專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用水平電場的液晶顯示器件。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有簡化工序的水平電場施加型薄膜晶體管基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器件利用電場控制液晶的光透射率，由此顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場的方向，液晶顯示器件被分為兩種主要類型垂直電場施加型和水平電場施加型。
垂直電場施加型液晶顯示器件利用在像素電極和公共電極之間形成的垂直電場驅(qū)動(dòng)TN(扭曲向列)模式液晶，其中像素電極和公共電極相對設(shè)置在上和下基板中。垂直電場施加型液晶顯示器件具有的優(yōu)點(diǎn)在于其孔徑比高，但是缺點(diǎn)在于其視角窄，只有90°。
水平電場施加型液晶顯示器件利用在像素電極和公共電極之間形成的水平電場驅(qū)動(dòng)IPS(面內(nèi)開關(guān))模式液晶，其中像素電極和公共電極平行設(shè)置在下基板中。水平電場施加型液晶顯示器件具有的優(yōu)點(diǎn)在于其視角寬至160°。以下，將詳細(xì)描述水平電場施加型液晶顯示器件。
水平電場施加型液晶顯示器件包括薄膜晶體管基板(下板)和濾色片基板(上板)，其彼此相對并粘結(jié)在一起；保持兩基板之間盒間隙的襯墊料；以及填充在盒間隙中的液晶。
薄膜晶體管基板包括薄膜晶體管；逐像素形成水平電場的多根信號金屬線；和涂敷在其上用于液晶取向的定向膜。濾色片基板包括實(shí)現(xiàn)顏色的濾色片；防止漏光的黑矩陣；和形成在其上用于液晶取向的定向膜。
在液晶顯示器件中，薄膜晶體管基板包括半導(dǎo)體工序并需要多個(gè)掩模工序。從而，其制造方法復(fù)雜已經(jīng)成為液晶顯示板制造成本增加的主要原因。為了解決這個(gè)問題，薄膜晶體管基板已經(jīng)朝減少掩模工序數(shù)量的方向發(fā)展。這是因?yàn)橐粋€(gè)掩模工序包括多個(gè)工序如薄膜沉積工序，清潔工序，光刻工序，刻蝕工序，光刻膠剝離工序，檢驗(yàn)工序等。因此，四輪掩模工序最近開始興起，其中四輪掩模工序是從五輪掩模工序中減少了一輪掩模工序，所述五輪掩模工序已經(jīng)為薄膜晶體管基板的標(biāo)準(zhǔn)掩模工序。
圖1為說明現(xiàn)有技術(shù)的利用四輪掩模工序的水平電場施加型薄膜晶體管基板的平面圖，圖2為說明沿I-I’、II-II’線得到的圖1所示的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖1和2中所示的薄膜晶體管基板包括形成在下基板45上、彼此相交的柵線2和數(shù)據(jù)線4，其間具有柵絕緣膜46；形成在每個(gè)相交部分處的薄膜晶體管6；在像素區(qū)域中形成水平電場的像素電極14和公共電極18；和連接到公共電極18的公共線16。此外，薄膜晶體管基板包括形成在像素電極14和公共線16的重疊部分處的存儲電容器20；連接到柵線2的柵焊盤24；連接到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)焊盤30；和連接到公共線16的公共焊盤36。
提供柵信號的柵線2和提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線4以相交結(jié)構(gòu)形成以限定像素區(qū)域。
提供驅(qū)動(dòng)液晶的參考電壓的公共線16基本上平行于柵線2形成，其間具有像素區(qū)域。
薄膜晶體管6響應(yīng)柵線2的柵信號接收數(shù)據(jù)線4的像素信號并將其充入并保持在像素電極14中。薄膜晶體管6包括連接到柵線2的柵極8；連接到數(shù)據(jù)線4的源極10；連接到像素電極14的漏極12；有源層48，其與柵極8重疊并且其間具有柵絕緣膜46以在源極10和漏極12之間形成溝道；和歐姆接觸層50，用于與源極10和漏極12以及有源層48形成歐姆接觸。
有源層48和歐姆接觸層50形成以重疊數(shù)據(jù)線4、數(shù)據(jù)焊盤下電極32和存儲上電極22。
像素電極14通過穿過鈍化膜52的第一接觸孔13連接到薄膜晶體管6的漏極12。像素電極14連接到漏極12，并包括平行于相鄰柵線2形成的第一水平部分14A；重疊公共線16形成的第二水平部分14B；和在第一和第二水平部分14A，14B之間垂直形成的指狀部分14C。
公共電極18連接到公共線16并形成在像素區(qū)域處。公共電極18在像素區(qū)域中平行于像素電極14的指狀部分14C形成。
因此，水平電場形成在像素電極14和公共電極18之間，其中像素信號通過薄膜晶體管6施加到像素電極14，參考電壓(以下，稱為“公共電壓”)通過公共線16施加到公共電極18。具體地說，水平電場形成在公共電極18和像素電極14的指狀部分14C之間。通過這種水平電場在薄膜晶體管基板和濾色片基板之間沿水平方向排列的液晶分子通過介電各向異性旋轉(zhuǎn)。此外，透過像素區(qū)域的光的透射率根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度改變，由此實(shí)現(xiàn)灰度級。
存儲電容器20包括公共線16和與公共線16重疊的存儲上電極22，其間具有柵絕緣膜46、有源層48和歐姆接觸層50，并且存儲上電極22通過在鈍化膜50中形成的第二接觸孔21連接到像素電極14。存儲電容器20能夠穩(wěn)定地保持在像素電極中充入的像素信號，直到充入下一個(gè)像素信號。
柵線2通過柵焊盤24連接到柵驅(qū)動(dòng)器(未示出)。柵焊盤24包括從柵線2延伸出的柵焊盤下電極26；和通過貫穿柵絕緣膜46和鈍化膜52的第三接觸孔27連接到柵焊盤下電極26的柵焊盤上電極28。
數(shù)據(jù)線4通過數(shù)據(jù)焊盤30連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤30包括從數(shù)據(jù)線4延伸出的數(shù)據(jù)焊盤下電極32；和通過貫穿鈍化膜52的第四接觸孔33連接到數(shù)據(jù)焊盤下電極32的數(shù)據(jù)焊盤上電極34。
