專利名稱：多層片狀電容器和多層片狀電容器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種多層片狀電容器(MLCC)，具體而言，涉及一種減少了等效串聯(lián)電感(ESL)的MLCC，可用于高頻電路中的去耦電容器，以及采用該MLCC的MLCC陣列。
背景技術(shù)：
通常，MLCC的結(jié)構(gòu)由多個介電層和夾在這些介電層之間的多個內(nèi)部電極組成。MLCC的優(yōu)點在于小尺寸、大電容且易于安裝，所以廣泛用于各種電子裝置。特別地，MLCC尤其用于連接在電源電路例如LSI中的半導體芯片與電源之間的去耦電容器。
去耦電容器中所用的MLCC要求具有低ESL特性，以擬制劇烈的電流變化和穩(wěn)定電源電路。隨著近來電子器件趨于具有高頻和大電流，該要求也不斷上升。
關(guān)于傳統(tǒng)地減小ESL，美國專利第5,880,925號披露了一種新穎布置的引線結(jié)構(gòu)。有關(guān)于此，圖1a和圖1b中示出了MLCC由可選布置的引線靠近具有相反極性的第一和第二內(nèi)部電極而組成。
如圖1a所示，傳統(tǒng)MLCC 10包括多個可選布置的介電層11a和11b；以及多個第一和第二內(nèi)部電極12和13，其分別形成于介電層11a和11b上。各第一和第二內(nèi)部電極12和13的兩個相對側(cè)具有兩個引線14和15。
在介電層11a和11b上分別如圖1a所示形成內(nèi)部電極12和13，這些介電層堆疊構(gòu)成圖1b的電容器器身11。另外，形成連接至引線14和15的外部接線端16和17，從而得到MLCC 10。
由于第一內(nèi)部電極12的引線14和第二內(nèi)部電極13的引線15為交替地布置，所以內(nèi)部電極12和13的電流相對向地流動，如圖1a中的箭頭所示。因此，內(nèi)部電極12或13中產(chǎn)生的寄生電感被相鄰的內(nèi)部電極13或12中產(chǎn)生的寄生電感抵消，從而實現(xiàn)低ESL特性。
然而，傳統(tǒng)MLCC僅實現(xiàn)抵消內(nèi)部電極中流動的電流。即，僅采用了通過改變內(nèi)部電極的引線或內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)的方法來減小ESL。另外，還未嘗試改變MLCC的整個結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)期望的低ESL特性。
另外，近年來，隨著微型化制造電子元件，人們逐漸要求將由兩個或多于兩個具有相同或不同電容的電容器組成的電容器陣列制成單個芯片。然而，由于陣列中有限的安裝空間，所以傳統(tǒng)方法采用了多個引線被認為是不合適的。
圖2a和圖2b示出了傳統(tǒng)的MLCC陣列。
如圖2a所示，傳統(tǒng)的MLCC陣列包括多個介電層21和21b；以及設(shè)置于介電層21a上的兩個第一內(nèi)部電極22a和22b和設(shè)置于介電層21b上的兩個第二內(nèi)部電極23a和23b。各第一和第二內(nèi)部電極22a、22b、23a、和23b具有從其一側(cè)伸出的引線24a、24b、25a、和25b。在介電層21a和21b上如圖2a所示形成第一和第二內(nèi)部電極22a和22b、以及23a和23b，這些介電層堆疊構(gòu)成圖2b中所示的電容器器身21。同樣，形成連接至引線24a、24b、25a、和25b的外部接線端26a、26b、27a、和27b，從而得到MLCC陣列20。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，在介電層21a和21b的區(qū)域上形成的第一和第二內(nèi)部電極22a和23a，以及其其他區(qū)域的第一和第二內(nèi)部電極22b和23b分別充當電容器電極。
然而，如圖2a和圖2b所示，傳統(tǒng)的MLCC陣列20不利之處在于各電容器部件水平地布置，因此，當采用三個或多于三個的電容器時，陣列20難以小型化。
人們要求制造低ESL特性的MLCC陣列用于去耦電容器，美國專利5,880,925中披露了一種實現(xiàn)低ESL特性的引線結(jié)構(gòu)，但是其難以使用，因為外部空間有限難以容納該引線結(jié)構(gòu)。即，當圖2a中所示的MLCC陣列中的單個內(nèi)部電極的一側(cè)處引線的數(shù)量成倍增加時，引線數(shù)量按電容器數(shù)量的兩倍增加。因而，難以在有限的外部面積里形成數(shù)量不斷增加的引線。
