專利名稱：垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件(包括高亮度led)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭示垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件(包括功率型高亮度LED)及其批量生產(chǎn)方法，屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
大量的努力被投注于垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，包括GaN基，GaInP基，和GaInPN基半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，及其批量生產(chǎn)方法。垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片具備如下優(yōu)點(1)傳統(tǒng)倒裝焊半導(dǎo)體芯片的所有優(yōu)點，例如優(yōu)良的熱導(dǎo)率，但是沒有傳統(tǒng)倒裝焊工藝的缺點，例如復(fù)雜的工藝，很低的產(chǎn)率，和昂貴的設(shè)備；(2)兩個電極在垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的兩側(cè)，因此電流分布更均勻，電流密度更大，發(fā)光亮度更高，防靜電能力更強(qiáng)。
傳統(tǒng)上，使用激光剝離GaN基LED的藍(lán)寶石生長襯底的技術(shù)，生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片。但是，LED的光電特性取決于外延層的質(zhì)量，而激光剝離工藝過程，化學(xué)剝離工藝過程(例如蝕刻)，和機(jī)械剝離工藝過程(例如研磨)都會影響外延層的質(zhì)量。
在大約1050攝氏度外延生長GaN外延層時，外延層和生長襯底之間的熱漲系數(shù)的不同并不造成應(yīng)力。當(dāng)外延生長結(jié)束，溫度降到約20攝氏度室溫時，溫度差達(dá)到大約1000攝氏度，這時外延層和生長襯底之間的熱漲系數(shù)的不同造成應(yīng)力，該應(yīng)力影響GaN外延層的質(zhì)量。
因此，需要即能夠低成本高產(chǎn)率的批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的高亮度半導(dǎo)體芯片又能夠避免上面提到的缺點的工藝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示垂直結(jié)構(gòu)的高亮度半導(dǎo)體芯片或器件的批量生產(chǎn)方法。雖然本發(fā)明使用功率型高亮度GaN基LED作為具體實施實例，但是同樣的方法可以應(yīng)用于其他半導(dǎo)體芯片或器件。
本發(fā)明的目的和能達(dá)到的各項效果如下(1)本發(fā)明的目的是提供批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的高亮度半導(dǎo)體芯片或器件(包括功率型高亮度LED)的方法。本發(fā)明的批量生產(chǎn)方法是在剝離生長襯底后，再生長包括發(fā)光層在內(nèi)的外延層，因此剝離工藝過程不會影響外延層的質(zhì)量和光電特性。
(2)導(dǎo)電的支持襯底的與反射/歐姆層接觸的表面被蝕刻得具有紋理結(jié)構(gòu)，或者反射/歐姆層的與導(dǎo)電的支持襯底接觸的表面被蝕刻得具有紋理結(jié)構(gòu)。紋理結(jié)構(gòu)最小化熱漲系數(shù)的不同造成應(yīng)力(3)本發(fā)明的一些具體實施實例中，被剝離的生長襯底可以重新使用，因而降低成本。
(4)兩個電極在垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的兩側(cè)，第二電極具有優(yōu)化的圖形使得電流分布更均勻， 電流密度更大，較高的電流密度使光輸出增強(qiáng)，發(fā)光層的材料被更充分的利用，LED的亮度提高，防靜電能力更強(qiáng)。
(5)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片具備傳統(tǒng)倒裝焊半導(dǎo)體芯片的所有優(yōu)點，例如優(yōu)良的熱導(dǎo)率，但是沒有傳統(tǒng)倒裝焊工藝的缺點，例如復(fù)雜的工藝，很低的產(chǎn)率，和昂貴的設(shè)備。
(7)本發(fā)明提供具備優(yōu)化圖形的第二電極，使得垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的光取出效率更高。


圖1a至圖1d是傳統(tǒng)的激光剝離法生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的工藝流程圖。
圖2a至2d是本發(fā)明的生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的工藝流程的實施實例。
