個或多個單元的電源的控制信號稱作第一控制信號，改變提供到一個或多個單元的電源電勢的控制信號稱作第二控制信號，以及停止提供時鐘信號到一個或多個單元的控制信號稱作第三控制信號。
也就是，具有上述構造的CPU 14的操作可以顯示為圖1B的圖。首先，電源信號或負荷信號輸入到控制電路65(步驟1)。這里假設，包括指示穩(wěn)定電源的數(shù)據(jù)的電源信號或包括指示正常負荷的數(shù)據(jù)的負荷信號被輸入。然后，控制電路65輸出設置單元X為正常模式的控制信號(步驟2)。
隨后，另一個電源信號或另一個負荷信號輸入到控制電路65(步驟3)。這里假設，包括指示不穩(wěn)定電源的數(shù)據(jù)的電源信號或包括指示單元X高負荷的數(shù)據(jù)的負荷信號被輸入。然后，控制電路65輸出設置單元X為備用模式的信號(步驟4)。然后，操作返回到步驟1并且步驟1～4重復。
在該實施方式中，最佳電源電勢通過控制置于單元X和電源71～73之間的開關74而從多個電源電勢中選擇，從而改變模式(正常模式或備用模式)。但是，本發(fā)明并不局限于此。
例如，最佳電源電勢可以通過控制電源電路11而從多個電源電勢中選擇。根據(jù)該方法，多個電源電勢在電源電路11中由電阻劃分而產(chǎn)生，并且電源電勢由模擬緩沖器放大并由電容器元件穩(wěn)定，從而多個電源電勢輸出。但是，該方法需要控制開關和電容器元件，導致因這種元件而引起的增加的電路面積。因此，為了抑制電路面積的增加，另一種方法可以采用，其中多個電源電勢在電源電路11中由電阻劃分而產(chǎn)生，最佳電源電勢從電源電勢中選擇，并且最佳電源電勢被放大和穩(wěn)定，從而多個電源電勢輸出。
雖然在該實施方式中，模式(正常模式或備用模式)通過控制在單元X和時鐘發(fā)生電路12之間提供的開關75來改變，本發(fā)明并不局限于此。模式可以通過控制時鐘發(fā)生電路12來改變。
雖然在該實施方式中，控制電路65基于電源信號或負荷信號改變模式(正常模式或備用模式)，本發(fā)明并不局限于此。
模式如上所述由電源信號或負荷信號改變，但是模式不一定根據(jù)這種信號由控制電路65改變。代替地，這種信號(電源信號、負荷信號或事件信號)可以由控制電路65收集長達一定時期以基于其結果改變模式。這種操作參考圖9來描述。
首先，電源信號、負荷信號或事件信號由控制電路65收集(步驟1)。在某個時間段(例如1000～10000周期)之后，模式根據(jù)該時期內(nèi)收集的信號而確定(步驟2)。當模式確定時，改變模式的單元被選擇以改變單元的模式。然后，操作返回到步驟1并且上述步驟重復。
例如，下面描述模式基于事件信號改變的情況，假設事件信號是整數(shù)運算使用特定ALU執(zhí)行的事件。
首先，特定ALU執(zhí)行整數(shù)運算的事件信號被計數(shù)(步驟1)。在某個時間段之后，計數(shù)值與預先確定的設置值相比較以確定模式(步驟2)。更具體地說，當計數(shù)值等于或小于預先確定的設置值時，備用模式被選擇，而當計數(shù)值等于或大于預先確定的設置值時，正常模式被選擇。然后，特定ALU變成所選模式。
作為另一個實例，描述模式基于具有四種電平的電源信號改變的情況。首先，具有四種電平的電源信號被收集(步驟1)。在某個時間段之后，計算電平的平均值并且模式根據(jù)結果而確定(步驟2)。
例如，如果平均值是四，所有單元設置為正常模式。如果平均值是三，一個或多個單元設置為備用模式。此時，例如，ALU的一個或FPU的一個設置為備用模式。如果平均值是二，除了當平均值為三時設置為備用模式的單元之外，例如指令高速緩沖存儲器和數(shù)據(jù)高速緩沖存儲器設置為備用模式。如果平均值是一，必要的數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器中以關閉電源。
本發(fā)明其特征在于基于電源信號或負荷信號改變模式。接下來，參考圖10描述產(chǎn)生電源信號的電源信號產(chǎn)生電路的構造和操作。