公共線16通過公共焊盤36從外部公共電壓源(未示出)接收公共電壓。公共焊盤36包括從公共線16延伸出的公共焊盤下電極38；和通過貫穿柵絕緣膜和鈍化膜52的第五接觸孔39連接到公共焊盤下電極38的公共焊盤上電極40。
通過利用圖3A至3D所示的四輪掩模工序詳細(xì)描述具有這種結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的制造方法。
參考圖3A，通過利用第一掩模工序在下基板45上形成包括柵線、柵極8、柵焊盤下電極26、公共線16、公共電極18和公共焊盤下電極38的柵金屬圖案。
更詳細(xì)地，通過沉積方法如濺射在下基板45上形成柵金屬層。隨后，通過利用第一掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)沤饘賹舆M(jìn)行構(gòu)圖，由此形成包括柵線、柵極8、柵焊盤下電極26、公共線16、公共電極18和公共焊盤下電極38的柵金屬圖案。柵金屬層由金屬Al、Mo、Cr以單層或雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
參考圖3B，在形成有柵金屬圖案的下基板45上涂敷柵絕緣膜46。并且形成包括有源層48和歐姆接觸層50的半導(dǎo)體圖案；和包括數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12、數(shù)據(jù)焊盤下電極32和存儲上電極22的源/漏金屬圖案。
更詳細(xì)地，通過如PECVD、濺射的沉積方法在柵金屬圖案形成的下基板45上順序形成柵絕緣膜46、非晶硅層、n+非晶硅層和源/漏金屬層。這里，柵絕緣膜46的材料主要為無機(jī)絕緣材料如SiOx、SiNx等。源/漏金屬層由金屬Al、Mo、Cr系(system)以單層或雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。然后，通過利用第二掩模的光刻工序在源/漏金屬層上形成具有階梯差的光刻膠圖案。通過利用具有階梯差的光刻膠圖案對源/漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成包括數(shù)據(jù)線4、源極10、與源極10一體的漏極、數(shù)據(jù)焊盤下電極32和存儲上電極22的源/漏金屬圖案。然后，通過利用相同光刻膠圖案的干刻工序?qū)+非晶硅層和非晶硅層同時(shí)進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成歐姆接觸層50和有源層48。隨后，通過灰化光刻膠圖案而暴露出的源/漏金屬圖案與歐姆接觸層50一起進(jìn)行刻蝕，由此分離源極10和漏極12。
然后，通過剝離工序去除留在源/漏金屬圖案上的光刻膠圖案。
參考圖3C，通過第三掩模工序在形成有源/漏金屬圖案的柵絕緣膜46上形成包括第一到第五接觸孔13，21，27，33，39的鈍化膜52。
更詳細(xì)地，通過沉積方法如PECVD在形成有源/漏金屬圖案的柵絕緣膜46的整個(gè)表面上形成鈍化膜52。隨后，通過利用第三掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)︹g化膜52進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成第一到第五接觸孔13，21，27，33，39。第一接觸孔13通過貫穿鈍化膜52而暴露出漏極12，第二接觸孔21通過貫穿鈍化膜52而暴露出存儲上電極22。第三接觸孔27通過貫穿鈍化膜52和柵絕緣膜46而暴露出柵焊盤下電極26，第四接觸孔33通過貫穿鈍化膜52而暴露出數(shù)據(jù)焊盤下電極32。第五接觸孔39通過貫穿鈍化膜52和柵絕緣膜46而暴露出公共焊盤下電極38。
這里，鈍化膜52的材料為與柵絕緣膜46類似的無機(jī)絕緣材料，或?yàn)橛袡C(jī)絕緣材料如BCB(苯并環(huán)丁烯)、PFCB(全氟環(huán)丁烷)或具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物。
參考圖3D，通過利用第四掩模工序在鈍化膜54上形成包括像素電極14、柵焊盤上電極28、數(shù)據(jù)焊盤上電極34和公共焊盤上電極40的透明導(dǎo)電圖案。
更詳細(xì)地，在鈍化膜52上涂敷透明導(dǎo)電膜。隨后，通過利用第四掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)ν该鲗?dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成包括像素電極14、柵焊盤上電極28、數(shù)據(jù)焊盤上電極34和公共焊盤上電極40的透明導(dǎo)電圖案。像素電極14連接到通過第一接觸孔13而暴露出的漏極12，同時(shí)連接到通過第二接觸孔21而暴露出的存儲上電極22。柵焊盤上電極28連接到通過第三接觸孔27而暴露出的柵焊盤下電極26。數(shù)據(jù)焊盤上電極34連接到通過第四接觸孔33而暴露出的數(shù)據(jù)焊盤下電極32。公共焊盤上電極40連接到通過第五接觸孔39而暴露出的公共焊盤下電極38。
這里，透明導(dǎo)電膜的材料為ITO(氧化銦錫)。
這樣，現(xiàn)有技術(shù)的水平電場施加型薄膜晶體管基板及其制造方法將工序數(shù)量減少到了四輪掩模工序，由此相應(yīng)地減少了制造成本。
然而，在像素區(qū)域中形成的公共電極18由不透明柵金屬構(gòu)成。從而，存在孔徑比低的問題。
此外，由于孔徑比問題，在增加由存儲上電極22和不透明金屬構(gòu)成的公共線16的重疊區(qū)域方面存在限制。從而，存在存儲電容器20的電容低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為提供一種增加孔徑比以及簡化其工序的水平電場施加型薄膜晶體管基板，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為提供一種增加存儲電容器的電容而不需要減小孔徑比的水平電場施加型薄膜晶體管基板，以及其制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明一方面的液晶顯示器件包括具有雙層結(jié)構(gòu)的柵線，所述雙層結(jié)構(gòu)包括透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層；與柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；具有第一和第二導(dǎo)電層并基本上平行于柵線的公共線；在像素區(qū)域中從公共線的第一導(dǎo)電層延伸出的公共電極；和連接到薄膜晶體管的像素電極，該像素電極和公共電極在像素區(qū)域中形成水平電場。
