專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制造方法，特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
自從半導(dǎo)體元件數(shù)十年前問世以來，元件尺寸即不斷地向下微縮，現(xiàn)今的晶圓制造技術(shù)已可制得0.13微米甚至0.09微米的元件裝置，而展望未來，有可能制作更小尺寸的半導(dǎo)體元件，然而，隨著元件尺寸的微縮，亦產(chǎn)生許多制程上的新挑戰(zhàn)急需克服。
現(xiàn)今技術(shù)中，高品質(zhì)的場效應(yīng)晶體管幾乎都是制作于[100]的半導(dǎo)體晶圓表面上。傳統(tǒng)上，硅基底的半導(dǎo)體裝置，其MOSFET的主動區(qū)與切割線是設(shè)置于與硅基底[110]結(jié)晶方向平行的方向上，而使得基底很容易被切割成晶片。
隨著元件尺寸持續(xù)微縮，傳統(tǒng)沿著[110]方向設(shè)置的構(gòu)件即會遭遇嚴(yán)重的問題而影響產(chǎn)率。現(xiàn)今半導(dǎo)體技術(shù)中，是利用快速熱制程(RTP)活化場效應(yīng)晶體管的源/漏極區(qū)以提高效能，此具有較短熱循環(huán)時間的RTP是完成超淺接合制作的重要步驟，使在沉積金屬硅化物的過程中于源/漏極區(qū)與金屬硅化物間形成一均勻界面。然很不幸的，短的熱循環(huán)即表示其會有較大的溫度變化率，根據(jù)本發(fā)明人的試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，沿著硅基底[110]結(jié)晶方向的機(jī)械強(qiáng)度并無法承受為制作0.1微米元件須大幅變化溫度而產(chǎn)生的熱效應(yīng)，以致出現(xiàn)裂痕，因此，在快速熱制程后，常會發(fā)現(xiàn)沿基底[110]結(jié)晶方向的主動區(qū)與切割線出現(xiàn)一連串不期望的裂痕。此外，產(chǎn)業(yè)上也趨采用較大尺寸的晶圓以降低每個晶片區(qū)的制造成本，然由于熱烈痕問題，愈大的晶圓，愈容易產(chǎn)生裂痕，而阻止了繼續(xù)使用更大晶圓的可能。
因此，業(yè)界急需提供一可避免在RTP過程中產(chǎn)生裂痕的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以利制作0.1微米以下的裝置元件。
美國專利第6,639,280號是揭露一半導(dǎo)體晶片，該晶片中的溝道是設(shè)于沿[100]的方向上，而非傳統(tǒng)沿[110]的方向。一層迭基底是由基底與一支持基底(supporting substrate)共同組成。切割線是沿支持基底的[110]結(jié)晶方向形成，使基底易于切割，然仍會出現(xiàn)因RTP制程造成沿[110]方向熱裂痕的問題，且一層迭基底是由兩不同晶格排列的單晶基底組成，亦不可避免的存在成本增加與產(chǎn)率降低的問題。
圖1為一具有一凹痕12的傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓10平面圖，圖上并有示意該晶圓[110]的晶格排列方向10a。值得注意的是，由于[110]所代表的晶格排列方向是包括所有與[110]相同的晶格排列方向，遂與[110]方向10a垂直交叉的排列方向仍以[110]表示之。此外，圖中是以與晶圓[110]方向平行的晶格切割線14定義晶圓上多個晶片區(qū)16，而在晶片區(qū)16中，一包含一柵極20G、一源極區(qū)20S與一漏極區(qū)20D的場效應(yīng)晶體管是形成于一沿著[110]方向10a延伸的主動區(qū)18上。當(dāng)進(jìn)行快速熱制程時，傳統(tǒng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)會沿著虛線22所示的[110]方向產(chǎn)生裂痕，尤其是溫度變化率超過400度/秒的回火制程，更加明顯。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種尺寸小于0.1微米的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，可避免該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在制作超淺接合的快速熱制程中產(chǎn)生裂痕。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，可提高較大尺寸晶圓的抗裂痕能力。
為達(dá)成上述目的，主動區(qū)或切割線是沿著與該半導(dǎo)體基底[110]結(jié)晶方向成一傾斜角度的一方向設(shè)置，使該基底更具有抗裂痕能力。
根據(jù)本發(fā)明的一特征，主動區(qū)是沿著基底上的一抗裂痕方向設(shè)置。首先，提供一單晶半導(dǎo)體基底，之后，于該基底上定義多個主動區(qū)，且該等主動區(qū)是沿著與該基底[110]結(jié)晶方向成一傾斜角度的一結(jié)晶方向延伸，而半導(dǎo)體裝置則利用包括快速熱制程的數(shù)個制程步驟形成于該基底上。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，切割線是沿著半導(dǎo)體基底上的一抗裂痕方向設(shè)置。首先，提供一單晶半導(dǎo)體基底，之后，于該基底上以切割線劃分的多個晶片區(qū)內(nèi)形成多個半導(dǎo)體裝置，其中該等切割線是沿著與該半導(dǎo)體基底[110]結(jié)晶方向成一傾斜角度的一結(jié)晶方向延伸，在形成裝置的過程中，包括以快速熱制程對該基底進(jìn)行熱處理。
根據(jù)本發(fā)明，主動區(qū)與切割線大體沿著該基底上的[100]結(jié)晶方向延伸，而該[100]方向是與[110]方向成一垂直交叉。此外，主動區(qū)與切割線亦可沿著與[110]方向成25～40度的一方向延伸。雖現(xiàn)有技術(shù)中，裝置的主動區(qū)、切割線與溝道方向彼此平行，但本發(fā)明并不限定于此，該等構(gòu)件可彼此不平行。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一經(jīng)由快速熱制程處理的單晶半導(dǎo)體基底；以及一裝置，形成于該半導(dǎo)體基底的一主動區(qū)上，其中該主動區(qū)是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向大體成25至40度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該主動區(qū)大體沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該裝置是包括一包含一柵極與源/漏極區(qū)且溝道長度小于90納米的場效應(yīng)晶體管，而該源/漏極區(qū)的一接合深度是低于43納米。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該場效應(yīng)晶體管的一溝道方向大體不平行于主動區(qū)延伸的結(jié)晶方向。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體基底為一半導(dǎo)體晶片。
