專利名稱：使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與一種微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro-electro-mechanical，MEMS)，且特別是涉及一種使用絕緣層上硅(silicon-on-insulator，SOI)技術(shù)來制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法。
背景技術(shù)：
絕緣層上硅(silicon-on-insulator，SOI)是一種廣為人知的垂直元件絕緣型式。SOI的技術(shù)是形成于一埋藏在硅中的絕緣層(如二氧化硅)之上，與位于硅表面上的元件電性絕緣。雖然SOI的技術(shù)開發(fā)出已有一段時(shí)間，但由于其制程相當(dāng)復(fù)雜且成本高，因此仍未被廣泛使用。于深次微米的CMOS應(yīng)用中，SOI具有相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn)，包括徹底解決閂鎖(latchup)問題、可降低電場(chǎng)來減少熱載子，以及可降低寄生電容的產(chǎn)生。一SOI的制程包括于一氧化層(或其他絕緣材料)上形成一單晶硅，然而因?yàn)榇私殡姴牧系慕Y(jié)晶特性與純硅差異相當(dāng)大，造成此步驟相當(dāng)難完成。假若此SOI制程未被正確控制，不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)會(huì)在硅中形成結(jié)晶缺陷，此缺陷會(huì)影響元件特性。利用埋置氧進(jìn)行隔離(Separation by IMplanted OXygen，SIMOX)為一種被廣泛使用的SOI技術(shù)。于SIMOX制程中，一定義良好的水平氧化層被埋藏于硅晶圓中，此硅界由于硅晶圓中埋藏一高濃度的氧原子來加以完成，傳統(tǒng)上是使用一高能量的埋置器(如200V的氧埋置器)來加以完成。于此埋置步驟后，會(huì)執(zhí)行一高溫的熱退火(如1300℃)，讓埋于硅中的氧氣與硅反應(yīng)，于薄硅表面下形成一連續(xù)的二氧化硅層。此埋藏氧化層(buried oxide，BOX)的厚度一般約為50nm至500nm，且可作為一優(yōu)良的元件絕緣層。此埋藏氧化層的制程過程中，亦會(huì)讓硅層的結(jié)晶品質(zhì)保持于氧化層之上。也有一些可使用低能量和低劑量來進(jìn)行氧植入的SIMOX技術(shù)正在發(fā)展，這些技術(shù)可讓埋藏層具有增進(jìn)的介電特性。
2003年9月11日公開的美國專利申請(qǐng)案號(hào)2003/0169962(Rajan，etal.)，亦揭露一種鏡像式(Mirror)的SOI晶圓，此SOI晶圓包括一硅基板(一般為單晶硅基板)，一藉由氧化法或化學(xué)氣相沉積法形成于此基板上的埋藏二氧化硅或氧化硅層，以及一形成于氧化層上的薄P型的多晶硅層。一光學(xué)保護(hù)氧化層形成于此硅基板的背面。此硅基板是作為一犧牲層，可藉由蝕刻移除。
2002年5月30日公開的美國專利申請(qǐng)案號(hào)2002/0064337(Behin，etal.)，揭露一種鏡像式(Mirror)的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)。此裝置包括一基座和一連接此基座的折板，例如，可藉由一或多個(gè)固定器來使得此折板可從基座的平面上從第一角度的定位點(diǎn)移動(dòng)至第二角度的定位點(diǎn)。此折板包括一光偏斜元件，因此此裝置可作為一微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)切換器。此折板和基座是由一初始材料的部分所形成，藉以避免因?yàn)橛诤笾瞥讨幸驗(yàn)閮苫宓馁N合而發(fā)生對(duì)準(zhǔn)問題。此初始材料可由一具有一元件層的SOI基板所形成，而基座是由一絕緣層和基板層所形成。此初始材料具有一如洞穴的開口，此洞穴具有直立且垂直于基座平面的側(cè)邊。折板，固定器和側(cè)邊放置的方位，當(dāng)折板于第二角度的位置時(shí)可讓折板的底部接觸其中一個(gè)側(cè)邊，藉以使折板具有一實(shí)質(zhì)平行于側(cè)邊的方位。
圖1A至圖1D為一使用一SOI基板制作一MEMS元件的方法。如圖1A所示，此制程所使用的SOI基板具有一第一硅部分12和一第二硅部分14。一絕緣層16，例如為二氧化硅層，將第一硅部分12和第二硅部分14隔離。此第一硅部分12包括一底面18，而第二硅部分14包括一頂面20。如圖1B所示，復(fù)數(shù)個(gè)洞穴22形成于第二硅部分14的頂面20上，此可藉由標(biāo)準(zhǔn)的微影制程方法來加以形成。如圖1C所示，此SOI基板10被翻轉(zhuǎn)并與一集成電路基板24進(jìn)行貼合，使得洞穴22面對(duì)集成電路基板24的頂表面，并使得第二硅部分14的頂面20和集成電路基板24的頂表面接合。如圖1D所示，接著第一硅部分12被薄化，并完全移除留下二氧化硅絕緣層16。如此的制程可用來形成一微鏡顯示半導(dǎo)體元件，其中洞穴22可作為偏斜微鏡時(shí)的空間。