圖2d是本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的一個實施實例。
圖3a是本發(fā)明的具有紋理結(jié)構(gòu)的生長襯底和第一類型限制層的表面的頂視圖。
圖3b和圖3c分別是本發(fā)明的具有不同紋理結(jié)構(gòu)的生長襯底和第一類型限制層的截面圖。
圖4a至圖4k是本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的圖形化的第二電極的實施實例的頂視圖。
圖4a和4b是分別具有一個和二個打線焊點的條-環(huán)-圖形的第二電極的頂視圖。
圖4c和4d是分別具有一個和二個打線焊點的格-環(huán)-圖形的第二電極的頂視圖。
圖4e和4f是分別具有一個和二個打線焊點以及多個橫條的的格-環(huán)-圖形的第二電極的頂視圖。
圖4g和4h是分別具有一個和二個打線焊點以及一個橫條的的格-圖形的第二電極的頂視圖。
圖4i和4j是分別具有一個和二個打線焊點以及多個橫條的的格-圖形的第二電極的頂視圖。
圖4k是多環(huán)-叉-圖形的第二電極的頂視圖。
本發(fā)明的新穎性特征是在權(quán)利要求中提出，本發(fā)明和它的特征及效益將在下面的詳細(xì)描述中更好的展示。
具體實施實例和發(fā)明的詳細(xì)描述本發(fā)明進(jìn)一步的目的和效果將會從以下的描述和圖顯現(xiàn)出來。雖然本發(fā)明的具體化實施實例將會在下面被描述，熟練的技術(shù)人員將會認(rèn)識到其他的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其他的第二電極的圖形，和其他的生產(chǎn)工藝能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的原理。因此下列各項描述只是說明本發(fā)明的原理，而不是局限本發(fā)明于下列各項描述。
注意下列各項(1)圖2展示GaN和GaInNP基LED作為本發(fā)明的具體實施實例。但是相同的生產(chǎn)工藝可以應(yīng)用于其他的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件。
(2)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的發(fā)光層的材料包括，但不限于，元素氮，鋁，鎵，磷，銦的二元系，三元系，四元系，和五元系，例如氮化鎵，銦鎵氮，鋁鎵氮，鋁銦鎵氮，銦鎵氮磷(InGaNP)，和鋁銦鎵氮磷(AlInGaNP)；其中銦鎵氮，銦鎵氮磷，和鋁銦鎵氮磷已經(jīng)被應(yīng)用于白光LED。
(3)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的生長襯底的材料包括，但不限于，藍(lán)寶石，氧化鎂，氧化鋅。
(4)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的生長襯底的表面被蝕刻得具有紋理結(jié)構(gòu)，中間媒介層層疊于生長襯底的具有紋理結(jié)構(gòu)的表面上。
(5)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的緩沖層和金屬層的材料包括，但不限于，氮化鋁，鉿，鈧，鋯，釩，鈦，鉻，金，及它們的組合。
(6)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)可以是單量子阱或多量子阱。
(7)本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的具體實施實例的反射/歐姆層的材料包括，但不限于，金，銠，鎳，鉑，和它們的合金，也可以是分布布拉格反射器(DBR)。
(8)層疊導(dǎo)電的支持襯底于所述的第二中間媒介層上的方法包括，但不限于(1)晶片鍵合；(2)電鍍或化學(xué)鍍；(3)真空蒸發(fā)；(4)上述方法的組合。
(9)導(dǎo)電的支持襯底的與反射/歐姆層接觸的表面被蝕刻得具有紋理結(jié)構(gòu)，或者反射/歐姆層的與導(dǎo)電的支持襯底接觸的表面被蝕刻得具有紋理結(jié)構(gòu)。
圖1是傳統(tǒng)的激光剝離法生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件包括GaN基LED的工藝流程圖。犧牲層102生長在生長襯底101和外延層103之間。外延層103包括發(fā)光層。層疊反射/歐姆層104于外延層103上。層疊導(dǎo)電的支持襯底于反射/歐姆層104上。激光照射在犧牲層102使之分解熔化，從而剝離生長襯底101，外延層103暴露，層疊第二電極106于外延層103。
圖2a至2d展示本發(fā)明的批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的工藝流程的具體實施實例作為垂直結(jié)構(gòu)的GaN基LED的生長襯底的材料包括，但不限于，藍(lán)寶石，氧化鎂，氧化鋅晶片。
下面展示本發(fā)明的兩種剝離的方法。