電源信號產(chǎn)生電路包括電源產(chǎn)生電路601和602、電阻器元件603、參考電勢產(chǎn)生電路604和比較器電路605。電源產(chǎn)生電路601和602連接到天線18。電源產(chǎn)生電路601和602的每個包括二極管和電容器，并且具有產(chǎn)生多個電源電勢的功能。電源產(chǎn)生電路602具有足夠的電源容量以實現(xiàn)恒定操作，甚至當天線18具有低電源電平時。參考電勢產(chǎn)生電路604包括電阻器和緩沖器，并且具有通過電阻劃分產(chǎn)生參考電勢(在下文也稱作Vref)，由模擬緩沖器放大它并輸出的功能。比較器電路605包括差動放大器并且具有比較兩個模擬電勢的功能。
從電源產(chǎn)生電路602產(chǎn)生的電源電勢和地電勢(GND)由電阻器元件603降壓以產(chǎn)生電勢V1～Vn。比較器電路605比較電勢V1～Vn和參考電勢Vref，從而產(chǎn)生包括關于電源電平的數(shù)據(jù)的電源信號(數(shù)字信號)。
電勢V1～Vn是由電源產(chǎn)生電路602的電源容量和電阻器元件603的電流消耗確定的模擬電勢。假設n＝3滿足，例如，并且每個電路的參數(shù)任意選擇以便滿足V1＞V2＞V3，那么電源電平由從高到低順序的四電平電源信號(1，1，1)，(1，1，0)，(1，0，0)和(0，0，0)表示。
換句話說，當來自天線18的電源電平高時，電阻器元件603引起的電壓降低并且電勢V1～V3都高于Vref，從而信號(1，1，1)輸出。另一方面，當來自天線18的電源電平低時，電阻器元件603引起的電壓降高并且電勢V1～V3都低于Vref，從而信號(0，0，0)輸出。
電源信號產(chǎn)生電路的構造并不局限于圖10中所示的構造，并且電源產(chǎn)生電路、電勢產(chǎn)生電路和比較器電路的已知構造同樣可以采用。另外，雖然在上述構造中一個參考電勢與多個電勢V1～Vn相比較，本發(fā)明并不局限于此。例如，可以產(chǎn)生多個參考電勢并且與電壓降后的電勢V相比較以確定電源電平。
根據(jù)具有上述構造的本發(fā)明，模式基于電源信號而改變，從而功耗可以根據(jù)來自天線的電源而優(yōu)化。此外，根據(jù)本發(fā)明，模式基于由事件信號確定的負荷信號而改變，從而功耗可以根據(jù)CPU的操作而優(yōu)化。因此，本發(fā)明可以提供相對于電源具有改進操作余量的半導體器件。
接下來描述由存儲器16的構造為特征的半導體器件的構造。因此，存儲器16的構造在下文描述。存儲器16包括多個(這里四個)存儲塊33～36、列譯碼器21、選擇器22、用于輸入和輸出(寫入和讀出)數(shù)據(jù)的讀寫電路23，以及根據(jù)操作信號操作的控制電路24(參看圖12)。
存儲塊33包括存儲單元陣列29和行譯碼器25，存儲塊34包括存儲單元陣列30和行譯碼器26，存儲塊35包括存儲單元陣列31和行譯碼器27，以及存儲塊36包括存儲單元陣列32和行譯碼器28。存儲單元陣列29包括位線Ba1～Bam(m是自然數(shù))和字線Wa1～Wai(i是自然數(shù))，存儲單元陣列30包括位線Ba1～Bam和字線Wb1～Wbj(j是自然數(shù))，存儲單元陣列31包括位線Bb1～Bbn(n是自然數(shù))和字線Wc1～Wci，以及存儲單元陣列32包括位線Bb1～Bbn和字線Wd1～Wdj。
存儲單元陣列29～32的每個包括多個存儲單元37，其每個在位線Bax(1＝x＝m)和字線Way或Wby(1＝y(tǒng)＝i)，或者位線Bbx(1＝x＝n)和字線Wcy或Wdy(1＝y(tǒng)＝j)彼此交叉且絕緣體置于其間的區(qū)域中具有存儲元件。
存儲元件對應于晶體管、電容器元件和電阻器元件的一個或多個。在SRAM的情況下，存儲元件可以由六個晶體管、五個晶體管、四個晶體管和兩個電阻器元件，或者四個晶體管和一個電阻器元件構造。如果存儲元件由六個晶體管、或者四個晶體管和兩個電阻器元件構造，兩個位線(一個位線和一個位條線)置于每列中。同時，在閃速存儲器的情況下，存儲元件對應于包括電荷積聚層的晶體管。存儲器16因此可以是DRAM、FeRAM、OUM、MRAM、掩模ROM、PRAM、EPROM、EEPROM等以及SRAM和閃速存儲器。注意，考慮到成品率和操作控制，優(yōu)選地，包括在存儲單元陣列29～32的每個中的所有存儲單元37具有相同的構造。但是，存儲單元37可以在每個存儲單元陣列中具有不同的構造。
