專利名稱：薄膜晶體管、包括薄膜晶體管的平板顯示器以及制造薄膜晶體管和平板顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)、具有TFT的平板顯示器以及用于制造TFT和平板顯示器的方法，并且更特別是本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)，該薄膜晶體管在有機(jī)半導(dǎo)體層內(nèi)具有轉(zhuǎn)變區(qū)域，這提供與有機(jī)半導(dǎo)體層形成圖案的方法相同的結(jié)果，本發(fā)明還涉及具有TFT的平板顯示器和制造TFT和平板顯示器的方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)在平板顯示器中用作控制每個(gè)像素的操作的轉(zhuǎn)換元件或者用作操作像素的驅(qū)動(dòng)元件。TFT包括液晶顯示元件、有機(jī)電致發(fā)光元件以及無(wú)機(jī)發(fā)光顯示元件。
TFT包括有源層，有源層具有源區(qū)和充滿高濃度雜質(zhì)的漏區(qū)以及形成在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。TFT還包括形成在面向溝道區(qū)的襯底預(yù)定區(qū)域上的門電極，并且門電極與有源層隔離。TFT還包括連接到源區(qū)上的源電極和連接到漏區(qū)上的漏電極。
平板顯示器變得更薄，并且需要具有柔性。
為了制造具有柔性的更薄的平板顯示器，塑料襯底代替玻璃襯底用作平板顯示器的襯底。在使用塑料襯底時(shí)，不能在平板顯示器的制造中進(jìn)行高溫?zé)峒庸?。因此，在使用傳統(tǒng)多晶硅薄膜晶體管制造平板顯示器中存在困難。
為了克服所述問題，已經(jīng)采用有機(jī)半導(dǎo)體。有機(jī)半導(dǎo)體可在制造相對(duì)便宜的薄膜晶體管(TFT)的低溫?zé)峒庸ぶ行纬伞?br> 但是，對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體層形成圖案來(lái)說(shuō)不能使用光刻方法。換言之，圖案形成在形成有源溝道的有機(jī)半導(dǎo)體層上。如果對(duì)于在有機(jī)半導(dǎo)體層上形成圖案來(lái)說(shuō)使用濕式和干式蝕刻方法的組合方法，將損壞有機(jī)半導(dǎo)體。
因此，需要一種新型的有機(jī)半導(dǎo)體形成圖案的方法。

發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管，包括
門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并連接到源電極和漏電極的有機(jī)半導(dǎo)體層；其中有機(jī)半導(dǎo)體層包括圍繞至少溝道區(qū)的轉(zhuǎn)變區(qū)域，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有不同于其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域的晶體尺寸小于其它區(qū)域的晶體尺寸。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有低于其它區(qū)域的電流流動(dòng)性。
在又一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上照射光來(lái)形成。
在再一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上進(jìn)行熱處理來(lái)形成。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括圍繞至少溝道區(qū)的閉合曲線形狀的邊界。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括形成在至少一對(duì)大致平行的線上的邊界，其中至少溝道區(qū)定位在大致平行線之間。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括大致平行于連接源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的線的邊界。
在另一方面，形成覆蓋門電極的隔離層，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在隔離層上。
另一實(shí)施例涉及一種覆蓋門電極的隔離層，其中源電極和漏電極各自形成在隔離層上；覆蓋隔離層、源電極和漏電極的無(wú)源層，其中無(wú)源層在源電極或漏電極之上具有開口，其中有機(jī)半導(dǎo)體層形成在無(wú)源層上。
在另一方面，源電極和漏電極各自形成在襯底上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，以便覆蓋源電極和漏電極。
在又一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且源電極和漏電極各自形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上。
在再一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
另一實(shí)施例涉及一種平板顯示器，包括襯底；至少一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管形成在襯底上，并且包括門電極、源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及連接到源電極和漏電極上并且與門電極隔離的有機(jī)半導(dǎo)體；以及電連接到薄膜晶體管的至少一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，其中有機(jī)半導(dǎo)體層包括圍繞有機(jī)半導(dǎo)體的至少溝道區(qū)的轉(zhuǎn)變區(qū)域，其中轉(zhuǎn)變區(qū)域具有不同于有機(jī)半導(dǎo)體層的其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域的晶體尺寸小于其它區(qū)域的晶體尺寸。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有低于其它區(qū)域的電流流動(dòng)性。
