專利名稱：銅電鍍的電解液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種在半導(dǎo)體集成電路制造中用以沉積金屬層于半導(dǎo)體晶圓基底(semiconductor wafer substrates以下簡(jiǎn)稱基底)上的電化學(xué)電鍍(ECP)制程，更特別關(guān)于一種在一基底上電化學(xué)電鍍?nèi)玢~金屬之類的金屬層時(shí)，可促進(jìn)電化學(xué)電鍍電解液對(duì)金屬種晶層的濕潤(rùn)性的方法及組合物。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路制造中，金屬導(dǎo)線常被用來連接半導(dǎo)體電路中的多個(gè)零件。而在半導(dǎo)體晶圓上沉積金屬導(dǎo)線圖案的一般制程是包括在硅基底上沉積一導(dǎo)電層；形成一光阻或其它如氧化鈦或氧化硅的光罩層；使用標(biāo)準(zhǔn)微影技術(shù)形成所需金屬導(dǎo)線圖案；對(duì)基底進(jìn)行干蝕刻制程以移除未被光罩覆蓋的區(qū)域的導(dǎo)電層，由此留下以導(dǎo)線圖案成形的金屬層；以及使用常見的反應(yīng)式電漿及氯氣來移除光罩層，由此暴露出金屬導(dǎo)線的上表面。一般而言，由導(dǎo)電材料及絕緣材料構(gòu)成的多重交替層，是依序沉積于基底上；且由于絕緣層內(nèi)蝕刻出介層窗或開口，以及于此介層窗或開口填入鋁、鎢或其它金屬材料后，屬于不同層次間的各導(dǎo)電層可通過所建立的電性連接部來蝕刻出絕緣層內(nèi)的蝕刻通道或開孔作電性連接。
晶圓基底上導(dǎo)體層的沉積，可通過使用各種技術(shù)來完成。例如氧化制程，低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)，常壓化學(xué)氣相沉積法(APCVD)，及等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)。一般而言，化學(xué)氣相沉積是具有反應(yīng)式氣相化學(xué)試劑，包含所需沉積成分以在晶圓基底上形成一非揮發(fā)性薄膜?；瘜W(xué)氣相沉積在基底上的集成電路制造中，為最被廣泛使用于晶圓基底上沉積薄膜的方法。
由于半導(dǎo)體零件逐漸縮小尺寸，以及晶圓上集成電路密度逐漸增加，電路零件互相連接的復(fù)雜度迫使用來定義金屬導(dǎo)線互連圖案的制造程序必須做到精確尺寸控制。更先進(jìn)的微影及光罩技術(shù)，以及干蝕刻制程，如反向性離子蝕刻(RIE)及其它電漿蝕刻制程，能讓圖案線寬及間距在次微米范圍內(nèi)制造。于平面顯示器及集成電路制造領(lǐng)域中，于基底上進(jìn)行金屬的電性沉積或電鍍以在基底上沉積出導(dǎo)電層的制程，已經(jīng)被認(rèn)定為一項(xiàng)具體可行的技術(shù)。電性沉積技術(shù)已使用于銅或其它金屬層的沉積，使其具有平滑或均勻的上表面。因此，目前發(fā)展重點(diǎn)在于電鍍硬設(shè)備及化學(xué)試劑的設(shè)計(jì)，以得到高品質(zhì)薄膜或?qū)щ妼?，使其于基底全部表面上具有均勻性，以及能夠滿足于極小裝置特性。而以銅作為電鍍金屬已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)具有特殊的優(yōu)點(diǎn)。
集成電路(IC)應(yīng)用上，電鍍銅較電鍍鋁具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。銅比鋁具有較小的電阻率，因此能夠于較高頻率運(yùn)作電流。而且銅比鋁更能抵抗電致遷移(electromigration，EM)。這在半導(dǎo)體裝置上能全面增加可靠度，因?yàn)槿綦娐肪咻^高電流密度，或?qū)τ陔娭逻w移具較低的阻抗性，容易在金屬連接處產(chǎn)生空洞(void)或斷路(open circuits)。這些空洞或斷路會(huì)使裝置故障或燒毀。