具有上述構造的存儲單元16其特征在于，包括在提供在同一列中的存儲塊33～36的每個中的存儲單元37連接到相同的位線Bax或Bbx。
根據(jù)上述結構，包括在存儲塊33～36中的存儲單元37連接到相同的列譯碼器21。但是，列譯碼器21的數(shù)目并不特別限制，并且如果存儲塊的數(shù)目增加或需要更高速的操作，可以提供多個列譯碼器。例如，一個列譯碼器可以為存儲塊33和35提供而另一個列譯碼器可以為存儲塊34和36提供。作為選擇，列譯碼器可以為存儲塊33～36的每個而提供。在這種情況下，位線可以為存儲塊33～36的每個而獨立提供。
具有上述構造的存儲器16其特征也在于，字線Way、Wby、Wcy和Wdy(1＝y(tǒng)＝i，j)為存儲塊33～36的每個而獨立提供。因此，存儲塊33～36分別具有獨立于彼此而操作的行譯碼器25～28。也就是，存儲塊33～36的每個的水平掃描獨立于彼此而執(zhí)行。
包括在存儲塊X(X＝33～36，這里X＝33)中的存儲單元陣列Y(Y＝29～32，這里Y＝29)通過開關43連接到電源39和40(參看圖11A)。電源39的電勢(在下文也稱作第一電源電勢或VDD1)和電源40的電勢(在下文也稱作第二電源電勢或VDD2)設置以滿足VDD1＞VDD2。開關43由從控制電路24提供的第一控制信號控制。
行譯碼器Z(Z＝25～28，這里Z＝25)通過開關44連接到電源41和42。電源41的電勢(在下文也稱作VDD)和電源42的電勢(在下文也稱作GND)設置以滿足VDD＞GND。開關44由從控制電路24提供的第二控制信號控制。
注意，電源39和電源41在某些情況下具有相同的電源電勢，因此，它們可以共享電源。電源39～42的電勢可以是在電源電路11中產(chǎn)生的電源電勢或者在存儲器16中提供的電源電路中產(chǎn)生的電源電勢。
控制電路24包括基于從CPU 14提供的操作信號、通過讀寫器19從外部提供的專用電路提供的操作信號或者在存儲器中產(chǎn)生的操作信號，將控制信號提供到存儲塊X的裝置(功能)。操作信號指示存儲塊X的模式改變(正常模式或備用模式)?？刂齐娐?4根據(jù)操作信號將控制信號提供給包括在存儲塊X中的開關43和44。因此，存儲塊X依賴于到開關43或44的連接而設置為正常模式或備用模式。
操作信號的數(shù)據(jù)基于，例如計數(shù)某個時期內(nèi)到每個存儲塊的訪問次數(shù)的結果。更具體地說，當某個時期內(nèi)到存儲塊的訪問次數(shù)等于或小于預先確定的設置值時，將存儲塊變成備用模式的操作信號輸出。到每個存儲塊的訪問次數(shù)的這種計數(shù)可以由CPU 14、外部提供的專用電路或存儲器16自身執(zhí)行。
在正常模式中，存儲塊X通過開關43電連接到電源39并且通過開關44電連接到電源41。也就是，VDD1提供到存儲單元陣列Y而VDD提供到行譯碼器Z。這種狀態(tài)稱作(VDD1，VDD)。
另一方面，在備用模式中，存儲塊X(1)通過開關43電連接到電源39并且通過開關44電連接到電源42(VDD1，GND)；(2)通過開關43電連接到電源40并且通過開關44電連接到電源41(VDD2，GND)；或者(3)通過開關43電連接到電源40并且通過開關44電連接到電源42(VDD2，VDD)。
如果存儲單元37是易失性存儲器，當提供到存儲單元陣列Y的電源電勢改變時數(shù)據(jù)可能擦除。因此，在存儲單元37是易失性存儲器的情況下，VDD2設置為數(shù)據(jù)不會擦除的電源電勢。同時，如果存儲單元37是非易失性存儲器，VDD2設置為地電勢(也稱作GND)。
具有上述構造的存儲器16的操作可以顯示為圖11B的圖。首先，操作信號輸入到控制電路24。這里假設，操作信號指示使用存儲塊X(步驟1)。然后，控制電路24輸出設置存儲塊X為正常模式的控制信號(步驟2)。
隨后，另一個操作信號輸入到控制電路24(步驟3)。這里假設，操作信號指示不使用存儲塊X。然后，控制電路24輸出設置存儲塊X為備用模式的控制信號(步驟4)。然后，操作返回到步驟1并且步驟1～4重復。
在該實施方式中，最佳電源電勢通過控制置于存儲塊X和電源39～42之間的開關43和44而從多個電源電勢中選擇，從而改變模式(正常模式或備用模式)。但是，本發(fā)明并不局限于此。