在又一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的運(yùn)動(dòng)區(qū)域照射光來(lái)形成。
在再一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上進(jìn)行熱處理。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括圍繞至少溝道區(qū)的閉合曲線形狀的邊界。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括形成在至少一對(duì)大致平行的線上的邊界，其中溝道區(qū)定位在大致平行的線之間。
在另一方面，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括大致平行于連接源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的線的邊界。
在另一方面，形成覆蓋門電極的隔離層，并且有機(jī)半導(dǎo)體形成在隔離層上。
另一實(shí)施例涉及一種覆蓋門電極的隔離層，其中，源電極和漏電極各自形成在隔離層上；覆蓋隔離層、源電極和漏電極的無(wú)源層，其中無(wú)源層在源電極或漏電極之上具有開口，其中有機(jī)半導(dǎo)體層形成在無(wú)源層上。
在另一方面，源電極和漏電極各自形成在襯底上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，以便覆蓋源電極和漏電極。
在又一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且源電極和漏電極各自形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上。
在再一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
另一實(shí)施例涉及一種制造薄膜晶體管的方法，薄膜晶體管包括門電極、源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層。
該方法包括用光照射圍繞有機(jī)半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)的區(qū)域，其中有機(jī)半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)性減小。
在一個(gè)方面，有機(jī)半導(dǎo)體層用激光照射。
在另一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層用紫外線照射。
在又一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
另一實(shí)施例涉及一種制造薄膜晶體管的方法，薄膜晶體管包括門電極、源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；該方法包括在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之后，在至少靠近有機(jī)半導(dǎo)體的溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層上進(jìn)行熱處理，其中有機(jī)半導(dǎo)體的傳導(dǎo)性減小。
在一個(gè)方面，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
另一實(shí)施例涉及一種制造平板顯示器的方法，包括形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成在襯底上的門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；以及形成電連接到薄膜晶體管的一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，該方法包括用光照射有機(jī)半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)周圍的區(qū)域，其中有機(jī)半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)性減小。
在一個(gè)方面，有機(jī)半導(dǎo)體層用激光照射。
在另一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層用紫外線照射。
在又一方面，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
另一實(shí)施例涉及一種制造平板顯示器的方法，包括形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成在襯底上的門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；以及形成電連接到薄膜晶體管的一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，該方法包括在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之后，在至少靠近有機(jī)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層上進(jìn)行熱處理，其中有機(jī)半導(dǎo)體的傳導(dǎo)性減小。
在一個(gè)方面中，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。