在另一實(shí)施例中，一種液晶顯示器件的制造方法包括利用第一掩模形成具有雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案和具有由雙層結(jié)構(gòu)的公共線和由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的公共電極的公共圖案，所述雙層結(jié)構(gòu)包括沉積在基板上的透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層；在柵圖案和公共圖案上形成柵絕緣膜；利用第二掩模在柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案，以及在半導(dǎo)體圖案上形成具有數(shù)據(jù)線、源極和漏極的源/漏圖案；利用第三掩模在源/漏圖案上形成鈍化膜和暴露出漏極的接觸孔；和利用第四掩模形成通過接觸孔連接到漏極的像素電極，其中該像素電極和公共電極一起形成水平電場。
應(yīng)當(dāng)理解，之前的概述和下面的詳述都是例證性和解釋性的，并意欲對請求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


所附附圖用于提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合在本說明書中，構(gòu)成本說明書的一部分，這些

了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的水平電場施加型薄膜晶體管基板的平面圖；圖2所示為沿I-I’、II-II’線提取的圖1所示的薄膜晶體管基板的截面圖；圖3A至3D所示為圖2所示的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場施加型薄膜晶體管基板的平面圖；圖5所示為沿III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’線提取的圖4所示的薄膜晶體管基板的截面圖；圖6A和6B所示為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖；圖7A至7E所示為詳細(xì)說明本發(fā)明的第一掩模工序的截面圖；圖8A和8B所示為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖；圖9A至9E所示為詳細(xì)說明本發(fā)明的第二掩模工序的截面圖；圖10A和10B所示為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第三掩模工序的平面圖和截面圖；圖11A和11B所示為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第四掩模工序的平面圖和截面圖；圖12所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的水平電場施加型薄膜晶體管基板的截面圖；圖13所示為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的水平電場施加型薄膜晶體管基板的截面圖；以及圖14所示為沿III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’線提取的圖13所示的薄膜晶體管基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其實(shí)施例在所附附圖中說明。
參考圖4至12，下面將解釋本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的水平電場施加型薄膜晶體管基板的平面圖，圖5為沿III-III’、IV-IV’、V-V’和VI-VI’線提取的圖4所示的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖4和5所示的薄膜晶體管基板包括在下基板150上彼此交叉以限定像素區(qū)域的柵線102和數(shù)據(jù)線104，其間具有柵絕緣膜152；連接到柵線102、數(shù)據(jù)線104和像素電極118的薄膜晶體管TFT；設(shè)置為在像素區(qū)域中形成水平電場的公共電極122和像素電極118；和連接到公共電極122的公共線120。此外，薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括第一和第二電容器Cst1，Cst2，其分別形成在公共電極122和像素電極118的重疊部分處以及公共線120和像素電極118的重疊部分處；連接到柵線102的柵焊盤124；連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤132；和連接到公共線120的公共焊盤140。
柵線102提供來自柵驅(qū)動(dòng)器(未示出)的掃描信號，數(shù)據(jù)線104提供來自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)的視頻信號。其間具有柵絕緣膜152的柵線102和數(shù)據(jù)線104彼此相交以限定每個(gè)像素區(qū)域。這里，柵線102可以以雙層結(jié)構(gòu)形成，其中該雙層結(jié)構(gòu)由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層101和由不透明金屬構(gòu)成的第二導(dǎo)電層103形成。
薄膜晶體管TFT響應(yīng)柵線102的掃描信號將數(shù)據(jù)線104上的視頻信號充入像素電極118中充電并保持在像素電極118中。為此，薄膜晶體管TFT包括柵極，其包括在柵線102中；連接到數(shù)據(jù)線104的源極110；漏極112，其與源極110相對并連接到像素電極118；與柵線102重疊其間具有柵絕緣膜152的有源層114，以在源極110和漏極112之間形成溝道；和除了溝道部分之外的有源層114上形成歐姆接觸層116，用于與源極110和漏極112歐姆接觸。