例如，最佳電源電勢可以通過控制電源電路11而從多個電源電勢中選擇。根據(jù)該方法，多個電源電勢在電源電路11中由電阻劃分而產(chǎn)生，并且電源電勢由模擬緩沖器放大并由電容器元件穩(wěn)定，從而多個電源電勢輸出。但是，該方法需要控制開關和電容器元件，導致因這種元件而引起的增加的電路面積。因此，為了抑制電路面積的增加，另一種方法可以采用，其中多個電源電勢在電源電路11中由電阻劃分而產(chǎn)生，最佳電源電勢從電源電勢中選擇，并且最佳電源電勢被放大和穩(wěn)定，從而多個電源電勢輸出。
當CPU 14使用特定程序執(zhí)行正常操作時，在許多情況下僅一些數(shù)據(jù)文件被訪問。在這種情況下，被訪問的實際存儲經(jīng)常集中在相對狹窄的空間中。因此，如果訪問的實際存儲在同一存儲塊中存儲，不使用的存儲塊的數(shù)目可能增加。另外，當不使用的所有存儲塊設置為備用模式時，功耗可以進一步減小。因此，在包括在本發(fā)明存儲器16中的存儲塊的每個中，地址優(yōu)選地解碼以順序分配。
如果設置為備用模式的存儲塊被訪問，下面兩種措施可以采取。
根據(jù)第一種方法，包括指示存儲塊X處于備用模式且數(shù)據(jù)不能讀出/寫入的數(shù)據(jù)的信號發(fā)送到訪問電路(典型地，CPU)。更具體地說，專用控制信號線提供在存儲塊X和可能訪問的電路之間。如果處于備用模式的存儲塊X被訪問，專用控制信號聲明以中斷存儲訪問。同時，被訪問的存儲塊X返回到正常模式，并且當存儲塊X就緒時中斷釋放。
根據(jù)第二種方法，保證存儲塊X就緒。更具體地說，CPU 14具有關于存儲塊X容量的數(shù)據(jù)。CPU 14具有當訪問每個存儲塊或者訪問不同于之前即刻訪問的存儲塊的存儲塊時檢查存儲塊是否處于備用模式的裝置(程序或硬件)。如果存儲塊X處于備用模式，存儲訪問指令中斷并且存儲塊X首先返回到正常模式。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，存儲器16劃分成多個單元，也就是存儲塊，并且到不使用的存儲塊的電源減小，導致低功耗。
本發(fā)明的半導體器件其特征在于通過無線讀出和寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)粗略地劃分成三種類型數(shù)據(jù)由面向彼此而布置的一對線圈的相互感應而通信的電磁耦合系統(tǒng)；數(shù)據(jù)由感應場通信的電磁感應系統(tǒng)；以及數(shù)據(jù)由無線電波通信的無線電波系統(tǒng)。本發(fā)明可以應用于任何一種系統(tǒng)。用于發(fā)送數(shù)據(jù)的天線18可以提供在多個元件形成于其上的襯底81上(參看圖4A和4C)，或者可以提供以連接到在多個元件形成于其上的襯底81上形成的端子部分(參看圖4B和4D)。在該實施方案中，在襯底81上形成的多個元件稱作元件組80。
在前者情況(圖4A和4C)中，元件組80和用作天線18的導電薄膜形成在襯底81上。在所示結構中，用作天線18的導電薄膜與源極/漏極導線提供在同一層上。但是，本發(fā)明并不局限于這種結構，并且天線18可以與柵電極提供在同一層上，或者提供在形成以覆蓋元件組80的絕緣薄膜上。
在后者情況(圖4B和4D)中，元件組80和端子部分85形成在襯底81上。在所示結構中，選自元件組80的半導體元件的源極/漏極導線用作端子部分85。然后，天線18形成于其上的襯底82附著到襯底81以便連接到端子部分85。各向異性導電膏83和樹脂84提供在襯底81和襯底82之間。
當元件組80通過在大的襯底上形成多個元件組80然后劃分它們而獲得時，便宜的元件組可以提供。石英襯底、玻璃襯底等此時可以用作襯底，雖然優(yōu)選地使用面積上沒有限制的玻璃襯底。
包括在元件組80中的多個晶體管可以在不同層上形成。當元件組80在不同層上形成時，使用層間絕緣薄膜。層間絕緣薄膜可以由樹脂材料例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、具有透光性的聚酰亞胺樹脂、通過聚合而獲得的復合材料例如硅氧烷聚合物、包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的材料或者無機材料形成。