本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一經(jīng)由快速熱制程處理的單晶半導(dǎo)體基底，是包括多個以切割線劃分的晶片區(qū)，其中該等切割線是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該等切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該等切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向大體成25至40度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該等切割線大體沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一主動區(qū)，該主動區(qū)是沿一大體不平行于該等切割線的方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該等切割線是沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸，而該主動區(qū)是沿一[110]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該等切割線的寬度大體介于60至200微米。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟提供一單晶半導(dǎo)體基底；于該半導(dǎo)體基底上定義多個主動區(qū)，其中該等主動區(qū)是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗裂痕的結(jié)晶方向延伸；以及于該主動區(qū)上形成一裝置，其中包括對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行快速熱制程。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向大體成25至40度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該主動區(qū)大體沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該裝置是包括一包含一柵極與源/漏極區(qū)且溝道長度小于90納米的場效應(yīng)晶體管，而該源/漏極區(qū)的一接合深度是低于43納米。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體基底為一直徑大于8時的半導(dǎo)體晶圓。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該場效應(yīng)晶體管的一溝道方向大體不平行于主動區(qū)延伸的結(jié)晶方向。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體基底為一半導(dǎo)體晶片。
本發(fā)明又提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟提供一單晶半導(dǎo)體基底；以及于該半導(dǎo)體基底上多個以切割線劃分的晶片區(qū)內(nèi)形成多個裝置，其中該等切割線是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸，且于該等裝置的形成過程中，亦包括對該等裝置的基底進(jìn)行快速熱制程。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該等切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該等切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向大體成25至40度的一方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該等切割線大體沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，更包括一主動區(qū)，該主動區(qū)是沿一大體不平行于該等切割線的方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該等切割線是沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸，而該主動區(qū)是沿一[110]結(jié)晶方向延伸。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體基底為一直徑大于8時的半導(dǎo)體晶圓。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該等切割線的寬度大體介于60至200微米。
本發(fā)明所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體基底上的主動區(qū)或切割線是沿著抗裂痕的晶格方向設(shè)置，因此，在制作次90納米裝置的超淺接合結(jié)構(gòu)時，即可避免因快速熱制程急劇的溫度變化產(chǎn)生熱裂痕。此外，借由上述排列方式，業(yè)界將可持續(xù)發(fā)展大尺寸的晶圓而減少裂痕的問題。


