專利名稱：晶片的分割方法、裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法、制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置，說得更詳細(xì)點(diǎn)，涉及用來(lái)分割已形成了半導(dǎo)體元件的晶片以形成半導(dǎo)體芯片的晶片的分割方法和分割裝置。
背景技術(shù)：
以往，在分割已形成了半導(dǎo)體元件的晶片以形成半導(dǎo)體芯片時(shí)，例如，要先用金剛石筆等在晶片表面(半導(dǎo)體元件形成面)上形成溝或孔，以該部分為起點(diǎn)機(jī)械地加壓進(jìn)行劈開(例如，參看日本國(guó)特許公開2000-124159、日本國(guó)特許公開2001-257180、日本國(guó)特許公開2002-198326)?；蛘撸谡丈浼す庠诰瑑?nèi)部形成了改性層后，以該部分為起點(diǎn)機(jī)械地加壓進(jìn)行劈開(例如，參看日本國(guó)特許公開2003-334675)。采用劈開分割晶片的辦法，可以降低因切片而發(fā)生的機(jī)械性的或熱性的碎裂損傷，可以提高半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。倘采用該方法，即便是在把芯片形成得薄時(shí)也可以降低強(qiáng)度降低的問題。
但是，如果用這樣的現(xiàn)有的分割方法，由于難于實(shí)現(xiàn)劈開時(shí)的外力的最佳化，會(huì)產(chǎn)生歸因于超過需要的外力施加而產(chǎn)生的半導(dǎo)體芯片自身斷裂或殘缺，或者會(huì)產(chǎn)生歸因于半導(dǎo)體芯片彼此間的干涉而產(chǎn)生的斷裂或殘缺，故切斷面的形狀不能均一使制造成品率降低。此外，使用上述分割方法的半導(dǎo)體器件的制造方法，由于對(duì)于每一條芯片分割線或切片線單獨(dú)地進(jìn)行劈開，故歸因于晶片尺寸的大型化或芯片尺寸的縮小化伴隨著要從1塊晶片得到芯片數(shù)的增加，分割工序所需要的時(shí)間也變長(zhǎng)了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1方面的晶片分割方法，包括在沿著晶片的劈開面的芯片分割線或切片線上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成的劈開起點(diǎn)；向上述劈開的起點(diǎn)內(nèi)注入液狀物質(zhì)；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化，利用該變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明的另一個(gè)方面的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在沿著形成有半導(dǎo)體元件的晶片的劈開面的芯片分割線或切片線上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域；向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化，利用該變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明的再一個(gè)方面的晶片分割裝置，包括其構(gòu)成為在沿著形成有半導(dǎo)體元件的晶片的劈開面的芯片分割線或切片線上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域的第1機(jī)構(gòu)；其構(gòu)成為向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)的第2機(jī)構(gòu)；和其構(gòu)成為加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化的第3機(jī)構(gòu)，利用上述液狀物質(zhì)的變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明的再一個(gè)方面的半導(dǎo)體器件的制造裝置，包括在沿著形成有半導(dǎo)體元件的晶片的劈開面的芯片分割線或切片線上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域的裝置；向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)的裝置；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化的裝置，利用上述液狀物質(zhì)的變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1到6的斜視圖用來(lái)說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法，分別示出了第1到第6制造工序。