第一種剝離方法利用激光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底201和中間媒介層202。激光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底已經(jīng)是一種較成熟的技術(shù)。例如，歐斯朗(OSRAM)公司已經(jīng)利用激光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底進(jìn)行批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的LED。
第二種剝離方法利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離藍(lán)寶石，氧化鎂或氧化鋅生長襯底201和中間媒介層202。當(dāng)利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離生長襯底和中間媒介層時，必須(1)在層疊中間媒介層之前，機(jī)械研磨/拋光生長襯底，以便生長襯底的厚度的均勻性得以控制；(2)在層疊支持襯底之前，機(jī)械研磨/拋光支持襯底，以便支持襯底的厚度的均勻性得以控制；(3)中間媒介層和第一類型限制層的厚度必須足以補償生長襯底和支持襯底的厚度的不均勻性?，F(xiàn)有的設(shè)備和技術(shù)已經(jīng)可以滿足要求。
中間媒介層202選取何種結(jié)構(gòu)和材料取決于生長襯底201的材料。
圖2a中，為降低生長襯底201和中間媒介層202之間的熱漲系數(shù)的不同所造成的應(yīng)力，在生長襯底201的表面蝕刻出紋理結(jié)構(gòu)(詳見圖3)。其中中間媒介層202包括一或多層緩沖層。緩沖層的材料包括，但不限于，氮化鋁，鉿，鈧，鋯，釩，鈦，鉻，金，及它們的組合。第一類型限制層203外延生長在中間媒介層202上，通常第一類型限制層203是n-類型。為降低第一類型限制層203和反射/歐姆層205之間的熱漲系數(shù)的不同所造成的應(yīng)力，在第一類型限制層203的表面蝕刻出紋理結(jié)構(gòu)204(詳見圖3)。第一類型限制層203也可以是p-類型圖2b中，反射/歐姆層205可由真空蒸發(fā)法層疊在具有紋理結(jié)構(gòu)204的第一類型限制層203上。反射/歐姆層205的材料包括，但不限于，金，銠，鎳，鉑，，和它們的合金。支持襯底206層疊在反射/歐姆層205上。支持襯底206的材料包括，但不限于，銅薄膜和導(dǎo)電硅晶片。層疊的方法包括，但不限于，電鍍，化學(xué)鍍，晶片鍵合，真空蒸發(fā)法，和它們的組合。另外，也可以在支持襯底的與第一類型限制層接觸的表面蝕刻紋理結(jié)構(gòu)。
圖2c中，利用激光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底201。中間媒介層202被選擇性蝕刻剝離。第一類型限制層203暴露。另外，剝離藍(lán)寶石生長襯底201的方法也可以為機(jī)械研磨/拋光。
剝離氧化鎂或氧化鋅生長襯底201和中間媒介層202的方法包括機(jī)械研磨/拋光方法。
圖2d中，包含發(fā)光層208和第二類型限制層209的外延層生長在第一類型限制層203上。第二類型限制層209與第一類型限制層203不同。例如，若第一類型限制層203為n-類型，則第二類型限制層209為p-類型。若第一類型限制層203為p-類型，則第二類型限制層209為n-類型。為得到更好的外延層質(zhì)量，首先在第一類型限制層203上生長一層新的第一類型限制層，然后在其上生長外延層。發(fā)光層208亦可以是多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)。電流擴(kuò)散層210層疊在第二類型限制層209和具有優(yōu)化的圖形的第二電極211之間(圖4展示第二電極的優(yōu)化圖形的具體實施實例)。電流擴(kuò)散層210的材料包括，但不限于，氧化銦錫(ITO)，鎳金。最后，支持襯底206及其上的外延層被切割為垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片。
支持襯底206的全部底面作為第一電極207。
注意因為如下原因，采用以上方法生長的外延層具有優(yōu)良質(zhì)量(1)剝離藍(lán)寶石生長襯底的工藝過程在生長發(fā)光層208之前，因此剝離工藝不影響發(fā)光層質(zhì)量；(2)生長襯底201表面的紋理結(jié)構(gòu)最小化和局部化生長襯底201和中間媒介層之間的應(yīng)力；(3)在第一類型限制層203上生長一層新的第一類型限制層，然后在其上生長發(fā)光層208，以便降低晶格失配造成的缺陷；(4)第一類型限制層203或支持襯底206的表面的紋理結(jié)構(gòu)最小化和局部化第一類型限制層203和支持襯底之間的應(yīng)力。
圖3a展示由蝕刻形成的生長襯底201表面，第一類型限制層203表面，和支持襯底206表面的紋理結(jié)構(gòu)300的頂視圖。表面紋理結(jié)構(gòu)300具有不同的類型平臺類型和井類型。
圖3b展示平臺類型的表面紋理結(jié)構(gòu)300的一個具體實施實例的截面圖。表面紋理結(jié)構(gòu)300包括平臺302a和凹分隔301a，平臺302a具有與半導(dǎo)體芯片相同的尺寸和位置，凹分隔301a具有與行距相同的尺寸和位置，行距是半導(dǎo)體晶片上半導(dǎo)體芯片之間的空間。凹分隔301a的深度為幾個納米到幾個微米。