硅氧烷復合材料是例如具有通過將硅結合到氧而獲得的主鏈結構并且具有至少氫取代基，或者除氫以外還具有選自氟、烷基和芳香族烴的一種或多種取代基的材料。作為層間絕緣薄膜的另一種材料，可以使用低介電常數(shù)(低k)材料以便減小層間的寄生電容。寄生電容的減小導致高速操作和低功耗。
包括在元件組80中的多個晶體管可能具有使用非晶半導體、微晶半導體、多晶半導體和有機半導體中任何一種的活動層。特別地，為了獲得具有極好性質的晶體管，通過使用金屬元素作為催化劑而結晶的活動層優(yōu)選地使用，與由激光照射結晶的活動層一樣。作為選擇，使用SiH4和F2氣體，或SiH4和H2氣體(+Ar氣體)由等離子CVD形成的半導體層，或者通過使用激光照射半導體層而獲得的層可以用作活動層。
包括在元件組80中的多個晶體管可以具有在200～600℃(優(yōu)選地，350～500℃)溫度結晶的結晶半導體層(低溫多晶硅層)或在600℃或更高溫度結晶的結晶半導體層(高溫多晶硅層)。如果高溫多晶硅層在襯底上形成，石英襯底可以使用，像玻璃襯底一樣。
期望地，氫或鹵素以1×1019～1×1022原子/立方厘米，更優(yōu)地1×1019～5×1020原子/立方厘米的濃度添加到包括在元件組80中的晶體管的活動層(特別地，通道形成區(qū)域)。根據(jù)這一點，可以獲得具有很少缺陷的活動層，其中裂縫不容易產(chǎn)生。
另外，防止污染物例如堿金屬的阻擋薄膜可以提供以覆蓋包括在元件組80中的晶體管或元件組80自身。根據(jù)這一點，可以獲得沒有污染并且具有提高可靠性的元件組80。注意，阻擋薄膜是氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧氮化硅薄膜等。
包括在元件組80中的晶體管的活動層厚度是20～200nm，優(yōu)選地40～170nm，更優(yōu)地45～55nm或145～155nm，再優(yōu)地50nm或150nm。根據(jù)這一點，可以獲得甚至當它彎曲時裂縫不容易產(chǎn)生的元件組80。
構成包括在元件組80中的晶體管活動層的晶體可以形成使得其晶粒間界平行于載流子的流動方向(通道長度方向)而延伸。這種活動層可以使用以10MHz或更大，優(yōu)選地60～100MHz頻率工作的連續(xù)波激光(CWLC)或脈沖激光形成。
包括在元件組80中的晶體管可以具有0.35V/decade或更小(優(yōu)選地，0.09～0.25V/decade)的S值(亞閾值)和10cm2/Vs或更大的遷移率。這種性質可以通過使用以10MHz或更大頻率工作的連續(xù)波激光或脈沖激光形成活動層來實現(xiàn)。
此外，元件組80具有環(huán)形振蕩器的每個柵極的延遲時間是1μsec或更小，優(yōu)選地100nsec或更小(3～5V的電壓)的性質。
天線18可以使用包含金、銀或銅的納粒子的導電膏由小滴釋放法形成。小滴釋放法是指釋放小滴以形成圖案的方法的通用術語，并且包括噴墨法和分配器法。小滴釋放法具有提高材料使用率的優(yōu)點。
元件組80在襯底81例如玻璃襯底或石英襯底上形成。襯底81上的元件組80可以按照原狀使用，或者可以從襯底81剝離(參看圖5A)然后附著到柔性襯底86(參看圖5B)以便產(chǎn)生增加值。作為具有柔性的柔性襯底86，塑料襯底例如聚碳酸酯、聚芳酯和聚醚砜，聚四氟乙烯襯底、陶瓷襯底等可以使用。
元件組80可以通過在襯底81和元件組80之間形成剝離層然后使用腐蝕劑去除剝離層的方法；或者在部分地使用腐蝕劑去除剝離層之后將元件組80物理地從襯底81剝離的方法從襯底81剝離。注意，物理剝離是由外部施加的應力而剝離，例如因從噴嘴噴射的氣壓或超聲波而引起的應力。
元件組80可以通過(1)金屬氧化物薄膜在高耐熱襯底81和元件組80之間形成，并且金屬氧化物薄膜由結晶而變?nèi)?，從而元件組80被剝離的方法；(2)包含氫的非晶硅薄膜在高耐熱襯底81和元件組80之間形成，并且非晶硅薄膜由激光照射或刻蝕而去除，從而元件組80被剝離的方法；(3)元件組80形成于其上的高耐熱襯底81機械地或通過使用溶液或氣體例如ClF3刻蝕而去除，從而元件組80被剝離的方法等從襯底81剝離。剝離的元件組80可以使用商用粘合劑例如環(huán)氧樹脂粘合劑、使用樹脂添加劑的粘合劑等附著到柔性襯底86。