因此，要求有一種新型的MLCC，可通過改變MLCC本身結(jié)構(gòu)來有效地實現(xiàn)低ESL特性，并適用于MLCC陣列。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在解決相關(guān)技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題，本發(fā)明的一個目的在于通過以下方式提供一種具有低ESL特性的MLCC在同一介電層上形成彼此分開的第一和第二內(nèi)部電極，同時與在相鄰介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極重疊，以及通過沿電容器器身堆疊方向形成于電容器器身中的導電過孔將第一和第二內(nèi)部電極連接至位于電容器器身的頂面和底面上的外部接線端。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種具有多個電容器部件的MLCC陣列，其中，上述MLCC用作至少一個電容器部件。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種MLCC，其包括電容器器身，其通過堆疊多個介電層而形成；多個第一和第二內(nèi)部電極，其形成于各所述介電層上；至少一個第一外部接線端和至少一個第二外部接線端，其形成于所述電容器器身的頂面和底面中的至少一個表面上；以及至少一個第一導電過孔和至少一個第二導電過孔，其沿所述電容器器身的堆疊方向形成于所述電容器器身中，用于連接至所述第一或第二外部接線端；其中，形成于同一介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極彼此分開，形成于所述堆疊介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極通過一個夾在它們之間的介電層而彼此重疊，各所述第一和第二內(nèi)部電極均在所述第一和第二內(nèi)部電極與形成于垂直相鄰介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極相重疊的位置處具有至少一個引出部；所述至少一個第一導電過孔形成為穿過所述第一內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第二內(nèi)部電極電絕緣；以及所述至少一個第二導電過孔形成為穿過所述第二內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第一內(nèi)部電極電絕緣。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，各介電層上均包括一個第一內(nèi)部電極和一個第二內(nèi)部電極，各第一和第二內(nèi)部電極的至少一個引出部均伸向同一介電層上的相鄰第二和第一內(nèi)部電極，并且各第一和第二內(nèi)部電極均具有凹部，該凹部使第一和第二內(nèi)部電極與同一介電層上的第二和第一內(nèi)部電極分開。
根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，各介電層上均具有多個第一內(nèi)部電極或多個第二內(nèi)部電極、或多個第一內(nèi)部電極和多個第二內(nèi)部電極，并且第一和第二內(nèi)部電極交替地布置在同一介電層上。優(yōu)選地，多個第一和第二內(nèi)部電極沿一個方向交替地布置。
優(yōu)選地，至少一個引出部在第一和第二內(nèi)部電極的至少一側(cè)形成，各第一和第二內(nèi)部電極均在與其至少一個引出部相對的另一側(cè)具有至少一個凹部。
從而，為了更簡單的外部接線端布置，在同一介電層上形成的第一和第二內(nèi)部電極的圖樣形狀相同。
此外，在同一介電層上，各第一和第二內(nèi)部電極均在其與相鄰第二和第一內(nèi)部電極相對的一側(cè)具有至少一個引出部和至少一個凹部。從而，在各第一和第二內(nèi)部電極的該側(cè)形成的至少一個引出部和至少一個凹部交替地布置。