參考附圖，通過詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，將更加清楚本發(fā)明的所述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中圖1是按照一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管截面圖；圖2是圖1的薄膜晶體管的截面圖，表示按照一個(gè)實(shí)施例制造的薄膜晶體管的方法；圖3是圖1的薄膜晶體管的截面圖，表示按照另一實(shí)施例制造的薄膜晶體管的方法；圖4-17是表示轉(zhuǎn)變區(qū)域的不同圖案的視圖；圖18-21是按照本發(fā)明具有不同層壓結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的截面圖；以及圖22是具有圖1的薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光顯示器的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在更加完整地參考其中表示示例性實(shí)施例的附圖，描述本發(fā)明。
圖1是按照一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)的截面圖。如圖1所示，TFT10和10’形成在襯底11上。柔性襯底可用作襯底11。即，塑料襯底可用作襯底11。但是，當(dāng)前實(shí)施例不局限于塑料襯底的使用。任何襯底可用作襯底11，例如由玻璃和金屬材料制成的具有預(yù)定厚度的柔性襯底。
如圖1所示，TFT10和10’形成在襯底11上，并且彼此臨近。同樣，TFT10和10’具有大致相同的結(jié)構(gòu)。此后，說(shuō)明TFT10的結(jié)構(gòu)。
具有預(yù)定圖案的門電極12形成在襯底11上，并且門電極隔離層13形成為覆蓋門電極12。源電極和漏電極14各自形成在門電極隔離層13上。如圖1所示，源電極和漏電極14可形成為與門電極12的預(yù)定部分重疊。但是，當(dāng)前實(shí)施例不局限于具有與門電極12重疊的源電極和漏電極14。有機(jī)半導(dǎo)體層15形成在源電極和漏電極14上，以便覆蓋TFT10的整個(gè)表面。
有機(jī)半導(dǎo)體層15包括源區(qū)和漏區(qū)15b以及連接源區(qū)和漏區(qū)15b的溝道區(qū)15a。n型有機(jī)半導(dǎo)體或p型有機(jī)半導(dǎo)體可用作有機(jī)半導(dǎo)體層15。同樣，n式雜質(zhì)或p式雜質(zhì)可摻入源區(qū)和漏區(qū)15b。
有機(jī)半導(dǎo)體層15通過使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成，該材料包括戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬(例如Cu、Pt等)的酞花青及其衍生物、不包括金屬(例如Cu、Pt等)的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
如圖1所示，有機(jī)半導(dǎo)體層15在TFT10和10’上完全發(fā)，以便覆蓋TFT10和TFT10’的整個(gè)表面。因此，如果不對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層15形成圖案，可以在TFT10和10’之間形成串?dāng)_。
為了防止TFT10和10’之間形成串?dāng)_，在當(dāng)前實(shí)施例中，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c形成在TFT10和10’之間。轉(zhuǎn)變區(qū)域15c是進(jìn)行轉(zhuǎn)變以便具有不同于有機(jī)半導(dǎo)體層15的其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域。
考慮到單個(gè)TFT10，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c圍繞至少溝道區(qū)15a形成。轉(zhuǎn)變區(qū)域15c提供等同于有機(jī)半導(dǎo)體層15形成圖案的結(jié)果。
半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域進(jìn)行分解、相變或光氧化，以便形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c。即，通過分解、相變或光氧化，預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)變化。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域通過光照射，以便改變有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)，如圖2和3所示。
圖2是用于表示通過用激光照射有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域來(lái)形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的方法的薄膜晶體管的截面圖，并且圖3是用于表示通過用紫外線(UV)照射有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域來(lái)形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的方法的薄膜晶體管的截面圖。
如圖2所示，如果用激光照射有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域，預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)通過激光局部產(chǎn)生的熱烈改變。即，由激光產(chǎn)生的熱烈使得預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)分解、光氧化或相變，以不同于有機(jī)半導(dǎo)體層15的其它區(qū)域(例如具有更小的晶體尺寸)。
