專利名稱：半導體激光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體激光裝置。
背景技術：
近年來隨著個人計算機和多媒體儀器的高性能化，作為處理對象的信息量顯著增加。隨著信息量的增加，正在進行開發(fā)應對大容量化和信息處理的高速化的光學記錄媒體及其驅動裝置。
特別是對于光學記錄媒體，在可以讀寫的CD-R(可寫光盤)驅動器、MO(磁光)驅動器、DVD(數字多功能光盤)驅動器等的光學記錄媒體驅動裝置中，使用半導體激光裝置。
例如在特開2001-230502號公報中公開的發(fā)光裝置中，在支撐半導體激光元件的支撐體上設置具有導電性的多個管腳。這些多個管腳通過導線被分別連接在各半導體激光元件的n側電極和p側電極上。這樣，在各半導體激光元件的n側電極和p側電極之間施加電壓時，在各半導體激光元件內形成的活性層中流入電流，通過空穴和電子的再結合進行發(fā)光。
可是在上述發(fā)光裝置中，由于射出紅色光的紅色半導體激光元件的n側電極和射出紅外光的紅外半導體激光元件的n側電極為共同的，紅色半導體激光元件的p側電極和射出藍紫色光的藍紫色半導體激光元件的n側電極為共用的，所以難以在紅色半導體激光元件、紅外半導體激光元件和藍紫色半導體激光元件的各個電極獨立地任意施加電壓。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供具有多個半導體激光元件，而且可以單獨在多個半導體激光元件的電極上施加電壓的半導體激光裝置。
按本發(fā)明的一個方面的半導體激光裝置具有導電性的框體、設在框體上的導電性底座、設在框體上而且與框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在框體上而且與底座進行電連接的第四端子、設在底座上而且分別有一個電極的第一、第二和第三的半導體激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿與第一方向交叉的第二方向配置，第一、第二和第三半導體激光元件中第一半導體激光元件的一個電極比第二和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第一端子，第二半導體激光元件的一個電極比第一和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第二端子，第三半導體激光元件的一個電極的至少一部分在第一方向上配置成位于第一半導體激光元件的一個電極和第二半導體激光元件的一個電極之間，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第三端子和第三半導體激光元件的一個電極用第三導線連接，第三半導體激光元件還具有與底座進行電連接的另一電極。
在此半導體激光裝置中，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第三端子和第三半導體激光元件的一個電極用第三導線連接，由此可以使第一半導體激光元件、第二半導體激光元件和第三半導體激光元件分別獨立驅動。
此外由于第一半導體激光元件的一個電極位于比第二和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第一端子附近，所以可以簡單而且容易地把第一半導體激光元件的一個電極和第一端子用第一導線連接。由于第二半導體激光元件的一個電極位于比第一和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第二端子附近，所以可以簡單而且容易地把第二半導體激光元件的一個電極和第二端子用第二導線連接。由于第三半導體激光元件的一個電極至少一部分在第一方向上位于第一半導體激光元件的一個電極和第二半導體激光元件的一個電極之間，所以可以簡單而且容易地把第三半導體激光元件的一個電極和第三端子用第三導線連接。
優(yōu)選把第一半導體激光元件和第二半導體激光元件設置在第三半導體激光元件上。這種情況下，可以使第一、第二和第三半導體激光元件的各個激光間隔變窄。
第三半導體激光元件具有在第三半導體激光元件的一個電極側形成的隆起部分和在隆起部分側面形成的絕緣膜，隆起部分也可以設置在第一半導體激光元件和第二半導體激光元件之間。這種情況下，可以簡單而且容易地把第三半導體激光元件的一個電極和第三端子用第三導線連接。
優(yōu)選第一導線和第一半導體激光元件的一個電極的第一連接位置、第三導線和第三半導體激光元件的一個電極的第三連接位置、和第二導線和第二半導體激光元件的一個電極的第二連接位置在第一方向上從第一端子一側到第二端子一側順序配置。這樣可以防止第一、第二和第三導線的交叉。
第三連接位置也可以被設定在比第一和第二連接位置中的至少一個連接位置更靠向與第一、第二和第三半導體激光元件射出激光一側相反的一側。這樣，由于第三導線的電感成分變小，所以可以高速驅動第三半導體激光元件。
第一、第二和第三端子沿與第一方向和第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一側射出主要激光，第一和第二半導體激光元件分別還有另一電極，在比第一連接位置更靠向第一半導體激光元件射出激光一側的位置上，第一半導體激光元件的另一電極可以用第四導線與底座進行電連接。這種情況下，可以用第四導線把第一半導體激光元件的另一電極和第三半導體激光元件的另一電極共同連接在底座上。
在比第二連接位置更靠向第二半導體激光元件射出激光一側的位置上，第二半導體激光元件的另一電極可以用第五導線與底座進行電連接。這種情況下，可以用第五導線把第二半導體激光元件的另一電極和第三半導體激光元件的另一電極共同連接在底座上。
按本發(fā)明的另一個方面的半導體激光裝置具有導電性的框體、設在框體上的導電性底座、設在框體上而且與框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在框體上而且與底座進行電連接的第四端子、設在底座上而且分別有一個電極的第一、第二和第三的半導體激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿與第一方向交叉的第二方向配置，第一、第二和第三半導體激光元件中，第一半導體激光元件的一個電極比第二和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第一端子，第二半導體激光元件的一個電極比第一和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第二端子，在第三半導體激光元件的一個電極和底座之間還設有副底座，在副底座上以從第三半導體激光元件突出的方式形成第三半導體激光元件的一個電極，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第三端子和第三半導體激光元件的一個電極在副底座上用第三導線連接，第三半導體激光元件還具有與底座進行電連接的另一電極。
在此半導體激光裝置中，通過第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第三端子和第三半導體激光元件的一個電極用第三導線連接，第一半導體激光元件、第二半導體激光元件和第三半導體激光元件分別可以單獨驅動。