具有有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案115形成以重疊數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)焊盤下電極134。
公共線120和公共電極122為每個(gè)像素提供驅(qū)動(dòng)液晶的參考電壓，即公共電壓。
為此，公共線120包括在顯示區(qū)域中平行于柵線102形成的內(nèi)部公共線120A；和在非顯示區(qū)域中公共連接到內(nèi)部公共線120A的外部公共線120B。與柵線102相同，公共線120可以由第一和第二導(dǎo)電層101，103形成的雙層結(jié)構(gòu)形成。
在每個(gè)像素區(qū)域中公共電極122連接到內(nèi)部公共線120A。具體地說，公共電極122包括從內(nèi)部公共線120A的第一導(dǎo)電層101延伸到像素區(qū)域的指狀部分122B；和連接到指狀部分122B的水平部分122A。公共電極122由與公共線120的第一導(dǎo)電層101相同的透明導(dǎo)電層形成。
像素電極118連接到薄膜晶體管TFT的漏極112，并設(shè)置為在每個(gè)像素區(qū)域中與公共電極118一起形成水平電場。具體地說，像素電極118包括第一水平部分118A，其平行于柵線102形成以連接到通過第一接觸孔108而暴露出的漏極112；與內(nèi)部公共線120A重疊形成的第二水平部分118C；和指狀部分118B，其與公共電極的指狀部分122B平行形成，以連接在第一和第二水平部分118A，118C之間。如果將視頻信號通過薄膜晶體管TFT提供給像素電極118，則在像素電極118的指狀部分118B和公共電極122的指狀部分122B之間形成水平電場，其中公共電壓通過公共線120提供給公共電極122。在這種水平電場的作用下，在薄膜晶體管基板和濾色片基板之間沿水平方向排列的液晶分子由于介電各向異性旋轉(zhuǎn)。此外，透過像素區(qū)域的光的透射率根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度改變，由此實(shí)現(xiàn)灰度級。
存儲電容器包括第一存儲電容器Cst1和第二存儲電容器Cst2，其中，像素電極118的第一水平部分118A與公共電極122的水平部分122A重疊并且其間具有鈍化膜154和柵絕緣膜152而形成第一存儲電容器Cst1；像素電極118的第二水平部分118C與內(nèi)部公共線120A重疊并且其間具有鈍化膜154和柵絕緣膜152而形成第二存儲電容器Cst2。這里，在公共線120的第一導(dǎo)電層101中使與像素電極118重疊的部分的線寬相對較大，以增加與像素電極118的重疊區(qū)域，由此使第二存儲電容器Cst2的電容增加而不需要減小孔徑比。此外，第一存儲電容器Cst1和第二存儲電容器Cst2通過共享公共電極122或公共線120平行連接到像素電極118，從而存儲電容器的電容可以進(jìn)一步增加。這里，也可以用第一和第二存儲電容器Cst1，Cst2之一作為存儲電容器。
存儲電容器使得在像素電極118中充入的像素信號保持穩(wěn)定，直到充入下一個(gè)像素信號。
柵線102通過柵焊盤124連接到柵驅(qū)動(dòng)器(未示出)。柵焊盤124包括從柵線102延伸出的柵焊盤下電極126；連接到通過貫穿柵絕緣膜152和鈍化膜154的第二接觸孔128暴露出柵焊盤下電極126的柵焊盤上電極130。這里，與柵線102相似，柵焊盤下電極126具有由第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103形成的雙層結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤132連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤132包括從數(shù)據(jù)線104延伸出的數(shù)據(jù)焊盤下電極134以及其下方的半導(dǎo)體圖案115；和連接到通過貫穿鈍化膜154的第三接觸孔136暴露出的數(shù)據(jù)焊盤下電極134的數(shù)據(jù)焊盤上電極138。
公共線120通過公共焊盤140接收來自公共電壓源(未示出)的參考電壓。公共焊盤140包括從外部公共線120B延伸出的公共焊盤下電極142；和連接到通過貫穿柵絕緣膜152和鈍化膜154的第四接觸孔144暴露出的公共焊盤下電極142的公共焊盤上電極146。這里，與公共線120相似，公共焊盤下電極142具有由第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103形成的雙層結(jié)構(gòu)。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場施加型薄膜晶體管基板中，公共電極122可以由為透明導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電層構(gòu)成，從而可以防止由此引起的孔徑比的下降。此外，公共線120可以以由第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103形成的雙層結(jié)構(gòu)形成。從而，線路電阻可以減小。而且，存儲電容器設(shè)計(jì)為并聯(lián)連接的第一和第二存儲電容器Cst1，Cst2。因此，電容可以增加而不需要減小孔徑比。
根據(jù)本發(fā)明具有這些優(yōu)點(diǎn)的薄膜晶體管基板通過下述四輪掩模工序形成。
圖6A和6B為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖，圖7A至7E為詳細(xì)第一掩模工序的截面圖。