如圖3所示，具有屏蔽部分41和開口部分42的掩模40在預(yù)定空腔內(nèi)布置在TFT10和10’之上，并且用光照射掩模40。開口部分42將照射的UV線透過到有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域，并且屏蔽部分41阻擋UV線照射到有機(jī)半導(dǎo)體層15。有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域暴露于UV線，并且預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)通過分解、相變或光氧化來(lái)改變。預(yù)定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)變得不同于有機(jī)半導(dǎo)體層15的其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。
由所述方法形成的轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的一個(gè)特征變得不同于半導(dǎo)體層15的其它區(qū)域。即，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的晶體尺寸變得小于其它區(qū)域的晶體。
轉(zhuǎn)變區(qū)域15c形成在有機(jī)半導(dǎo)體層15上，以便阻擋TFT10和10’之間的串?dāng)_。
有機(jī)半導(dǎo)體層15內(nèi)有機(jī)材料的分解造成電阻增加。即，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層15內(nèi)的有機(jī)材料的晶體尺寸變得更小時(shí)，分解的有機(jī)材料的電阻增加。因此，分解的有機(jī)材料變?yōu)閭魉洼d體的阻抗。因此，分解的有機(jī)材料提供與有機(jī)半導(dǎo)體層形成圖案相同的結(jié)果，以便在相鄰的TFT之間阻擋載體傳遞。
在激光指向有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域之后，預(yù)定區(qū)域的載體流動(dòng)性顯著減小。這在Applied Phusics Letters，第85卷，1377-1379頁(yè)，2004中由J.Ficker披露(此后稱為“Fisher”)。
在一個(gè)實(shí)施例中，F(xiàn)icker的方法用于獲得與有機(jī)半導(dǎo)體層15形成圖案相同的結(jié)果。即，激光局部指向有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域，以便形成轉(zhuǎn)變層15c。轉(zhuǎn)變層15c阻擋相鄰TFT之間載體傳遞。轉(zhuǎn)變層15c提供與有機(jī)半導(dǎo)體層15形成圖案相同的結(jié)果。
轉(zhuǎn)變層15c可通過Ficker方法以外的其它方法來(lái)形成。
公知的是如果熱量施加到以正常溫度蒸發(fā)的戊省層時(shí)，當(dāng)溫度變成大約60℃時(shí)，戊省層的可結(jié)晶性最大，并且晶粒的尺寸變得較小，并且當(dāng)溫度增加到80℃以上時(shí)，戊省層的表面粗糙度增加(Rongbin，Ye，Jpn.J.App1.Phys.Vol.42(2003)，PP4473-4475)。
另外，已經(jīng)披露的是由于在90℃下退火阿爾法-6噻嗯(a-6T)調(diào)整形態(tài)，元件的特性變得退化。(F.Dinelli Synthetic Metals146，pp 373-376，2004)。此外，如果在高溫下退火聚3-已基噻吩，聚3-已基噻吩容易氧化，并且工件中元件特性變得退化(Brains A.Mattieset.Al，Mat，Res，Soc，Symp.Proc.Vol.771(2003)，L10.35.1)。
根據(jù)所述事實(shí)，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可通過在有機(jī)半導(dǎo)體層的預(yù)定區(qū)域上局部進(jìn)行熱處理來(lái)形成。即，如果與有機(jī)半導(dǎo)體層15的轉(zhuǎn)變層15c相對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行局部熱處理，有機(jī)半導(dǎo)體層15的區(qū)域轉(zhuǎn)變，使得轉(zhuǎn)變區(qū)域15c具有退化的特性，即具有較低的載體流動(dòng)性。
局部熱處理可通過用例如UV線的光照射有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域來(lái)進(jìn)行。但是，對(duì)于熱處理來(lái)說(shuō)，當(dāng)前實(shí)施例不局限于用光照射轉(zhuǎn)變層15c。局部熱處理可以通過將加熱線圖案布置在襯底11之下以便加熱有機(jī)半導(dǎo)體層15c的預(yù)定區(qū)域來(lái)進(jìn)行。
轉(zhuǎn)變區(qū)域可形成為使其形成不同圖案。
圖4-17表示按照當(dāng)前實(shí)施例轉(zhuǎn)變區(qū)域的不同圖案。
在圖4-17中，12a表示傳遞門電極信號(hào)的門電極12的門電極線，并且數(shù)據(jù)線14a連接到源電極/漏電極14之一上。
圖4-7表示具有圍繞溝道區(qū)15a的邊界的閉合曲線形狀的轉(zhuǎn)變區(qū)域15c。如圖4和6所示，邊界的閉合曲線形狀可形成為具有預(yù)定厚度。同樣，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c形成為具有內(nèi)部邊界的閉合曲線形狀，以便在溝道區(qū)15a的外部形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c，如圖5和7所示。
轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的邊界可與門電極12的預(yù)定部分重疊，如圖4和5所示。同樣，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的邊界可形成在門電極12的外部區(qū)域上，如圖6和7所示。轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的邊界可布置在門電極線12a的內(nèi)側(cè)，如圖4和5所示，并且轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的邊界布置在門電極線12a的外部，如圖6和7所示。
如圖8-15所示，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的邊界可形成在一對(duì)大致平行的線上，并且溝道區(qū)15a位于大致平行的線之間。