此外由于第一半導體激光元件的一個電極比第二和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第一端子，所以可以用第一導線簡單而且容易地連接第一半導體激光元件的一個電極和第一端子。由于第二半導體激光元件的一個電極比第一和第三半導體激光元件的一個電極更靠近第二端子，所以可以用第二導線簡單而且容易地連接第二半導體激光元件的一個電極和第二端了。由于第三半導體激光元件的一個電極在副底座上以從第三半導體激光元件突出的方式形成，所以可以在副底座上用第三導線簡單而且容易地連接第三半導體激光元件的一個電極和第三端子。
優(yōu)選至少一部分第三半導體激光元件的一個電極比第一和第二半導體激光元件的一個電極更靠近第三端子。這樣可以用第三導線簡單而且容易地連接第三半導體激光元件的一個電極和第三端子。
第一半導體激光元件和第二半導體激光元件優(yōu)選設在第三半導體激光元件上。這種情況下，可以分別使第一、第二和第三半導體激光元件的各個激光間隔變窄。
優(yōu)選第一導線和第一半導體激光元件的一個電極的第一連接位置、第三導線和第三半導體激光元件的一個電極的第三連接位置、和第二導線和第二半導體激光元件的一個電極的第二連接位置在第一方向上從第一端子一側到第二端子一側順序配置。這樣可以防止第一、第二和第三導線的交叉。
第三連接位置被設定在比第一和第二連接位置中的至少一個連接位置更靠向與第一、第二和第三半導體激光元件射出激光一側相反的一側。這樣由于第三導線的電感成分變小，所以可以高速驅動第三半導體激光元件。
第一、第二和第三端子沿與第一方向和第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一側射出主要激光，第一和第二半導體激光元件分別還有另一電極，第一、第二和第三半導體激光元件的另一電極相互進行電連接，在比第一連接位置更靠向第一半導體激光元件射出激光一側的位置上，第三半導體激光元件的另一電極可以用第四導線與底座進行電連接。
這種情況下，由于第一、第二和第三半導體激光元件的另一電極相互進行電連接，所以可以用第四導線把第一、第二和第三半導體激光元件的另一電極共同連接在底座上。
按本發(fā)明的另一個方面的半導體激光裝置具有導電性的框體、設在框體上的導電性底座、設在框體上而且與框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在框體上而且與底座進行電連接的第四端子、設在底座上而且分別有一個電極的第一、第二和第三的半導體激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿與第一方向交叉的第二方向配置，第一半導體激光元件發(fā)光部分、第三半導體激光元件發(fā)光部分和第二半導體激光元件發(fā)光部分在第一方向上從第一端子一側到第二端子一側順序配置，第三半導體激光元件的一個電極在第一方向上延伸到比第二端子一側的第二半導體激光側面更靠近第二端子的位置，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第三半導體激光元件的一個電極用第三導線連接，第三端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第三半導體激光元件射出波長比第一和第二半導體激光元件短的激光，同時還具有與底座進行電連接的另一電極。
在此半導體激光裝置中，射出波長比第一和第二半導體激光元件短的激光的第三半導體激光元件發(fā)光部分被設置在第一方向上的第一半導體激光元件發(fā)光部分和第二半導體激光元件發(fā)光部分之間，由此，第三半導體激光元件位于框體的中央部位。這樣例如用透鏡聚光激光的情況下，可以提高第三半導體激光元件發(fā)光部分產生的光的利用效率。
此外第三半導體激光元件的一個電極在第一方向上延伸到比第二端子一側的第二半導體激光側面更靠近第二端子的位置，由此，可以縮短對射出波長比第一和第二半導體激光元件短的激光的第三半導體激光元件的一個電極和第二端子連接的第三導線長度。這樣由于第三導線的電感成分變小，所以可以高速驅動第三半導體激光元件。
此外可以簡單而且容易地把第一半導體激光元件的一個電極和第一端子用第一導線連接，可以簡單而且容易地把第三半導體激光元件的一個電極和第二端子用第三導線連接，可以簡單而且容易地把第二半導體激光元件的一個電極和第三端子用第二導線連接。
第一、第二和第三端子沿與第一方向和第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一側射出主要激光，第一和第一半導體激光元件分別還有另一電極，在比第一導線和第一半導體激光元件的一個電極的第一連接位置更靠向第一半導體激光元件的射出激光一側的位置上，第一半導體激光元件的另一電極可以用第四導線與底座進行電連接。
這種情況下，可以用第四導線把第一半導體激光元件的另一電極和第三半導體激光元件的另一電極共同連接在底座上。
在比第二導線和第二半導體激光元件的另一電極的第二連接位置更靠向第二半導體激光元件的射出激光一側的位置上，第二半導體激光元件的另一電極可以用第五導線與底座進行電連接。
這種情況下，可以用第五導線把第二半導體激光元件的另一電極和第三半導體激光元件的另一電極共同連接在底座上。
第二連接位置也可以被設定成比第一連接位置和第三導線和第三半導體激光元件的一個電極的第三連接位置中的至少一個連接位置更靠向與第一、第二和第三半導體激光元件的射出激光一側相反的一側。這樣由于第三導線的電感成分變小，所以可以高速驅動第三半導體激光元件。
優(yōu)選在第二方向上看第一、第二和第三半導體激光元件的情況下，第一、第二、第三和第四導線分別不交叉。這樣電極、端子和底座的配線簡單而且容易。
第三半導體激光元件可以含有由氮化物構成的活性層。這種情況下，可以從第三半導體激光元件的活性層射出藍紫色光。
第三端子的長度比第一和第二端子的長度短，第一、第二和第三端子沿與第一方向和第二方向交叉的第三方向，從一方一側延伸到另一方一側，第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一方一側射出主要激光，第一、第二和第三半導體激光元件在第一方向配置在第一端子和第二端子之間，第三端子的長度可以被設置成在第三方向與第一、第二和第三半導體激光元件的射出激光一側相反一側的端面不重合。這樣可以容易地把第一、第二和第三半導體激光元件容易地安裝在底座上，而不影響第三端子。
按本發(fā)明的另一個方面的半導體激光裝置具有導電性的框體、設在框體上的導電性底座、設在框體上而且與框體絕緣的第一、第二端子、設在底座上而且分別有一個電極和另一電極的第一和第二半導體激光元件，第一半導體激光元件被設置在第二半導體激光元件上，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，第一和第二半導體激光元件中的至少一方的另一電極用底座一側的導線與底座一側進行電連接。
在此半導體激光裝置中，第一端子和第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，第二端子和第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，由此，第一半導體激光元件和第二半導體激光元件分別可以單獨驅動。
優(yōu)選第一半導體激光元件被設置在第二半導體激光元件上，比第二端子更靠近第一端子的位置。這種情況下，可以簡單而且容易第連接第一半導體激光元件的一個電極和第一端子，同時可以防止第一導線和第二導線相互交叉。
