專利名稱：靜電防護(hù)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜電防護(hù)系統(tǒng)，特別涉及一種可防止靜電造成電子裝置損傷的靜電防護(hù)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
對(duì)于各式各樣電子產(chǎn)品的集成電路來(lái)說(shuō)，靜電損傷裝置是一個(gè)棘手的問(wèn)題。以一液晶顯示面板為例，液晶顯示面板通常包含有二非導(dǎo)體材質(zhì)的玻璃基板。由于突發(fā)的靜電不能藉由非導(dǎo)體材質(zhì)的玻璃基板傳導(dǎo)至外界，所以此時(shí)靜電所挾帶的能量就會(huì)導(dǎo)致玻璃基板上的裝置遭受損傷。因此，為了防止靜電造成裝置損傷，通常在液晶顯示面板中會(huì)設(shè)置有一靜電防護(hù)系統(tǒng)。
請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有顯示面板的靜電防護(hù)電路10的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有靜電防護(hù)電路10包含有一p型薄膜晶體管12以及一n型薄膜晶體管14。p型薄膜晶體管12以及n型薄膜晶體管14電連接至信號(hào)線16上介于輸入端18與顯示面板的主要電路20之間的位置，其中，信號(hào)線16可以是一掃描線(scan line)或是一數(shù)據(jù)線(data line)。p型薄膜晶體管12包含有一柵極121、一漏極122與一源極123，其中柵極121與源極123彼此電性短路相接(short-circuited)。而n型薄膜晶體管14包含有一柵極141、一源極142與一漏極143，其中柵極141與漏極143彼此電性短路相接。除此之外，p型薄膜晶體管12的源極123與n型薄膜晶體管14的漏極143分別電連接至一相對(duì)最高電壓22與一相對(duì)最低電壓24。
請(qǐng)一并參考圖2，圖2為圖1所示的靜電防護(hù)電路10的等效電路圖。如圖2所示，藉由圖中所示的連接方式，當(dāng)靜電脈沖電流(ESD pulse)傳入時(shí)，p型薄膜晶體管12以及n型薄膜晶體管14就會(huì)產(chǎn)生如同二p-n接面二極管組件(p-n junction diode elements)的功效。因此，靜電防護(hù)電路10便可防止靜電損傷顯示面板的主要電路20。特別注意的是，不論輸入端18電連接一正電壓或是一負(fù)電壓，p型薄膜晶體管12以及n型薄膜晶體管14都會(huì)是正向偏置(forward biased)的狀態(tài)。換句話說(shuō)，當(dāng)靜電脈沖電流傳入信號(hào)線16時(shí)，p型薄膜晶體管12或者是n型薄膜晶體管14會(huì)呈現(xiàn)正向偏置，以引導(dǎo)出靜電脈沖電流不至于損傷顯示面板的主要電路20。
然而，現(xiàn)有靜電防護(hù)電路10存在著一些限制。請(qǐng)一并參考圖3，圖3為現(xiàn)有靜電防護(hù)電路10的導(dǎo)通電流(turn-on current；Ion)以及漏極和源極二者電壓差(Vds)的關(guān)系示意圖。如先前所述，由于柵極121與源極123彼此電性短路相接，所以p型薄膜晶體管12可以操作在導(dǎo)通飽和區(qū)(saturationregion)下。同樣地，由于柵極141與漏極143彼此電性短路相接，所以n型薄膜晶體管14可以操作在導(dǎo)通飽和區(qū)下。由此可知，如圖3所示，p型薄膜晶體管12的導(dǎo)通電流(Ion)會(huì)與漏極122和源極123二者電壓差(Vds)的平方成正比，而n型薄膜晶體管14的導(dǎo)通電流(Ion)會(huì)與漏極143和源極142二者電壓差(Vds)的平方成正比。