如圖8、10、12和14所示，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可形成為具有預(yù)定厚度的線形。另外，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可形成在溝道區(qū)15a外部的整個(gè)區(qū)域上，并且兩個(gè)轉(zhuǎn)變區(qū)域15c的內(nèi)部邊界大致相互平行，如圖9、11、13-15所示。
一對(duì)大致平行的線可大致平行于門電極線12a，如圖8-11所示。另外，一對(duì)大致平行的線可大致平行于源電極/漏電極14的多個(gè)線之一，如圖12-15所示。
轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可橫過門電極12形成在門電極線12a內(nèi)側(cè)，如圖8和9所示。同樣，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可形成在門電極線12a的外側(cè)，并且在門電極12的外側(cè)，如圖10和11所示。
另外，轉(zhuǎn)變區(qū)域12可形成為具有橫過源電極/漏電極14的內(nèi)部邊界，如圖12和13所示，并且轉(zhuǎn)變區(qū)域15c形成在源電極/漏電極14的外側(cè)，如圖14和15所示。
如圖16和17所示，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可形成在兩對(duì)大致平行的線上。溝道區(qū)15a位于形成在兩對(duì)大致平行的線上的轉(zhuǎn)變區(qū)域15c之間。兩對(duì)大致平行的線之一可大致平行于門電極線12a，并兩對(duì)大致平行的線的另一個(gè)大致平行于源電極/漏電極14的一個(gè)14a線。如圖16所示，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可橫過門電極12和源電極/漏電極14形成。同樣，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可形成在門電極15和源電極/漏電極14外側(cè)上，如圖17所示。
如圖4-17所示，轉(zhuǎn)變區(qū)域15c還包括大致平行連接源區(qū)/漏區(qū)15b和溝道區(qū)15a的線的線。因此，溝道區(qū)15a的寬度可以通過轉(zhuǎn)變區(qū)域15c來(lái)改變，以便更加接近設(shè)計(jì)寬度，或者所需寬度。
薄膜晶體管(TFT)可具有圖1所示的層壓結(jié)構(gòu)以外的不同的層壓結(jié)構(gòu)。
圖18是按照一個(gè)實(shí)施例具有層壓結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的視圖。如圖18所示，門電極隔離層13形成在襯底11上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層15形成在門電極隔離層13上。在形成有機(jī)半導(dǎo)體層15之后，源電極/漏電極14形成在有機(jī)半導(dǎo)體層15上。用光照射有機(jī)半導(dǎo)體層15的預(yù)定區(qū)域，以便在源電極/漏電極形成在有機(jī)半導(dǎo)體層15之前形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c。
圖19是表示具有另一層壓結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的視圖。如圖19所示，無(wú)源層17另外形成在有機(jī)半導(dǎo)體層15上。無(wú)源層17覆蓋源電極/漏電極14和14’。無(wú)源層17包括開口單元17a和17a’。溝道區(qū)15a和15a’形成在開口單元17和17a’上。
對(duì)于形成無(wú)源層17來(lái)說(shuō)，可以使用有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料或兩種材料。無(wú)機(jī)材料包括例如SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST((Ba，Sr)TiO3)以及PZT((Pb，Zr)TiO3)。同樣，有機(jī)材料可包括例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)以及PS(聚苯乙烯)的常用聚合物、具有苯酚族的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺聚合物、芳基乙醚聚合物、酰胺聚合物、氟化聚合物、p-二甲苯聚合物、乙烯基醇聚合物或者任何這些物質(zhì)的混合物。同樣，可以使用無(wú)機(jī)-有機(jī)層壓層。
可以在靠近無(wú)源層17的有機(jī)半導(dǎo)體層15的最上面層上實(shí)施例如OTS(八癸基三甲氧基硅烷)和HMDS(六甲基二硅氮烷)的SAM方法(用于形成自組裝單層的傳統(tǒng)方法)并且通過使用氟化聚合物薄膜或常用聚合物薄膜在最上面層上實(shí)施涂覆方法。
圖20是按照另一實(shí)施例具有交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(TFT)的視圖。
如圖20所示，源電極/漏電極14和14’形成在襯底11上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層15形成在源電極/漏電極14和14，上。有機(jī)半導(dǎo)體層15覆蓋源電極/漏電極14和14’。門電極隔離層13形成在有機(jī)半導(dǎo)體層5上，并且門電極12和12’形成在面向溝道區(qū)15a和15a’的地方。
轉(zhuǎn)變區(qū)域15c形成在有機(jī)半導(dǎo)體層15的TFT10和10’之間的預(yù)定區(qū)域上。
因此，在襯底11上形成源電極/漏電極14和14’有機(jī)形成用于覆蓋源電極/漏電極14和14’的有機(jī)半導(dǎo)體層15之后，實(shí)施用光照射或者熱處理，以便形成轉(zhuǎn)變區(qū)域15c。