第二半導體激光元件可以含有由氮化物構成的活性層。這種情況下，可以從第二半導體激光元件的活性層射出藍紫色光。
在比第一導線和第一半導體激光元件的一個電極的第一連接位置或第二導線和第二半導體激光元件的一個電極的第二連接位置更靠向第一半導體激光元件的射出激光一側的位置上，第一和第二半導體激光元件中的至少一個的另一電極可以用底座一側的導線與底座進行電連接。這種情況下，可以防止底座一側的導線分別與第一導線和第二導線交叉。
采用第一～第三發(fā)明的話，第一半導體激光元件、第二半導體激光元件、第三半導體激光元件分別可以單獨驅動，同時可以簡單而且容易地用導線連接第一～第三半導體激光元件的各一個電極和各端子。
此外采用第四發(fā)明的話，第一半導體激光元件和第二半導體激光元件分別可以單獨驅動，同時可以簡單而且容易地用導線連接第一和第二半導體激光元件的各一個電極和各端子。
圖1為示意性表示第一實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
圖2(a)為示意表示把圖1的半導體激光裝置組裝到底座上時的截面圖。
圖2(b)為把圖1的半導體激光裝置組裝到底座上時的俯視圖。
圖3為示意性表示第二實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
圖4(a)為示意表示把圖3的半導體激光裝置組裝到底座上時的截面圖。
圖4(b)為把圖3的半導體激光裝置組裝到底座上時的俯視圖。
圖5為示意性表示第三實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
圖6(a)為示意表示把圖5的半導體激光裝置組裝到底座上時的截面圖。
圖6(b)為把圖5的半導體激光裝置組裝到底座上時的俯視圖。
圖7為示意性表示第四實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
圖8(a)為示意性表示把圖7的半導體激光裝置組裝到底座上時的截面圖。
圖8(b)為把圖7的半導體激光裝置組裝到底座上時的俯視圖。
圖9為示意性表示第五實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本實施方式的半導體激光裝置進行說明。
(第一實施方式)圖1為示意性表示第一實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
本實施方式的半導體激光裝置100具有射出波長約650nm激光的半導體激光元件(下面稱為紅色半導體激光元件)1、射出波長約780nm激光的半導體激光元件(下面稱為紅外半導體激光元件)2、和射出波長約400nm激光的半導體激光元件(下面稱為藍紫色半導體激光元件)3。藍紫色半導體激光元件3含有由氮化物系半導體構成的活性層(圖中沒有表示)。
在本實施方式中，利用在GaN基板上形成半導體層制作藍紫色半導體激光元件3。利用在GaAs基板上形成半導體層制作紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2。
如圖1所示，藍紫色半導體激光元件3在上面一側具有帶條狀的隆起部分Ri。在藍紫色半導體激光元件3的隆起部分Ri兩側形成絕緣膜4，形成p電極32以覆蓋隆起部分Ri的上面，在下面形成n電極35。在藍紫色半導體激光元件3上形成p型半導體和n型半導體的接合面的pn接合面30。
在紅色半導體激光元件1的上面形成n電極13，在下面形成p電極12。在紅色半導體激光元件1上形成p型半導體和n型半導體接合面的pn接合面10。
在紅外半導體激光元件2的上面形成n電極23，在下面形成p電極22。在紅外半導體激光元件2上形成p型半導體和n型半導體接合面的pn接合面20。
在藍紫色半導體激光元件3的絕緣膜4上以與p電極32分開的方式形成襯墊電極(pad electrode)12a、22a。
在p型襯墊電極12a、22a的上面分別形成焊錫膜H。紅色半導體激光元件1的p電極12通過焊錫膜H接合在p型襯墊電極12a上。此外，紅外半導體激光元件2的p電極22通過焊錫膜H接合在p型襯墊電極22a上。
這樣，紅色半導體激光元件1的p電極12與p型襯墊電極12a進行電連接，紅外半導體激光元件2的p電極22與p型襯墊電極22a進行電連接。
在圖1中，把箭頭X、Y、Z所示的相互垂直的3個方向定為X方向、Y方向、Z方向。X方向和Y方向為平行于藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的pn接合面30、10、20的方向。Z方向為垂直于藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的pn接合面30、10、20的方向。
紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3配置成沿X方向向一方側射出主要激光。
通過在藍紫色半導體激光元件3的p電極32和n電極35之間施加電壓，從pn接合面30上的隆起部分Ri的下方區(qū)域(下面稱為藍紫色發(fā)光點)31在X方向上射出波長約400nm的激光。
通過在紅色半導體激光元件1的p電極12和n電極13之間施加電壓，從pn接合面10上的預定區(qū)域(下面稱為紅色發(fā)光點)11在X方向上射出波長約650nm的激光。
通過在紅外半導體激光元件2的p電極22和n電極23之間施加電壓，從pn接合面20上的預定區(qū)域(下面稱為紅外發(fā)光點)21在X方向上射出波長約780nm的激光。
圖2(a)為示意表示把圖1的半導體激光裝置100組裝到底座上時的截面圖，圖2(b)為把圖1的半導體激光裝置100組裝到底座上時的俯視圖。
在把圖1的半導體激光裝置100用于光拾取器的情況下，如圖2(a)所示，把半導體激光裝置100裝在由Cu、CuW或Al等的金屬構成的導電性底座500上。然后用導線3W、1Wa、1Wb、2Wa、2Wb進行p電極32、12a、22a和n電極13、23的配線。
在這種情況下，n電極35被接合在底座500的上面。這樣n電極35和底座500進行電的連接。
紅色半導體激光元件1的n電極13用導線1Wb與底座500的上面進行電的連接。紅外半導體激光元件2的n電極23用導線2Wb與底座500進行電的連接。
這樣底座500為藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的共用的n電極，可以實現共用陰極的連線。
安裝有半導體激光裝置100的底座500被設置在導電性的管座501上。
在管座501上設置第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P。此外第三端子3P的長度比第一端子1P和第二端了2P的長度短。
第一端子1P用絕緣環(huán)1I與管座501絕緣，第二端子2P用絕緣環(huán)2I與管座501絕緣，第三端子3P用絕緣環(huán)3I與管座501絕緣。第四端子4P設在底座500內，與底座500實現電導通。
第一端子1P和第二端子2P沿Y方向配置，第三端子3P和第四端子4P沿與Y方向交叉的Z方向配置。此外第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P沿X方向從一方側延伸到另一方側。
紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3在Y方向上被配置在第一端子1P和第二端子2P之間。
第三端子3P的長度被設定成在X方向上與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3射出主要激光的端面的射出一側端面相反一側的端面不重合。
其中所謂射出主要激光的端面是指與相反一側的端面相比，射出光光量多的一方的端面(下面稱為射出一側端面)。
對p型襯墊電極12a、p型襯墊電極22a和藍紫色半導體激光元件3的p電極32、第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P的位置關系進行說明。
p型襯墊電極12a比p型襯墊電極22a和藍紫色半導體激光元件3的p電極32更靠近第一端子1P，p型襯墊電極22a比p型襯墊電極12a和藍紫色半導體激光元件3的p電極32更靠近第二端子2P，以藍紫色半導體激光元件3的p電極32在Y方向上位于p型襯墊電極12a和p型襯墊電極22a之間的方式，分別配置紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3。
如圖2(b)所示，這樣可以簡單而且容易地用導線1Wa連接第一端子1P和p型襯墊電極12a，可以簡單而且容易地用導線2Wa連接第二端子2P和p型襯墊電極22a，可以簡單而且容易地用導線3W連接第三端子3P和藍紫色半導體激光元件3的p電極32。
此外在Z方向上看紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的情況下，導線1Wa、2Wa、3W、1Wb、2Wb相互不交叉。
如上所述，在本實施方式中通過底座500和導線3W之間施加電壓，可以驅動藍紫色半導體激光元件3，通過在底座500和導線1Wa之間施加電壓，可以驅動紅色半導體激光元件1，通過在底座500和導線2Wa之間施加電壓，可以驅動紅外半導體激光元件2。
這樣藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2可以分別單獨驅動。
通過把射出波長比紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2短的激光的藍紫色半導體激光元件3的藍紫色發(fā)光點31在Y方向上設置在紅色半導體激光元件1的發(fā)光點11和紅外半導體激光元件2的發(fā)光點21之間，在用于光拾取器等的光學裝置上的情況下，容易把藍紫色半導體激光元件3定位在透鏡中央。
其結果使在透鏡周邊部位的像差影響減小，而且可以提高藍紫色半導體激光元件3的光的利用效率。
此外優(yōu)選導線1Wa和紅色半導體激光元件1的p型襯墊電極12a的連接位置、導線3W和藍紫色半導體激光元件3的p電極32的連接位置和導線2Wa和紅外半導體激光元件2的p型襯墊電極22a的連接位置在Y方向上配置成從第一端子1P到第二端子2P順序排列。這樣可以防止導線1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的長度比第一端子1P和第二端子2P的長度短，紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之間。第三端子3p的長度被設置成在X方向與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的射出激光一側端面相反一側的端面不重合，由此可以簡單而且容易地連接藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第三端子3P。
進而，藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第三端子3P的連接位置優(yōu)選被設定成比紅色半導體激光元件1的p電極12a和第一端子1P的連接位置以及紅外半導體激光元件2的p電極22a和第二端子2P的連接位置中的至少一個位置更靠向與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3射出激光一側相反一側。這樣可以使導線3W變短，由于導線3W的電感成分變小，所以可以高速驅動藍紫色半導體激光元件3。
再有如圖2(a)所示，第一端子1P、第二端了2P、第三端子3P和第四端子4P優(yōu)選在管座501上設置成大體成同心園形狀。這樣可以防止連接各半導體激光元件和各端子的各導線交叉。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的設置位置也可以相反。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2也可以具有集成(モノシリツク)結構。
在藍紫色半導體激光元件3和底座500之間也可以設置由碳化硅或氮化鋁構成的副底座。這種情況下，可以實現藍紫色半導體激光元件3的散熱。
(第二實施方式)圖3為示意表示第二實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。圖4(a)為示意表示把圖3的半導體激光裝置組裝到底座上時的截面圖，圖4(b)為把圖3的半導體激光裝置組裝到底座上時的俯視圖。
本實施方式的半導體激光裝置200與第一實施方式的半導體激光裝置100的不同點如下。
如圖3所示，在本實施方式的半導體激光裝置200中，藍紫色半導體激光元件3的p電極32在Y方向上延伸到比第二端子2P一側的紅外半導體激光元件2側面更靠近第二端子2P的位置。
在p電極32上通過絕緣膜4b形成p型襯墊電極22a，在此p型襯墊電極22a通過焊錫膜H形成紅外半導體激光元件2。
此外如圖4(a)、(b)所示，紅外半導體激光元件2的p型襯墊電極22a和第三端子3P用導線2Wa連接，藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第二端子2P用導線3W連接。
如上所述，在本實施方式中，通過在底座500和導線3W之間施加電壓，可以驅動藍紫色半導體激光元件3，通過在底座500和導線1Wa之間施加電壓，可以驅動紅色半導體激光元件1，通過在底座500和導線2Wa之間施加電壓，可以驅動紅外半導體激光元件2。
這樣可以分別獨立驅動藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2。
此外把射出波長比紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2短的激光的藍紫色半導體激光元件3的藍紫色發(fā)光點31設置在Y方向上紅色半導體激光元件1的發(fā)光點11和紅外半導體激光元件2的發(fā)光點21之間，在用于光拾取器等的光學裝置上的情況下，容易把藍紫色半導體激光元件3確定在位于透鏡中央。
其結果使在透鏡周邊部位的像差影響減小，而且可以提高藍紫色半導體激光元件3的光的利用效率。
通過藍紫色半導體激光元件3的p電極32在Y方向上延伸到比第二端子2P一側的紅外半導體激光元件2側面更靠近第二端子2P的位置，可以縮短連接藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第二端子2P的導線3W的長度，該藍紫色半導體激光元件射出波長比紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2短的激光。這樣，由于導線3W的電感成分變小，所以可以高速驅動藍紫色半導體激光元件3。