通過第一掩模工序，在下基板150上形成具有柵線102和柵焊盤下電極126的柵圖案；和具有公共線120、公共電極122和公共焊盤下電極142的公共圖案。這里，柵圖案、公共線120和公共焊盤下電極142以由第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103形成的雙層結(jié)構(gòu)形成，公共電極122和部分內(nèi)部公共線120A以從公共線120的第一導(dǎo)電層101延伸出的單層結(jié)構(gòu)形成。通過利用半色調(diào)掩?；蜓苌淦毓庋谀５囊惠喲谀９ば蛐纬删哂须p層和單層結(jié)構(gòu)的柵圖案和公共圖案。以下通過將半色調(diào)掩模用作第一掩模的情況為例進(jìn)行說明。
具體地說，如圖7A所示，通過沉積方法如濺射在下基板150上形成第一和第二導(dǎo)電層101，103，而后在其上形成光刻膠167。第一導(dǎo)電層101由透明導(dǎo)電材料如ITO、TO、IZO構(gòu)成，第二導(dǎo)電層由金屬材料如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、MoW系構(gòu)成。然后，如圖7B所示，光刻膠167通過利用半色調(diào)掩模160的光刻工序曝光并顯影，由此形成具有階梯差的光刻膠圖案168。
如圖7A所示，半色調(diào)掩模160包括透明石英SiO2基板166，和其上形成的部分透射層164和遮蔽層162。與部分透射層164重疊的遮蔽層162位于將形成柵圖案的區(qū)域處以遮蔽紫外線UV，由此在顯影后剩下第一光刻膠圖案168A，如圖7B所示。
與遮蔽層162不重疊的部分透射層164位于將形成公共電極122和部分內(nèi)部公共線120A的區(qū)域處以局部透射紫外線UV，由此在顯影后剩下第二光刻膠圖案168B，如圖7B所示，其中第二光刻膠圖案168B比第一光刻膠圖案168A更薄。為此，遮蔽層162由金屬如Cr、CrOX構(gòu)成，而部分透射層164由MoSiX構(gòu)成。
隨后，如圖7C所示，通過利用具有階梯差的光刻膠圖案168的刻蝕工序?qū)Φ谝粚?dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成具有雙層結(jié)構(gòu)的公共電極122，以及柵圖案、公共線120和公共焊盤142。
然后，如圖7D所示，通過利用氧等離子體的灰化工序?qū)饪棠z圖案168進(jìn)行灰化。從而第一光刻膠圖案168A變薄，第二光刻膠圖案168B被去除。并且，通過利用灰化后的第一光刻膠圖案168A的刻蝕工序去除公共電極122和部分內(nèi)部公共線120A上的第二導(dǎo)電層103。這時(shí)，沿灰化后的光刻膠圖案168A構(gòu)圖的第二導(dǎo)電層103的兩側(cè)部分再次進(jìn)行刻蝕，從而柵圖案和公共線120及公共焊盤142的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103在階梯形狀方面具有均勻的階梯差。因此，在第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的側(cè)面部分具有陡峭斜面的情況下，可以防止在其上產(chǎn)生的源/漏金屬層的短路缺陷。
然后，如圖7E所示，通過剝離工序去除留在柵圖案上的第一光刻膠圖案168A，由此實(shí)現(xiàn)具有雙層和單層結(jié)構(gòu)的柵圖案和公共圖案。
圖8A和8B為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖，圖9A至9E為詳細(xì)第二掩模工序的截面圖。
在形成有柵圖案的下基板150上形成柵絕緣膜152。然后，通過第二掩模工序在其上形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極134的源/漏圖案，和包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案115。半導(dǎo)體圖案115和源/漏圖案通過利用衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模的一輪掩模工序形成。以下，說明利用衍射曝光掩模作為第二掩模的情況。
更具體地說，如圖9A所示，在形成有柵圖案的下基板150上順序形成柵絕緣膜152、非晶硅層105、摻雜有雜質(zhì)(n+或p+)的非晶硅層107和源/漏金屬層109。例如，通過PECVD方法形成柵絕緣膜152、非晶硅層105和摻雜有雜質(zhì)(n+或p+)的非晶硅107，而通過濺射方法形成源/漏金屬層109。柵絕緣膜152由無機(jī)絕緣材料如SiNx，SiOx構(gòu)成。源/漏金屬層109由Cr、Mo、MoW、Al/Cr、Cu、Al(Nd)、Al/(Mo)、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo或Ti/Al(Nd)/Ti形成。當(dāng)在源/漏金屬層109上形成光刻膠180后，光刻膠180通過利用衍射曝光掩模170的光刻工序曝光和顯影，由此形成具有階梯差的光刻膠圖案182，如圖9B所示。
如圖9A所示，衍射曝光掩模170，包括石英基板172，和位于其上由金屬層如Cr形成的遮蔽層174和衍射曝光狹縫176。遮蔽層174位于在將形成半導(dǎo)體圖案和源/漏圖案的區(qū)域處以遮蔽紫外線，由此在顯影后剩下第一光刻膠圖案182A，如圖9B所示。衍射曝光狹縫176位于在將形成薄膜晶體管溝道的區(qū)域處以衍射紫外線，由此在顯影后留下第二光刻膠圖案182B，如圖9B所示，其中第二光刻膠圖案182B比第一光刻膠圖案182A更薄。
隨后，通過利用具有階梯差的光刻膠圖案182的刻蝕工序?qū)υ?漏金屬層109進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成源/漏圖案和其下方的半導(dǎo)體圖案115，如圖9C所示。在該情況下，源/漏圖案中的源極110和漏極112具有一體的結(jié)構(gòu)。
然后，如圖9D所示，通過利用氧O2等離子體的灰化工序?qū)饪棠z圖案182進(jìn)行灰化，從而第一光刻膠圖案182A變薄，第二光刻膠圖案182B被去除。并且，通過利用灰化后的第一光刻膠圖案182A的刻蝕工序去除通過去除第二光刻膠圖案182B暴露出的源/漏圖案和其下方的歐姆接觸層116，由此使源極110與漏極112分離并暴露有源層114。因此，在源極110和漏極112之間形成有源層114的溝道。這時(shí)，沿灰化后的第一光刻膠圖案182A再次刻蝕源/漏圖案的兩側(cè)部分，從而使源/漏圖案和半導(dǎo)體圖案115在階梯形狀方面具有均勻的階梯差。