但是，源電極/漏電極14和14’可在襯底11上形成有機(jī)半導(dǎo)體層15之后形成，如圖21所示。在這種情況下，在襯底11上形成有機(jī)半導(dǎo)體層15之后并在形成源電極/漏電極14和14，之前，實(shí)施用光照射或熱處理。
在靠近圖20和21的薄膜晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體層15的最上面層上實(shí)施包括OTS和HMD的SAM方法。同樣，圖20和21的薄膜晶體管的最上面層可涂覆氟化聚合物薄膜或常用聚合物薄膜。
所述的轉(zhuǎn)變區(qū)域15c可用于薄膜晶體管的不同結(jié)構(gòu)。
所述的薄膜晶體管(TFT)可包括在例如有機(jī)發(fā)光顯示器和液晶顯示器(LCD)的平板顯示器內(nèi)。
圖22是具有按照實(shí)施例的薄膜晶體管的有機(jī)覆蓋顯示器的視圖。
圖23表示包括在有機(jī)發(fā)光顯示器內(nèi)的子像素之一。子像素包括作為自發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、至少一中薄膜晶體管和另外的電容器(未示出)。
按照從有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)出的顏色，有機(jī)發(fā)光顯示器具有不同像素圖案。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器包括用于紅色、綠色和藍(lán)色的像素。
如圖22所示，紅色、綠色和藍(lán)色的每個(gè)子像素包括TFT和OLED。TFT可以是所述的TFT之一。但是，當(dāng)前實(shí)施例不局限于所述TFT。子像素可具有薄膜晶體管的不同結(jié)構(gòu)。
如圖22所示，薄膜晶體管(TFT)20形成在隔離襯底21上。
TFT20包括在襯底21上具有預(yù)定圖案的門電極22、形成在門電極隔離層23上的源電極/漏電極24，并且有機(jī)半導(dǎo)體層25形成在源電極/漏電極24上。
有機(jī)半導(dǎo)體層25包括源/漏區(qū)25b、連接源/漏區(qū)25b的溝道區(qū)25a和轉(zhuǎn)變區(qū)域25c。轉(zhuǎn)變區(qū)域25c與圖1-21所示的轉(zhuǎn)變區(qū)域15c相同，因此省略轉(zhuǎn)變區(qū)域25c的詳細(xì)描述。
在形成有機(jī)半導(dǎo)體層25之后，形成無(wú)源層28，以便覆蓋TFT20。無(wú)源層28可通過使用有機(jī)材料(例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PS(聚苯乙烯)、具有一個(gè)或多個(gè)苯酚族的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺聚合物、芳基乙醚聚合物、酰胺聚合物、氟化聚合物、p-二甲苯聚合物或者乙烯基醇聚合物)、無(wú)機(jī)材料(例如SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST或PZT)或者有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的混合物形成為單層或者多層。
像素電極31形成在無(wú)源層28上，并且像素限定層29形成在像素電極31上。像素電極31是OLED30的電極之一。預(yù)定開口單元29a形成在像素限定層29上，并且接著形成OLED30的有機(jī)發(fā)光層32。
OLED30通過按照電流發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色來(lái)顯示預(yù)定圖形信息。OLED30包括連接到TFT20的源電極/漏電極24、形成為覆蓋整個(gè)像素和有機(jī)發(fā)光層32的計(jì)數(shù)電極33之一上的像素電極31。
像素電極34和計(jì)數(shù)電極33通過有機(jī)發(fā)光層32隔離。在使用小分子有機(jī)層的情況下，有機(jī)發(fā)光層32可形成為單個(gè)結(jié)構(gòu)或者包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電阻傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。酞花青銅(CuPc)，N，N’-Di(荼-1-y1)-N，N’-二苯基-對(duì)二氨基聯(lián)苯(NPB)以及tris-8-羥基醌鋁(Alq3)可用作有機(jī)材料。小分子有機(jī)層通過真空蒸發(fā)方法形成。
在使用聚合物有機(jī)層的情況下，有機(jī)發(fā)光層32包括HTL和EML。PEDOT(聚乙烯二羥噻吩)用于HTL，并且包括聚-亞苯基乙烯撐(PPV)或者聚芴的聚合物有機(jī)材料用于EML。屏幕印刷或噴墨印刷方法可用于形成有機(jī)發(fā)光層32。
但是有機(jī)層不局限于通過所述方法和材料形成?？刹捎貌煌膶?shí)施例來(lái)形成有機(jī)層。
像素電極31用作陽(yáng)極電極并且計(jì)數(shù)電極33用作陰極電極。但是，多個(gè)像素電極31和計(jì)數(shù)電極33可以轉(zhuǎn)換。
但是，當(dāng)前實(shí)施例不局限于具有所述的結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光顯示器的不同結(jié)構(gòu)可用于本發(fā)明。
在液晶顯示器(LCD)的情況下，底部對(duì)準(zhǔn)層(未示出)形成為覆蓋像素電極31，從而制造LCD的底部襯底。
當(dāng)前實(shí)施例的TFT可各自裝備一個(gè)或多個(gè)子像素，如圖22所示。同樣，當(dāng)前實(shí)施例的TFT可裝備驅(qū)動(dòng)器電路(未示出)或不復(fù)制圖像的其它電路。
柔性塑料襯底最好用作用于有機(jī)電致發(fā)光顯示器的襯底21。
如上所述，通過當(dāng)前實(shí)施例的轉(zhuǎn)換區(qū)域，TFT不同于相鄰的TFT。在當(dāng)前實(shí)施例中，具有不同晶體尺寸的轉(zhuǎn)換區(qū)域形成在TFT之間的有機(jī)半導(dǎo)體層上。這給出與有機(jī)半導(dǎo)體層形成圖案相同的結(jié)果。因此，對(duì)于制造當(dāng)前實(shí)施例的TFT來(lái)說(shuō)不進(jìn)行復(fù)雜的形成圖案方法。
