專利名稱：一種紫外固化納米壓印模版的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子學(xué)與納米電子學(xué)中的微納加工領(lǐng)域，特別涉及一種紫外固化納米壓印模版的制備。
背景技術(shù)：
納米壓印是一種今年來興起的納米加工技術(shù)，與傳統(tǒng)的光學(xué)光刻相比，具有分辨率極高等特點(diǎn)，而與電子束光刻等高分辨率技術(shù)相比，則具有效率高、成本低，適合于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。模版制備是納米壓印技術(shù)中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，因?yàn)閴河〉姆直媛适紫热Q于模版的分辨率。由于納米壓印主要分為兩種，熱壓印和紫外固化壓印。熱壓印技術(shù)在使用過程中要求高溫高壓，所以模版制作的重點(diǎn)要求是其機(jī)械強(qiáng)度，而紫外固化一般則需要模版能夠較好地透過紫外光。通常，如果采用電子束曝光技術(shù)直接在透光襯底上直接制作紫外固化納米壓印模版，需要克服兩個(gè)難題，一是熔石英或玻璃之類的透明襯底難以刻蝕，導(dǎo)致抗蝕劑圖形難以轉(zhuǎn)移到襯底上，二是由于熔石英和玻璃是絕緣的，在電子束光刻過程中產(chǎn)生的電荷積累效應(yīng)，會導(dǎo)致曝光圖形畸變。為了解決這兩個(gè)難題，本發(fā)明利用淀積易刻蝕薄膜，將圖形轉(zhuǎn)移到這層薄膜上，避免刻蝕熔石英；利用淀積導(dǎo)電薄膜來改善不導(dǎo)電襯底的電荷積累效應(yīng)。目前，尚無有關(guān)專利所述的納米壓印模版制作方法與本發(fā)明類似。例如，申請?zhí)枮?3122450.4的專利利用氧化多晶硅壓縮特征尺寸并用選擇刻蝕來得到亞光刻的線條間隔；申請?zhí)枮?3148751.3和的03133077.0專利技術(shù)主要是提高納米壓印模版的硬度，側(cè)重于熱壓印技術(shù)，因?yàn)樽贤夤袒瘔河〖夹g(shù)無需高壓，對模版的硬度和強(qiáng)度要求較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種紫外固化納米壓印模版的制備方法，適合用于紫外固化納米壓印技術(shù)。
一種紫外固化納米壓印模版的制備方法，是由兩次淀積、一次光刻和一次刻蝕，獲得紫外固化納米壓印模版；本發(fā)明的步驟如下1、在透光基片上淀積一層易于刻蝕的薄膜；2、旋涂抗蝕劑；3、淀積一層導(dǎo)電薄膜；4、光刻、顯影得到模版圖形；5、以抗蝕劑做掩蔽刻蝕第一層薄膜材料，將模版圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上；6、去除殘余抗蝕劑，完成紫外固化納米壓印模版。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，采用透光的基片。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其中所述易于刻蝕的薄膜采用化學(xué)氣相淀積得到，目的是避免刻蝕難刻蝕的透光基片，使用熔石英、玻璃等。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其中所述導(dǎo)電薄膜采用蒸發(fā)、濺射等方法得到，目的是避免光刻過程中的靜電積累效應(yīng)。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其中所述抗蝕劑一般采用電子束抗蝕劑，也可采用普通的光學(xué)抗蝕劑。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其中所述光刻一般采用電子束光刻，也可采用普通的光學(xué)光刻或X射線光刻。
所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其中所述刻蝕第一層薄膜采用干法刻蝕技術(shù)。
其中所述納米壓印模版的制備方法是由兩次淀積、一次光刻和一次刻蝕，獲得紫外固化納米壓印模版。


為了更進(jìn)一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例子，對本發(fā)明做詳細(xì)描述，其中圖1-1至圖1-6是本發(fā)明的流程圖；圖2-1至圖2-6是本發(fā)明實(shí)施例子的流程圖。
具體實(shí)施例方式
1、如圖1-1所示，在透明基片101上淀積易刻蝕薄膜102，薄膜102是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
2、如圖1-2所示，在薄膜102上旋涂抗蝕劑103。
3、如圖1-3所示，在抗蝕劑103上淀積導(dǎo)電薄膜104；4、如圖1-4所示，光刻顯影得到抗蝕劑的模版圖形105。
5、如圖1-5所示，以抗蝕劑為掩蔽刻蝕薄膜102，得到薄膜的模版圖形106。
6、如圖1-6所示，去除殘余抗蝕劑，完成紫外固化納米壓印模版制作。
實(shí)施例子流程。
1、如圖1-1所示，在熔石英基片101上淀積氮化硅薄膜102，薄膜102是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
2、如圖1-2所示，在氮化硅薄膜102上旋涂抗蝕劑103(SAL601)，并前烘。
3、如圖1-3所示，在抗蝕劑103上淀積10納米厚的金膜104；4、如圖1-4所示，電子束光刻，后烘，顯影得到抗蝕劑的模版圖形105。
5、如圖1-5所示，以抗蝕劑為掩蔽刻蝕氮化硅薄膜102，得到氮化硅的模版圖形106。
6、如圖1-6所示，去除殘余抗蝕劑，完成紫外固化納米壓印模版制作。
權(quán)利要求
1.一種紫外固化納米壓印模版的制備方法，是由兩次淀積、一次光刻和一次刻蝕，獲得紫外固化納米壓印模版；其特征在于，其步驟如下步驟1、在透光基片上淀積一層易于刻蝕的薄膜；步驟2、旋涂抗蝕劑；步驟3、淀積一層導(dǎo)電薄膜；步驟4、光刻、顯影得到模版圖形；步驟5、以抗蝕劑做掩蔽刻蝕第一層薄膜材料，將模版圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上；步驟6、去除殘余抗蝕劑，完成紫外固化納米壓印模版。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，采用透光的基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，其中所述易于刻蝕的薄膜采用化學(xué)氣相淀積得到，目的是避免刻蝕難刻蝕的透光基片，使用熔石英、玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，其中所述導(dǎo)電薄膜采用蒸發(fā)、濺射方法得到，目的是避免光刻過程中的靜電積累效應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，其中所述抗蝕劑一般采用電子束抗蝕劑，也可采用普通的光學(xué)抗蝕劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，其中所述光刻一般采用電子束光刻，也可采用普通的光學(xué)光刻或X射線光刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外固化納米壓印模版的制備方法，其特征在于，其中所述刻蝕第一層薄膜采用干法刻蝕技術(shù)。
全文摘要
本發(fā)明屬于微電子學(xué)與納米電子學(xué)中的微納加工領(lǐng)域，特別涉及一種紫外固化納米壓印模版的制備。其工藝步驟如下1.在透光基片上淀積一層易于刻蝕的薄膜；2.旋涂抗蝕劑；3.淀積一層導(dǎo)電薄膜；4.光刻、顯影得到模版圖形；5.以抗蝕劑做掩蔽刻蝕第一層薄膜材料，將模版圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上；6.去除殘余抗蝕劑，完成紫外固化納米壓印模版。
文檔編號H01L21/00GK1979341SQ20051013043
公開日2007年6月13日 申請日期2005年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月8日
發(fā)明者涂德鈺, 王叢舜, 劉明 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所