然后，如圖9E所示，通過剝離工序去除留在源/漏圖案上的第一光刻膠圖案182A，由此實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體圖案115和源/漏圖案。
圖10A和10B為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第三掩模工序的平面圖和截面圖。
通過第三掩模工序，通過方法如PECVD、旋涂或非旋轉(zhuǎn)涂敷在形成有源/漏圖案的柵絕緣膜152上形成具有第一至第四接觸孔108，128，136，144的鈍化膜154。
具體地說，通過方法如PECVD、旋涂或非旋轉(zhuǎn)涂敷在形成有源/漏圖案的柵絕緣膜152上形成鈍化膜154。鈍化膜154由有機(jī)絕緣材料或與柵絕緣膜152相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成。然后，通過利用鈍化膜154上的第三掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)︹g化膜154和柵絕緣膜152進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成第一至第四接觸孔108，128，136，144。這里，第一接觸孔108和第三接觸孔136通過貫穿鈍化膜154分別暴露出漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極134。第二接觸孔128和第四接觸孔144通過貫穿鈍化膜154和柵絕緣膜152分別暴露出柵焊盤下電極126和公共焊盤下電極142。
圖11A和11B為在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法中第四掩模工序的平面圖和截面圖。
通過第四掩模工序，形成包括像素電極118、柵焊盤上電極130、數(shù)據(jù)焊盤上電極138和公共焊盤上電極146的透明導(dǎo)電圖案。
具體地說，通過沉積方法如濺射在鈍化膜154上形成透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層由與柵圖案和公共圖案的第一導(dǎo)電層101相同的ITO、TO或IZO形成。此外，透明導(dǎo)電層可以用具有高耐蝕性和高強(qiáng)度的不透明金屬如Ti(鈦)、W(鎢)代替。然后，通過利用第四掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)ν该鲗?dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成具有像素電極118、柵焊盤上電極130、數(shù)據(jù)焊盤上電極138和公共焊盤上電極146的透明導(dǎo)電圖案。因此，像素電極118、柵焊盤上電極130、數(shù)據(jù)焊盤上電極138和公共焊盤上電極146分別通過第一至第四接觸孔108，128，136，144連接到漏極112，柵焊盤下電極126，數(shù)據(jù)焊盤下電極134和公共焊盤下電極142。例如，像素電極118、柵焊盤上電極130、數(shù)據(jù)焊盤上電極138和公共焊盤上電極146中的每一個(gè)與漏極112，柵焊盤下電極126，數(shù)據(jù)焊盤下電極134和公共焊盤下電極142中的一個(gè)的表面接觸。
另一方面，在柵圖案和公共圖案的第二導(dǎo)電層103以及源/漏圖案由金屬如Mo構(gòu)成的情況下，利用這種金屬容易進(jìn)行干刻，如圖12所示，像素電極118、柵焊盤上電極130、數(shù)據(jù)焊盤上電極138和公共焊盤上電極146中的每一個(gè)與漏極112，柵焊盤下電極126，數(shù)據(jù)焊盤下電極134和公共焊盤下電極142中一個(gè)的側(cè)面接觸。這是因?yàn)樵谕ㄟ^第三掩模工序?qū)︹g化膜154和柵絕緣膜152進(jìn)行構(gòu)圖的情況下第二接觸孔128和第四接觸孔144貫穿柵焊盤下電極126和公共焊盤下電極142的第二導(dǎo)電層130，而第一接觸孔108和第三接觸孔136貫穿漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極134。具體地說，第一接觸孔108和第三接觸孔136貫穿漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極134下方的半導(dǎo)體圖案115，或者延伸到柵絕緣膜152的部分。
圖13為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的水平電場施加型薄膜晶體管基板的平面圖，圖14為沿III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’線提取的圖13所示的薄膜晶體管基板的截面圖。
圖13和14所示的薄膜晶體管基板除了公共電極222以與公共線120相同的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103沉積的雙層結(jié)構(gòu)形成以外，包括與圖4和5所示的薄膜晶體管基板相同的組件。因此，關(guān)于重復(fù)組件的描述將省略。
公共電極包括指狀部分222B和水平部分222A，其中指狀部分222B連接到內(nèi)部公共線120A并具有透明第一導(dǎo)電層101和不透明第二導(dǎo)電層沉積的雙層結(jié)構(gòu)；水平部分222A連接到指狀部分222B并具有僅由第一導(dǎo)電層101形成的單層結(jié)構(gòu)。這里，指狀部分222B的第二導(dǎo)電層103用作由第一導(dǎo)電層101引起的漏光的遮蔽層。這時(shí)，指狀部分222B的第二導(dǎo)電層103的線寬窄于第一導(dǎo)電層101的線寬，以便不妨礙有助于孔徑比的第一導(dǎo)電層101的兩側(cè)部分。例如，第一導(dǎo)電層101的從指狀部分222B的邊緣到向內(nèi)大約1μm的相應(yīng)的兩側(cè)部分有助于孔徑比。從而，第二導(dǎo)電層103形成以重疊除第一導(dǎo)電層101的兩側(cè)部分之外的其余部分。因此，公共電極222的指狀部分222B通過第一導(dǎo)電層101提高孔徑比，并且通過第二導(dǎo)電層103防止漏光，由此能夠提高對比度。