一個(gè)在半導(dǎo)體晶圓上沉積如銅之類的傳統(tǒng)金屬電鍍系統(tǒng)，是包含具有可調(diào)整電流源的電鍍單元，一含有電解質(zhì)溶液(一般可為酸性硫酸銅溶液)的容器，以及一銅陽極及一陰極，浸入于電解質(zhì)溶液內(nèi)。陰極為一被用來電鍍金屬的半導(dǎo)體晶圓，陽極及半導(dǎo)體晶圓(陰極)以導(dǎo)線連接至電流源。電解質(zhì)溶液可包含一添加劑以用于次微米圖形的填補(bǔ)，以及平坦化晶圓上電鍍銅的表面。更可連接一裝有電解質(zhì)的儲(chǔ)存槽至液體容器，以添加液體容器內(nèi)需補(bǔ)充的電解質(zhì)溶液。
電鍍系統(tǒng)的運(yùn)作中，電流源在陽極及陰極(晶圓)之間是提供一在室溫下運(yùn)作的既定電壓電位。此電位在陽極及陰極(晶圓)之間會(huì)建立一個(gè)磁場(chǎng)，而磁場(chǎng)則影響到容器內(nèi)銅離子的分布。在典型的銅電鍍應(yīng)用中，2伏特(volt)左右的電壓約可運(yùn)作2分鐘，以及約4.5安培(amp)的電流流經(jīng)陽極及陰極(晶圓)。然后，當(dāng)電子從銅陽極離開時(shí)，銅會(huì)在陽極處氧化；以及容器里硫酸銅溶液中的銅離子會(huì)減少，進(jìn)而使其在陰極(晶圓)處及硫酸銅溶液間的界面形成一電鍍銅。
陽極處的銅氧化反應(yīng)可由下列反應(yīng)式表示之
容器20里氧化后銅離子(陽離子)與硫酸根離子(陰離子)在溶液里反應(yīng)產(chǎn)生離子化硫酸銅
在陰極(晶圓)處，自陽極流過導(dǎo)線的電子與容器中硫酸銅溶液的銅離子(陽離子)作用，而電鍍出銅到陰極(晶圓)。
當(dāng)銅在一基底上沉積時(shí)，例如使用電化學(xué)電鍍，銅金屬層必須沉積在如銅的金屬種晶層上，而此種晶層是于銅電化學(xué)電鍍(ECP)制程之前沉積于基底上。基底上種晶層可使用各種不同的方法沉積，例如物理氣相沉積(PVD)及化學(xué)氣相沉積(CVD)。一般而言，金屬種晶層比半導(dǎo)體晶圓基底上沉積的導(dǎo)體金屬層薄(約50-1500埃()厚)。
于基底上沉積的金屬種晶層可能有許多問題，例如種晶層上存在金屬氧化物或該種晶層的不連續(xù)問題，以及該層污染及凹洞形成問題。這些缺點(diǎn)會(huì)對(duì)種晶層表面的電鍍電解質(zhì)溶液產(chǎn)生不均勻的濕潤(rùn)。種晶層電解質(zhì)溶液的不均勻濕潤(rùn)度將導(dǎo)致結(jié)構(gòu)性缺陷，例如種晶層上電鍍金屬內(nèi)的凹洞，并危及基底上集成電路(IC)裝置的結(jié)構(gòu)及功能完整性。
傳統(tǒng)用以改善金屬種晶層電鍍電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)性，包括種晶層表面的前置清洗(pre-rinsing)或前置退火(pre-annealing)。然而兩種方法所得的結(jié)果皆不佳。因此需要一種新型改良的組合物及其使用方法，在一基底上電化學(xué)鍍銅或其它金屬時(shí)，增加金屬種晶層上電鍍電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在提供一種新型組合物及其使用方法，對(duì)于在種晶層上電鍍金屬前，進(jìn)行基底上種晶層的前置處理或濕潤(rùn)化。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種新型組合物及其使用方法，對(duì)于在基底上電化學(xué)電鍍銅或其它金屬時(shí)，用以增加金屬種晶層上電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種新型組合物及其使用方法，在電鍍金屬層時(shí)，實(shí)質(zhì)上避免基底種晶層上的結(jié)構(gòu)性缺陷；以及通過濕潤(rùn)性的改善，提高縫隙填充能力。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種新型組合物及其使用方法，在種晶層上電化學(xué)電鍍銅或其它金屬時(shí)，實(shí)質(zhì)上減少電解質(zhì)溶液對(duì)于種晶層的接觸角(contact angle)。