另外，本發(fā)明提供了一種由MLCC組成的MLCC陣列，其包括電容器器身，其通過堆疊多個介電層而形成；以及多個電容器部件，其形成于各所述介電層上的多個分開的區(qū)域中，其中各所述電容器部件均包括多個第一和第二內(nèi)部電極，其形成于各所述介電層的一個區(qū)域上；至少一個第一外部接線端和至少一個第二外部接線端，其形成于所述電容器器身的頂面和底面中的至少一個表面上；以及至少一個第一導電過孔和至少一個第二導電過孔，其沿所述電容器器身的堆疊方向形成于所述電容器器身中，用于連接至所述第一或第二外部接線端，形成于同一介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極彼此分開，形成于所述堆疊介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極通過一個夾在它們之間的介電層而彼此重疊，各所述第一和第二內(nèi)部電極均在所述第一和第二內(nèi)部電極與形成于垂直相鄰介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極相重疊的位置處具有至少一個引出部，所述至少一個第一導電過孔形成為穿過所述第一內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第二內(nèi)部電極電絕緣，以及所述至少一個第二導電過孔形成為穿過所述第二內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第一內(nèi)部電極電絕緣。


通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，可以更清楚地理解本發(fā)明的上述及其它的目的、特性和優(yōu)點，其中圖1a和圖1b分別是示出了一個傳統(tǒng)MLCC的分解透視圖和示意透視圖；圖2a和圖2b分別是示出了另一傳統(tǒng)MLCC的分解透視圖和示意透視圖；圖3a和圖3b分別是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的MLCC的分解透視圖和示意透視圖；圖3c是示出了圖3a的MLCC中的低ESL特性的示意圖；圖4a是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的MLCC中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)和導電過孔的設(shè)置的俯視圖；圖4b和圖4c分別是沿圖4a的MLCC的線A-A和線B-B的側(cè)剖視圖；圖5a是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的MLCC中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)和導電過孔的設(shè)置的俯視圖；圖5b和圖5c分別是沿圖5a的MLCC的線A-A和線B-B的側(cè)剖視圖；
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的MLCC陣列中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)的俯視圖；以及圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的MLCC陣列中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖給出本發(fā)明各實施例的詳細描述。
圖3a和圖3b分別是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的MLCC的分解透視圖和示意透視圖。
如圖3a和圖3b所示，MLCC 30包括多個介電層31a和31b，構(gòu)成電容器器身；以及多個第一和第二內(nèi)部電極32和33，其形成于各介電層31a和31b上。第一內(nèi)部電極32和第二內(nèi)部電極33一起形成于一個介電層31a或31b上，其形成方式為這些內(nèi)部電極以預定的間距彼此分開。另外，第一或第二內(nèi)部電極32或33通過夾在它們之間的介電層31a或31b而彼此重疊。即，形成于一個介電層31a或31b之上的第一和第二內(nèi)部電極32和33與形成于相鄰的介電層31b或31a之上的第二和第一內(nèi)部電極33和32重疊。
此外，第一和第二內(nèi)部電極32和33分別具有伸出的引出部32’和33’。內(nèi)部電極32和33的引出部32’和33’形成為在介電層31a和31b上具有一種極性的多個引出部32’彼此重疊或多個引出部33’彼此重疊，但不與具有另一相反極性的引出部33’或32’重疊。為了有效地實現(xiàn)該布置，第一和第二內(nèi)部電極32和33優(yōu)選地具有凹部32”和33”，這使得第一和第二內(nèi)部電極32和33與同一介電層31a和31b上的相鄰的第二和第一內(nèi)部電極33和32分開。