如圖6A至7E所述，通過利用半色調(diào)掩模或衍射曝光掩模的一輪掩模工序形成公共電極的具有雙層結(jié)構(gòu)的指狀部分222B和具有單層結(jié)構(gòu)的水平部分222A。在該情況下，在指狀部分222B中，第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的重疊部分形成以對應(yīng)于半色調(diào)掩模(或衍射曝光掩模)的遮蔽部分，與第二導(dǎo)電層103不重疊的第一導(dǎo)電層101的兩側(cè)部分對應(yīng)于局部透射部分(或衍射曝光部分)形成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的水平電場施加型薄膜晶體管基板及其制造方法通過與其他由具有第一導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的公共圖案和柵圖案相同的掩模工序形成由透明第一導(dǎo)電層構(gòu)成的公共電極。因此，總的工序可以簡化為四輪掩模工序，并也可以提高孔徑比。此外，存儲電容器包括并聯(lián)連接的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層101。從而，電容可以增加，而不需要減小孔徑比。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的水平電場施加型薄膜晶體管基板及其制造方法中，公共電極的指狀部分進(jìn)一步包括與透明第一導(dǎo)電層重疊的不透明第二導(dǎo)電層，其線寬窄于第一導(dǎo)電層的線寬。從而，在第一導(dǎo)電層的與第二導(dǎo)電層不重疊的兩側(cè)部分可以提高孔徑比，以及通過由第二導(dǎo)電層防止漏光可以提高對比度。
顯然，對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下可以對本發(fā)明做出各種變型和改進(jìn)。因此，本發(fā)明意欲覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效物范圍內(nèi)的變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括具有雙層結(jié)構(gòu)的柵線，所述雙層結(jié)構(gòu)包括透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層；與所述柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層并基本上平行于所述柵線的公共線；位于像素區(qū)域中并從公共線的第一導(dǎo)電層延伸出的公共電極；以及連接到所述薄膜晶體管的像素電極，以利用公共電極在像素區(qū)域中形成水平電場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括由所述像素電極和公共電極的重疊部分形成的存儲電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括由所述像素電極和公共線的重疊部分形成的存儲電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括由所述像素電極和公共電極的重疊部分形成的第一存儲電容器；和由所述像素電極和公共線的重疊部分形成的第二存儲電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述公共線的第一導(dǎo)電層的線寬寬于公共線中被像素電極重疊的部分的線寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述公共線的第一導(dǎo)電層的線寬寬于公共線中被像素電極重疊的部分的線寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括與公共電極重疊的遮光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述遮光層具有能夠暴露出公共電極兩側(cè)部分的線寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述遮光層由公共線的第二導(dǎo)電層構(gòu)成并沿公共電極延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括柵焊盤，具有由雙層結(jié)構(gòu)形成的柵焊盤下電極，和通過貫穿絕緣膜的接觸孔連接到所述柵焊盤下電極的柵焊盤上電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括公共焊盤，其具有由雙層結(jié)構(gòu)形成的公共焊盤下電極，和通過貫穿絕緣膜的接觸孔連接到所述公共焊盤下電極的公共焊盤上電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于，所述接觸孔貫穿到所述柵焊盤下電極的第二導(dǎo)電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述接觸孔貫穿到所述公共焊盤下電極的第二導(dǎo)電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)焊盤，具有數(shù)據(jù)焊盤下電極，和通過貫穿絕緣膜的接觸孔連接到所述數(shù)據(jù)焊盤下電極的數(shù)據(jù)焊盤上電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述柵線和公共線的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有階梯部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述像素電極由透明導(dǎo)電層、鈦和鎢之一形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述像素電極通過貫穿絕緣膜的接觸孔連接到所述薄膜晶體管的漏極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述公共電極具有雙層結(jié)構(gòu)。