如上所述，通過將元件組80附著到柔性襯底86，薄、輕且高度耐沖擊半導體器件可以提供(參看圖5C)。另外，當便宜的襯底用作柔性襯底86時，可以獲得便宜的半導體器件。此外，因為柔性襯底86具有柔性，它可以附著到彎曲表面或不規(guī)則形狀表面，引起各種應用。例如，作為本發(fā)明半導體器件一種方式的無線標簽20可以緊密附著到彎曲表面例如藥瓶(參看圖5D)。如果襯底81重復使用，實現(xiàn)半導體器件的更低成本。該實施方案可以結合前述實施方式和實施方案而實現(xiàn)。
在該實施方案中，描述由剝離處理形成的柔性無線標簽(參看圖8A)。無線標簽包括柔性保護層2301，具有天線2304的柔性保護層2303以及由剝離處理形成的元件組2302。在保護層2303上形成的天線2304電連接到元件組2302。雖然在附圖中天線2304僅在保護層2303上形成，本發(fā)明并不局限于此，并且天線2304可以另外在保護層2301上形成。注意，阻擋薄膜優(yōu)選地通過使用氮化硅薄膜等在元件組2302與保護層2301和2303之間形成。根據(jù)這一點，元件組2303沒有污染，從而可以提供具有提高可靠性的無線標簽。
天線2304期望由銀、銅或涂敷有它們的金屬形成。天線2304使用各向異性導電薄膜由UV處理或超聲波處理連接到元件組2302，雖然本發(fā)明并不局限于該種連接方法并且各種方法可以采用。
夾在保護層2301和2303之間的元件組2302具有5μm或更小，優(yōu)選地0.1～3μm的厚度(參看顯示橫截面結構的圖8B)。假設其總厚度為d，柔性保護層2301和2303各自的厚度期望設置為(d/2)±30μm，更優(yōu)地(d/2)±10μm。同樣期望地，保護層2301和2303每個具有10～200μm的厚度。元件組2302的面積是5毫米平方(25mm2)或更小，優(yōu)選地0.3～4毫米平方(0.09～16mm2)。
由有機樹脂材料形成的保護層2301和2303具有耐彎曲的結構。由剝離處理形成的元件組2302自身與單晶半導體相比較也耐彎曲。因此，元件組2302可以緊密附著到保護層2301和2303而其間沒有任何間隔。因此，完成的無線標簽自身可以具有耐彎曲的結構。夾在保護層2301和2303之間的這種元件組2302可以置于物體表面上或物體內(nèi)部，或者安裝在紙張內(nèi)部。
現(xiàn)在描述將由剝離處理形成的元件組附著到具有彎曲表面的襯底的情況(參看圖8C)。圖8C顯示從由剝離處理形成的元件組中選擇的一個晶體管。該晶體管被排列使得由襯底劃出的弧形方向垂直于電流流動的方向。根據(jù)這種結構，甚至當襯底彎曲以劃出弧形時，減小應力的效應并且抑制包括在元件組中的晶體管特性的變化是可能的。
另外，為了防止活動元件例如晶體管因應力而損壞，期望活動元件的活動區(qū)域(硅絕緣區(qū)部分)占據(jù)襯底整個面積的5～50％(優(yōu)選地5～30％)。沒有提供活動元件例如TFT的區(qū)域主要包括基本絕緣薄膜材料、層間絕緣薄膜材料和導線材料。期望地，除晶體管等的活動區(qū)域之外的區(qū)域占據(jù)襯底整個面積的60％或更多。根據(jù)這種結構，可以提供容易彎曲的高度集成半導體器件。
本發(fā)明的半導體器件可以應用于各種領域。例如，作為本發(fā)明半導體器件一種方式的無線標簽可以安裝在賬單、硬幣、有價證券、證書、不記名債券、包裝箱、書籍、記錄介質、私人物品、車輛、食品、衣服、保健物品、生活用品、藥品、電子裝置等上。賬單和硬幣指市場中的貨幣并且包括在特殊領域(現(xiàn)金憑單)中作為貨幣的票據(jù)，紀念幣等。有價證券指支票、股份證書、期票等(參看圖6A)。證書指駕駛執(zhí)照、居留卡等(參看圖6B)。不記名債券指郵票、各種贈券等(參看圖6C)。包裝箱指飯盒等的包裝紙、塑料瓶等(參看圖6D)。書籍指書、卷等(參看圖6E)。記錄介質指DVD軟件、錄像帶等(參看圖6F)。私人物品指包、眼鏡等(參看圖6H)。車輛指有輪車輛例如自行車、船舶等(參看圖6G)。食品指食物、飲料等。衣服指服裝、鞋襪等。保健物品指醫(yī)療設備、健康器械等。