由此可見，上述現(xiàn)有的制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法在制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般制造方法又沒有適切的制造方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的方法，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法存在的缺陷，而提供一種新的使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其不會(huì)因后制程兩基板的貼合而發(fā)生對(duì)準(zhǔn)問題，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，該制程至少包括以下步驟提供一具有一第一面和一第二面的一第一基板，且一絕緣層形成于該第一基板的該第二面上；粘附一支架于該絕緣層上；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板的該第一面上；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該第二基板至少包括一集成電路。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其中粘接該第一基板與該第二基板的步驟至少包含使用一超音波接合法。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其中所述的第一基板至少包含復(fù)數(shù)個(gè)微鏡，以及至少一扭轉(zhuǎn)絞鏈連接其中一該些微鏡藉以提供樞軸移動(dòng)，且使得其中一該些微鏡的一部分可傾斜進(jìn)入形成于該第一基板其中一該些洞穴中。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其更包含于粘接該第一基板與該第二基板的步驟后，移除該支架。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其更包含于該第一基板上，藉由選擇性蝕刻位于其中一該些洞穴上的部分該第一基板來形成一微鏡以及一連接此微鏡的一扭轉(zhuǎn)絞鏈，藉此形成一空間來使得該微鏡與具有該扭轉(zhuǎn)絞鏈的剩余該第一基板分離。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其更包含于形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板前薄化該第一基板。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其中形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板的步驟更包含沉積以及圖案化一光阻層于該第一基板的一第三面上，藉由薄化該第一基板使得該圖案化光阻層具有復(fù)數(shù)個(gè)開口形成于其中，該些開口會(huì)暴露出該第一基板的部分該第三面，以及透過形成于該光阻層上的該些開口來蝕刻該第一基板，藉以形成該些洞穴。
前述的制造半導(dǎo)體元件的制程，其中粘附該支架于該絕緣層上更包含形成一粘附層于該第一基板的該第二面上，以及放置該支架于該粘附層上，且其中該支架至少包含一具有硅的晶圓，且于粘接該第一基板與該第二基板的步驟后，蝕刻移除該支架與該粘附層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，該制程至少包括以下步驟提供一至少具有一底面和一頂面的一第一基板，且一絕緣層形成于該第一基板的該頂面上；粘附一支架于該絕緣層上；薄化該第一基板藉以形成薄化后的一第三面；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板上；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該些個(gè)洞穴是接近于該第二基板。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，該制程至少包括以下步驟提供一至少具有一底面和一頂面的一第一基板，該第一基板至少包括一硅基板；形成一絕緣層于該第一基板的該頂面上，其中該絕緣層至少包含一二氧化硅層；形成一粘附層于該絕緣層上，以及放置一支架晶圓于該粘附層上，同時(shí)固化該粘附層；薄化該第一基板藉以形成薄化后的一第三面；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板上，同時(shí)留下該第一基板的部分該第三面；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該第二基板至少包括一半導(dǎo)體晶圓具有復(fù)數(shù)個(gè)集成電路形成于其中，且該第二基板具有至少一電極置于該第一基板的一洞穴之下。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明不會(huì)因后制程兩基板的貼合而發(fā)生對(duì)準(zhǔn)問題，且可以提供用以制造一數(shù)位微鏡元件。