為了防止靜電造成裝置損傷，當(dāng)漏極122、143和源極123、142二者電壓差增加時(shí)，靜電防護(hù)電路10的導(dǎo)通電流較佳是可以隨之而大幅增加。由上述可知，現(xiàn)有靜電防護(hù)電路10有其極限，因其導(dǎo)通電流與漏極和源極二者電壓差的平方成正比已無(wú)法滿足現(xiàn)今對(duì)靜電防護(hù)電路10的需求，而猶待進(jìn)一步的改善。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種靜電防護(hù)系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法克服的難題。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種防止一主要電路遭受靜電破壞的靜電防護(hù)系統(tǒng)。主要電路包含有至少一信號(hào)線，信號(hào)線另包含有一輸入端。靜電防護(hù)系統(tǒng)包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第一薄膜二極管組件，串接的第一薄膜二極管組件的一端電連接至輸入端與主要電路之間的信號(hào)線。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，本發(fā)明的靜電防護(hù)系統(tǒng)包含有多個(gè)第一薄膜二極管組件，且靜電防護(hù)系統(tǒng)具有以下特征第一薄膜二極管組件是藉由薄膜技術(shù)(thin film technique)與注入技術(shù)(implantation technique)形成于顯示面板的基板上。因此，上述薄膜二極管組件并非是薄膜晶體管。
為了使 貴審查委員能更近一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。


圖1為現(xiàn)有顯示面板的靜電防護(hù)電路的示意圖。
圖2為圖1所示的靜電防護(hù)電路的等效電路圖。
圖3為現(xiàn)有靜電防護(hù)電路的導(dǎo)通電流以及漏極和源極二者電壓差的關(guān)系示意圖。
圖4為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例用以保護(hù)主要電路的靜電防護(hù)電路的示意圖。
圖5a為一p+-i-n+二極管組件的上視示意圖。
圖5b為另一p+-i-n+二極管組件的上視示意圖。
圖6為靜電防護(hù)電路的p+-i-n+二極管組件的導(dǎo)通電流以及跨壓的關(guān)系示意圖。
圖7為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例p+-i-n+二極管組件的剖面示意圖。
圖8至圖13是為各種不同薄膜二極管組件的示意圖。
圖14為一電子裝置的示意圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明10 靜電防護(hù)電路12 p型薄膜晶體管14 n型薄膜晶體管 16 信號(hào)線18 輸入端 20 主要電路121柵極122漏極123源極141柵極142源極143漏極22 相對(duì)最高電壓24 相對(duì)最低電壓50 靜電防護(hù)電路52 第一薄膜二極管組件54 第二薄膜二極管組件 56 信號(hào)線58 輸入端 60 主要電路62 相對(duì)高電壓 64 相對(duì)低電壓70 p+-i-n+二極管組件80 p+-i-n+二極管組件81 通道82 通道90 p+-i-n+二極管組件92 保護(hù)層94 光反射層100p+-p--n+二極管組件
110p+-n--n+二極管組件 120p+-p--i-n+二極管組件130p+-i-n--n+二極管組件 140p+-p--n--n+二極管組件150p+-p--i-n--n+二極管組件 200電子裝置210顯示面板 220垂直驅(qū)動(dòng)電路230水平驅(qū)動(dòng)電路具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例用以保護(hù)主要電路60的靜電防護(hù)電路50的示意圖。如圖4所示，靜電防護(hù)電路50包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第一薄膜二極管組件52以及多個(gè)以串接方式相互耦合的第二薄膜二極管組件54。在本實(shí)施例中，主要電路60可以為一液晶顯示器面板的顯示電路或?yàn)橐挥袡C(jī)發(fā)光二極管面板的顯示電路。此外，第一薄膜二極管組件52以及第二薄膜二極管組件54是藉由薄膜技術(shù)與注入技術(shù)形成于顯示面板的基板上。