圖3c展示井類型的表面紋理結(jié)構(gòu)300的一個具體實施實例的截面圖。表面紋理結(jié)構(gòu)300包括井302b和凸分隔301b，井302b具有與半導(dǎo)體芯片相同的尺寸和位置，凸分隔301b具有與行距相同的尺寸和位置，行距是半導(dǎo)體晶片上半導(dǎo)體芯片之間的空間。凸分隔301b的高度為幾個納米到幾個微米。
表面紋理結(jié)構(gòu)300將會局部化和最小化由于生長襯底201和中間媒介層之間以及第一類型限制層和反射/歐姆層之間的熱脹率的不同產(chǎn)生的應(yīng)力。選擇平臺類型或井類型的表面紋理結(jié)構(gòu)取決于兩個接觸表面的熱脹率。
圖4a至4k展示本發(fā)明的圖2中的第二電極的優(yōu)化圖形的具體實施實例。
圖4a展示條-環(huán)-圖形的第二電極的頂視圖。條-環(huán)-圖形第二電極包括打線焊點401在條403的中心。環(huán)402包圍條403。確定兩個條之間的距離以便電流的分布更均勻。
圖4b展示條-環(huán)-圖形的第二電極的頂視圖。兩個打線焊點404在對角。對于功率型高亮度LED，需要多個打線焊點。
圖4c展示格-環(huán)-圖形的第二電極。格具有一個水平條406和一個打線焊點405。環(huán)407包圍格。
圖4d展示圖4c的格-環(huán)-圖形的第二電極，但是具有兩個打線焊點408。
圖4e至圖4f展示格-環(huán)-圖形的第二電極的分別具有一個或兩個打線焊點409和412的具體實施實例。環(huán)411包圍具有多個水平條410的格。
圖4g和圖4h展示格-圖形的第二電極。該第二電極分別具有一個或兩個打線焊點413和415，并具有一個水平條414。水平條414也可以在垂直條的端點。
圖4i和圖4j展示格-圖形的第二電極。該第二電極分別具有一個或兩個打線焊點416或418，并具有多個水平條417。
圖4k展示多環(huán)-叉-圖形的第二電極。多環(huán)420包圍叉421。打線焊點419位于叉421的中心。
注意在圖4a至4k中，(1)確定條，格，和環(huán)之間的距離以便電流的分布更均勻，條，格，和環(huán)的尺寸的確定應(yīng)當(dāng)使得條，格，和環(huán)即可承受大電流又不會遮擋額外的光。(2)每一個第二電極即可層疊在外延層上也可層疊在電流擴(kuò)散層上。(3)每一個第二電極即可以有一個打線焊點，也可以有多個打線焊點。(4)第二電極使得電流更均勻地分布在整個半導(dǎo)體芯片，因此更有效的利用發(fā)光層的材料，電流密度更高，因此半導(dǎo)體芯片的亮度更高。
雖然上面包含許多具體的描述，但是這些描述并沒有限制本發(fā)明的范圍，而只是提供一些本發(fā)明的具體化的例證。因此本發(fā)明的涵蓋范圍應(yīng)該由權(quán)力要求和它們的合法等同物決定，而不是由上述具體化的詳細(xì)描述和實施實例決定。
權(quán)利要求
1.一種批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的方法包括下述工藝步驟-提供一個生長襯底；-層疊第一類型限制層于所述的生長襯底上；-層疊導(dǎo)電的支持襯底于所述的第一類型限制層上，因此形成鍵合晶片；所述的導(dǎo)電的支持襯底的暴露的一面作為第一電極；-從鍵合晶片上剝離所述的生長襯底，使得第一類型限制層暴露；-外延生長發(fā)光層和第二類型限制層于所述的暴露的第一類型限制層上；-層疊具有優(yōu)化圖形的第二電極于所述的第二類型限制層上，所述的第二電極具有至少一個打線焊點。
2.權(quán)利要求1的批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的方法，進(jìn)一步包括工藝步驟(1)層疊中間媒介層在所述的生長襯底上，生長所述的第一類型限制層在所述的中間媒介層上；(2)從鍵合晶片上剝離所述的生長襯底后，剝離所述的中間媒介層，使得所述的第一類型限制層暴露；其中，剝離所述的中間媒介層的方法包括，但不限于(1)蝕刻；(2)機(jī)械研磨/拋光；(3)上述剝離方法的組合；其中，所述的中間媒介層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于(甲)緩沖層，該緩沖層包括，但不限于氮化鋁；(乙)一層或多層金屬層，該金屬層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于，鉿，鈧，鋯，釩，鈦，鉻，金，；(丙)所述的緩沖層和金屬層的組合。
3.權(quán)利要求2的批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的方法，其中，所述的生長襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于，藍(lán)寶石，氧化鎂，氧化鋅；其中，所述的剝離生長襯底的方法包括，但不限于(1)利用激光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底；(2)利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離藍(lán)寶石生長襯底；(3)利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離氧化鎂生長襯底；(4)利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離氧化鋅生長襯底。
