專利名稱：堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記與光刻工藝對準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路元件與光刻工藝，特別是涉及一種堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記與光刻工藝對準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
光刻(photolithography)，是制造半導(dǎo)體元件成敗與否的關(guān)鍵步驟，故其在半導(dǎo)體工藝中，占著舉足輕重的地位。以一般制作元件的工藝為例，通常一個產(chǎn)品依其復(fù)雜性的不同，所需要的光刻工藝約在10至18次左右。為使光掩模的圖案能正確的轉(zhuǎn)移到芯片上，在半導(dǎo)體工藝中，每一次執(zhí)行光刻工藝的光致抗蝕劑曝光步驟之前，必須先做好各層之間的對準(zhǔn)工作，以避免不當(dāng)?shù)膱D案轉(zhuǎn)移，而導(dǎo)致整個芯片報廢。
在半導(dǎo)體工藝中，芯片對準(zhǔn)的方法是在欲形成半導(dǎo)體元件的芯片上形成對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)，以在進(jìn)行對準(zhǔn)時形成入射光的散射場(scatteringsite)或繞射邊緣(diffraction edge)。然后，提供光源以照射于整個芯片時，投射在對準(zhǔn)標(biāo)記上的光所產(chǎn)生的繞射圖形可以反射至對準(zhǔn)感應(yīng)器(alignmentsensor)，或是第一階繞射干涉儀對準(zhǔn)系統(tǒng)(first order diffraction interferometeralignment system)，而達(dá)到對準(zhǔn)的目的。
但是，在半導(dǎo)體工藝中，層與層之間的對準(zhǔn)仍有一些問題存在。舉例來說，對位于基底上的一層介電層中的對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)時，因為在對準(zhǔn)標(biāo)記下方也具有介電層，所以穿過對準(zhǔn)標(biāo)記的光線有部分會繼續(xù)穿透下層的介電層，而無法將光線反射到對準(zhǔn)感應(yīng)器。如此一來，上述進(jìn)行的對準(zhǔn)操作會具有較差的對準(zhǔn)度，意即在對準(zhǔn)時容易造成較大的誤差(misalignment)，而影響層與層間迭對的精確度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，能夠增加由光產(chǎn)生的建設(shè)性干涉，提供較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，而提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種光刻工藝對準(zhǔn)方法，能夠提供較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，以提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
本發(fā)明提出一種堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其包括第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記。第一對準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第一膜層中，其是由多個第一導(dǎo)線所構(gòu)成，而第二對準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第二膜層中，且第二膜層位于第一膜層下。其中，第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，且第二對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二第一導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述，上述的第二對準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個第二導(dǎo)線所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一對準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二對準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
本發(fā)明還提出一種光刻工藝對準(zhǔn)方法，適用于一內(nèi)連線工藝中對準(zhǔn)標(biāo)記的形成。光刻工藝對準(zhǔn)方法先提供一基底，其具有一元件區(qū)以及一對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)。然后，于基底上形成第一膜層，并移除部分第一膜層，以于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的第一膜層中形成對準(zhǔn)標(biāo)記圖案。接著，于對準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入第一導(dǎo)體材料層，以形成第一對準(zhǔn)標(biāo)記。之后，于第一膜層上形成第二膜層，并移除部分第二膜層，以于元件區(qū)的第二膜層中形成多個第一開口，并且于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的第二膜層中形成多個第二開口。繼之，于第一開口與第二開口中填入第二導(dǎo)體材料層，以分別于元件區(qū)形成多個第一導(dǎo)線，以及于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)形成多個第二導(dǎo)線，以作為第二對準(zhǔn)標(biāo)記。其中，第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，且第一對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二第二導(dǎo)線間隙的區(qū)域。然后，于第二膜層上依序形成第三膜層與硬掩模層。隨后，移除部分元件區(qū)的掩模層與第三膜層，于第一導(dǎo)線上的硬掩模層與第三膜層中形成多個介層窗開口。接著，于介層窗開口中填入第三導(dǎo)體材料層。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一對準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個第三導(dǎo)線所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的硬掩模層的材料例如是一耐熱金屬氮化物。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的耐熱金屬氮化物例如是氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一對準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二對準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第一膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第二膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實施例所述，上述的第三膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記形成于二膜層的對應(yīng)的區(qū)域中，因此可有效節(jié)省芯片的使用面積。另一方面，由于堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記可避免于對準(zhǔn)時產(chǎn)生漏光的問題，且可具有較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，因此可提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。特別是，因為硬掩模層會吸收光以及阻擋光線，因此在進(jìn)行對準(zhǔn)時，硬掩模層會將對準(zhǔn)所產(chǎn)生的光信號反射掉，而影響到對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。但是，本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記有助于對準(zhǔn)時具有較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，所以能夠有效改善上述的問題。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。


圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實施例所繪示的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A至圖2E所繪示為將本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記應(yīng)用于內(nèi)連線工藝的流程剖面圖。
簡單符號說明100、110、206、210、222膜層102、112區(qū)域104、114、208、220對準(zhǔn)標(biāo)記106、116、216、218導(dǎo)線118窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)122寬度124間距200基底202元件區(qū)204對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)212、214開口224硬掩模層226介層窗開口228介層窗具體實施方式
圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實施例所繪示的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記是形成于半導(dǎo)體基底上方的二膜層中，其是分別在上下兩膜層的對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成對準(zhǔn)標(biāo)記圖案，并在對準(zhǔn)標(biāo)記圖案內(nèi)填入導(dǎo)體材料，以形成對準(zhǔn)標(biāo)記。其中，上方膜層中的對準(zhǔn)標(biāo)記是由多個導(dǎo)線所構(gòu)成，而下方膜層中的對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二個上方膜層中的導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
在圖1A至圖1C中所繪示的示意圖并未標(biāo)示出半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu)，僅繪示出二膜層中的對準(zhǔn)標(biāo)記。
請參照圖1A，堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記包括對準(zhǔn)標(biāo)記104與對準(zhǔn)標(biāo)記114。對準(zhǔn)標(biāo)記104配置于膜層100中，其中對準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個導(dǎo)線106所構(gòu)成。上述膜層100的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。對準(zhǔn)標(biāo)記104的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金，或是其它具有可反光的材料。另外，對準(zhǔn)標(biāo)記114配置于膜層110中，而膜層110位于膜層100下。上述膜層110的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。對準(zhǔn)標(biāo)記114的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金，或是其它具有可反光的材料。而且，對準(zhǔn)標(biāo)記104與對準(zhǔn)標(biāo)記114形成于相對應(yīng)的區(qū)域102、112內(nèi)。其中，對準(zhǔn)標(biāo)記114例如是由多個導(dǎo)線116所構(gòu)成，且導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的位置剛好互相交錯。
在上述實施例中，以導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸相同，且導(dǎo)線116的寬度122等于相鄰二導(dǎo)線106的間距120為例做說明，但是本發(fā)明不限于此。若導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸相同，則導(dǎo)線116的寬度122可大于相鄰二導(dǎo)線106的間距124。另外，導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸也可不同，只要膜層110中的導(dǎo)線116能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
請參照圖1B，堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記包括對準(zhǔn)標(biāo)記104與對準(zhǔn)標(biāo)記114。其中，對準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個導(dǎo)線106所構(gòu)成，而對準(zhǔn)標(biāo)記114可例如是由窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)118所構(gòu)成。在此實施例中，是以對準(zhǔn)標(biāo)記104與對準(zhǔn)標(biāo)記114的標(biāo)記圖案呈互補(bǔ)為例做說明，然本發(fā)明不限于此。只要窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)118能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
請參照圖1C，堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記包括對準(zhǔn)標(biāo)記104與對準(zhǔn)標(biāo)記114。其中，對準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個導(dǎo)線106所構(gòu)成，而對準(zhǔn)標(biāo)記114可例如是由矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120所構(gòu)成。在此實施例中，是以矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120的尺寸等于左右兩側(cè)的導(dǎo)線106之間的區(qū)域為例做說明，然本發(fā)明不限于此。只要矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
由于，堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)可使光照射到對準(zhǔn)標(biāo)記時，不會有漏光的問題。因此，于進(jìn)行對準(zhǔn)時，可得到較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，以提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。亦即是，當(dāng)進(jìn)行對準(zhǔn)操作時，若光穿過對準(zhǔn)標(biāo)記104繼續(xù)往下層前進(jìn)，則會碰到底下的對準(zhǔn)標(biāo)記114，而可將光反射。如此一來，可增加由光產(chǎn)生的建設(shè)性干涉，提供較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，所以可使對準(zhǔn)操作具有較高的準(zhǔn)確性。
另一方面，由于膜層100、110中的對準(zhǔn)標(biāo)記104、114形成于對應(yīng)的區(qū)域102、112中，因此對整個工藝而言，本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記可有效節(jié)省芯片的使用面積。
圖2A至圖2E所繪示為將本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記應(yīng)用于內(nèi)連線工藝的流程剖面圖。
首先，請參照圖2A，提供一基底200，基底200具有元件區(qū)202以及對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204。之后，于基底200上形成一層膜層206，膜層206的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
接著，請參照圖2B，移除部分膜層206，以于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204的膜層206中形成對準(zhǔn)標(biāo)記圖案。然后，于對準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入導(dǎo)體材料層，以形成對準(zhǔn)標(biāo)記208。其中，移除部分膜層206的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。對準(zhǔn)標(biāo)記208的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金，或是其它具有可反光的材料。
上述的對準(zhǔn)標(biāo)記208可例如是多個導(dǎo)線(如圖1A所示)、窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(如圖1B所示)，或矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(如圖1C所示)。于此實施例中以如圖1B所示的窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)做說明。
隨后，請參照圖2C，于膜層206上形成膜層210，其中膜層210的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。接著，移除部分膜層210，以于元件區(qū)202的膜層210中形成多個開口212，并且于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204的膜層210中形成多個開口214。其中，移除部分膜層210的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。繼之，于開口212與開口214中填入導(dǎo)體材料層，以分別于元件區(qū)202形成多個導(dǎo)線216，以及于對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204形成多個導(dǎo)線218，而導(dǎo)線218做為膜層210中的對準(zhǔn)標(biāo)記220。