第一薄膜二極管組件52相互耦合串接，且第一薄膜二極管組件52的一端電連接至信號(hào)線56上介于輸入端58與顯示面板的主要電路60之間的位置，其中信號(hào)線56可以是一掃描線、一數(shù)據(jù)線或是一驅(qū)動(dòng)集成電路(integrated driver)的信號(hào)控制線。同理，第二薄膜二極管組件54相互耦合串接，且第二薄膜二極管組件54的一端電連接至信號(hào)線56上介于輸入端58與顯示面板的主要電路60之間的位置。除此之外，串接的第一薄膜二極管組件52的另一端電連接至一相對(duì)高電壓62，且串接的第二薄膜二極管組件54的另一端則電連接至一相對(duì)低電壓64。
當(dāng)信號(hào)線56的輸入端58電連接至一正電壓時(shí)，第一薄膜二極管組件52是呈正向偏置，而當(dāng)信號(hào)線56的輸入端58電連接一負(fù)電壓時(shí)，則是第二薄膜二極管組件54呈正向偏置。因此，當(dāng)一脈沖電流傳入信號(hào)線56的輸入端58時(shí)，脈沖電流(例如一靜電脈沖電流)可藉由第一薄膜二極管組件52或是第二薄膜二極管組件54引導(dǎo)出而不至于損傷顯示面板的主要電路60。借著上述靜電防護(hù)電路50的運(yùn)作，主要電路60便可免于被脈沖電流所挾帶的能量所損傷。
本發(fā)明的靜電防護(hù)電路50具有以下特征首先，第一薄膜二極管組件52與第二薄膜二極管組件54是為薄膜二極管組件而不是薄膜晶體管。第一薄膜二極管組件52與第二薄膜二極管組件54是選自于由p-i-n二極管組件、p+-i-n+二極管組件、p+-p--n+二極管組件、p+-n--n+二極管組件、p+-p--i-n+二極管組件、p+-i-n--n+二極管組件、p+-p--n--n+二極管組件與p+-p--i-n--n+二極管組件等組件所組成的群組。其次，靜電防護(hù)電路50包含有二個(gè)以上的第一薄膜二極管組件52與二個(gè)以上的第二薄膜二極管組件54連接至單一信號(hào)線56，由于本發(fā)明串接二個(gè)以上的薄膜二極管組件52、54來(lái)調(diào)整靜電防護(hù)電路50的導(dǎo)通電壓(cut-in voltage)，所以可有效避免靜電防護(hù)電路50造成面板的陣列導(dǎo)通測(cè)試(array open/short test)的測(cè)試結(jié)果錯(cuò)誤。
在以下的實(shí)施例中，以一p+-i-n+二極管組件為例來(lái)說(shuō)明靜電防護(hù)電路50的薄膜二極管組件，然而本發(fā)明的應(yīng)用并不局限于此，靜電防護(hù)電路50亦可包含有其它種類的二極管組件。
請(qǐng)參考圖5a與圖5b，圖5a為一p+-i-n+二極管組件70的上視示意圖，而圖5b為另一p+-i-n+二極管組件80的上視示意圖。如圖5a所示，在本實(shí)施例中p+-i-n+二極管組件70的材質(zhì)為多晶硅，且i區(qū)域的長(zhǎng)度(Li)約介于1至10微米。當(dāng)p+-i-n+二極管組件70為正向偏置時(shí)，電洞會(huì)從p+-i接口注入，而電子會(huì)從i-n+接口注入。由于注入的載子(injected carriers)濃度遠(yuǎn)高于i區(qū)域的參雜濃度，因此p+-i-n+二極管組件70可操作在高載子注入(high-injection)的狀態(tài)下。此時(shí)，p+-i-n+二極管組件70的電流密度可表示如下J＝qμnn′E+qμpp′E＝q(μn+μp)n′E其中，J電流密度；n’p’注入i區(qū)域的平均載子密度；Ei區(qū)域的平均電場(chǎng)；μn電子移動(dòng)率；μp電洞移動(dòng)率；q單位電子的電量。
由于注入i區(qū)域的平均載子密度隨著p+i-n+二極管組件70的跨壓(crossvoltage)而呈指數(shù)成長(zhǎng)(exponential growth)，因此由上式中可知，p+-i-n+二極管組件70的電流密度也隨著p+-i-n+二極管組件70的跨壓呈指數(shù)成長(zhǎng)。再者，由于導(dǎo)通電流是正比于p+-i-n+二極管組件70的電流密度，所以導(dǎo)通電流亦會(huì)隨著p+-i-n+二極管組件70的跨壓呈指數(shù)成長(zhǎng)。換句話說(shuō)，p+-i-n+二極管組件70具有低導(dǎo)通電阻(turn-on resistance；Ron)的特征。由此可知，裝設(shè)上述p+-i-n+二極管組件70于靜電防護(hù)電路50中，可以提升靜電防護(hù)系統(tǒng)的靜電防護(hù)能力。