此外，內(nèi)部電極32和33的引出部32’和33’伸向同一介電層31a和31b上的相鄰的內(nèi)部電極33和32。第一和第二導電過孔34和35形成為穿過引出部32’和33’，使形成于介電層31a和31b上的第一和第二內(nèi)部電極組32和33本身都連接起來。特別地，第一導電過孔34將介電層31a和31b上的第一內(nèi)部電極組32彼此連接，但與第二內(nèi)部電極組33電絕緣。同樣，第二導電過孔35將介電層31a和31b上的第二內(nèi)部電極組33彼此連接，但與第一內(nèi)部電極組32電絕緣。
引出部32’和33’連同凹部32”和33”被設(shè)置為通過第一和第二導電過孔34和35，將具有一種極性的內(nèi)部電極組32彼此有效地連接，以及將具有另一種極性的內(nèi)部電極組33彼此有效地連接。
以此方式，第一和第二內(nèi)部電極32和33共存于同一介電層31a和31b上，同時交替布置在相鄰的介電層31b和31a上。交替布置的第一和第二內(nèi)部電極組32和33通過第一和第二導電過孔34和35連接為，使具有一種極性的第一內(nèi)部電極組32彼此連接，具有另一種極性的第二內(nèi)部電極組33彼此連接。從而，多個單位電容器(由第一和第二內(nèi)部電極32和33限定的電容元件)并聯(lián)連接，以作為一個電容器來操作，以獲得MLCC 30。
圖3b示出了由堆疊圖3a中所示的介電層31a和31b得到的MLCC 30的外部透視圖。
結(jié)合圖3a，如圖3b所示，連接至第一和第二導電過孔34和35的第一和第二外部接線端36和37形成于由堆疊多個介電層31a和31b所得到的電容器器身31的頂面上。盡管圖3b中未示出電容器器身31的底面，第一和第二外部接線端36和37也可如同在電容器器身31的頂面上那樣，形成為在其底面上連接至第一和第二導電過孔34和35。
圖3c是說明圖3a中的MLCC 30中的低ESL特性的示意圖。
在MLCC 30中，當將電壓施加到第一外部接線端36和第二外部接線端37時，連接至第一外部接線端36的第一導電過孔34和連接至第二外部接線端37的第二導電過孔35，在靠近第一導電過孔34的地方，產(chǎn)生相反的磁通量，其于是被抵消。此外，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的MLCC 30具有較短的電流路徑，從而相比較于接線端連接至電極兩端的傳統(tǒng)MLCC，其呈現(xiàn)出期望的低ESL。
在本實施例中，如圖所示，MLCC 30包括介電層31a和31b，各介電層上具有一個第一內(nèi)部電極32和一個第二內(nèi)部電極33?？蛇x地，在同一介電層上的第一和第二電極中的至少一個設(shè)置為在其上面形成多數(shù)個，即，多個第一內(nèi)部電極或多個第二內(nèi)部電極，或者多個第一內(nèi)部電極和多個第二內(nèi)部電極，其中，多個內(nèi)部電極可以交替地布置在其上面。因而，為了簡化內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，如圖4a到圖4c所示，多個內(nèi)部電極沿一個方向布置。
圖4a是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的MLCC中的，在各第一和第二介電層41a和41b上的第一和第二內(nèi)部電極42和43的布置結(jié)構(gòu)的俯視圖。從該圖中可以知道，多個第一和第二介電層41a和41b交替地堆疊，以構(gòu)成MLCC的電容器器身41(圖4b或圖4c)。
如圖4a所示，一個第一內(nèi)部電極42和兩個第二內(nèi)部電極43交替地布置在第一介電層41a上。另外，兩個第一內(nèi)部電極42和一個第二內(nèi)部電極43交替地布置在與第一介電層41a相鄰的第二介電層41b上。
第一介電層41a上的第一和第二內(nèi)部電極42和43與在第二介電層41b上形成的第二和第一內(nèi)部電極43和42重疊。
在本實施例中，第一和第二內(nèi)部電極42和43被設(shè)置為外形相同，從而各第一和第二內(nèi)部電極42和43在其一側(cè)具有交替布置的兩個引出部42’或43’和一個凹部42”或43”，在其另一側(cè)具有交替布置的一個引出部42’或43’和兩個凹部42”或43”。
每組引出部42’或43’在內(nèi)部電極組42或43重疊以彼此連接的位置形成，這些內(nèi)部電極交替地位于相鄰的介電層41b和41a上，并具有相同的極性。內(nèi)部電極42或43的凹部42”或43”在與相鄰內(nèi)部電極43或42的引出部43’或42’相重疊的位置形成，其中這些凹部在內(nèi)部電極42或43的與引出部42’或43’相對的另一側(cè)形成，從而內(nèi)部電極42和43沒有連接到設(shè)置在垂直相鄰的介電層41a和41b上的內(nèi)部電極43和42，并具有相反極性。
