專利名稱：防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝，特別是涉及一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線的制作方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，在制作集成電路時(shí)，會(huì)用各種技術(shù)形成多層堆棧的結(jié)構(gòu)，以提供不同的作用，比如導(dǎo)電層、介電層、絕緣層或是用于增加兩層間附著力的黏著層，同時(shí)也采用不同的材料以使元件達(dá)到最佳的效能。
舉例來(lái)說(shuō)，在現(xiàn)有的集成電路工藝中，于基底上沉積介電層之后，會(huì)在介電層上先形成一層光致抗蝕劑層，然后對(duì)芯片的正面與背面分別進(jìn)行洗邊步驟，以去除晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層，然后再將介電層圖案化。之后，再于介電層上形成其它膜層或進(jìn)行后續(xù)其它工藝。
然而，因?yàn)榛渍娴木н厖^(qū)上的光致抗蝕劑層被去除，所以進(jìn)行蝕刻工藝之后，位于晶邊區(qū)的介電層也會(huì)被移除而暴露出基底。晶邊區(qū)的基底在后續(xù)進(jìn)行其它工藝時(shí)，易產(chǎn)生缺陷，使得后續(xù)工藝中的有機(jī)雜質(zhì)沉積在其表面上。當(dāng)后續(xù)的膜層形成于基底上時(shí)，晶邊區(qū)的有機(jī)雜質(zhì)易受熱產(chǎn)生氣泡，進(jìn)而使膜層產(chǎn)生剝離(peeling)的現(xiàn)象，造成產(chǎn)品損毀并且會(huì)影響機(jī)器，使后續(xù)整批的基底受損，以致于產(chǎn)品成品率大幅降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，必面位于晶邊區(qū)的基底于工藝中暴露出來(lái)而遭到損害。
本發(fā)明的另一目的就是在提供一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，可使介電層留在基底的晶邊區(qū)上，避免暴露出基底。
本發(fā)明的再一目的就是在提供一種內(nèi)連線的制作方法，可避免位于晶邊區(qū)的膜層產(chǎn)生剝離，以維持產(chǎn)品的成品率。
本發(fā)明提出一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，首先，提供一基底，此基底具有正面與背面，其中正面包括基底的上表面與側(cè)邊上半部，而背面包括基底的下表面與側(cè)邊下半部，且上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū)，此晶邊區(qū)環(huán)繞上表面外緣。接著，于基底的正面上形成一層介電層。然后，形成一層光致抗蝕劑層，此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。之后，僅對(duì)基底的背面進(jìn)行洗邊步驟，以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層，而保留位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的晶邊區(qū)的寬度例如為5mm。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的形成介電層的方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法(high densityplasma chemical vapor deposition，HDPCVD)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的介電層的材料例如為氧化硅。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的洗邊步驟例如為邊緣珠滴清洗法(edge bead rinse，EBR)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的形成光致抗蝕劑層的方法例如為旋轉(zhuǎn)涂布。
本發(fā)明還提出一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，首先，于基底的正面上形成一層介電層。然后，在圖案化介電層時(shí)，保留位于基底的晶邊區(qū)的介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，上述的保留位于基底的晶邊區(qū)的介電層的方法例如是先形成一層光致抗蝕劑層，此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。然后，僅對(duì)基底的背面進(jìn)行洗邊步驟，以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層。之后，圖案化位于基底的中心區(qū)的介電層。
本發(fā)明再提出一種內(nèi)連線的制作方法，首先，于基底的正面上形成一層介電層。然后，于基底上形成一層光致抗蝕劑層，此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。接下來(lái)，僅對(duì)基底的下表面與側(cè)邊下半部進(jìn)行洗邊步驟，以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層。然后，將光致抗蝕劑層圖案化，并進(jìn)行蝕刻工藝，以將基底正面的中心區(qū)的介電層圖案化，保留基底的晶邊區(qū)的介電層。之后于介電層上形成圖案化導(dǎo)體層。
本發(fā)明因在進(jìn)行洗邊(edge rinse)步驟時(shí)，僅利用邊緣珠滴清洗法(EBR)對(duì)基底的背面進(jìn)行清洗，來(lái)去除基底背面的光致抗蝕劑層，而不對(duì)基底正面的晶邊區(qū)進(jìn)行洗邊步驟，如此一來(lái)，在后續(xù)的工藝中介電層便可以保留在晶邊區(qū)的基底上，使得基底在后續(xù)的工藝中不會(huì)外露，而產(chǎn)生有機(jī)雜質(zhì)沉積在基底上的現(xiàn)象，進(jìn)而避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層(如介電層)產(chǎn)生剝離，以維持產(chǎn)品的成品率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。


圖1A為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法的步驟流程圖。
圖1B繪示為晶片的上視圖。