在圖5a中，以具有一單一信道結(jié)構(gòu)(single channel structure)的p+-i-n+二極管組件70為實(shí)施例，然而本發(fā)明并不局限于此，薄膜二極管組件亦可包含有一多重信道結(jié)構(gòu)(multiple channel structure)。如圖5b所示，p+-i-n+二極管組件80即包含有一多重信道結(jié)構(gòu)，其中多重信道結(jié)構(gòu)包含有信道81、82。由于多重信道結(jié)構(gòu)有利于提升散熱效果，因此多重信道結(jié)構(gòu)可以降低p+-i-n+二極管組件80的溫度，進(jìn)而增進(jìn)p+-i-n+二極管組件80在靜電防護(hù)上的效能與可靠度。除此之外，多重信道結(jié)構(gòu)所包含的信道數(shù)量以及個(gè)別信道寬度(Wi)均可依照設(shè)計(jì)需求而調(diào)整，不受圖5b所限制。
請(qǐng)參考圖6，并一并參考圖3至圖5，圖6為靜電防護(hù)電路50的p+-i-n+二極管組件70的導(dǎo)通電流以及跨壓的關(guān)系示意圖。特別注意的是，圖6左邊的曲線是為單一p+-i-n+二極管組件70(N＝1)的導(dǎo)通電流以及跨壓的關(guān)系曲線，而右邊的曲線是為串接二個(gè)以上p+-i-n+二極管組件70(N＞1)的導(dǎo)通電流以及跨壓的關(guān)系曲線。如圖6所示，相較于圖3所示的關(guān)系曲線，圖6左邊曲線的斜率明顯地更為陡峭。這意味著，當(dāng)跨壓增加時(shí)，p+-i-n+二極管組件70的導(dǎo)通電流比現(xiàn)有薄膜晶體管的導(dǎo)通電流增加的速度更快。有鑒于此，本發(fā)明的靜電防護(hù)電路50的靜電防護(hù)效果可以比現(xiàn)有靜電防護(hù)電路10的靜電防護(hù)效果更高。
另一個(gè)令人關(guān)注的問(wèn)題在于靜電防護(hù)電路50的導(dǎo)通電壓。當(dāng)我們使用p+-i-n+二極管組件70來(lái)進(jìn)行靜電防護(hù)時(shí)，可能會(huì)因靜電防護(hù)電路50的導(dǎo)通電壓過(guò)低而導(dǎo)致顯示面板在進(jìn)行面板的陣列導(dǎo)通測(cè)試時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤。有鑒于此，本發(fā)明的靜電防護(hù)電路50包含有二個(gè)以上串接的第一薄膜二極管組件52與二個(gè)以上串接的第二薄膜二極管組件54連接至單一信號(hào)線56。串接的第一薄膜二極管組件54的整體導(dǎo)通電壓即為串接的各個(gè)第一薄膜二極管組件54的導(dǎo)通電壓總和，且串接的第二薄膜二極管組件54的整體導(dǎo)通電壓即為串接的各個(gè)第二薄膜二極管組件54的導(dǎo)通電壓總和。由于本發(fā)明串接二個(gè)以上的薄膜二極管組件52、54來(lái)增加靜電防護(hù)電路50的整體導(dǎo)通電壓，所以可有效避免靜電防護(hù)電路50造成面板的陣列導(dǎo)通測(cè)試的測(cè)試錯(cuò)誤。如圖6右邊的曲線所示，串接二個(gè)以上p+-i-n+二極管組件70不但可使整體導(dǎo)通電壓增加，亦可有效地提高靜電防護(hù)電路50的崩潰電壓(breakdown voltage)以及降低靜電防護(hù)電路50的漏電流(leakage current)現(xiàn)象。
請(qǐng)參考圖7，圖7為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例p+-i-n+二極管組件90的剖面示意圖。如圖7所示，p+-i-n+二極管組件90另包含有一保護(hù)層(insulatinglayer)92以及一光反射層(light-shielding layer)94，其中保護(hù)層92可以是一氧化硅層，而光反射層94可以是一金屬層且設(shè)置在保護(hù)層92之上。光反射層94可阻絕外界的光源以防止p+-i-n+二極管組件90的i區(qū)域因光照而產(chǎn)生額外的光電流(light-induced current)。此外，保護(hù)層92與光反射層94亦可設(shè)置于p+-i-n+二極管組件90下方，以阻絕背光源的照射。
