專利名稱:可增進(jìn)速率的封裝芯片改良的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型是有關(guān)一種可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,特別指一種導(dǎo)線架各引腳的結(jié)構(gòu)改良。
背景技術(shù):
現(xiàn)有的封裝芯片結(jié)構(gòu),請(qǐng)參閱圖6所示,是包括一裸芯片10、一導(dǎo)線架20、復(fù)數(shù)金屬線30及一封膠體40所組成,其中該導(dǎo)線架20是由金屬材料經(jīng)過(guò)沖剪成排列狀復(fù)數(shù)引腳201所構(gòu)成,并固設(shè)于該裸芯片10選定面,借由該復(fù)數(shù)金屬線30連接于裸芯片10接點(diǎn)及各引腳201內(nèi)端間,以及一封膠體40密封金屬線30焊接部位,即組成可組裝于電路板50上應(yīng)用的封裝芯片。
上揭現(xiàn)有的封裝芯片,其導(dǎo)線架20的各引腳201僅呈單一矩形塊結(jié)構(gòu),以各引腳201底面用以與電路板50接點(diǎn)的焊錫60接著,因各該引腳201底面為單純平面狀,致使焊錫60無(wú)法穩(wěn)定接著,容易因輕微碰撞或溫度、濕度等因素影響而使一、二個(gè)引腳201局部脫離,導(dǎo)致其功能喪失。另者,應(yīng)用各引腳201底面直接與焊錫60接著,其導(dǎo)接的斷面僅限于焊錫60斷面范圍,因此限制芯片傳輸效率,無(wú)法因應(yīng)時(shí)下高速率及龐大訊號(hào)傳遞的需求。
本案設(shè)計(jì)人鑒于現(xiàn)有封裝芯片結(jié)構(gòu)所衍生的各項(xiàng)問(wèn)題及不足,亟思加以改良創(chuàng)新,并經(jīng)苦心孤詣潛心研究后,終于成功研發(fā)完成可增進(jìn)速率的封裝芯片結(jié)構(gòu)。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要目的,是在提供一種可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,特別借以導(dǎo)線架各引腳的結(jié)構(gòu)改良,使改善現(xiàn)有封裝芯片焊接穩(wěn)定性的不足,并進(jìn)一步提升封裝芯片應(yīng)用時(shí)的傳輸速率。
依上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施內(nèi)容是包括一裸芯片、一導(dǎo)線架、復(fù)數(shù)導(dǎo)線及封膠體所組成,其中
該裸芯片是為半導(dǎo)體材料所制成的電子組件,于其一面設(shè)有復(fù)數(shù)接點(diǎn);該導(dǎo)線架是固設(shè)于裸芯片接點(diǎn)面的金屬介質(zhì),乃具有復(fù)數(shù)塊狀引腳用以連接于裸芯片及電路板間;該復(fù)數(shù)導(dǎo)線是焊接于裸芯片接點(diǎn)及導(dǎo)線架各引腳的金屬線;該封膠體是密封包覆導(dǎo)線焊接部位的絕緣體;一種可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,包括一裸芯片接點(diǎn)該面固設(shè)一導(dǎo)線架,于裸芯片接點(diǎn)及導(dǎo)線架間焊接有復(fù)數(shù)導(dǎo)線,并于該復(fù)數(shù)導(dǎo)線焊接部設(shè)有一封膠體所組成,其特征在于該導(dǎo)線架是采以金屬材沖切為復(fù)數(shù)塊狀引腳呈排列狀構(gòu)成,各引腳下端沖設(shè)有一突塊,并以該突塊的端面作為對(duì)外接電的導(dǎo)接面,借此組成可供焊錫穩(wěn)定包覆住該引腳突塊的端面及周圍,并增進(jìn)傳輸效率的封裝芯片。
該突塊包括可為引腳上端面往下沖設(shè)有一凹陷部位。
該突塊包括于端面處可實(shí)施有一鍍著層。
本實(shí)用新型的有效效果在于一種可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,以改善現(xiàn)有封裝芯片焊接穩(wěn)定性的不足,并增進(jìn)其焊接穩(wěn)定性及傳輸速率等效果。
圖式簡(jiǎn)單說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型封裝芯片組成狀態(tài)的斷面示意圖。
圖2為本實(shí)用新型封裝芯片組成狀態(tài)的底面示意圖。
圖3為本實(shí)用新型導(dǎo)線架引腳供與焊接狀態(tài)的示意圖。
圖4為本實(shí)用新型封裝芯片組裝于電路板的示意圖。
圖5為本實(shí)用新型單一引腳結(jié)構(gòu)的立體示意圖。
圖6為現(xiàn)有封裝芯片結(jié)構(gòu)的斷面示意圖。
主要圖號(hào)說(shuō)明裸芯片1;導(dǎo)線架2;引腳21; 凹陷部22;突塊23; 端面24;鍍著層25; 復(fù)數(shù)導(dǎo)線3;封膠體4;電路板50;接點(diǎn)501;焊錫60;
具體實(shí)施方式
