專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種陣列基板及其修補(bǔ)方法，且特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
為了配合現(xiàn)代生活模式，視頻或圖像裝置的體積日漸趨于薄輕。傳統(tǒng)的陰極射線顯示器，雖然仍有其優(yōu)點，但是其需占用大體積且十分耗電，因此，具有高畫面質(zhì)量、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。
薄膜晶體管陣列基板通常是于玻璃基板上形成第一金屬層(柵極層)、第一介電層(柵極絕緣層)、半導(dǎo)體層、第二金屬層(源極/漏極層)及第二介電層(保護(hù)層)，并于基板上形成多條數(shù)據(jù)配線(data line)、多條掃描配線(scan line)、多條共用配線(common line)、多個薄膜晶體管(包括柵極、半導(dǎo)體島狀結(jié)構(gòu)以及源極/漏極)與多個像素電極(pixel electrode)，其中柵極與掃描配線電連接，源極/漏極與數(shù)據(jù)配線、像素電極電連接。掃描配線與共用配線例如屬于第一金屬層的一部分，半導(dǎo)體島狀結(jié)構(gòu)屬于半導(dǎo)體層的一部分，而數(shù)據(jù)配線屬于第二金屬層的一部分，此外，掃描配線與數(shù)據(jù)配線之間會以第一介電層彼此電性隔絕，而在數(shù)據(jù)配線上方亦會覆蓋第二介電層。
在薄膜晶體管陣列基板的制造過程中，可能會產(chǎn)生點瑕疵(dot defect)或是線瑕疵(line defect)等問題。一般線瑕疵可能發(fā)生的情況例如有共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路、掃描配線斷線以及數(shù)據(jù)配線斷線等，當(dāng)薄膜晶體管陣列基板發(fā)生上述線瑕疵時，若不針對異常的部分進(jìn)行修補(bǔ)，將使得薄膜晶體管陣列基板的制造合格率大幅下降，而如何對于這些線瑕疵進(jìn)行修補(bǔ)，已成為目前液晶顯示器制造的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板，此薄膜晶體管陣列基板可對于共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路、掃描配線斷線以及數(shù)據(jù)配線斷線等線缺陷進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而提高此薄膜晶體管陣列基板的制造合格率。
本發(fā)明的另一目的就是提供一種適用于上述薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，此修補(bǔ)方法用以對具有共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路、掃描配線斷線以及數(shù)據(jù)配線斷線等線缺陷的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而提高此薄膜晶體管陣列基板的制造合格率。
基于上述目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，主要由基板、多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多條共用配線、多個薄膜晶體管、多個像素電極以及多條修補(bǔ)線段所構(gòu)成。這些掃描配線與這些數(shù)據(jù)配線設(shè)置于基板上，且這些掃描配線與這些數(shù)據(jù)配線劃分出多個呈陣列排列的像素區(qū)域，此共用配線與此掃描配線平行而交替設(shè)置于基板上，每一個薄膜晶體管位于對應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，且薄膜晶體管通過掃描配線以及數(shù)據(jù)配線驅(qū)動，每一個像素電極位于對應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以與對應(yīng)的薄膜晶體管電連接，各修補(bǔ)線段位于至少一條掃描配線上方，并與數(shù)據(jù)配線交替設(shè)置，且各修補(bǔ)線段兩端分別與掃描配線兩側(cè)的相鄰兩共用配線有部分重疊。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中各共用配線的兩側(cè)分別具有向外延伸的多個分支，且各分支緊鄰于其所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中各修補(bǔ)線段兩端分別與其所對應(yīng)的共用配線的分支部分重疊。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中修補(bǔ)線段與數(shù)據(jù)配線例如是利用同一工藝制造。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其適于對上述本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中薄膜晶體管陣列基板具有瑕疵，此瑕疵使共用配線產(chǎn)生斷路，此修補(bǔ)方法是分別電連接此瑕疵兩端的共用配線于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段，并分別電連接此第一修補(bǔ)線段與此第二修補(bǔ)線段于另一共用配線。