在前述的實(shí)施例中，皆以一p+-i-n+二極管組件為例來(lái)說(shuō)明靜電防護(hù)電路50的薄膜二極管組件，然而本發(fā)明亦可采用其它種類的薄膜二極管組件作為實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，圖8至圖13即為各種不同薄膜二極管組件的示意圖。圖8所示是為一p+-p--n+二極管組件100；圖9所示是為一p+-n--n+二極管組件110；圖10所示是為一p+-p--i-n+二極管組件120；圖11所示是為一p+-i-n--n+二極管組件130；圖12所示是為一p+-p--n--n+二極管組件140；圖13所示是為一p+-p--i-n--n+二極管組件150。
請(qǐng)參考圖14，圖14為一電子裝置200的示意圖，其中電子裝置200包含有本發(fā)明的靜電防護(hù)電路，例如是圖4所示的靜電防護(hù)電路50。如圖14所示，電子裝置200另包含有一顯示面板210，其中顯示面板210包含有一主要電路60、一信號(hào)線56與一靜電防護(hù)電路50，且信號(hào)線56包含有一輸入端58。靜電防護(hù)電路50電連接至信號(hào)線56上，介于輸入端58與一垂直驅(qū)動(dòng)電路(V-driver)220之間的位置，或是介于輸入端58與一水平驅(qū)動(dòng)電路(H-driver)230之間的位置。電子裝置200可以是一液晶顯示器、一有機(jī)發(fā)光二極管顯示器或是其它可能的顯示器裝置。本發(fā)明的靜電防護(hù)電路包含有多個(gè)薄膜二極管組件，且薄膜二極管組件乃是藉由薄膜技術(shù)與注入技術(shù)所形成。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種防止一主要電路遭受靜電破壞的靜電防護(hù)系統(tǒng)，該主要電路包含有一信號(hào)線，該信號(hào)線另包含有一輸入端，該靜電防護(hù)系統(tǒng)包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第一薄膜二極管組件，串接的這些第一薄膜二極管組件的一端電連接至該輸入端與該主要電路之間的該信號(hào)在線。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，這些第一薄膜二極管組件是為正向偏置，且該信號(hào)線的該輸入端電連接一正電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第二薄膜二極管組件，串接的這些第二薄膜二極管組件的一端電連接至該輸入端與該主要電路之間的該信號(hào)在線。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，這些第二薄膜二極管組件是為正向偏置，且該信號(hào)線的該輸入端電連接一負(fù)電壓。
5.如權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，這些第一薄膜二極管組件與這些第二薄膜二極管組件是選自于由p-i-n二極管組件、p+-i-n+二極管組件、p+-p--n+二極管組件、p+-n--n+二極管組件、p+-p--i-n+二極管組件、p+-i-n--n+二極管組件、p+-p--n--n+二極管組件與p+-p--i-n--n+二極管組件所組成的群組。
6.如權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，各該第一薄膜二極管組件與各該第二薄膜二極管組件各包含有一單一信道結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，至少一該第一薄膜二極管組件與至少一該第二薄膜二極管組件各包含有一多重信道結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，串接的這些第一薄膜二極管組件的另一端電連接至一相對(duì)高電壓，且串接的這些第二薄膜二極管組件的另一端電連接至一相對(duì)低電壓。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有一光反射層，用以防止光線照射這些第一薄膜二極管組件。
10.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有一防止光線照射這些第一薄膜二極管組件的裝置。