圖7A是形成了溝后的晶片的背面的平面圖。
圖7B是沿著圖7A的7B-7B線的剖面圖。
圖8A和8B分別是加熱(或冷卻)工序的溝部的擴(kuò)大剖面圖。
圖9是用來(lái)說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法的工藝流程圖。
圖10A用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是晶片的背面的平面圖。
圖10B是沿著圖10A的10B-10B線的剖面圖。
圖11A用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是晶片的背面的平面圖。
圖11B是沿著圖11A的11B-11B線的剖面圖。
圖12A用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是晶片的背面的平面圖。
圖12B是沿著圖12A的12B-12B線的剖面圖。
圖13A用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是晶片的背面的平面圖。
圖13B是沿著圖13A的13B-13B線的剖面圖。
圖14A用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是晶片的背面的平面圖。
圖14B是沿著圖14A的14B-14B線的剖面圖。
圖15是用來(lái)對(duì)溝的剖面形狀進(jìn)行說明的剖面圖。
圖16是用來(lái)對(duì)溝的另一個(gè)剖面形狀進(jìn)行說明的剖面圖。
圖17是用來(lái)對(duì)溝的再一個(gè)剖面形狀進(jìn)行說明的剖面圖。
圖18是用來(lái)對(duì)溝的再一個(gè)剖面形狀進(jìn)行說明的剖面圖。
圖19是用來(lái)對(duì)溝的再一個(gè)剖面形狀進(jìn)行說明的剖面圖。
具體實(shí)施例方式圖1到6，7A，7B，8A，8B和9，分別是用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的制造方法和制造裝置進(jìn)行說明的圖。圖1到6的斜視圖依次分別示出了制造工序。圖7A和7B是在形成了溝后的晶片的背面的平面圖和剖面圖。圖8A和8B是加熱(或冷卻)工序的溝部的擴(kuò)大剖面圖。圖9是工藝流程圖。
首先，如圖1所示，借助于眾所周知的制造工序在晶片10的主表面10A上形成種種的半導(dǎo)體元件(步驟1)。
然后，在該晶片10的背面10B上，如圖2所示，用砂輪機(jī)11等沿著芯片分割線或切片線形成溝12-1，12-2，12-3，......(步驟2)。例如，若設(shè)晶片10的直徑為8英寸厚度為760微米，則溝12-1，12-2，12-3，......的深度至少要做成為560微米。就是說，在溝12-1，12-2，12-3，......的下邊殘存下來(lái)的晶片10小于等于200微米。這些溝12-1，12-2，12-3，......沿著劈開面形成，成為劈開的起點(diǎn)。當(dāng)溝12-1，12-2，12-3，......的形成結(jié)束后，如圖7A和7B所示，在與芯片13-1，13-2，13-3，......的外周對(duì)應(yīng)的晶片10的背面10B上網(wǎng)格狀地形成成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域。
其次，如圖3所示，從噴嘴14向上述溝12-1，12-2，12-3，......內(nèi)注入含有液狀樹脂和藥劑中的任何一者的液狀物質(zhì)(步驟3)。該液狀物質(zhì)理想的是雜質(zhì)要少，例如，可以使用比通常的水更好的純水。
然后，如圖4所示，使加熱(或冷卻)板15貼緊到上述晶片10的背面10B上(步驟4)。該板15要使用即便是加熱(或冷卻)材質(zhì)也不會(huì)變的鐵或不銹鋼。在圖4中雖然示出的是板15與晶片10同一形狀而且同一尺寸的情況，但是，只要把晶片10的背面10B完全覆蓋起來(lái)，形狀或尺寸沒有必要與晶片10相同。