綜上所述，本發(fā)明特殊的使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)的方法，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類制造方法中未見有類似的設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在制造方法上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的制造微電子機(jī)械系統(tǒng)的方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1A所示為傳統(tǒng)制程所使用的SOI基板，其上具有由一絕緣層進(jìn)行隔離的第一硅部分和第二硅部分。
圖1B所示為于圖1A的第二硅部分上形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴。
圖1C所示為將此SOI基板與一集成電路基板進(jìn)行貼合，使得洞穴面對(duì)集成電路基板。
圖1D所示為將圖1C所示的第一硅部分進(jìn)行薄化。
圖2A是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是提供一元件包括一絕緣層形成于其上的基板。
圖2B是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是將一支架粘附于圖2A所示元件的絕緣層上。
圖2C是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是將此第一基板進(jìn)行薄化。
圖2D是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是選擇性形成并圖案化形成于圖2C所示第一基板上的一光阻層，藉以于光阻層中形成開口。
圖2E是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是藉由蝕刻圖2D中光阻層所暴露的部分來形成多個(gè)洞穴。
圖2F是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，其是將此第一基板與一集成電路基板進(jìn)行貼合，使得洞穴面對(duì)集成電路基板。
圖2G是繪示一依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法，移除支架和粘附層來形成一微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)元件。
圖3是繪示一依照本發(fā)明實(shí)施例所形成的MEMS元件的平面圖，其具有一破裂部分。
圖4是繪示一依照本發(fā)明實(shí)施例所形成的MEMS元件的側(cè)視圖，其具有一破裂部分。
圖5是繪示一依照本發(fā)明實(shí)施例所形成的微鏡陣列應(yīng)用于一投射顯示系統(tǒng)中。
10SOI基板 12第一硅部分14第二硅部分16絕緣層18、32、38底面 20、34、40頂面22洞穴 24集成電路基板25、54頂表面30第一基板32′第三表面36絕緣層42粘附層44支架46光阻層47開口48洞穴 50第二基板頂表面56電極 60微鏡62空間 64扭轉(zhuǎn)絞鏈300投射系統(tǒng) 302微鏡陣列304印刷電路板 306、308微電子元件310光源 312光學(xué)透鏡314彩色轉(zhuǎn)盤 316第二光學(xué)透鏡
320熒幕具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的使用一粘附晶圓制程來形成三種尺寸結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖2A所示，包括提供一第一基板30，其至少可為一硅晶圓。此第一基板30具有一底面32和一頂面34。一絕緣層36覆蓋于第一基板30的頂面34上。在一實(shí)施例中，此絕緣層36具有一直接與第一基板30的頂面34接觸的底面38。此絕緣層36亦具有一頂面40。在一實(shí)施例中，此絕緣層36為一二氧化硅，其是以熟習(xí)該項(xiàng)技藝者所知的方法來加以沉積成長形成。在一實(shí)施例中，并無額外的(或第二)硅部分覆蓋在絕緣層36之上。現(xiàn)參閱圖2B所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，一支架44被粘附在絕緣層36或第一基板30至少其中之一上。在一較佳的具體實(shí)施例中，此支架44可至少為一硅晶圓，藉由于絕緣層36的頂面40上沉積一粘附層42，來將支架44粘附在絕緣層36的頂面40上。接著，放置支架44于粘附層42之上，并固化粘附層42。
現(xiàn)請(qǐng)參閱圖2C所示，第一基板30被薄化，亦即降低其厚度，例如，可使用化學(xué)機(jī)械研磨法、拋光法或電漿薄化此第一基板30，但不以此為限。經(jīng)此薄化后，此第一基板具有一薄化后的表面32′，即第三表面。
現(xiàn)請(qǐng)參閱圖2D所示，翻轉(zhuǎn)此具有第一基板30的晶圓支架44，且可選擇性的形成一光阻層46，并圖案化此光阻層46藉以于其中形成開口47，來暴露出部分第一基板第三表面32′。接著透過開口47對(duì)暴露出的第三表面32′進(jìn)行蝕刻來于第一基板30中形成洞穴48，如第2E圖所示?？衫酶墒轿g刻、濕式蝕刻、離子蝕刻反應(yīng)法或其他熟習(xí)此技藝者所認(rèn)知的方法來形成第一基板30中的洞穴48。