圖2A至圖2C為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的內(nèi)連線的制作方法的流程剖面圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明100～106步驟200基底202上表面204側(cè)邊上半部206下表面208側(cè)邊下半部210晶邊區(qū)212中心區(qū)214柵極216柵介電層217間隙壁218源極/漏極區(qū)220介電層222光致抗蝕劑層223開(kāi)口
224導(dǎo)體層具體實(shí)施方式
圖1A為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法的步驟流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先，在步驟100中，提供一基底，此基底具有正面與背面，其中基底正面包括基底的上表面與側(cè)邊上半部，而基底背面包括基底的下表面與側(cè)邊下半部。此外，基底的上表面具有一晶邊區(qū)，此晶邊區(qū)環(huán)繞基底上表面的外緣。晶邊區(qū)的寬度例如為5mm。接著，在步驟102中，于基底的正面上形成一層介電層，并覆蓋晶邊區(qū)。介電層的材料例如為氧化硅，形成方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。然后，在步驟104中，于基底上以例如為旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成一層光致抗蝕劑層，此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。之后，在步驟106中，僅對(duì)基底的背面進(jìn)行洗邊步驟，以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層，其中洗邊步驟例如為邊緣珠滴清洗法。在此步驟中，對(duì)于基底正面的光致抗蝕劑層則不進(jìn)行洗邊步驟，其目的在于保留位于晶邊區(qū)上的光致抗蝕劑層，而在將光致抗蝕劑層圖案化時(shí)，晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層亦不去除，因此，在進(jìn)行蝕刻工藝以圖案化介電層時(shí)，位于晶邊區(qū)上的介電層便不會(huì)被移除，而不致使晶邊區(qū)的基底暴露出來(lái)，故可以防止后續(xù)工藝反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物，如有機(jī)雜質(zhì)，沉積于基底上，避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層產(chǎn)生剝離。
以下將以內(nèi)連線結(jié)構(gòu)為例，對(duì)本發(fā)明的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法作說(shuō)明。
圖1B繪示為晶片的上視圖。圖2A至圖2C為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的內(nèi)連線的制作方法的流程剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，首先，提供基底200，中心線L將基底200分為正面與背面，其中正面包括基底200的上表面202與側(cè)邊上半部204，而背面包括基底的下表面206與側(cè)邊下半部208，且上表面202具有晶邊區(qū)210與中心區(qū)212，晶邊區(qū)210環(huán)繞基底200外緣(如圖1B所示)，其寬度例如為5mm，而中心區(qū)212已形成有半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體元件例如包括柵極214、柵介電層216、間隙壁217、源極/漏極區(qū)218，當(dāng)然，半導(dǎo)體元件還可以是其它任何元件。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于基底200的正面上形成一層介電層220。介電層220的材料例如為氧化硅，形成方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法，或是介電層220也可以是復(fù)合介電層。然后，于基底200上形成一層光致抗蝕劑層222。光致抗蝕劑層222的形成方法例如是使用旋轉(zhuǎn)涂布方式，因此光致抗蝕劑層222除了覆蓋基底200的上表面202之外，還會(huì)附著于側(cè)邊上半部204與側(cè)邊下半部208，甚至附著于部分下表面206上。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，對(duì)基底200進(jìn)行洗邊步驟。與一般熟知的洗邊步驟不同，在本實(shí)施例中，僅對(duì)基底200的背面(即側(cè)邊下半部208與下表面206)以例如為邊緣珠滴清洗法進(jìn)行洗邊，以去除基底200的背面上的光致抗蝕劑層222，而不對(duì)基底200的正面進(jìn)行洗邊，以保留位于晶邊區(qū)210上的光致抗蝕劑層222。然后，將光致抗蝕劑層222圖案化。值得注意的是，在此步驟中，仍保留位于晶邊區(qū)210上的光致抗蝕劑層222。接著，進(jìn)行蝕刻工藝，以在介電層220中形成開(kāi)口223。由于在前一步驟中，并沒(méi)有對(duì)位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層222進(jìn)行洗邊，且在光致抗蝕劑層圖案化時(shí)，并不去除晶邊的光致抗蝕劑層，因此介電層220仍然覆蓋于晶邊區(qū)210上，避免基底200暴露出來(lái)。之后，于介電層220上先形成一層導(dǎo)體材料層(未繪示)，此導(dǎo)體材料層的材料例如為金屬，然后再將導(dǎo)體材料層圖案化形成導(dǎo)體層224，以作為接窗插塞與導(dǎo)線之用。