11.一種靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)包含有一基板；一主要電路設(shè)置在該基板之上；一信號(hào)線，其中，該信號(hào)線包含有一輸入端；以及一靜電防護(hù)電路，該靜電防護(hù)電路電連接至該輸入端與該主要電路，其中，該主要電路包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第一薄膜二極管組件，串接的這些第一薄膜二極管組件的一端電連接至該輸入端與該主要電路之間的該信號(hào)在線。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該信號(hào)線包含有一掃描線。
13.如權(quán)利要求11所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該信號(hào)線包含有一數(shù)據(jù)線。
14.如權(quán)利要求11所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該信號(hào)線包含有一驅(qū)動(dòng)集成電路的信號(hào)控制線。
15.如權(quán)利要求11所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有一顯示面板；以及一驅(qū)動(dòng)集成電路耦合至該顯示面板，其中，該信號(hào)線是該顯示面板的一信號(hào)線。
16.如權(quán)利要求15所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有一驅(qū)動(dòng)集成電路耦合至該顯示面板。
17.如權(quán)利要求16所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路包含有一垂直驅(qū)動(dòng)電路與一水平驅(qū)動(dòng)電路。
18.一種靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該防護(hù)系統(tǒng)包含有一串接的薄膜二極管組件組，該串接的薄膜二極管組件組包含有多個(gè)薄膜二極管組件，其中，這些薄膜二極管組件包含有p-i-n二極管組件、p+-i-n+二極管組件、p+-p--n+二極管組件、p+-n--n+二極管組件、p+-p--i-n+二極管組件、p+-i-n--n+二極管組件、p+-p--n--n+二極管組件與p+-p--i-n--n+二極管組件中的任二類型。
19.如權(quán)利要求18所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，該靜電防護(hù)系統(tǒng)另包含有一信號(hào)線電性內(nèi)連接至該串接的薄膜二極管組件組上的一位置，該位置位于這些薄膜二極管組件的任二者之間。
20.如權(quán)利要求19所述的靜電防護(hù)系統(tǒng)，其中，僅部分這些薄膜二極管組件是為正向偏置，且該信號(hào)線電連接一正電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種靜電(electrostatic discharge；ESD)防護(hù)系統(tǒng)。靜電防護(hù)系統(tǒng)可包含有多個(gè)以串接方式相互耦合的第一薄膜二極管組件(first－type thin film diode elements)以及多個(gè)以串接方式相互耦合的第二薄膜二極管組件(second－type thin film diode elements)。串接的第一薄膜二極管組件與串接的第二薄膜二極管組件分別電連接至信號(hào)在線介于輸入端與主要電路之間的位置。
文檔編號(hào)H01L23/60GK1941370SQ20051013571
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2005年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月29日
發(fā)明者林敬偉, 常鼎國(guó) 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司