內(nèi)部電極42和43的凹部42”和43”使得內(nèi)部電極42和43與相鄰的內(nèi)部電極43和42的引出部43’和42’以預定的間隔分開，同樣，能夠防止導電過孔45和44不希望有地連接在極性相反的內(nèi)部電極42和43之間。從而，導電過孔在標記為44和45的部分形成，其結(jié)構(gòu)如圖4b和4c所示。
圖4b和圖4c分別是沿根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的由堆疊圖4a的介電層41a和41b所制成的MLCC 40中的線A-A和線B-B的側(cè)剖視圖。
如圖4b和圖4c所示，在介電層41a和41b上形成的第一和第二內(nèi)部電極組42和43分別通過第一和第二導電過孔44和45將其本身都連接起來。第一和第二導電過孔44和45分別連接至設(shè)置在電容器器身41的頂面和底面上第一和第二外部接線端46和47。當通過第一和第二外部接線端46和47向電容器器身41供電時，則通過第一和第二導電過孔44和45在形成于堆疊的介電層41a和41b上的第一和第二內(nèi)部電極42和43之間產(chǎn)生電容。此時，產(chǎn)生電容的多個單位電容器是并聯(lián)連接，因此相當于一個電容器。
此外，當MLCC 40運行時，如圖3c所示，從相鄰的第一和第二導電過孔44和45中產(chǎn)生相反的磁通量，于是被抵消，從而實現(xiàn)低ESL。
此外，在該MLCC中，內(nèi)部電極的數(shù)量以及內(nèi)部電極圖樣的形狀可以有各種變化。圖5a到圖5c示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的MLCC中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)和導電過孔的設(shè)置。
如圖5a所示，兩個第一內(nèi)部電極52和兩個第二內(nèi)部電極53沿一個方向交替地布置在第一介電層51a上。此外，兩個第一內(nèi)部電極52和兩個第二內(nèi)部電極53沿一個方向交替地布置在與第一介電層51a相鄰的第二介電層51b上。
形成于第一介電層51a上的第一和第二內(nèi)部電極52和53與形成于第二介電層51b上的第二和第一內(nèi)部電極53和52重疊。
在本實施例中，第一和第二內(nèi)部電極52和53被設(shè)置為外形相同，從而各第一和第二內(nèi)部電極52和53在其一側(cè)具有交替布置的一個引出部52’或53’和一個凹部52”或53”，在其另一側(cè)具有交替布置的一個引出部52’或53’和一個凹部52”或53”。
類似于圖4a中所示的結(jié)構(gòu)，每組引出部52’或53’在內(nèi)部電極組52或53重疊以彼此連接的位置形成，這些內(nèi)部電極交替地設(shè)置于相鄰的介電層51b和51a上，并具有相同的極性。內(nèi)部電極52或53的凹部52”或53”在與相鄰內(nèi)部電極53或52的引出部53’或52’相重疊的位置形成，其中這些凹部在內(nèi)部電極52或53的與引出部52’或53’相對的另一側(cè)形成，從而內(nèi)部電極52和53沒有連接到設(shè)置在垂直相鄰的介電層51a和51b上的內(nèi)部電極53和52，并具有相反極性。
圖5b和圖5c分別是沿根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的由堆疊圖5a的介電層51a和51b所制成的MLCC 50中的線A-A和線B-B的側(cè)剖視圖。
如圖5b和圖5c所示，在介電層51a和51b上形成的第一和第二內(nèi)部電極組52和53分別通過第一和第二導電過孔54和55將其本身都連接起來。第一和第二導電過孔54和55分別連接至設(shè)置在電容器器身51的頂面和底面上的第一和第二外部接線端56和57。當通過第一和第二外部接線端56和57向電容器器身51供電時，則通過第一和第二導電過孔54和55，在形成于堆疊的介電層51a和51b上的第一和第二內(nèi)部電極52和53之間產(chǎn)生電容。此時，產(chǎn)生電容的各個單位電容器是并聯(lián)連接，因此相當于一個電容器。
此外，上述MLCC應(yīng)用于單片型電容器陣列。
接下來參見圖6，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的MLCC陣列中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)。圖6中所示的多個第一和第二介電層61a和61b交替地堆疊，構(gòu)成電容器器身。