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其適于對上述本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中薄膜晶體管陣列基板具有瑕疵，此瑕疵使數(shù)據(jù)配線與共用配線產(chǎn)生短路，此修補(bǔ)方法是電性隔絕此瑕疵兩端的共用配線，分別電連接此瑕疵兩端的共用配線于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段，并分別電連接此第一修補(bǔ)線段與此第二修補(bǔ)線段于另一共用配線。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其適于對上述本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中薄膜晶體管陣列基板具有瑕疵，此瑕疵使掃描配線產(chǎn)生斷路，此修補(bǔ)方法是分別電連接此瑕疵兩端的掃描配線于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段，分別電連接此第一修補(bǔ)線段與此第二修補(bǔ)線段于共用配線，并電性隔絕此共用配線的一部分，形成替代線段，其中此替代線段電連接此第一修補(bǔ)線段與此第二修補(bǔ)線段。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板，其中共用配線各分支分別具有凸出部，且凸出部延伸至其所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線的上方，而與此數(shù)據(jù)配線有部分重疊。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其適于對上述本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中薄膜晶體管陣列基板具有瑕疵，此瑕疵使數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生斷路，此修補(bǔ)方法是分別電連接此瑕疵兩端的數(shù)據(jù)配線于第一共用配線的第一分支以及第二共用配線的第二分支，并利用修補(bǔ)線段電連接此第一分支與此第二分支，且電性隔絕此第一共用配線與此第一分支以及電性隔絕此第二共用配線與此第二分支。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中電性隔絕的方法包括激光移除。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中電連接的方法包括激光熔接。
本發(fā)明由于在形成數(shù)據(jù)配線時，同時形成作為修補(bǔ)用的多條修補(bǔ)線段，各修補(bǔ)線段位于至少一條掃描配線上方，并與數(shù)據(jù)配線交替設(shè)置，且各修補(bǔ)線段兩端分別與掃描配線兩側(cè)的相鄰兩共用配線有部分重疊，于修補(bǔ)時，通過激光熔接的方式使修補(bǔ)線段與共用配線電連接，輔以激光移除的修補(bǔ)步驟，因此可對于共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路以及掃描配線斷線等線瑕疵進(jìn)行修補(bǔ)。
此外，本發(fā)明共用配線的各分支分別具有凸出部，且此凸出部延伸至其所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線的上方，而與此數(shù)據(jù)配線有部分重疊。在修補(bǔ)時，通過激光熔接的方式使此數(shù)據(jù)配線與此共用配線電連接，輔以激光移除的修補(bǔ)步驟，因此可對于數(shù)據(jù)配線斷線的線瑕疵進(jìn)行修補(bǔ)。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為本發(fā)明第一實施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為以本發(fā)明修補(bǔ)共用配線斷線的示意圖。
圖4為以本發(fā)明修補(bǔ)共用配線與數(shù)據(jù)配線短路的示意圖。
圖5為以本發(fā)明修補(bǔ)掃描配線斷線的示意圖。
圖6為本發(fā)明第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為以本發(fā)明修補(bǔ)數(shù)據(jù)配線斷線的示意圖。
主要元件標(biāo)記說明10薄膜晶體管陣列基板11玻璃基板12第一共用配線
14掃描配線13，15，17，19部分重疊16第二共用配線18第一修補(bǔ)線段20數(shù)據(jù)配線22第二修補(bǔ)線段24半導(dǎo)體島狀結(jié)構(gòu)26源極28漏極32第一分支33分支34第二分支36第三分支38第四分支42第一重疊部44第二重疊部46第三重疊部48第四重疊部50斷路點52第一部分54第二部分56短路點58，60切斷點62斷路點
64第三部分66第四部分68第五重疊部70第六重疊部72，74切斷點76替代線段78第一凸出部80第二凸出部82第七重疊部84第八重疊部86斷路點88第七部分90第八部分具體實施方式