有鑒于此以及其它目的及益處，本發(fā)明廣泛指出一種組合物及其使用方法，在種晶層上電化學(xué)電鍍金屬(例如銅)時(shí)，是實(shí)質(zhì)上增加基底上種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。此組合物是有機(jī)混合物，包含一有機(jī)酸，例如檸檬酸(citric acid)或醋酸(aceticacid)，以及一低分子量非離子聚合物，例如烷氧基化醇(alcoholalkoxylate)，烷氧基化胺(amine alkoxylate)或烷氧基化烷酚(alkyphenol alkoxylate)。根據(jù)本發(fā)明的特有方法，一金屬種晶層預(yù)先沉積于基底上。準(zhǔn)備一電化學(xué)電鍍(ECP)電解質(zhì)溶液，以及調(diào)制一有機(jī)合成混合物作為電解質(zhì)溶液的懸浮層。然后表面具有金屬種晶層沉積的基底，移動(dòng)通過懸浮的合成混合物層，進(jìn)入電化學(xué)電鍍(ECP)電解質(zhì)溶液；以致于一些組合物附著進(jìn)入種晶層上的濕潤(rùn)層，以及提高基底上金屬種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。然后基底懸掛在溶液中進(jìn)行電化學(xué)電鍍。電鍍金屬形成具高結(jié)構(gòu)完整性金屬層，實(shí)質(zhì)上避免種晶層整個(gè)表面上的凹洞或其它結(jié)構(gòu)性缺陷。上述方法種，該組合物是以濃度重量比百分之五(5％)溶于該電解質(zhì)溶液內(nèi)；該非離子聚合物的分子量是小于1000；該有機(jī)酸是檸檬酸或醋酸；該有機(jī)酸是以濃度重量比百分之十(10％)存在于該組合物內(nèi)；以及該非離子聚合物是以濃度重量比百分之五(5％)存在于該組合物內(nèi)。
本發(fā)明具有特別效益的用途，有益于在一半導(dǎo)體晶圓基底上銅種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)性；在半導(dǎo)體集成電路制造中，增加種晶層上電鍍銅金屬層的結(jié)構(gòu)性品質(zhì)。然而本發(fā)明更廣泛應(yīng)用于其它非銅金屬種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)性；以及在不同工業(yè)應(yīng)用上對(duì)于一基底電鍍金屬(不限于銅)具有適用性。
本發(fā)明廣泛指出一種組合物及其使用方法，在種晶層上電化學(xué)電鍍(ECP)金屬(特別是銅)時(shí)，是實(shí)質(zhì)上增加基底上種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。與未處理的對(duì)照組的種晶層做比較，組合物明顯減少電解質(zhì)溶液在種晶層上的接觸角。因此，種晶層上電鍍的金屬實(shí)質(zhì)上可避免種晶層整個(gè)表面的凹洞及其它結(jié)構(gòu)性缺陷。


在此闡述本發(fā)明內(nèi)容，以圖標(biāo)及流程關(guān)系圖的方式作一說明圖1A是本發(fā)明所完成電化學(xué)電鍍系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)略圖；
圖1B是表示一基底的側(cè)視圖，該基底移動(dòng)通過電鍍電解液容器中的合成混合物懸浮層，在基底上的種晶層形成合成混合物的濕潤(rùn)層；圖2是一流程示意圖，指出完成本發(fā)明制程步驟的特定流程。
圖3是一數(shù)值概量示意圖，接觸角(Y軸)對(duì)電鍍制程量化時(shí)間(Q-time)(X軸)關(guān)系；繪出根據(jù)本發(fā)明方法處理后電解質(zhì)溶液在種晶層上的接觸角，與電解質(zhì)溶液在未經(jīng)處理種晶層上的接觸角比較。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明具有特別效益的用途，有益于在一半導(dǎo)體晶圓基底上銅種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)性；在半導(dǎo)體集成電路制造中，增加種晶層上電鍍銅金屬層的結(jié)構(gòu)性品質(zhì)。然而本發(fā)明更廣泛應(yīng)用于其它非銅金屬種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)性；以及在不同工業(yè)應(yīng)用上對(duì)于一基底電鍍金屬(不限于銅)具有適用性。