同樣，對(duì)于制造當(dāng)前實(shí)施例的TFT來(lái)說(shuō)不需要干式蝕刻方法或濕式蝕刻方法。因此，減小有源溝道的性能退化。
同樣，由于不需要蝕刻，減小TFT的加工時(shí)間，并且改善TFT的加工效率。
此外，通過將溝道區(qū)與相鄰TFT隔離，減小泄漏電流。
雖然參考示例性實(shí)施例特別表示和描述了當(dāng)前實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解到可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行不同變化，而不偏離由以下權(quán)利要求限定的當(dāng)前實(shí)施例的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；其中有機(jī)半導(dǎo)體層包括圍繞至少溝道區(qū)的轉(zhuǎn)變區(qū)域，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有不同于其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域的晶體尺寸小于其它區(qū)域的晶體尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有低于其它區(qū)域的電流流動(dòng)性。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上照射光來(lái)形成。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上進(jìn)行熱處理來(lái)形成。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括圍繞至少溝道區(qū)的閉合曲線形狀的邊界。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括形成在至少一對(duì)大致平行的線上的邊界，其中至少溝道區(qū)定位在大致平行線之間。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括大致平行于連接源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的線的邊界。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，形成覆蓋門電極的隔離層，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在隔離層上。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括覆蓋門電極的隔離層，其中源電極和漏電極各自形成在隔離層上；覆蓋隔離層、源電極和漏電極的無(wú)源層，其中無(wú)源層在源電極或漏電極之上具有開口，其中有機(jī)半導(dǎo)體層形成在無(wú)源層上。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，源電極和漏電極各自形成在襯底上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，以便覆蓋源電極和漏電極。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且源電極和漏電極各自形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
14.一種平板顯示器，包括襯底；至少一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管形成在襯底上，并且包括門電極、源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及連接到源電極和漏電極上并且與門電極隔離的有機(jī)半導(dǎo)體；以及電連接到薄膜晶體管的至少一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，其中有機(jī)半導(dǎo)體層包括圍繞有機(jī)半導(dǎo)體的至少溝道區(qū)的轉(zhuǎn)變區(qū)域，其中轉(zhuǎn)變區(qū)域具有不同于有機(jī)半導(dǎo)體層的其它區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域的晶體尺寸小于其它區(qū)域的晶體尺寸。
16.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域具有低于其它區(qū)域的電流流動(dòng)性。
17.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的運(yùn)動(dòng)區(qū)域照射光來(lái)形成。
18.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域通過在形成轉(zhuǎn)變區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上進(jìn)行熱處理。
19.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括圍繞至少溝道區(qū)的閉合曲線形狀的邊界。
20.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括形成在至少一對(duì)大致平行的線上的邊界，其中溝道區(qū)定位在大致平行的線之間。
21.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，轉(zhuǎn)變區(qū)域包括大致平行于連接源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的線的邊界。
22.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，形成覆蓋門電極的隔離層，并且有機(jī)半導(dǎo)體形成在隔離層上。
23.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，還包括覆蓋門電極的隔離層，其中，源電極和漏電極各自形成在隔離層上；覆蓋隔離層、源電極和漏電極的無(wú)源層，其中無(wú)源層在源電極或漏電極之上具有開口，其中有機(jī)半導(dǎo)體層形成在無(wú)源層上。