圖1是傳統(tǒng)半導(dǎo)體基底的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖，其中主動區(qū)是沿著與半導(dǎo)體基底[110]晶格方向成一角度的方向延伸；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖，其中切割線是沿著與半導(dǎo)體基底[110]晶格方向成一角度的方向延伸。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下請參閱圖2，說明本發(fā)明的一實(shí)施例中，一抗裂痕的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖2是顯示一具有一形成于基底邊緣的凹痕52的單晶半導(dǎo)體基底50，圖上并示意該基底50的[110]晶格排列方向50a。晶圓表面可形成一定位平面(orientation flat)以取代上述的凹痕，且基底50的表面排列方向?yàn)閇100]。半導(dǎo)體基底50較佳為一半徑大于8時的單晶硅晶圓，而除了單晶硅晶圓之外，半導(dǎo)體基底50亦可包括一層迭基底或一絕緣層上覆硅(SOI)的基底，且半導(dǎo)體基底50的厚度大約為550～750微米或700～900微米。此外，接近半導(dǎo)體基底50表面的缺陷晶格結(jié)構(gòu)，使該基底可制作例如高遷移硅或硅鍺彎曲溝道晶體管的彎曲溝道裝置。
包括一或多個晶體管、EPROM、EEPROM、DRAM或其它半導(dǎo)體裝置是形成于半導(dǎo)體基底50上，而每一裝置是由各種已知的方法制作形成，例如，微影制程、成膜、蝕刻、離子布植及其它制程技術(shù)，而為求簡化圖示，在此僅標(biāo)示一經(jīng)放大繪制后的場效應(yīng)晶體管T1，以利說明。
本發(fā)明的重要特征是晶體管T1形成于沿晶格排列方向50b延伸的主動區(qū)56上，而該處的基底是可抵抗熱裂痕。上述主動區(qū)是借由傳統(tǒng)的隔離技術(shù)例如一淺溝槽隔離(STI)技術(shù)定義之。晶體管T1是包括一橫跨主動區(qū)56的柵極54G，且源/漏極54S/54D是形成于柵極54G的兩側(cè)，而由圖2可看出，主動區(qū)56是沿著與半導(dǎo)體基底[110]方向50a成θ角的方向50b延伸，其中斜角θ可為45度，使主動區(qū)可沿基底50[100]的晶格排列方向上設(shè)置，而其它如25～40度的斜角亦可獲得相同效果。
根據(jù)本發(fā)明，晶體管T1較佳是具有一90納米或更短的溝道長度以及一43納米或更淺的源/漏極接合深度。由多種已知的快速熱制程系統(tǒng)來看，已可達(dá)到次90納米MOSFET的超淺接合，包括利用例如溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)艋蛞患す庾鳛闊嵩?，而其中以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈為較佳的選擇。
仍請參閱圖2，以晶體管T2說明本發(fā)明的另一特征，且本發(fā)明并未限定溝道方向與主動區(qū)須如現(xiàn)有技術(shù)中相互平行。包括一柵極60G與源/漏極區(qū)60S/60D的晶體管T2是形成于沿基底50[100]方向50b延伸的主動區(qū)上，而晶體管T2的溝道區(qū)則沿[110]方向50d延伸，也就是說，只要主動區(qū)設(shè)置在沿抗裂痕的方向，則溝道區(qū)即不須與主動區(qū)平行以維持抗裂痕特性。
雖上述實(shí)施例以一半導(dǎo)體晶圓作說明解釋，然本發(fā)明并不以此為限，基底50可為個別半導(dǎo)體晶片的形式。
圖3為本發(fā)明抗裂痕半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例。利用晶格切割線70在單晶半導(dǎo)體基底50上定義出多個晶片區(qū)72，其中晶格切割線的寬度大約為60～200微米，而每一晶格切割線是沿著與半導(dǎo)體基底[110]晶格排列方向50a成α角的方向50e延伸以避免熱裂痕，如圖3所示，斜角α可為45度，使晶格切割線70可沿基底50[100]的晶格排列方向上延伸，而其它如25～40度的斜角亦可獲得相同效果。
在該實(shí)施例中，在晶片區(qū)72中的主動區(qū)可沿著平行切割線70的方向設(shè)置，例如主動區(qū)74所示，切割線與主動區(qū)是均設(shè)置在抗裂痕的方向上。此外，雖然為較差的選擇但本發(fā)明的主動區(qū)亦可與切割線方向不平行，亦即，主動區(qū)76可是沿如已知[110]的方向50a延伸。
上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底上的主動區(qū)或切割線是沿著抗裂痕的晶格方向設(shè)置，因此，在制作次90納米裝置的超淺接合結(jié)構(gòu)時，即可避免因快速熱制程急劇的溫度變化產(chǎn)生熱裂痕。此外，借由上述排列方式，業(yè)界將可持續(xù)發(fā)展大尺寸的晶圓而減少裂痕的問題。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下10半導(dǎo)體晶圓12、52凹痕10a、50a、50b、50c、50d、50e晶格排列方向14、70晶格切割線16晶片區(qū)18、56、58、74、76主動區(qū)20G、54G、60G柵極20S、54S、60S源極20D、54D、60D漏極22裂痕方向50單晶半導(dǎo)體基底72晶片區(qū)T1、T2晶體管α、θ夾角
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一經(jīng)由快速熱制程處理的單晶半導(dǎo)體基底；以及一裝置，形成于該半導(dǎo)體基底的一主動區(qū)上，其中該主動區(qū)是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向成25至40度的一方向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該主動區(qū)沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該裝置是包括一包含一柵極與源/漏極區(qū)且溝道長度小于90納米的場效應(yīng)晶體管，而該源/漏極區(qū)的一接合深度是低于43納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該場效應(yīng)晶體管的一溝道方向不平行于主動區(qū)延伸的結(jié)晶方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體基底為一半導(dǎo)體晶片。