此外可以簡單而且容易地把紅色半導體激光元件1的p型襯墊電極12a和第一端子1P用導線1Wa連接，可以簡單而且容易地把藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第二端子2P用導線3W連接，可以簡單而且容易地把紅外半導體激光元件2的p型襯墊電極22a和第三端子3P用導線2Wa連接。
紅外半導體激光元件2的p襯墊電極22a和第三端子3P的連接位置優(yōu)選設定成比紅色半導體激光元件1的p型電極12a和第一端子1P的連接位置以及藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第二端子2P的連接位置中的至少一個連接位置更靠近與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3射出激光一側相反一側。這樣可以防止導線1Wa、2Wa、3W交叉。
也可以把紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的設置位置設定成以第三端子3P的長度方向為中心左右對稱。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2也可以具有集成結構。
在藍紫色半導體激光元件3和底座500之間也可以設置由碳化硅或氮化鋁構成的副底座。這種情況下，可以實現藍紫色半導體激光元件3的散熱。
在上述的第一和第二實施方式中，導線1Wa相當于第一導線，導線2Wa相當于第二導線，導線3W相當于第三導線，導線1Wb相當于第四導線，導線2Wb相當于第五導線。再加上在上述第一和第二實施方式中，導線1Wb、2Wb相當于底座一側的導線。
此外在上述的第一和第二實施方式中，Y方向相當于第一方向，Z方向相當于第二方向，X方向相當于第三方向，管座501相當于框體，紅色半導體激光元件1相當于第一半導體激光元件，紅外半導體激光元件2相當于第二半導體激光元件，藍紫色半導體激光元件3相當于第三半導體激光元件。
此外在上述的第一和第二實施方式中，p型襯墊電極12a相當于第一半導體激光元件的一個電極，p型襯墊電極22a相當于第二半導體激光元件的一個電極，p電極32相當于第三半導體激光元件的一個電極，n電極13相當于第一半導體激光元件的另一電極，n電極23相當于第二半導體激光元件的另一電極，n電極35相當于第三半導體激光元件的另一電極。
(第三實施方式)圖5為示意表示第三實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
如圖5所示，本實施方式的半導體激光裝置300與第一實施方式的半導體激光裝置100的不同點是不設置紅外半導體激光元件2、焊錫膜H(但是除紅色半導體激光元件1的焊錫膜以外)和p型襯墊電極22a。
圖6(a)為示意表示把圖5的半導體激光裝置300組裝到底座上時的截面圖，圖6(b)為把圖5的半導體激光裝置300組裝到底座上時的俯視圖。
圖6(a)、(b)所示，把本實施方式的半導體激光裝置300組裝到底座500上制作的光拾取器裝置與把第一實施方式的半導體激光裝置100組裝到底座500上制作的光拾取器裝置的不同點如下。
在管座501上與光電二極管50進行電連接。此光電二極管50和第三端子3P用導線4W連接。此外藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第二端子2P用導線3W連接。
在此對p型襯墊電極12a和藍紫色半導體激光元件3的p電極32、第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P的位置關系進行說明。
以p型襯墊電極12a比藍紫色半導體激光元件3的p電極32更靠近第一端子1P、藍紫色半導體激光元件3的p電極32比p型襯墊電極12a更靠近第二端子2P的方式，分別配置紅色半導體激光元件1和藍紫色半導體激光元件3。
這樣，第一端子1P和p型襯墊電極12a用1Wa可以簡單而且容易地進行連接，第二端子2P和藍紫色半導體激光元件3的p電極32用3W可以簡單而且容易地進行連接。
這樣在Z方向上看紅色半導體激光元件1和藍紫色半導體激光元件3的情況下，導線1Wa、3W、1Wb、4W各自相互不交叉。
如上所述，在本實施方式中通過在底座500和導線3W之間施加電壓，可以驅動藍紫色半導體激光元件3，通過在底座500和導線1Wa之間施加電壓，可以驅動紅色半導體激光元件1。這樣可以分別單獨驅動藍紫色半導體激光元件3和紅色半導體激光元件1。
此外導線1Wa和紅色半導體激光元件1的p型襯墊電極12a的連接位置以及導線3W和藍紫色半導體激光元件3的p電極32的連接位置優(yōu)選配置成在Y方向上從第一端子1P一側到第二端子2P一側順序排列。這樣可以防止導線1Wa、3W交叉。
如圖6所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P優(yōu)選在管座501上被設置成大體成同心園形。這樣可以防止連接各半導體激光元件和各端子的各導線交叉。
在藍紫色半導體激光元件3和底座500之間也可以設置由碳化硅或氮化鋁構成的副底座。這種情況下，可以實現藍紫色半導體激光元件3的散熱。
也可以設置紅外半導體激光元件來替代紅色半導體激光元件1。
在上述第三實施方式中，導線1Wa相當于第一導線，導線3W相當于第二導線，導線1Wb相當于底座一側的導線，Y方向相當于第一方向，Z方向相當于第二方向，X方向相當于第三方向，管座501相當于框體，紅色半導體激光元件1相當于第一半導體激光元件，藍紫色半導體激光元件3相當于第二半導體激光元件。
此外在上述的第一和第三實施方式中，p型襯墊電極12a相當于第一半導體激光元件的一個電極，p電極32相當于第二半導體激光元件的一個電極，n電極13相當于第一半導體激光元件的另一電極，n電極35相當于第二半導體激光元件的另一電極。
(第四實施方式)圖7為示意表示第四實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
如圖7所示，本實施方式的半導體激光裝置400與第一實施方式的半導體激光裝置100的不同點如下。
形成p電極32，覆蓋在隆起部分Ri上面和在隆起部分Ri的兩側形成的各絕緣膜4。因此在本實施方式中不設置p型襯墊電極12a、22a。
然后，在此p電極32上的兩側通過焊錫膜H分別形成紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2。
這樣在本實施方式的半導體激光裝置400中，紅色半導體激光元件1的p電極12、紅外半導體激光元件2的p電極22和藍紫色半導體激光元件3的p電極32進行電連接。
此外，在上述藍紫色半導體激光元件3和底座500之間設置副底座60。
其中，在藍紫色半導體激光元件3的背面電極上和絕緣性副底座60上分別涂敷導電性粘接劑，利用使這些導電性粘接劑相互粘接，把藍紫色半導體激光元件3和絕緣性副底座60粘接。在本實施方式中，藍紫色半導體激光元件3的背面的電極和導電性粘接劑成為n電極35。
如上所述，在絕緣性副底座60上粘接n電極35時，以向藍紫色半導體激光元件3的外側突出的方式形成n電極35的端部。