24.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，源電極和漏電極各自形成在襯底上，并且有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，以便覆蓋源電極和漏電極。
25.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且源電極和漏電極各自形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上。
26.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
27.一種制造薄膜晶體管的方法，薄膜晶體管包括門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層。該方法包括用光照射圍繞有機(jī)半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)的區(qū)域，其中有機(jī)半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)性減小。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層用激光照射。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層用紫外線照射。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
31.一種制造薄膜晶體管的方法，薄膜晶體管包括門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離，以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；該方法包括在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之后，在至少靠近有機(jī)半導(dǎo)體的溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層上進(jìn)行熱處理，其中有機(jī)半導(dǎo)體的傳導(dǎo)性減小。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
33.一種制造平板顯示器的方法，包括形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括形成在襯底上的門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；以及形成電連接到薄膜晶體管的一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，該方法包括用光照射有機(jī)半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)周圍的區(qū)域，其中有機(jī)半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)性減小。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層用激光照射。
35.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層用紫外線照射。
36.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
37.一種制造平板顯示器的方法，包括形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成在襯底上的門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及與門電極隔離并且連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；以及形成電連接到薄膜晶體管的一個(gè)源電極和漏電極上的像素電極，該方法包括在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之后，在至少靠近有機(jī)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層上進(jìn)行熱處理，其中有機(jī)半導(dǎo)體的傳導(dǎo)性減小。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，有機(jī)半導(dǎo)體層包括至少一種戊省、丁省、蒽、荼、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺及其衍生物、芘四羧酸酐及其衍生物、α-5-噻吩的寡噻吩及其衍生物、包括金屬的酞花青及其衍生物、不包括金屬的酞花青及其衍生物、萘四羥基二酰亞胺及其衍生物、萘四羥基二酐及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亞胺及其衍生物、含有噻吩的共軛聚合物及其衍生物以及含有芴的聚合物及其衍生物。
全文摘要
披露一種提供與半導(dǎo)體層形成圖案相同的結(jié)果的具有轉(zhuǎn)變區(qū)域的薄膜晶體管、一種具有薄膜晶體管的平板顯示器和一種用于制造薄膜晶體管和平板顯示器的方法。薄膜結(jié)構(gòu)包括門電極；源電極和漏電極，每個(gè)電極與門電極隔離；以及連接到源電極和漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層。有機(jī)半導(dǎo)體層包括具有不同于溝道區(qū)周圍的晶體結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1819299SQ200510135849
公開日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者楊南喆, 金慧東, 徐旼徹, 具在本, 李尚旻, 李憲貞 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社