圖6中，所示各第一和第二介電層61a和61b均被分為區(qū)域A和B。在各區(qū)域中，第一和第二內(nèi)部電極62a和62b、以及63a和63b以相同的布置方式形成。即，兩個第一內(nèi)部電極62a和62b以及兩個第二內(nèi)部電極63a和63b交替地布置在第一介電層61a的區(qū)域A和B上。此外，兩個第一內(nèi)部電極62a和62b以及兩個第二內(nèi)部電極63a和63b交替地布置在與第一介電層61a相鄰的第二介電層61b的區(qū)域A和B上。
類似于圖4a中所示的內(nèi)部電極42和43的圖樣，各第一和第二內(nèi)部電極62a和62b、以及63a和63b在其一側(cè)具有交替布置的兩個引出部62’a、62’b、63’a、或63’b和一個凹部62”a、62”b、63”a、或63”b，在其另一側(cè)具有交替布置的一個引出部62’a、62’b、63’a、或63’b和兩個凹部62”a、62”b、63”a、或63”b。
在區(qū)域A和B的第一和第二內(nèi)部電極62a和62b、以及63a和63b中，第一和第二導電過孔64a、64b、和65形成為穿過引出部62’a、62’b、63’a、或63’b，以使具有一種極性的內(nèi)部電極組62a、62b、63a、或63b彼此連接。
從而，在第一和第二介電層61a和61b的區(qū)域A上形成的第一和第二內(nèi)部電極組62a和63a通過第一和第二導電過孔64a和65將其本身都連接起來，相當于一個電容器。此外，在第一和第二介電層61a和61b的區(qū)域B上形成的第一和第二內(nèi)部電極組62b和63b通過第一和第二導電過孔64b和65將其本身都連接起來，從而相當于一個電容器。
在本實施例中，盡管如圖所示，MLCC陣列是具有兩個電容器，但可將介電層的區(qū)域分成三個或多于三個區(qū)域，以形成更多的電容器部件。另外，構(gòu)成兩個電容器部件的第一和第二內(nèi)部電極設(shè)置為并聯(lián)，因而，兩個電容器縱向布置。然而，可通過去除形成于圖6中中心布置的第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極之間的引出部且不形成導電過孔，來橫向布置這兩個電容器。
此外，圖6中所示的MLCC陣列包括兩個具有相同電容值的電容器部件。然而，如圖7所示，MLCC陣列的這些部件可以具有不同的電容值。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的，具有兩個電容值不相同的電容器部件的MLCC陣列中的內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)。
參見圖7，所示各第一和第二介電層71a和71b如圖6所示的結(jié)構(gòu)，均被分為區(qū)域A和B。即，兩個第一內(nèi)部電極72a和72b以及兩個第二內(nèi)部電極73a和73b交替地布置在第一介電層71a的區(qū)域A和B上。此外，兩個第一內(nèi)部電極72a和72b以及兩個第二內(nèi)部電極73a和73b交替地布置在與第一介電層71a相鄰的第二介電層71b的區(qū)域A和B上。然而，區(qū)域A的第一和第二內(nèi)部電極面積大于區(qū)域B的第一和第二內(nèi)部電極，且圖樣不相同。即，類似于圖6中所示的圖樣，區(qū)域A的各第一和第二內(nèi)部電極72a和73a在其一側(cè)具有交替布置的兩個引出部72’a和73’a以及一個凹部72”a或73”a，在其另一側(cè)具有交替布置的一個引出部72’a或73’a和兩個凹部72”a和73”a。另一方面，區(qū)域B的各第一和第二內(nèi)部電極72b和73b在其一側(cè)具有交替布置的一個引出部72’b或73’b和一個凹部72”a或73”a，在其另一側(cè)具有交替布置的一個引出部72’b或73’b和一個凹部72”b或73”b。
在區(qū)域A和B的第一和第二內(nèi)部電極72a和72b、以及73a和73b中，第一和第二導電過孔74a、74b、和75形成為穿過引出部72’a、72’b、73’a、和73’b，以使具有一種極性的內(nèi)部電極組72a、72b、73a、或73b彼此連接。
從而，一個電容器部件包括在各第一和第二介電層71a和71b的區(qū)域A上形成的第一和第二內(nèi)部電極72a和73a，以及另一個電容器部件包括在各第一和第二介電層71a和71b的區(qū)域B上形成的第一和第二內(nèi)部電極72b和73b。此外，區(qū)域A的電容器部件的面積大于區(qū)域B的電容器部件，且電容值更大。