12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一經(jīng)由快速熱制程處理的單晶半導(dǎo)體基底，是包括多個以切割線劃分的晶片區(qū)，其中該切割線是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向成25至40度的一方向延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該切割線沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一主動區(qū)，該主動區(qū)是沿一不平行于該切割線的方向延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該切割線是沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸，而該主動區(qū)是沿一[110]結(jié)晶方向延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該切割線的寬度介于60至200微米。
23.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟提供一單晶半導(dǎo)體基底；于該半導(dǎo)體基底上定義多個主動區(qū)，其中該主動區(qū)是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗裂痕的結(jié)晶方向延伸；以及于該主動區(qū)上形成一裝置，其中包括對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行快速熱制程。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該主動區(qū)是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向成25至40度的一方向延伸。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該主動區(qū)沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該裝置是包括一包含一柵極與源/漏極區(qū)且溝道長度小于90納米的場效應(yīng)晶體管，而該源/漏極區(qū)的一接合深度是低于43納米。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體基底為一直徑大于8時的半導(dǎo)體晶圓。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該場效應(yīng)晶體管的一溝道方向不平行于主動區(qū)延伸的結(jié)晶方向。
34.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體基底為一半導(dǎo)體晶片。
35.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟提供一單晶半導(dǎo)體基底；以及于該半導(dǎo)體基底上多個以切割線劃分的晶片區(qū)內(nèi)形成多個裝置，其中該切割線是沿該半導(dǎo)體基底上的一抗熱裂痕的結(jié)晶方向延伸，且于該裝置的形成過程中，亦包括對該裝置的基底進(jìn)行快速熱制程。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]方向成一傾斜角度的一方向延伸。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該切割線是沿與該半導(dǎo)體基底的[110]結(jié)晶方向成25至40度的一方向延伸。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該切割線沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括一主動區(qū)，該主動區(qū)是沿一不平行于該切割線的方向延伸。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該切割線是沿該半導(dǎo)體基底的[100]結(jié)晶方向延伸，而該主動區(qū)是沿一[110]結(jié)晶方向延伸。
41.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體基底表面的結(jié)晶方向?yàn)閇100]。
42.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體基底為一直徑大于8時的半導(dǎo)體晶圓。
43.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以溫度變化率超過200度/秒的鎢鹵素?zé)魧υ摪雽?dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
44.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以溫度變化率超過10000度/秒的鈍氣長弧燈對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
45.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于是以一激光源對該半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理。
46.根據(jù)權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該切割線的寬度介于60至200微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。一半導(dǎo)體基底上的主動區(qū)或切割線是沿一抗裂痕的結(jié)晶方向設(shè)置，因此，可避免因快速熱制程急劇的溫度變化而產(chǎn)生的熱裂痕。
文檔編號H01L29/02GK1700477SQ20051006780
公開日2005年11月23日 申請日期2005年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月26日
發(fā)明者曾鴻輝, 葛崇祜, 王昭雄 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司