圖8(a)為示意表示把圖7的半導體激光裝置400組裝到底座上時的截面圖，圖8(b)為把圖7的半導體激光裝置400組裝到底座上時的俯視圖。
如圖8(a)、(b)所示，把本實施方式的半導體激光裝置400組裝到底座500上制作的光拾取器裝置與把第一實施方式的半導體激光裝置100組裝到底座500上制作的光拾取器裝置的不同點如下。
如上所述，通過在藍紫色半導體激光元件3的n電極35和底座500之間設置絕緣的副底座60，n電極35和底座500利用絕緣性副底座60實現絕緣。
此外紅色半導體激光元件1的n電極13和第一端子1P用導線1Wa連接，紅外半導體激光元件2的n電極23和第二端子2P用導線2Wa連接，藍紫色半導體激光元件3的n電極35和第三端子3P用導線3W連接。
藍紫色半導體激光元件3的p電極32和底座500用導線1Wb連接。其中導線1Wb相當于底座一側的導線。
采用上述的結構，在Z方向看紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的情況下，導線1Wa、2Wa、3W、1Wb相互不交叉。
如上所述，在本實施方式中，通過在底座500和導線3W之間施加電壓，可以驅動藍紫色半導體激光元件3，通過在底座500和導線1Wa之間施加電壓，可以驅動紅色半導體激光元件1，通過在底座500和導線2Wa之間施加電壓，可以驅動紅外半導體激光元件2。
這樣藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2可以分別單獨驅動。
此外通過把射出波長比紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2短的激光的藍紫色半導體激光元件3的藍紫色發(fā)光點31設置在Y方向上紅色半導體激光元件1的發(fā)光點11和紅外半導體激光元件2的發(fā)光點21之間，在用于光拾取器等的光學裝置上的情況下，容易把藍紫色半導體激光元件3確定在位于透鏡中央。
其結果使在透鏡周邊部位的像差影響減小，而且可以提高藍紫色半導體激光元件3的光的利用效率。
此外導線1Wa和紅色半導體激光元件1的n電極13的連接位置、導線3W和藍紫色半導體激光元件3的n電極35的連接位置和導線2Wa和紅外半導體激光元件2的n電極23的連接位置優(yōu)選在Y方向上配置成從第一端子1P到第二端子2P順序排列。這樣可以防止導線1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的長度比第一端子1P和第二端子2P的長度短，紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之間，第三端子3P的長度被設置成在X方向與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的射出激光一側端面相反一側的端面不重合，可以簡單而且容易地用導線3W連接藍紫色半導體激光元件3的n電極35和第三端子3P。
再有如圖8(a)所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P優(yōu)選在管座501上設置成大體成同心園形狀。這樣可以防止連接各半導體激光元件和各端子的各導線交叉。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的設置位置也可以相反。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2也可以具有集成結構。
在上述第四實施方式中，導線1Wa相當于第一導線，導線2Wa相當于第二導線，導線3W相當于第三導線，導線1Wb相當于第四導線。
在上述第四實施方式中，Y方向相當于第一方向，Z方向相當于第二方向，X方向相當于第三方向，管座501相當于框體，紅色半導體激光元件1相當于第一半導體激光元件，紅外半導體激光元件2相當于第二半導體激光元件，藍紫色半導體激光元件3相當于第三半導體激光元件。
此外在上述第四實施方式中，n電極13相當于第一半導體激光元件的一個電極，n電極23相當于第二半導體激光元件的一個電極，n電極35相當于第三半導體激光元件的一個電極，p電極12相當于第一半導體激光元件的另一電極，p電極22相當于第二半導體激光元件的另一電極，p電極32相當于第三半導體激光元件的另一電極。
(第五實施方式)圖9為示意表示第五實施方式的半導體激光裝置一個示例的截面圖。
本實施方式的半導體激光裝置550與第一實施方式的半導體激光裝置100的不同點如下。
如圖9所示，藍紫色半導體激光元件3在下面一側具有帶條狀的隆起部分Ri。該隆起部分Ri兩側形成絕緣膜4，形成p電極32，覆蓋在此隆起部分Ri的下面，在上面形成n電極35。在藍紫色半導體激光元件3上形成p型半導體和n型半導體接合面的pn接合面30。
在紅色半導體激光元件1的下面形成n電極13，在上面形成p電極12。在紅色半導體激光元件1上形成p型半導體和n型半導體接合面的pn接合面10。
在紅外半導體激光元件2的下面形成n電極23，在上面形成p電極22。在紅外半導體激光元件2上形成p型半導體和n型半導體接合面的pn接合面20。
在藍紫色半導體激光元件3的n電極35上分別通過焊錫膜H形成紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2。
這樣在本實施方式的半導體激光裝置550中，紅色半導體激光元件1的n電極13、紅外半導體激光元件2的n電極23和藍紫色半導體激光元件3的n電極35實現電連接。
把本實施方式的半導體激光裝置550組裝到底座500上制作的光拾取器裝置與把第一實施方式的半導體激光裝置100組裝到底座500上制作的光拾取器裝置的不同點如下。
在藍紫色半導體激光元件3的p電極32和底座500之間設置絕緣的副底座60。這樣p電極32和底座500利用絕緣性副底座60實現絕緣。
此外紅色半導體激光元件1的p電極12和第一端子1P用導線1Wa連接，紅外半導體激光元件2的p電極22和第二端子2P用導線2Wa連接，藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第三端了3P用導線3W連接。
藍紫色半導體激光元件3的n電極35和底座500用導線1Wb連接。其中導線1Wb相當于底座一側的導線。
采用上述的結構，在Z方向上看紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的情況下，導線1Wa、2Wa、3W、1Wb各自不交叉。
如上所述，在本實施方式中，通過在底座500和導線3W之間施加電壓，可以驅動藍紫色半導體激光元件3，通過在底座500和導線1Wa之間施加電壓，可以驅動紅色半導體激光元件1，通過在底座500和導線2Wa之間施加電壓，可以驅動紅外半導體激光元件2。
這樣藍紫色半導體激光元件3、紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2可以分別單獨驅動。
此外通過把射出波長比紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2短的激光的藍紫色半導體激光元件3的藍紫色發(fā)光點31設置在Y方向上紅色半導體激光元件1的發(fā)光點11和紅外半導體激光元件2的發(fā)光點21之間，在用于光拾取器等的光學裝置上的情況下，容易把藍紫色半導體激光元件3確定在位于透鏡中央。