這樣，本發(fā)明的MLCC陣列可具有兩個或多于兩個具有不同電容值的電容器部件。
如上所述，本發(fā)明提供了一種MLCC和一種MLCC陣列。本發(fā)明的MLCC通過以下方式實現(xiàn)期望的低ESL特性在同一介電層上形成彼此分開的第一和第二內(nèi)部電極，同時與在相鄰介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極重疊；并通過沿電容器器身堆疊方向形成于電容器器身中的導電過孔將第一和第二內(nèi)部電極連接至位于電容器器身的頂面和底面上的外部接線端。此外，本發(fā)明的MLCC可有效地用于具有低ESL特性的MLCC陣列。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多層片狀電容器，包括電容器器身，其通過堆疊多個介電層而形成；多個第一和第二內(nèi)部電極，其形成于各所述介電層上；至少一個第一外部接線端和至少一個第二外部接線端，其形成于所述電容器器身的頂面和底面中的至少一個表面上；以及至少一個第一導電過孔和至少一個第二導電過孔，其沿所述電容器器身的堆疊方向形成于所述電容器器身中，以連接至所述第一和第二外部接線端；其中形成于同一介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極彼此分開，并且形成于所述堆疊的介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極通過一個夾在它們之間的介質(zhì)層而彼此重疊，各所述第一和第二內(nèi)部電極均在所述第一和第二內(nèi)部電極與形成于垂直相鄰的介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極相重疊的位置處具有至少一個引出部；所述至少一個第一導電過孔形成為穿過所述第一內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第二內(nèi)部電極電絕緣；以及所述至少一個第二導電過孔形成為穿過所述第二內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第一內(nèi)部電極電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層片狀電容器，其中各所述介電層上均包括一個第一內(nèi)部電極和一個第二內(nèi)部電極，以及各所述第一和第二內(nèi)部電極的所述至少一個引出部均伸向同一介電層上相鄰的第二和第一內(nèi)部電極，并且各所述第一和第二內(nèi)部電極均具有使所述第一和第二內(nèi)部電極與同一介電層上相鄰的所述第二和第一內(nèi)部電極分開的凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層片狀電容器，其中各所述介電層上均具有多個第一內(nèi)部電極或多個第二內(nèi)部電極、或多個第一內(nèi)部電極和多個第二內(nèi)部電極，并且所述第一和第二內(nèi)部電極交替地布置在同一介電層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層片狀電容器，其中所述多個第一和第二內(nèi)部電極沿一個方向交替地布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層片狀電容器，其中所述至少一個引出部在所述第一和第二內(nèi)部電極的至少一側(cè)形成，各所述第一和第二內(nèi)部電極均在與其所述至少一個引出部相對的另一側(cè)具有至少一個凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層片狀電容器，其中形成于同一介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極具有相同的圖樣形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層片狀電容器，其中各所述第一和第二內(nèi)部電極均在與同一介電層上的所述相鄰第二和第一內(nèi)部電極相對的一側(cè)具有至少一個引出部和至少一個凹部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層片狀電容器，其中在各所述第一和第二內(nèi)部電極的所述側(cè)形成的所述至少一個引出部和所述至少一個凹部交替地布置。