特別是，膜層206、210中的對準(zhǔn)標(biāo)記208、220形成于對應(yīng)的區(qū)域中，以形成一堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，因此可節(jié)省芯片的使用面積。而且，由于堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)，可以避免漏光的問題，因此有助于在進(jìn)行對準(zhǔn)時，可有較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，以提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
繼之，請參照圖2D，于膜層210上依序形成膜層222與硬掩模層224。其中，膜層222的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。硬掩模層224的材料例如是耐熱金屬氮化物，而耐熱金屬氮化物例如是氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)，而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
之后，請參照圖2E，移除部分元件區(qū)202的硬掩模層224與膜層222，于導(dǎo)線216上的元件區(qū)202的掩模層224與膜層222中形成多個介層窗開口226。其中，移除部分元件區(qū)202的硬掩模層224與膜層222的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。然后，于介層窗開口226中填入導(dǎo)體材料層，以形成多個介層窗228。
值得特別注意的是，由于硬掩模層224會吸收光以及阻擋光線，因此在介層窗開口226形成前進(jìn)行對準(zhǔn)時，硬掩模層224會把對準(zhǔn)所產(chǎn)生的光信號反射掉，而影響到對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。但是，因為下方膜層中的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)(對準(zhǔn)標(biāo)記208、220)，可避免產(chǎn)生漏光的問題，而可具有較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，所以能夠有效改善上述的問題，以提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列幾項優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記可有效節(jié)省芯片上的使用面積。
2.本發(fā)明的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記有助于進(jìn)行對準(zhǔn)時，不會有漏光的問題產(chǎn)生，而可得到較強(qiáng)的光信號強(qiáng)度，以提高對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
3.本發(fā)明可以有效改善因硬掩模層會吸收光以及阻擋光線，而影響到對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度的問題。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，包括一第一對準(zhǔn)標(biāo)記，配置于一第一膜層中，該第一對準(zhǔn)標(biāo)記是由多個第一導(dǎo)線所構(gòu)成；以及一第二對準(zhǔn)標(biāo)記，配置于該第一膜層下方的一第二膜層中，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，且該第二對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二第一導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第二對準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個第二導(dǎo)線所構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第二對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第二對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
6.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第二對準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
7.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第一膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
8.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第二膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
9.一種光刻工藝對準(zhǔn)方法，適用于一內(nèi)連線工藝中對準(zhǔn)標(biāo)記的形成，該光刻工藝對準(zhǔn)方法包括提供一基底，該基底具有一元件區(qū)以及一對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)；于該基底上形成一第一膜層；移除部分該第一膜層，以于該對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的該第一膜層中形成一對準(zhǔn)標(biāo)記圖案；于該對準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入一第一導(dǎo)體材料層，以形成一第一對準(zhǔn)標(biāo)記；于該第一膜層上形成一第二膜層；移除部分該第二膜層，以于該元件區(qū)的該第二膜層中形成多個第一開口，并且于該對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的該第二膜層中形成多個第二開口；于該些第一開口與該些第二開口中填入一第二導(dǎo)體材料層，以分別于該元件區(qū)形成多個第一導(dǎo)線，以及于該對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)形成多個第二導(dǎo)線，當(dāng)做為一第二對準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，且該第一對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二第二導(dǎo)線間隙的區(qū)域；于該第二膜層上依序形成一第三膜層與一硬掩模層；移除部分該元件區(qū)的該掩模層與該第三膜層，于該些第一導(dǎo)線上的該硬掩模層與該第三膜層中形成多個介層窗開口；以及于該些介層窗開口中填入一第三導(dǎo)體材料層。
10.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個第三導(dǎo)線所構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該硬掩模層的材料包括一耐熱金屬氮化物。
14.如權(quán)利要求13所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該耐熱金屬氮化物包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鎢。
15.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第一對準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
16.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第二對準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
17.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第一膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
18.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第二膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
19.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對準(zhǔn)方法，其中該第三膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
全文摘要
一種堆棧式對準(zhǔn)標(biāo)記，其包括第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記。第一對準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第一膜層中，其是由多個導(dǎo)線所構(gòu)成，而第二對準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第二膜層中，且第二膜層位于第一膜層下。其中，第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，且第二對準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對應(yīng)于相鄰二導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
文檔編號H01L21/02GK1932653SQ200510103920
公開日2007年3月21日 申請日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日
發(fā)明者賈偉圣, 陳志榮, 陳重安, 黃志忠 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司