生活用品指家具、照明設備等。藥品指藥、農(nóng)藥等。電子裝置指液晶顯示設備、EL顯示設備、TV接收器(電視機、平面屏幕TV接收器和平面屏幕電視機)、移動電話等。當無線標簽安裝在賬單、硬幣、有價證券、證書、不記名債券等上時，其偽造可以防止。當無線標簽安裝在包裝箱、書籍、記錄介質、私人物品、食品、生活用品、電子裝置等上時，檢查系統(tǒng)、租賃系統(tǒng)等的效率可以提高。當無線標簽安裝在車輛、保健物品、藥品等上時，其偽造和偷竊可以防止并且可以防止藥品以錯誤的方式取用。無線標簽可以附著到產(chǎn)品表面或安裝在產(chǎn)品內(nèi)部。例如，無線標簽可以安裝在書頁內(nèi)，或者包裝的有機樹脂內(nèi)。
當本發(fā)明這樣應用于產(chǎn)品管理或分配系統(tǒng)時，高性能系統(tǒng)可以實現(xiàn)。例如，讀寫器95可以提供在包括顯示部分94的便攜式終端一側，而作為本發(fā)明半導體器件一種方式的無線標簽96可以提供在產(chǎn)品97一側(參看圖7A)。在這種情況下，當無線標簽96接近讀寫器95時，顯示部分94顯示關于產(chǎn)品97的數(shù)據(jù)例如成分、原產(chǎn)地和分配過程的記錄。常規(guī)地，關于產(chǎn)品97的數(shù)據(jù)局限于標簽上顯示的數(shù)據(jù)。同時，大量數(shù)據(jù)可以通過提供無線標簽96而獲得。作為另一個實例，讀寫器95可以提供在傳送帶旁邊(參看圖7B)。在這種情況下，產(chǎn)品97可以容易地檢查。該實施方案可以結合前述實施方式和實施方案來實現(xiàn)。
權利要求
1.一種半導體器件，包括中央處理單元，包括多個單元和控制電路；天線；電源電路；以及時鐘發(fā)生電路，其中控制電路基于包括關于來自天線的電源的數(shù)據(jù)的電源信號，將用于停止到至少一個單元的電源的第一控制信號、用于改變提供到至少一個單元的電源電勢的第二控制信號、以及用于停止提供時鐘信號到至少一個單元的第三控制信號中的至少一個，輸出到電源電路和時鐘發(fā)生電路的至少一個。
2.一種半導體器件，包括中央處理單元，包括多個單元和控制電路；天線；電源電路；時鐘發(fā)生電路；提供在多個單元和電源電路之間的多個第一開關，其中多個第一開關的每個對應于多個單元的一個；以及提供在多個單元和時鐘發(fā)生電路之間的多個第二開關，其中多個第二開關的每個對應于多個單元的一個，其中控制電路基于包括關于來自天線的電源的數(shù)據(jù)的電源信號，將用于停止到至少一個單元的電源的第一控制信號、用于改變提供到至少一個單元的電源電勢的第二控制信號、以及用于停止提供時鐘信號到至少一個單元的第三控制信號中的至少一個，輸出到第一開關和第二開關的至少之一。
3.一種半導體器件，包括中央處理單元，包括多個單元和控制電路；天線；電源電路；以及時鐘發(fā)生電路，其中控制電路基于由從每個單元提供的事件信號而獲得的負荷信號，將用于停止到至少一個單元的電源的第一控制信號、用于改變提供到至少一個單元的電源電勢的第二控制信號、以及用于停止提供時鐘信號到至少一個單元的第三控制信號中的至少一個，輸出到電源電路和時鐘發(fā)生電路的至少一個。
4.一種半導體器件，包括中央處理單元，包括多個單元和控制電路；天線；電源電路；時鐘發(fā)生電路；提供在多個單元和電源電路之間的多個第一開關，其中多個第一開關的每個對應于多個單元的一個；以及提供在多個單元和時鐘發(fā)生電路之間的多個第二開關，其中多個第二開關的每個對應于多個單元的一個，其中控制電路基于由從每個單元提供的事件信號而獲得的負荷信號，將用于停止到至少一個單元的電源的第一控制信號、用于改變提供到至少一個單元的電源電勢的第二控制信號、以及用于停止提供時鐘信號到至少一個單元的第三控制信號中的至少一個，輸出到第一開關和第二開關的至少之一。
5.根據(jù)權利要求1～4的任何一個的半導體器件，還包括玻璃襯底，其中多個單元和控制電路提供在玻璃襯底上。
6.根據(jù)權利要求1～4的任何一個的半導體器件，還包括柔性襯底，其中多個單元和控制電路提供在柔性襯底上。
7.根據(jù)權利要求1～4的任何一個的半導體器件，其中多個單元選自總線接口、數(shù)據(jù)高速緩沖存儲器、指令譯碼器、預留緩存、指令高速緩沖存儲器、運算邏輯單元、浮點單元、分支單元、加載/存儲單元和通用寄存器。