9.一種多層片狀電容器陣列，其包括電容器器身，其通過堆疊多個介電層而形成；以及多個電容器部件，其形成于各所述介電層上的多個分開的區(qū)域上，其中各所述電容器部件包括多個第一和第二內(nèi)部電極，其形成于各所述介電層的一個區(qū)域上；至少一個第一外部接線端和至少一個第二外部接線端，其形成于所述電容器器身的頂面和底面中的至少一個表面上；以及至少一個第一導電過孔和至少一個第二導電過孔，其沿所述電容器器身的堆疊方向形成于所述電容器器身中，以連接至所述第一或第二外部接線端，形成于同一介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極彼此分開，并且形成于多個堆疊的所述介電層上的所述第一和第二內(nèi)部電極通過一個夾在它們之間的介電層而彼此重疊，各所述第一和第二內(nèi)部電極均在所述第一和第二內(nèi)部電極與形成于垂直相鄰的介電層上的其他第一和第二內(nèi)部電極相重疊的位置處具有至少一個引出部，以及所述至少一個第一導電過孔形成為穿過所述第一內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第二內(nèi)部電極電絕緣，以及所述至少一個第二導電過孔形成為穿過所述第二內(nèi)部電極的所述引出部，同時與所述第一內(nèi)部電極電絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括在各所述介電層上形成的一個第一內(nèi)部電極和一個第二內(nèi)部電極，各所述第一和第二內(nèi)部電極的所述至少一個引出部伸向同一介電層上的相鄰第二和第一內(nèi)部電極，并且各所述第一和第二內(nèi)部電極均具有使所述第一和第二內(nèi)部電極與同一介電層上的所述第二和第一內(nèi)部電極分開的凹部。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括所述多個介電層，每個介電層均具有多個第一內(nèi)部電極或多個第二內(nèi)部電極、或多個第一內(nèi)部電極和多個第二內(nèi)部電極，其中所述第一和第二內(nèi)部電極交替地布置在同一介電層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括沿一個方向交替地布置的所述多個第一和第二內(nèi)部電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的每個電容器部件均包括沿同一方向布置的所述第一和第二內(nèi)部電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括所述第一和第二內(nèi)部電極，每個內(nèi)部電極均具有至少一個引出部在其至少一側(cè)形成，且均在與其所述至少一個引出部相對的另一側(cè)具有至少一個凹部。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括形成于同一介電層上的相同圖樣形狀的所述第一和第二內(nèi)部電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層片狀電容器陣列，其中所述多個電容器部件中的至少一個包括所述第一和第二內(nèi)部電極，每個內(nèi)部電極均在與同一介電層上的所述相鄰第二和第一內(nèi)部電極相對的一側(cè)具有至少一個引出部和至少一個凹部。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多層片狀電容器陣列，其中在各所述第一和第二內(nèi)部電極的所述側(cè)形成的所述至少一個引出部和所述至少一個凹部交替地布置。
全文摘要
本發(fā)明于提供了一種MLCC和一種MLCC陣列。該MLCC通過以下方式實現(xiàn)了期望的低ESL特性第一和第二內(nèi)部電極形成為在同一介質(zhì)層上彼此分開，同時與在相鄰介質(zhì)層上的其他第一和第二內(nèi)部電極重疊，以及通過沿電容器器身的堆疊方向形成于電容器器身中的導電過孔將該第一和第二內(nèi)部電極連接至位于電容器器身的頂面或底面上的外部接線端。
文檔編號H01G4/38GK1787136SQ200510116659
公開日2006年6月14日 申請日期2005年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月7日
發(fā)明者樸祥秀, 樸東錫, 李炳華, 樸珉哲, 李泫珠, 權(quán)珉敬, 丁海碩, 沈昌勛, 韓承憲 申請人:三星電機株式會社