本發(fā)明廣泛指出一種組合物及其使用方法，在種晶層上電化學(xué)電鍍(ECP)金屬(特別是銅)時(shí)，是實(shí)質(zhì)上增加基底上種晶層電解質(zhì)溶液的濕潤(rùn)度。與未處理的對(duì)照組的種晶層做比較，組合物明顯減少電解質(zhì)溶液在種晶層上的接觸角。因此，種晶層上電鍍的金屬實(shí)質(zhì)上可避免種晶層整個(gè)表面的凹洞及其它結(jié)構(gòu)性缺陷。
本發(fā)明中的組合物是包含一有機(jī)酸，例如檸檬酸(citric acid)或醋酸(acetic acid)，以及非離子聚合物的混合物，例如烷氧基化醇(alcohol alkoxylate)，烷氧基化胺(amine alkoxylate)或烷氧基化烷酚(alkyphenol alkoxylate)。此非離子聚合物最好為低分子量非離子聚合物(約小于1000MW)。有機(jī)酸特別以濃度重量比約百分之二至百分之二十(2～20％)存在于合成混合物內(nèi)。非離子聚合物特別以濃度重量比約百分之五至百分之十(5～10％)存在于合成混合物內(nèi)。
在一實(shí)施例中，組合物是包含一有機(jī)酸，例如檸檬酸(citricacid)或醋酸(acetic acid)，以及烷氧基化醇(alkoxylatedalcohol)，例如乙氧基化醇聚合物(ethoxylated alcoholpolymer)，的混合物。組合物最好包含特別約重量比百分之十(10wt.％)有機(jī)酸，及特別約重量比百分之五(5wt.％)烷氧基化醇(alkoxylated alcohol)。
在另一實(shí)施例中，組合物是包含一有機(jī)酸，例如檸檬酸(citricacid)或醋酸(acetic acid)，以及烷氧基化胺聚合物(alkoxylatedamine polymer)，例如乙氧基化二胺聚合物(ethoxylateddiamine polymer)，的混合物。組合物最好包含特別約重量比百分之十(10wt.％)有機(jī)酸，及特別約重量比百分之五(5wt.％)胺(amine)。
在另一實(shí)施例中，組合物是包含一有機(jī)酸，例如檸檬酸(citricacid)或醋酸(acetic acid)，以及烷氧基化烷酚(alkyphenolalkoxylate)，的混合物。組合物最好包含特別約重量比百分之十(10wt.％)有機(jī)酸，及特別約重量比百分之五(5wt.％)烷氧基化烷酚(alkyphenol alkoxylate)。
參考圖1A，本發(fā)明適用的一電化學(xué)電鍍(ECP)系統(tǒng)10，包含一標(biāo)準(zhǔn)電鍍單元，其具有一可調(diào)整的電流源12，一容器14，一銅陽極16及一陰極18；其中陰極18是用以電鍍銅的半導(dǎo)體晶圓基底。陽極16及陰極(基底)18以適合的導(dǎo)線38連接至電流源12。容器14具有一液體20，特別是酸性硫酸銅溶液，可包含一添加劑以用于次微米圖形的填補(bǔ)，以及平坦化基底18上電鍍銅的表面。
此電化學(xué)電鍍(ECP)系統(tǒng)10更包含一對(duì)分流過濾導(dǎo)管24，一分流泵(過濾器)30，以及一裝有電解質(zhì)的儲(chǔ)存槽34，以添加容器14內(nèi)需補(bǔ)充的電解質(zhì)溶液。分流過濾導(dǎo)管24連接至容器14外部的分流泵(過濾器)30；以及分流泵(過濾器)30更透過一儲(chǔ)存槽的入口管線32連接至裝有電解質(zhì)的儲(chǔ)存槽34。接著，裝有電解質(zhì)的儲(chǔ)存槽34透過一儲(chǔ)存槽的出口管線36連接至容器14。在各種本發(fā)明所適用的可能系統(tǒng)中，上述電化學(xué)電鍍(ECP)系統(tǒng)10僅為其中一例，亦可變更此等設(shè)計(jì)，而其它系統(tǒng)亦可取代。