請(qǐng)參閱圖2F，藉由第一基板30的晶圓支架44來與一第二基板50進(jìn)行粘合。在一實(shí)施例中，第三表面32′直接粘合于第二基板50的頂表面54。第二基板50具有一底表面52。在一實(shí)施例中，第二基板50為一具有多個(gè)集成電路的晶圓。此第二基板50亦包括，至少一對(duì)準(zhǔn)第一基板30多個(gè)洞穴其中之一的一電極56。
參閱圖2G，接著移除支架44和粘附層42來形成一微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)元件100。移除支架44和粘附層42的方法，例如可為，但不以此為限，蝕刻或其相似的方法。亦可選擇性地移除絕緣層36，例如以蝕刻的方式。
參閱圖3，多個(gè)微鏡60形成于第一基板30或/和絕緣層36上。此微鏡60可以沉積一反射層(圖中未顯示出)于絕緣層36上，或當(dāng)絕緣層移除蝕形成于第一基板30上的方法來加以形成。形成此微鏡的光反射材料至少包括鋁或銀其中之一，但不以此為限。在一實(shí)施例中，反射層的厚度約為100至500埃，且較佳為200至400埃，最合適為300埃。在一實(shí)施例中，反射層的材料至少包括鋁、銅或銀。在一實(shí)施例中，反射層的材料其中98.5％為鋁，0.5％為銅1％為銀。此反射層可以任何熟習(xí)此項(xiàng)技藝者所知的技術(shù)來加以形成，如絲網(wǎng)印刷法(screen printing)或化學(xué)氣相沉積法，利用于絕緣層36上、第一基板30上或其他層，例如形成于絕緣層36或第一基板30上的額外層上，貼附一金屬薄片。較佳是用濺鍍的方式將反射層材料形成于絕緣層36或第一基板30上。接著部分的反射層、絕緣層和第一基板會(huì)被移除，例如，利用蝕刻形成空間62，將微鏡與絕緣層36或第一基板30分離，并留下一扭轉(zhuǎn)絞鏈64連接微鏡，且作為微鏡移動(dòng)時(shí)的樞軸。此扭轉(zhuǎn)絞鏈64可利用絕緣層36或第一基板30來加以形成，但不以此為限。
參閱圖4，根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，一微電子機(jī)械系統(tǒng)元件，具有一有多個(gè)洞穴48形成于其中且粘合于第二基板50的第一基板30。一電極56位于一具有一相關(guān)集成電路的第二基板50中，此電極56可產(chǎn)生一磁場(chǎng)來使得微鏡60偏斜進(jìn)入第一基板30的洞穴48中。當(dāng)微鏡60偏斜進(jìn)入洞穴48時(shí)，此微鏡60可反射入射光線200。
可使用本發(fā)明的方法來制造一微電子機(jī)械系統(tǒng)元件，例如一數(shù)位微鏡元件。一數(shù)位的微鏡元件晶圓為世界上最精密的光學(xué)切換元件。大約包含有75萬至130萬重要且精細(xì)的微小鏡子。每一鏡子小于人類頭發(fā)1/5的寬度，且對(duì)應(yīng)于每一投射影像的一畫素。此數(shù)位微鏡元件晶圓可與一數(shù)位影像或圖像信號(hào)、一光源和一投射鏡結(jié)合，來使得此微鏡可將一全數(shù)位影像反射至一熒幕上或其他的表面上。
雖然有多種數(shù)位微鏡元件和相關(guān)結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)上微鏡是被嵌合于一微小的鉸鏈上，藉以使得每一面鏡子不是傾向一投射系統(tǒng)的光源來反射光，就是不傾向此光源而于投射面上形成一黑色畫素。進(jìn)入此半導(dǎo)體的一影像碼位元束，會(huì)導(dǎo)引每一面鏡子于每秒中開啟或關(guān)閉數(shù)次。當(dāng)每一面鏡子開啟次數(shù)多于關(guān)閉次數(shù)時(shí)，此鏡子會(huì)反射出一白灰畫素。當(dāng)每一面鏡子關(guān)閉次數(shù)多于開啟次數(shù)時(shí)，此鏡子會(huì)反射出一黑灰畫素。某些投射系統(tǒng)可傾斜每一畫素而形成1024種灰色度，藉以將進(jìn)入數(shù)位微鏡元件的影像或圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成一極細(xì)微的灰階影像。
圖5所示為一投射系統(tǒng)300，此系統(tǒng)300具有一形成于一半導(dǎo)體晶圓上的微鏡陣列302。此微鏡陣列302可粘合于一印刷電路板304上或是相似的基板上，其上可能具有額外的微電子元件306和308，用以處理影像或圖像信號(hào)以及縮放影像以進(jìn)行投射。一明亮的光源310被提供，且使用一第一光學(xué)透鏡312透過一彩色轉(zhuǎn)盤314來導(dǎo)引光源310所射出的光線。彩色轉(zhuǎn)盤314具有一具不同色彩，如紅色、綠色和藍(lán)色，濾光鏡的透明部分。假如需要時(shí)，于彩色轉(zhuǎn)盤314上亦可使用額外的彩色濾光鏡和其透明部分。光照射且穿過彩色轉(zhuǎn)盤314后，會(huì)被一第二光學(xué)透鏡316聚焦且進(jìn)入微鏡陣列302，可藉由操控每一微鏡來選擇性地反射或不反射此入射光。由微鏡陣列302所反射的入射光，會(huì)被在一第三光學(xué)透鏡318聚焦于一墻面上或一熒幕320上。于其他實(shí)施例上，可使用彩色轉(zhuǎn)盤314來產(chǎn)生彩色影像，例如熟習(xí)此技藝者所知的棱鏡。