其結果使在透鏡周邊部位的像差影響減小，而且可以提高藍紫色半導體激光元件3的光的利用效率。
此外導線1Wa和紅色半導體激光元件1的p電極12的連接位置、導線3W和藍紫色半導體激光元件3的p電極32的連接位置、以及導線2Wa和紅外半導體激光元件2的p電極22的連接位置優(yōu)選在Y方向上配置成從第一端子1P到第二端子2P順序排列。這樣可以防止導線1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的長度比第一端子1P和第二端子2P的長度短，紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之間，第三端子3P的長度被設置成在X方向與紅色半導體激光元件1、紅外半導體激光元件2和藍紫色半導體激光元件3的射出激光一側端面相反一側的端面不重合，可以簡單而且容易地用導線3W連接藍紫色半導體激光元件3的p電極32和第三端子3P。
如圖9所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P優(yōu)選在管座501上被設置成大體成同心園形。這樣可以防止連接各半導體激光元件和各端子的各導線交叉。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2的設置位置也可以相反。
此外紅色半導體激光元件1和紅外半導體激光元件2也可以具有集成結構。
在上述第五實施方式中，導線1Wa相當于第一導線，導線2Wa相當于第二導線，導線3W相當于第三導線，導線1Wb相當于第四導線。
在上述第五實施方式中，Y方向相當于第一方向，Z方向相當于第二方向，X方向相當于第三方向，管座501相當于框體，紅色半導體激光元件1相當于第一半導體激光元件，紅外半導體激光元件2相當于第二半導體激光元件，藍紫色半導體激光元件3相當于第三半導體激光元件。
此外在上述的第五實施方式中，p電極12相當于第一半導體激光元件的一個電極，p電極22相當于第二半導體激光元件的一個電極，p電極32相當于第三半導體激光元件的一個電極，n電極13相當于第一半導體激光元件的另一電極，n電極23相當于第二半導體激光元件的另一電極，n電極35相當于第三半導體激光元件的另一電極。
權利要求
1.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有導電性的框體、設在所述框體上的導電性底座、設在所述框體上而且與所述框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在所述框體上而且與所述底座進行電連接的第四端子、設在所述底座上而且分別具有一個電極的第一、第二和第三半導體激光元件，所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，所述第三端子和所述第四端子沿與第一方向交叉的第二方向配置，所述第一、第二和第三半導體激光元件中，所述第一半導體激光元件的所述一個電極比所述第二和第三半導體激光元件的所述一個電極更靠近所述第一端子，所述第二半導體激光元件的所述一個電極比所述第一和第三半導體激光元件的所述一個電極更靠近所述第二端子，所述第三半導體激光元件的所述一個電極的至少一部分在所述第一方向上配置成位于所述第一半導體激光元件的所述一個電極和所述第二半導體激光元件的所述一個電極之間，所述第一端子和所述第一半導體激光元件的所述一個電極用第一導線連接，所述第二端子和所述第二半導體激光元件的所述一個電極用第二導線連接，所述第三端子和所述第三半導體激光元件的所述一個電極用第三導線連接，所述第三半導體激光元件還具有與所述底座進行電連接的另一電極，所述第一半導體激光元件和所述第二半導體激光元件設置在所述第三半導體激光元件上。
2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第三半導體激光元件具有在所述第三半導體激光元件的一個電極側形成的隆起部分和在所述隆起部分的側面形成的絕緣膜，所述隆起部分設置在所述第一半導體激光元件和所述第二半導體激光元件之間。
3.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一導線和所述第一半導體激光元件的所述一個電極的第一連接位置、所述第三導線和所述第三半導體激光元件的所述一個電極的第三連接位置、和所述第二導線和所述第二半導體激光元件的所述一個電極的第二連接位置在第一方向上從第一端子一側到第二端子一側順序配置。
4.根據權利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第三連接位置被設定成比所述第一和第二連接位置中的至少一個連接位置更靠向與所述第一、第二和第三半導體激光元件射出激光一側相反的一側。
5.根據權利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，所述第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿所述第三方向向另一側射出主要激光，所述第一和第二半導體激光元件分別還有另一電極，在比所述第一連接位置更靠向所述第一半導體激光元件射出激光一側的位置上，所述第一半導體激光元件的另一電極可以用第四導線與所述底座進行電連接。
6.根據權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，在比所述第二連接位置更靠向所述第二半導體激光元件射出激光一側的位置上，所述第二半導體激光元件的另一電極用第五導線與所述底座進行電連接。
7.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有導電性的框體、設在所述框體上的導電性底座、設在所述框體上而且與所述框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在所述框體上而且與所述底座進行電連接的第四端子、設在所述底座上而且分別具有一個電極和另一電極的第一、第二和第三半導體激光元件，所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，所述第三端子和所述第四端子沿與所述第一方向交叉的第二方向配置，所述第一、第二和第三半導體激光元件中，所述第一半導體激光元件的所述一個電極比所述第二和第三半導體激光元件的所述一個電極更靠近所述第一端子，所述第二半導體激光元件的所述一個電極比所述第一和第三半導體激光元件的所述一個電極更靠近所述第二端子，在所述第三半導體激光元件的所述一個電極和所述底座之間還設有副底座，在所述副底座上以從所述第三半導體激光元件突出的方式形成所述第三半導體激光元件的所述一個電極，所述第一端子和所述第一半導體激光元件的所述一個電極用第一導線連接，所述第二端子和所述第二半導體激光元件的所述一個電極用第二導線連接，所述第三端子和所述第三半導體激光元件的所述一個電極在所述副底座上用第三導線連接，所述第三半導體激光元件的另一電極與所述底座進行電連接。
8.根據權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于，至少一部分所述第三半導體激光元件的所述一個電極比所述第一和第二半導體激光元件的所述一個電極更靠近所述第三端子。