本發(fā)明的制程可使用任一電鍍液體溶液20的調(diào)制方式，例如銅，鋁，鎳，鉻，鋅，金，銀，鉛及鎘電鍍液體。本發(fā)明亦適合使用包含金屬混合物的電鍍液體，于基底上電鍍。電鍍液體20最好為銅合金電鍍液體，以及更宜使用銅電鍍液體。一般而言，銅電鍍液體的調(diào)制可用先前技術(shù)的已知方法操作，但并不限于硫酸(sulfuric acid)，醋酸(acetic acid)，氟酸(fluoroboric acid)，甲烷磺酸(methane sulfonic acid)，乙烷磺酸(ethane sulfonicacid)，三氟甲烷磺酸(trifluormethane sulfonic acid)，苯基磺酸(phenyl sulfonic acid)， 甲基磺酸(methyl sulfonic acid)，對(duì)甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)，鹽酸(hydrochloric acid)，磷酸(phosphoric acid)等。這些酸類主要以濃度范圍約從每公升1至300克(g/L)存在于液體內(nèi)。這些酸類更包含鹵是離子來源，例如氯離子。適合的銅離子來源包含但不限于，硫酸銅(coppersulfate)，氯化銅(copper chloride)，醋酸銅(copper acetate)，硝酸銅(copper nitrate)，氟酸銅(copper fluoroborate)，甲烷磺酸銅(copper methane sulfonate)，苯基磺酸銅(copper phenylsulfonate)，及對(duì)甲苯磺酸銅(copper p-toluene sulfonate)等。這些銅離子源主要以濃度范圍約從每公升10至300克(g/L)的電鍍?nèi)芤捍嬖谟谝后w內(nèi)。
參考圖1A，圖1B及圖2，根據(jù)本發(fā)明的方法，一金屬種晶層19，例如銅，沉積于一晶圓基底18上，如同圖2中步驟S1所示。根據(jù)先前技術(shù)已知方法，金屬種晶層19可用傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)技術(shù)沉積于晶圓基底18上。金屬種晶層19的厚度主要約為50至1500埃()。
如圖2中步驟S2所示，在容器14內(nèi)準(zhǔn)備電化學(xué)電鍍(ECP)電解質(zhì)液體溶液20。接下來，如步驟S3所示，準(zhǔn)備本發(fā)明中所示的有機(jī)合成混合物；然后在液體溶液20上懸浮一層組合物懸浮層26。將陽極16及基底18浸入液體溶液20內(nèi)，以及透過導(dǎo)線38連接至可調(diào)整電流源12。
參考圖1B及如圖2中步驟S4所示，將基底18通過組合物懸浮層26浸入液體溶液20中。參考圖1B，基底18上的種晶層19接觸到組合物懸浮層26，導(dǎo)致濕潤(rùn)層26a斷開組合物懸浮層26并黏附于種晶層19的表面。在隨后的電鍍過程中，濕潤(rùn)層26a維持停留在種晶層19上。本發(fā)明的技術(shù)將在電鍍制程中，以濕潤(rùn)層26a促進(jìn)種晶層19在電化學(xué)電鍍(ECP)電解質(zhì)液體溶液20中的濕潤(rùn)度。
如圖2中步驟S5所示，隨后一金屬層(未繪出)電鍍于種晶層19上。在電化學(xué)電鍍(ECP)系統(tǒng)10運(yùn)作中，電流源12在陽極16及陰極(基底)18之間提供一在室溫下運(yùn)作的既定電壓。電壓電位在陽極16及陰極(基底)18之間建立一個(gè)磁場(chǎng)，而磁場(chǎng)會(huì)影響液體溶液20內(nèi)銅離子的分布。在標(biāo)準(zhǔn)銅電鍍應(yīng)用中，約2伏特(volt)電壓可運(yùn)作約2分鐘，以及約4.5安培(amp)的電流流經(jīng)陽極16及陰極(基底)18。然后，當(dāng)電子從銅陽極16離開時(shí)，銅在陽極16的氧化表面22處氧化；以及容器里硫酸銅溶液20中的銅離子減少，使其在陰極(基底)18處及硫酸銅液體20之間界面形成一電鍍銅(未繪出)。通過促進(jìn)種晶層19整個(gè)表面上硫酸銅液體20的均勻濕潤(rùn)度，濕潤(rùn)層26a有助于在種晶層19上電鍍一連續(xù)金屬層，實(shí)質(zhì)上避免結(jié)構(gòu)性殘缺，如凹洞。因此，基底18上的電鍍金屬層提供集成電路(IC)裝置的制造具有結(jié)構(gòu)及運(yùn)作完整性。