薄膜晶體管陣列基板通常包含基板、多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多條共用配線、多個薄膜晶體管、多個像素電極所構(gòu)成。多條掃描配線與多條數(shù)據(jù)配線設(shè)置于基板上，且這些掃描配線與這些數(shù)據(jù)配線劃分出多個呈陣列排列的像素區(qū)域，每一個薄膜晶體管位于對應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，且各薄膜晶體管通過掃描配線以及數(shù)據(jù)配線驅(qū)動。每一個像素電極位于對應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以與對應(yīng)的薄膜晶體管電連接。
圖1為本發(fā)明第一實施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖1，薄膜晶體管陣列基板10的第一共用配線12、掃描配線14與相鄰的第二共用配線16平行而交替設(shè)置于例如玻璃基板11上，第一修補(bǔ)線段18、數(shù)據(jù)配線20與第二修補(bǔ)線段22交替設(shè)置于例如玻璃基板11上，第一修補(bǔ)線段18及第二修補(bǔ)線段22位于掃描配線14上方，并且第一修補(bǔ)線段18兩端分別與掃描配線14兩側(cè)的相鄰共用配線12、16有部分重疊13、15，并且第二修補(bǔ)線段22兩端分別與掃描配線14兩側(cè)的相鄰共用配線12、16有部分重疊17、19，薄膜晶體管的半導(dǎo)體島狀結(jié)構(gòu)24位于掃描配線14上方，薄膜晶體管的源極26與漏極28位于半導(dǎo)體島狀結(jié)構(gòu)24上方，其中漏極28與數(shù)據(jù)配線20電連接。
第一共用配線12、掃描配線14與第二共用配線16屬于第一金屬層的一部分，而數(shù)據(jù)配線20、第一修補(bǔ)線段18及第二修補(bǔ)線段22屬于第二金屬層的一部分，即第一共用配線12、掃描配線14與第二共用配線16可利用同一工藝制造，數(shù)據(jù)配線20、第一修補(bǔ)線段18及第二修補(bǔ)線段22可利用同一工藝制造。此外，第一金屬層與第二金屬層之間例如以介電層彼此電性隔絕。因此，于正常狀況，掃描配線14與數(shù)據(jù)配線20間相互電性隔絕，而修補(bǔ)線段18、22與共用配線12、16亦相互電性隔絕。
圖2為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖2，本實施例的結(jié)構(gòu)與第一實施例大致相同，不同的是共用配線的結(jié)構(gòu)。例如，第一共用配線12的一側(cè)具有向外延伸的第一分支32，另一側(cè)具有分支33，這些分支緊鄰于其所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線20，并且第二共用配線16的一側(cè)具有向外延伸的第二分支34。第一修補(bǔ)線段18的兩端分別與第一分支32及第二分支34部分重疊形成第一重疊部42與第二重疊部44，第二修補(bǔ)線段22的兩端與第三分支36及第四分支38分別部分重疊形成第三重疊部46與第四重疊部48。
薄膜晶體管陣列基板因工藝的瑕疵或其它因素，可能發(fā)生共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路以及掃描配線斷線等線瑕疵。本發(fā)明于下文中將針對上述線瑕疵，提出以第二實施例所披露的修補(bǔ)結(jié)構(gòu)進(jìn)行修補(bǔ)的方法，但并非用以限定本發(fā)明，相同的方法亦同樣適用于第一實施例所披露的結(jié)構(gòu)。
首先，是修復(fù)共用配線發(fā)生斷線的情況，圖3為以本發(fā)明修補(bǔ)共用配線斷線的示意圖。請參照圖3，共用配線因斷路點50電性隔離為第一部分52與第二部分54，其中第一部分52與第一分支32電連接，第二部分54與第四分支38電連接。其修補(bǔ)方法例如是從薄膜晶體管陣列基板10的背面，利用激光熔接的方式于第一重疊部42熔接第一分支32與第一修補(bǔ)線段18，進(jìn)而使第一部分52與第一修補(bǔ)線段18于第一重疊部42電連接。同樣地，可以利用第二重疊部44，以激光熔接的方法，電連接第一修補(bǔ)線段18與第二共用配線16，利用第三重疊部46，電連接第二共用配線16與第二修補(bǔ)線段22，以及利用第四重疊部48，電連接第二修補(bǔ)線段22與第二部分54。如此，共用配線的第一部分52與第二部分54可以通過第一分支32、第一修補(bǔ)線段18、相鄰的第二共用配線16、第二修補(bǔ)線段22以及第四分支38相互電連接，達(dá)到修復(fù)的目的。
接著，是修復(fù)共用配線與數(shù)據(jù)配線發(fā)生短路的情況，圖4為以本發(fā)明修補(bǔ)共用配線與數(shù)據(jù)配線短路的示意圖。請參照圖4，薄膜晶體管陣列基板10的數(shù)據(jù)配線20與共用配線12電連接于短路點56，其修補(bǔ)方法是以激光移除的方法先形成兩切斷點58、60于短路點56兩端，通過切斷點58、60電性隔絕共用配線12與數(shù)據(jù)配線20。切斷點58、60同時將共用配線12電性隔絕為第一部分52與第二部分54，其中第一部分52與第一分支32電連接，第二部分54與第四分支38電連接，與上述修補(bǔ)共用配線斷線的方法相同，可利用激光熔接的方式于第一重疊部42熔接第一分支32與第一修補(bǔ)線段18，進(jìn)而使第一部分52與第一修補(bǔ)線段18于第一重疊部42電連接。同樣地，可以利用第二重疊部44，以激光熔接的方法，電連接第一修補(bǔ)線段18與第二共用配線16，利用第三重疊部46，電連接第二共用配線16與第二修補(bǔ)線段22，以及利用第四重疊部48，電連接第二修補(bǔ)線段22與第二部分54。如此共用配線的第一部分52與第二部分54可以通過第一分支32、第一修補(bǔ)線段18、相鄰的第二共用配線16、第二修補(bǔ)線段22以及第四分支38相互電連接，達(dá)到修復(fù)的目的。