9.根據權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一半導體激光元件和所述第二半導體激光元件設置在所述第三半導體激光元件上。
10.根據權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一導線和所述第一半導體激光元件的所述一個電極的第一連接位置、所述第三導線和所述第三半導體激光元件的所述一個電極的第三連接位置、和所述第二導線和所述第二半導體激光元件的所述一個電極的第二連接位置在所述第一方向上從所述第一端子一側到所述第二端子一側順序配置。
11.根據權利要求10所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第三連接位置被設定在比所述第一和第二連接位置中的至少一個連接位置更靠向與所述第一、第二和第三半導體激光元件的射出激光一側相反的一側。
12.根據權利要求10所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，所述第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿所述第三方向向另一側射出主要激光，所述第一、第二和第三半導體激光元件的所述另一電極相互進行電連接，在比所述第一連接位置更靠向所述第一半導體激光元件的射出激光一側的位置上，所述第三半導體激光元件的所述另一電極用第四導線與所述底座進行電連接。
13.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有導電性的框體、設在所述框體上的導電性底座、設在所述框體上而且與所述框體絕緣的第一、第二和第三端子、設在所述框體上而且與所述底座進行電連接的第四端子、設在所述底座上而且分別具有一個電極的第一、第二和第三的半導體激光元件，所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，所述第三端子和所述第四端子沿與所述第一方向交叉的第二方向配置，所述第一半導體激光元件的發(fā)光部分、所述第三半導體激光元件的發(fā)光部分和所述第二半導體激光元件的發(fā)光部分在所述第一方向上從所述第一端子一側到所述第二端子一側順序配置，所述第三半導體激光元件的所述一個電極在所述第一方向上延伸到比所述第二端子一側的所述第二半導體激光元件的側面更靠近所述第二端子的位置，所述第一端子和所述第一半導體激光元件的所述一個電極用第一導線連接，所述第二端子和所述第三半導體激光元件的所述一個電極用第三導線連接，所述第三端子和所述第二半導體激光元件的所述一個電極用第二導線連接，所述第三半導體激光元件射出波長比所述第一和第二半導體激光元件短的激光，同時還具有與所述底座進行電連接的另一電極。
14.根據權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，從一側延伸到另一側，所述第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一側射出主要激光，所述第一和第二半導體激光元件還分別具有另一電極，在比所述第一導線和所述第一半導體激光元件的所述一個電極的第一連接位置更靠向所述第一半導體激光元件的射出激光一側的位置上，所述第一半導體激光元件的所述另一電極用第四導線與所述底座進行電連接。
15.根據權利要求14所述的半導體激光裝置，其特征在于，在比所述第二導線和所述第二半導體激光元件的所述一個電極的第二連接位置更靠向所述第二半導體激光元件的射出激光一側的位置上，所述第二半導體激光元件的所述另一電極可以用第五導線與所述底座進行電連接。
16.根據權利要求15所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第二連接位置被設定成比所述第一連接位置以及所述第三導線和所述第三半導體激光元件的所述一個電極的第三連接位置中的至少一個連接位置更靠向與所述第一、第二和第三半導體激光元件的射出激光一側相反的一側。
17.根據權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，在所述第二方向上看所述第一、第二和第三半導體激光元件的情況下，所述第一、第二、第三和第四導線各自不交叉
18.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第三半導體激光元件含有由氮化物系半導體構成的活性層。
19.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第三端子的長度比所述第一和第二端子的長度短，所述第一、第二和第三端子沿與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，從一方一側延伸到另一方一側，所述第一、第二和第三半導體激光元件配置成沿第三方向向另一方一側射出主要激光，所述第一、第二和第三半導體激光元件在所述第一方向配置在所述第一端子和所述第二端子之間，所述第三端子的長度被設置成在所述第三方向與所述第一、第二和第三半導體激光元件的射出激光一側相反一側的端面不重合。
20.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有導電性的框體、設在所述框體上的導電性底座、設在所述框體上而且與所述框體絕緣的第一、第二端子、設在所述底座上而且分別具有一個電極和另一電極的第一和第二半導體激光元件，所述第一半導體激光元件被設置在所述第二半導體激光元件上，所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，所述第一端子和所述第一半導體激光元件的一個電極用第一導線連接，所述第二端子和所述第二半導體激光元件的一個電極用第二導線連接，所述第一和第二半導體激光元件中的至少一方的另一電極用底座一側的導線與所述底座一側進行電連接。
21.根據權利要求20所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一半導體激光元件被設置在所述第二半導體激光元件上，比所述第二端子更靠近所述第一端子的位置。
22.根據權利要求20所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第二半導體激光元件含有由氮化物構成的活性層。
23.根據權利要求20所述的半導體激光裝置，其特征在于，在比所述第一導線和所述第一半導體激光元件的所述一個電極的第一連接位置或所述第二導線和所述第二半導體激光元件的所述一個電極的第二連接位置更靠向所述第一半導體激光元件的射出激光一側的位置上，所述第一和第二半導體激光元件中的至少一方的所述另一電極用所述底座一側的導線與所述底座進行電連接。
全文摘要
紅色半導體激光元件的p型襯墊電極和第一端子用導線連接，紅外半導體激光元件的p型襯墊電極和第二端子用導線連接，藍紫色半導體激光元件的p電極和第三端子用導線連接。此外藍紫色半導體激光元件的n電極與底座實現電導通。紅色半導體激光元件的n電極與底座用導線連接，紅外半導體激光元件的n電極與底座用導線連接。在底座內設置第四端子。
文檔編號H01S5/042GK1677781SQ20051005394
公開日2005年10月5日 申請日期2005年3月11日 優(yōu)先權日2004年3月30日
發(fā)明者別所靖之, 畑雅幸, 井上大二朗 申請人:三洋電機株式會社