參考圖3的數(shù)值概量示意圖，指出電化學(xué)電鍍(ECP)電解質(zhì)液體溶液在一種晶層上的接觸角，根據(jù)本發(fā)明的組合物及其使用方法處理后，其值小于20％。與對(duì)照組種晶層做比較，其接觸角約為30～35％，其種晶層在電鍍制程前未做處理。因此，種晶層上電鍍的金屬實(shí)質(zhì)上避免凹洞及其它結(jié)構(gòu)性缺陷，其缺陷會(huì)降低電鍍金屬層所制造集成電路(IC)裝置的品質(zhì)。
雖然本發(fā)明的較佳實(shí)施例于上文中提出，然而本發(fā)明中可做各式的修改；所附的專利權(quán)利要求書涵蓋所有修改項(xiàng)目，而不背離本發(fā)明的精神及范疇。
符號(hào)說明電化學(xué)電鍍(ECP)系統(tǒng)10分流泵(過濾器)30一可調(diào)整的電流源 2 裝有電解質(zhì)的儲(chǔ)存槽34容器 14入口管線 32銅陽極 16出口管線 36陰極 18金屬種晶層19導(dǎo)線 38組合物懸浮層 26分流過濾導(dǎo)管 24濕潤(rùn)層26a
權(quán)利要求
1.一種銅電鍍的電解液，包含電解質(zhì)溶液；以及組合物，包含有機(jī)酸，及非離子聚合物，并混合該有機(jī)酸于該電解質(zhì)溶液內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該有機(jī)酸是檸檬酸或醋酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該非離子聚合物是包括烷氧基化醇，烷氧基化胺或烷氧基化烷酚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該組合物是以濃度重量比百分之五溶于該電解質(zhì)溶液內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該非離子聚合物的分子量是小于1000。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該有機(jī)酸是檸檬酸或醋酸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該有機(jī)酸是以濃度重量比百分之十存在于該組合物內(nèi)；以及該非離子聚合物是以濃度重量比百分之五存在于該組合物內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅電鍍的電解液，其特征在于該有機(jī)酸是檸檬酸或醋酸；以及該非離子聚合物是烷氧基化醇，烷氧基化胺或烷氧基化烷酚。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種銅電鍍的電解液，該電解液中的組合物是有機(jī)混合物，包括有機(jī)酸，及低分子量非離子聚合物。該電解液的使用方法包括在電解質(zhì)溶液內(nèi)懸浮一層此組合物；以及將待電鍍表面通過此組合物懸浮層以確定一濕潤(rùn)層于待電鍍表面上。然后，被電鍍至待電鍍表面上的金屬，其實(shí)質(zhì)上并無凹洞或其它結(jié)構(gòu)性缺陷存在。在電鍍一金屬層，例如銅的材料層至一待電鍍表面時(shí)，可實(shí)質(zhì)上促進(jìn)電化學(xué)電鍍電解液對(duì)該待電鍍表面的濕潤(rùn)性。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1690253SQ20051006399
公開日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者石健學(xué), 蔡明興 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司