當(dāng)使用“覆在上面”或相似的字辭，其意義是指本發(fā)明中的某一部分相對(duì)于其他部分的位置，例如第一部分可能是直接與第二部分接觸，或是一額外的部分，如金屬凸塊、晶種層(seed layer)或相似的半導(dǎo)體層，形成于第一部分和第二部分中。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，其特征在于該制程至少包括以下步驟提供一具有一第一面和一第二面的一第一基板，且一絕緣層形成于該第一基板的該第二面上；粘附一支架于該絕緣層上；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板的該第一面上；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該第二基板至少包括一集成電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其中粘接該第一基板與該第二基板的步驟至少包含使用一超音波接合法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其中所述的第一基板至少包含復(fù)數(shù)個(gè)微鏡，以及至少一扭轉(zhuǎn)絞鏈連接其中一該些微鏡藉以提供樞軸移動(dòng)，且使得其中一該些微鏡的一部分可傾斜進(jìn)入形成于該第一基板其中一該些洞穴中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其更包含于粘接該第一基板與該第二基板的步驟后，移除該支架。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其更包含于該第一基板上，藉由選擇性蝕刻位于其中一該些洞穴上的部分該第一基板來形成一微鏡以及一連接此微鏡的一扭轉(zhuǎn)絞鏈，藉此形成一空間來使得該微鏡與具有該扭轉(zhuǎn)絞鏈的剩余該第一基板分離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其更包含于形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板前薄化該第一基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其中形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板的步驟更包含沉積以及圖案化一光阻層于該第一基板的一第三面上，藉由薄化該第一基板使得該圖案化光阻層具有復(fù)數(shù)個(gè)開口形成于其中，該些開口會(huì)暴露出該第一基板的部分該第三面，以及透過形成于該光阻層上的該些開口來蝕刻該第一基板，藉以形成該些洞穴。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制程，其特征在于其中粘附該支架于該絕緣層上更包含形成一粘附層于該第一基板的該第二面上，以及放置該支架于該粘附層上，且其中該支架至少包含一具有硅的晶圓，且于粘接該第一基板與該第二基板的步驟后，蝕刻移除該支架與該粘附層。
9.一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，其特征在于該制程至少包括以下步驟提供一至少具有一底面和一頂面的一第一基板，且一絕緣層形成于該第一基板的該頂面上；粘附一支架于該絕緣層上；薄化該第一基板藉以形成薄化后的一第三面；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板上；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該些個(gè)洞穴是接近于該第二基板。
10.一種制造一半導(dǎo)體元件的制程，其特征在于該制程至少包括以下步驟提供一至少具有一底面和一頂面的一第一基板，該第一基板至少包括一硅基板；形成一絕緣層于該第一基板的該頂面上，其中該絕緣層至少包含一二氧化硅層；形成一粘附層于該絕緣層上，以及放置一支架晶圓于該粘附層上，同時(shí)固化該粘附層；薄化該第一基板藉以形成薄化后的一第三面；形成復(fù)數(shù)個(gè)洞穴于該第一基板上，同時(shí)留下該第一基板的部分該第三面；以及粘接該第一基板與一第二基板，其中該第二基板至少包括一半導(dǎo)體晶圓具有復(fù)數(shù)個(gè)集成電路形成于其中，且該第二基板具有至少一電極置于該第一基板的一洞穴之下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro－electro－mechanical，MEMS)的方法，此方法包括提供一具有絕緣層于其上的第一基板。一支架粘附于絕緣層上，且此第一基板被薄化。接著，多個(gè)洞穴形成于此第一基板上，且此第一基板被翻轉(zhuǎn)并與一集成電路基板進(jìn)行貼合，使得洞穴面對(duì)集成電路基板的表面。接著移除此支架，藉以提供一其上形成有多個(gè)面對(duì)集成電路基板洞穴的第一基板，且一絕緣層覆蓋此第一基板。
文檔編號(hào)H01L21/20GK1825570SQ20051008736
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2005年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月23日
發(fā)明者張發(fā)源, 吳華書, 賴宗沐, 吳朝陽 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司