接著，是修復(fù)掃描配線發(fā)生斷線的情況，圖5為以本發(fā)明修補(bǔ)掃描配線斷線的示意圖。請參照圖5，薄膜晶體管陣列基板10的掃描配線14因斷路點62電性隔離為第三部分64與第四部分66。其修補(bǔ)方法例如是從薄膜晶體管陣列基板10的背面，利用激光熔接的方式于第一重疊部42熔接第一分支32與第一修補(bǔ)線段18，并激光熔接第三部分64與第一修補(bǔ)線段18于第五重疊部68，使第一分支32與第三部分64電連接。同樣地，可以利用激光熔接的方式于第四重疊部48熔接第四分支38與第二修補(bǔ)線段22，并激光熔接第四部分66與第二修補(bǔ)線段22于第六重疊部70，使第四分支38與第四部分66電連接。接著，以激光移除的方法形成二個切斷點72、74于第一共用配線12，電性隔絕第一共用配線12的一部分，形成替代線段76，其中替代線段76電連接第一分支32及第四分支38。如此，掃描配線14的第三部分64與第四部分66可以通過第一修補(bǔ)線段18、第一分支32、替代線段76、第四分支38以及第二修補(bǔ)線段22相互電連接，達(dá)到修復(fù)的目的。
圖6為本發(fā)明第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖6，本實施例的結(jié)構(gòu)與第二實施例大致相同，不同的是共用配線的結(jié)構(gòu)，例如，第一分支32與第二分支34分別具有第一凸出部78與第二凸出部80，且凸出部78、80延伸至其所對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線20的上方，而與數(shù)據(jù)配線20分別部分重疊形成第七重疊部82與第八重疊部84。
下文中將針對數(shù)據(jù)配線發(fā)生斷線的情形，提出以第三實施例所披露的修補(bǔ)結(jié)構(gòu)進(jìn)行修補(bǔ)的方法，但并非用以限定本發(fā)明。
圖7為以本發(fā)明修補(bǔ)數(shù)據(jù)配線斷線的示意圖。請參照圖7，薄膜晶體管陣列基板10的數(shù)據(jù)配線20因斷路點86電性隔離為第七部分88與第八部分90。其修補(bǔ)方法例如是從薄膜晶體管陣列基板10的背面，利用激光熔接的方式于第七重疊部82熔接第七部分88與第一凸出部78，進(jìn)而使第七部分88與第一分支32于第七重疊部82電連接。同樣地，可以利用第一重疊部42，以激光熔接的方法，電連接第一分支32與第一修補(bǔ)線段18，利用第二重疊部44，電連接第一修補(bǔ)線段18與第二分支34，以及利用第八重疊部84，電連接第二分支34與第八部分90。如此，數(shù)據(jù)配線20的第七部分88與第八部分90可以通過第一分支32，第一修補(bǔ)線段18、第二分支34電連接，達(dá)到修復(fù)的目的。
值得一提的是，由于本發(fā)明的修補(bǔ)線段屬于第二金屬層的一部分，通常具有不透光的特性，并且設(shè)置于各像素區(qū)域之間，因此可以發(fā)揮如黑色矩陣(Black Matrix)的功能，遮蔽相鄰顯示像素間的漏光，提高液晶顯示器顏色的對比。
綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法至少具有下列特征與優(yōu)點(一)當(dāng)薄膜晶體管陣列基板發(fā)生共用配線斷線、共用配線與數(shù)據(jù)配線短路、掃描配線斷線以及數(shù)據(jù)配線斷線等線缺陷時，僅需以激光熔接特定的重疊部分，并輔以激光移除的修補(bǔ)步驟，即可對上述線瑕疵進(jìn)行修補(bǔ)，因而有助于提高整體的制造合格率。
(二)本發(fā)明的修補(bǔ)線段與數(shù)據(jù)配線屬于第二金屬層，因此修補(bǔ)線段與數(shù)據(jù)配線可利用同一工藝制造，可用以修復(fù)薄膜晶體管陣列基板，但不會增加工藝的數(shù)目，并且修補(bǔ)線段可以發(fā)揮如黑色矩陣的功能，提高液晶顯示器顏色的對比。
(三)本發(fā)明的共用配線分支及其凸出部，其制造僅需改變共用配線的形狀，可用以修復(fù)薄膜晶體管陣列基板，但不會增加工藝的數(shù)目。