4.權(quán)利要求1的批量生產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件的方法，進(jìn)一步包括工藝步驟(1)在層疊所述的導(dǎo)電的支持襯底的工藝步驟之前，層疊反射/歐姆層在所述的第一類型限制層上；然后層疊所述的導(dǎo)電的支持襯底于反射/歐姆層上；其中，層疊導(dǎo)電的支持襯底于所述的反射/歐姆層上的方法包括，但不限于(1)晶片鍵合；(2)電鍍或化學(xué)鍍；(3)真空蒸發(fā)；(4)上述方法的組合。
5.垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件包括-導(dǎo)電的支持襯底，該襯底的一面是第一電極；-第一類型限制層，該層層疊在所述的支持襯底的另一面上；其中，所述的第一類型限制層是n-類型限制層和p-類型限制層之一；-發(fā)光層，該層生長在所述的第一類型限制層上；-第二類型限制層，該層生長在所述的發(fā)光層上；其中，所述的第二類型限制層與第一類型限制層不同；-具有優(yōu)化圖形的第二電極層疊在所述的第二類型限制層上，其中，所述的優(yōu)化圖形的第二電極包括至少一個打線焊點。
6.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中，所述的支持襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于銅，導(dǎo)電硅，和導(dǎo)電碳化硅。
7.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中，所述的支持襯底的與所述的第一類型限制層接觸的表面具有紋理結(jié)構(gòu)。
8.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中，所述的第一類型限制層的與所述的支持襯底接觸的表面具有紋理結(jié)構(gòu)。
9.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中，所述的發(fā)光層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于，元素氮，鋁，鎵，磷，銦的二元系，三元系，四元系，和五元系，例如氮化鎵，銦鎵氮，鋁鎵氮，鋁銦鎵氮，銦鎵氮磷(InGaNP)，和鋁銦鎵氮磷(AlInGaNP)；其中銦鎵氮，銦鎵氮磷，和鋁銦鎵氮磷已經(jīng)被應(yīng)用于白光LED。
10.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中，所述的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)包括，但不限于，單量子阱，多量子阱。
11.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，進(jìn)一步包括反射/歐姆層，所述的反射/歐姆層層疊在所述的第一類型限制層和所述的支持襯底之間；其中，所述的反射/歐姆層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于，金，銠，鈦，鎳，鉑，和它們的合金，也可以是分布布拉格反射器(DBR)。
12.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，其中所述的第二電極的優(yōu)化圖形的從一組圖形中選出，該組圖形包括，但不限于條-環(huán)-圖形，格-環(huán)-圖形，格-圖形，和多環(huán)-叉-圖形；所述的第二電極的圖形具有一個或多個打線焊點。
13.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片或器件，進(jìn)一步包括電流擴(kuò)散層；其中所述的電流擴(kuò)散層層疊在所述的第二電極和所述的第二類型限制層之間；其中所述的電流擴(kuò)散層的材料包括，但不限于，氧化銦錫(ITO)，鎳金。
全文摘要
本發(fā)明展示垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片(包括GaN基和GaInPN基LEDs)及其批量生產(chǎn)的方法。批量生產(chǎn)方法包括下述工藝步驟外延生長中間媒介層于生長襯底上，外延生長第一類型限制層于中間媒介層上，層疊反射/歐姆層于第一類型限制層上，層疊導(dǎo)電的支持襯底于反射/歐姆層上，剝離生長襯底(藍(lán)寶石生長襯底可以利用激光或者機(jī)械研磨/拋光方法剝離，氧化鎂或氧化鋅生長襯底可以利用機(jī)械研磨/拋光方法剝離)，第一類型限制層暴露，外延生長發(fā)光層和第二類型限制層于暴露的第一類型限制層上，層疊第二電極于第二類型限制層上。
文檔編號H01L27/15GK1674312SQ200510053960
公開日2005年9月28日 申請日期2005年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月15日
發(fā)明者彭暉, 彭一芳 申請人:金芃