19.一種液晶顯示器件的制造方法，包括利用第一掩模形成具有包括基板上的透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案以及形成具有由雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的公共線和由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的公共電極的公共圖案；在柵圖案和公共圖案上形成柵絕緣膜；利用第二掩模在柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案，以及在半導(dǎo)體圖案上形成具有數(shù)據(jù)線、源極和漏極的源/漏圖案；利用第三掩模在源/漏圖案上形成鈍化膜，以及形成暴露出漏極的第一接觸孔；以及利用第四掩模形成通過所述第一接觸孔連接到漏極的像素電極，其中所述像素電極和公共電極一起形成水平電場。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過像素電極和公共電極的重疊部分形成存儲電容器，所述兩電極之間具有柵絕緣膜和鈍化膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過像素電極和公共線的重疊部分形成存儲電容器，所述像素電極和公共線之間具有柵絕緣膜和鈍化膜。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過重疊像素電極的一部分和公共電極的形成第一存儲電容器，所述公共電極和像素電極之間具有柵絕緣膜和鈍化膜；以及通過重疊像素電極的另一部分和公共線的一部分形成第二存儲電容器，所述像素電極和公共線之間具有柵絕緣膜和鈍化膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述公共線的第一導(dǎo)電層的線寬寬于公共線中被像素電極重疊的部分的線寬。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述公共線的第一導(dǎo)電層的線寬寬于公共線中被像素電極重疊的部分的線寬。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括利用第二導(dǎo)電層形成重疊公共電極的遮光層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述遮光層以能夠暴露出公共電極的兩側(cè)部分的線寬形成。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成具有雙層結(jié)構(gòu)的柵焊盤下電極；形成貫穿柵絕緣膜和鈍化膜的第二接觸孔；以及形成通過所述第二接觸孔連接到柵焊盤下電極的柵焊盤上電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成具有雙層結(jié)構(gòu)的公共焊盤下電極；形成貫穿柵絕緣膜和鈍化膜的第四接觸孔；以及形成通過所述第三接觸孔連接到公共焊盤下電極的公共焊盤上電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述第二接觸孔延伸以貫穿到柵焊盤下電極的第二導(dǎo)電層。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述第四接觸孔延伸以貫穿到公共焊盤下電極的第二導(dǎo)電層。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成數(shù)據(jù)焊盤下電極；形成貫穿鈍化膜的第三接觸孔；以及形成通過所述第三接觸孔連接到數(shù)據(jù)焊盤下電極的數(shù)據(jù)焊盤上電極。
32.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述柵線和公共線由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層構(gòu)成并具有階梯差。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述像素電極由透明導(dǎo)電層、鈦和鎢之一形成。
34.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述形成柵圖案和公共圖案的步驟包括在基板上形成第一和第二導(dǎo)電層；利用包括半色調(diào)掩模和衍射曝光掩模之一的光刻工序在第二導(dǎo)電層上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；通過利用包括第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案的刻蝕工序?qū)Φ谝粚?dǎo)電層和第二導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，形成由雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的柵圖案和公共線和具有第二導(dǎo)電層的公共電極；利用灰化工序使第一光刻膠圖案變薄并且去除第二光刻膠圖案；通過利用灰化后的第一光刻膠圖案的刻蝕工序去除公共電極上的第二導(dǎo)電層；以及去除灰化后的第一光刻膠圖案。
全文摘要
一種具有增加的孔徑比以及簡化的制造工序的LCD器件的水平電場施加型薄膜晶體管基板。該器件包括具有雙層結(jié)構(gòu)的柵線，所述雙層結(jié)構(gòu)包括透明第一導(dǎo)電層和不透明第二導(dǎo)電層；與柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層并基本上平行于柵線的公共線；在像素區(qū)域中從公共線的第一導(dǎo)電層延伸出的公共電極；以及連接到薄膜晶體管的像素電極，以與公共電極一起在像素區(qū)域中形成水平電場。
文檔編號H01L29/786GK1940689SQ20051010792
公開日2007年4月4日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者安炳喆 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社