茲依附圖實(shí)施例將本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及其它的作用、目的詳細(xì)說(shuō)明如下參考附圖所示,本實(shí)用新型所為一種「可增進(jìn)速率的封裝芯片改良」,該封裝芯片是一種可組裝于電路板50應(yīng)用的電子組件,是包括一裸芯片1、一導(dǎo)線架2、復(fù)數(shù)導(dǎo)線3及封膠體4所組成,其中裸芯片1,如圖1所示,是為半導(dǎo)體材料所制成的片狀電子組件,于其一面設(shè)有復(fù)數(shù)接點(diǎn),使該復(fù)數(shù)接點(diǎn)與導(dǎo)線架2構(gòu)成電性連接;導(dǎo)線架2,如圖1及圖2所示,是固設(shè)于裸芯片1復(fù)數(shù)接點(diǎn)該面的金屬介質(zhì),可采以金屬材料沖切為復(fù)數(shù)引腳21呈二排或矩陣排列構(gòu)成,各引腳21是于上端面往下沖設(shè)有一凹陷部22,以于引腳21下端形成有一突塊23(參閱圖5所示),并以該突塊23端面24作為對(duì)外接電的導(dǎo)接面;復(fù)數(shù)導(dǎo)線3,如圖1及圖2所示,可為金屬線(例如金線等),其一端焊接于裸芯片1的接點(diǎn),而另一端焊接于該導(dǎo)線架2各引腳21的內(nèi)端,以使裸芯片1可與導(dǎo)線架2構(gòu)成電性連接,使經(jīng)由導(dǎo)線架2各引腳21與電路板50傳遞訊號(hào);封膠體4,如圖1所示,是局部密封包覆復(fù)數(shù)導(dǎo)線3焊接部位之絕緣體;借上述裸芯片1、導(dǎo)線架2、復(fù)數(shù)導(dǎo)線3及封膠體4的結(jié)構(gòu)特征及組合關(guān)系,即組成一種可用導(dǎo)線架2各引腳21的突塊23與電路板50焊接應(yīng)用的封裝芯片(參閱圖4所示),使借以該導(dǎo)線架2及復(fù)數(shù)導(dǎo)線3作為裸芯片1與電路板50的導(dǎo)電介質(zhì)。
運(yùn)用本實(shí)用新型可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,由于其導(dǎo)線架2各引腳21下端分別形成有一突塊23及焊接用端面24,故可對(duì)應(yīng)于電路板50接點(diǎn)501上的焊錫60接著,可提供該焊錫60包覆住突塊23的端面24及其周圍(如圖3所示),借此,改善現(xiàn)有封裝芯片只能以面接著之不足,達(dá)成增進(jìn)其焊接穩(wěn)定性效果,使防止碰觸、溫度變化等各種因素脫落短路。另者,因本實(shí)用新型該導(dǎo)線架2各引腳21下端具有突塊23可與焊錫60接著,其接著面積包含端面24其其周圍,故能藉此增電訊傳輸效率,以符合現(xiàn)今電子產(chǎn)品要求高速率及龐大數(shù)據(jù)處理能力的需求。
另者,請(qǐng)參閱圖3所示,本實(shí)用新型該突塊23的端面24處,也可實(shí)施有一鍍著層25,其材質(zhì)可為導(dǎo)電效率較高的銀等,借此與焊錫60接著后,即能更佳降低電阻,并增進(jìn)其傳輸速率。
權(quán)利要求1.一種可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,包括一裸芯片接點(diǎn)該面固設(shè)一導(dǎo)線架,于裸芯片接點(diǎn)及導(dǎo)線架間焊接有復(fù)數(shù)導(dǎo)線,并于該復(fù)數(shù)導(dǎo)線焊接部設(shè)有一封膠體所組成,其特征在于該導(dǎo)線架是采以金屬材沖切為復(fù)數(shù)塊狀引腳呈排列狀構(gòu)成,各引腳下端沖設(shè)有一突塊,并以該突塊的端面作為對(duì)外接電的、可供焊錫穩(wěn)定包覆住該引腳突塊的端面及周圍的導(dǎo)接面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,其特征在于,該突塊包括可為引腳上端面往下沖設(shè)有一凹陷部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,其特征在于,該突塊包括于端面處可實(shí)施有一鍍著層。
專利摘要本實(shí)用新型可增進(jìn)速率的封裝芯片改良,是包括一裸芯片的接點(diǎn)面固設(shè)有復(fù)數(shù)引腳所構(gòu)成的導(dǎo)線架,該導(dǎo)線架引腳可形成為排列于裸芯片二側(cè)或呈矩陣排列,于各引腳內(nèi)端設(shè)有導(dǎo)線與裸芯片的接點(diǎn)構(gòu)成電性連接,特別令導(dǎo)線架各引腳下端沖設(shè)有一突塊,該突塊作為外電性導(dǎo)接面,使與電路板接點(diǎn)的焊錫接著,進(jìn)一步達(dá)成焊錫可包覆突塊底面及周圍,而增進(jìn)其焊接穩(wěn)定性及傳輸速率等效果。
文檔編號(hào)H01L23/48GK2791883SQ20052000133
公開(kāi)日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2005年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月21日
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