8.根據(jù)權利要求1～4的任何一個的半導體器件，其中多個單元選自流水線單元、外圍存儲控制器和外圍總線控制器。
9.一種半導體器件，包括多個存儲塊；控制電路；以及電源電路，其中存儲塊的每個包括存儲單元陣列和連接到字線的行譯碼器，存儲單元陣列包括多個存儲單元，每個存儲單元在位線和字線彼此相交且絕緣體置于其間的區(qū)域中具有存儲元件；以及控制電路基于包括存儲塊操作數(shù)據(jù)的操作信號，將用于改變提供到存儲單元陣列的電源電勢的第一控制信號和用于停止提供到行譯碼器的電源電勢的第二控制信號的至少一個輸出到電源電路。
10.一種半導體器件，包括多個存儲塊；控制電路；電源電路；以及提供在存儲塊和電源電路之間的多個開關，其中多個開關的每個對應于多個存儲塊的一個，其中存儲塊的每個包括存儲單元陣列和連接到字線的行譯碼器，存儲單元陣列包括多個存儲單元，每個存儲單元在位線和字線彼此相交且絕緣體置于其間的區(qū)域中具有存儲元件；以及控制電路基于包括存儲塊操作數(shù)據(jù)的操作信號，將用于改變提供到存儲單元陣列的電源電勢的第一控制信號和用于停止提供到行譯碼器的電源電勢的第二控制信號的至少一個輸出到開關。
11.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，還包括用于輸出操作信號的中央處理單元。
12.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，還包括用于輸出操作信號的專用電路。
13.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，還包括玻璃襯底，其中多個存儲塊和控制電路提供在玻璃襯底上。
14.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，還包括柔性襯底，其中多個存儲塊和控制電路提供在柔性襯底上。
15.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中包括在存儲塊中并且提供在同一列中的存儲單元連接到相同的位線。
16.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中包括在存儲塊中的存儲單元連接到相同的列譯碼器。
17.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中存儲塊的每個包括獨立于彼此而操作的列譯碼器。
18.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中位線為每個存儲塊而被獨立提供。
19.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中字線為每個存儲塊而被獨立提供。
20.根據(jù)權利要求9和10的任何一個的半導體器件，其中存儲塊的每個選自包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、掩模ROM(只讀存儲器)、PROM(可編程只讀存儲器)、EPROM(電可編程只讀存儲器)、EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)和閃速存儲器的組。
全文摘要
一種能夠通過盡可能地抑制功耗來穩(wěn)定電源的半導體器件。本發(fā)明的半導體器件包括具有多個單元和控制電路的中央處理單元，以及天線?？刂齐娐钒ɑ诎P于來自天線(通過天線)的電源的數(shù)據(jù)的電源信號或者由從每個單元提供的事件信號而獲得的負荷信號，輸出用于停止到一個或多個單元的電源的第一控制信號，用于改變提供到一個或多個單元的電源電勢的第二控制信號，以及用于停止提供時鐘信號到一個或多個單元的第三控制信號中一個或多個的裝置。
文檔編號H01L27/13GK1914626SQ200580003478
公開日2007年2月14日 申請日期2005年1月24日 優(yōu)先權日2004年1月30日
發(fā)明者加藤清 申請人:株式會社半導體能源研究所