綜上所述，本發(fā)明因在對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行洗邊步驟時(shí)，僅利用邊緣珠滴清洗法對(duì)基底的背面進(jìn)行洗邊，來(lái)去除基底背面的光致抗蝕劑層，而不對(duì)基底的正面進(jìn)行洗邊，以保留位于晶邊區(qū)上的光致抗蝕劑層，并且在光致抗蝕劑層圖案化時(shí)，晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層仍表留下來(lái)，因此，在后續(xù)的工藝中介電層仍然覆蓋于晶邊區(qū)上，避免基底暴露出來(lái)，使得基底在后續(xù)的工藝中不會(huì)暴露出來(lái)，故可防止后續(xù)工藝反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物，如有機(jī)雜質(zhì)，沉積于基底上，進(jìn)而避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層產(chǎn)生剝離，以維持產(chǎn)品的成品率。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，包括提供一基底，該基底具有一正面與一背面，其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部，而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部，且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū)，該晶邊區(qū)環(huán)繞該上表面外緣；于該基底的該正面上形成一介電層；形成一光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面；以及僅對(duì)該基底的該背面進(jìn)行一洗邊步驟，以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層，保留位于該晶邊區(qū)的該光致抗蝕劑層。
2.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中該晶邊區(qū)的寬度為5mm。
3.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中該介電層的材料包括氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中該介電層的形成方法包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
5.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
6.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中形成該光致抗蝕劑層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布。
7.一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，包括提供一基底，該基底具有一正面與一背面，其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部，而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部，且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū)，該晶邊區(qū)環(huán)繞該上表面外緣；于該基底的該正面上形成一介電層；以及在圖案化該介電層時(shí)，保留位于該晶邊區(qū)的該介電層。
8.如權(quán)利要求7所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中保留位于該晶邊區(qū)的介電層的方法包括形成一光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面；僅對(duì)該基底的該背面進(jìn)行一洗邊步驟，以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層；以及圖案化位于該中心區(qū)的該介電層。
9.如權(quán)利要求8所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
10.一種內(nèi)連線的制作方法，包括提供一基底，該基底具有一正面與一背面，其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部，而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部，且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū)，該晶邊區(qū)環(huán)繞該基底外緣，而該中心區(qū)已形成有一半導(dǎo)體元件；于該基底的該正面上形成一介電層；于該基底上形成一光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面；僅對(duì)該基底的該背面進(jìn)行一洗邊步驟，以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層；將中心區(qū)的該光致抗蝕劑層圖案化，保留晶邊區(qū)的該光致抗蝕劑層；以該光致抗蝕劑層為掩模，圖案化該介電層；以及于該介電層上形成圖案化導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法，其中該晶邊區(qū)的寬度為5mm。
12.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法，其中該介電層的材料包括氧化硅。
13.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)連線的制作方法，其中該介電層的形成方法包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
14.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法，其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
15.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法，其中形成該光致抗蝕劑層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布。
全文摘要
一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法，首先，于基底的正面上形成一層介電層。然后，形成一層光致抗蝕劑層，此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面與部分背面。之后，僅對(duì)基底的背面進(jìn)行洗邊步驟，以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層，而保留位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1933103SQ20051010392
公開(kāi)日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日
發(fā)明者陳彥宏, 顏文彬, 曾素玲 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司