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征是包括基板；多條掃描配線，設(shè)置于該基板上；多條數(shù)據(jù)配線，設(shè)置于該基板上，且上述這些數(shù)據(jù)配線與上述這些掃描配線于該基板上劃分出多個呈陣列排列的像素區(qū)域；多條共用配線，與上述這些掃描配線平行而交替設(shè)置于該基板上；多個薄膜晶體管，分別設(shè)置于上述這些像素區(qū)域內(nèi)，并電連接至其所對應(yīng)的該掃描配線與該數(shù)據(jù)配線；多個像素電極，分別設(shè)置于上述這些像素區(qū)域內(nèi)，并電連接至其所對應(yīng)的該薄膜晶體管；以及多個修補(bǔ)線段，位于至少一條掃描配線上方，并與上述這些數(shù)據(jù)配線交替設(shè)置，且各該修補(bǔ)線段兩端分別與該掃描配線兩側(cè)的相鄰兩共用配線有部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征是各該共用配線的兩側(cè)分別具有向外延伸的多個分支，且各該分支緊鄰于其所對應(yīng)的該數(shù)據(jù)配線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征是各該修補(bǔ)線段兩端分別與其所對應(yīng)的上述這些共用配線的上述這些分支部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征是各該分支分別具有凸出部，且該凸出部延伸至其所對應(yīng)的該數(shù)據(jù)配線的上方，而與該數(shù)據(jù)配線有部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征是上述這些修補(bǔ)線段與上述這些數(shù)據(jù)配線是位于同一膜層。
6.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中該薄膜晶體管陣列基板的共用配線具有瑕疵，該瑕疵使該共用配線產(chǎn)生斷路，其特征是該修補(bǔ)方法包括分別電連接該瑕疵兩端的該共用配線于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段；及分別電連接該第一修補(bǔ)線段與該第二修補(bǔ)線段于另一共用配線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是該電連接的方法包括激光熔接。
8.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中該薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)配線與共用配線間具有瑕疵，該瑕疵使該數(shù)據(jù)配線與該共用配線產(chǎn)生短路，其特征是該修補(bǔ)方法包括于該瑕疵，電性隔絕該共用配線為兩部分；分別電連接該共用配線的兩部分于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段；及分別電連接該第一修補(bǔ)線段與該第二修補(bǔ)線段于另一共用配線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是該電性隔絕的方法包括激光移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是該電連接的方法包括激光熔接。
11.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中該薄膜晶體管陣列基板的掃描配線具有瑕疵，該瑕疵使該掃描配線產(chǎn)生斷路，其特征是該修補(bǔ)方法包括分別電連接該瑕疵兩端的該掃描配線于第一修補(bǔ)線段與第二修補(bǔ)線段；分別電連接該第一修補(bǔ)線段與該第二修補(bǔ)線段于共用配線；及電性隔絕該共用配線的一部分，形成替代線段，其中該替代線段電連接該第一修補(bǔ)線段與該第二修補(bǔ)線段。
12.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其中該薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)配線具有瑕疵，該瑕疵使該數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生斷路，其特征是該修補(bǔ)方法包括分別電連接該瑕疵兩端的該數(shù)據(jù)配線于第一共用配線的第一分支與第二共用配線的第二分支；利用修補(bǔ)線段電連接該第一分支與該第二分支；以及電性隔絕該第一共用配線與該第一分支，且電性隔絕該第二共用配線與該第二分支。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是該分別電連接該瑕疵兩端的該數(shù)據(jù)配線于該第一分支與該第二分支的步驟是分別電連接該瑕疵兩端的該數(shù)據(jù)配線于該第一分支的第一凸出部與該第二分支的第二凸出部。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，薄膜晶體管陣列基板在形成數(shù)據(jù)配線時，同時形成作為修補(bǔ)用的修補(bǔ)線段，另外，共用配線的凸出部與分支分別與數(shù)據(jù)配線及修補(bǔ)線段部分重疊。而其修補(bǔ)方法是通過激光熔接共用配線與數(shù)據(jù)配線、修補(bǔ)線段或掃描配線，并輔以激光移除的修補(bǔ)步驟。通過本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法可對具有線瑕疵的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而提高薄膜晶體管陣列基板的制造合格率。
文檔編號H01L21/70GK1916745SQ20051009074
公開日2007年2月21日 申請日期2005年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月15日
發(fā)明者陳晉升, 劉志鴻, 洪建興, 黃坤源 申請人:中華映管股份有限公司