然后，如圖5所示，借助于上述加熱(或冷卻)板15對(duì)液狀物質(zhì)進(jìn)行加熱(或冷卻)(步驟5)。作為液狀物質(zhì)在向溝12-1，12-2，12-3，......內(nèi)注入純水的情況下，如圖8A所示，純水借助于加熱而膨脹或氣化而變成為水蒸氣，如圖8B所示，以溝12-1，12-2，12-3，......為起點(diǎn)發(fā)生劈開?；蛘?，當(dāng)純水歸因于冷卻而凍結(jié)后，同樣，體積發(fā)生膨脹，以溝12-1，12-2，12-3，......為起點(diǎn)發(fā)生劈開。
然后，如圖6所示，當(dāng)去掉加熱(或冷卻)板15后，晶片10就被分割成一個(gè)一個(gè)的芯片13-1，13-2，13-3，......(步驟6)。
然后，在根據(jù)需要對(duì)晶片10的背面10B進(jìn)行研削以使之薄化，同時(shí)除去在形成溝12-1，12-2，12-3，......時(shí)所產(chǎn)生的損傷層(步驟7)。
倘采用這樣的制造方法，由于在劈開時(shí)不加機(jī)械性的外力，故可以分割而不會(huì)給晶片10加上超過需要的力，難于產(chǎn)生晶片自身的斷裂或殘缺，而且，也難于產(chǎn)生因半導(dǎo)體芯片彼此間的干涉而產(chǎn)生的斷裂或殘缺。因此，就可以提高制造成品率。此外，由于可以從多個(gè)地方一攬子地劈開分割1塊晶片，故可以縮短分割工序所需要的時(shí)間。
圖10A和10B分別用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是與圖7A和7B對(duì)應(yīng)的圖。在本實(shí)施形態(tài)中，除去晶片10的背面10B的溝12-1，12-2，12-3，......之外，在各個(gè)芯片13-1，13-2，13-3，......的角部上還設(shè)置有引導(dǎo)劈開的進(jìn)行的引導(dǎo)用的貫通孔16-1，16-2，16-3，......。
其它制造工序與實(shí)施形態(tài)1是同樣的。
倘采用這樣的制造方法，則可以借助于上述貫通孔16-1，16-2，16-3，......把劈開的進(jìn)行引導(dǎo)到一個(gè)方向上，故可以進(jìn)行更為正確的劈開。
圖11A和11B分別用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是與圖7A和7B對(duì)應(yīng)的圖。在本實(shí)施形態(tài)中，除去晶片10的背面10B的溝12-1，12-2，12-3，......之外，在晶片10的外周部分的主表面(元件形成面一側(cè))上還設(shè)置有溝17-1，17-2，17-3，......。
其它制造工序與實(shí)施形態(tài)1、2是同樣的。
倘采用這樣的制造方法，則可以從晶片10的外周部分朝向中心部分地進(jìn)行劈開，可以進(jìn)行正確的劈開。
圖12A和12B分別用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是與圖7A和7B對(duì)應(yīng)的圖。本實(shí)施形態(tài)，是把上邊所說的實(shí)施形態(tài)1到3組合起來(lái)的實(shí)施形態(tài)。除去晶片10的背面10B的溝12-1，12-2，12-3，......之外，在各個(gè)芯片13-1，13-2，13-3，......的角部上還設(shè)置有引導(dǎo)劈開的進(jìn)行的引導(dǎo)用的貫通孔16-1，16-2，16-3，......，同時(shí)，在晶片10的外周部分的主表面(元件形成面一側(cè))上還設(shè)置有溝17-1，17-2，17-3，......。
其它制造工序與實(shí)施形態(tài)1到3是同樣的。
倘采用這樣的制造方法，則可以從晶片10的外周部分朝向中心部分地用引導(dǎo)用的貫通孔16-1，16-2，16-3，......進(jìn)行劈開，可以容易地進(jìn)行更為正確的劈開。
圖13A和13B分別用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是與圖7A和7B對(duì)應(yīng)的圖。本實(shí)施形態(tài)，在晶片10的外周部分的主表面(元件形成面一側(cè))上也設(shè)置有溝17-1，17-2，17-3，......。
其它制造工序與實(shí)施形態(tài)1到4是同樣的。
即便是采用這樣的制造方法，也可以從晶片10的外周部分朝向中心部分地進(jìn)行劈開，可以進(jìn)行正確的劈開。
圖14A和14B分別用來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置進(jìn)行說明，是與圖7A和7B對(duì)應(yīng)的圖。本實(shí)施形態(tài)，在晶片10的外周部分的主表面(元件形成面一側(cè))上還設(shè)置有溝17-1，17-2，17-3，......，而且，在各個(gè)芯片13-1，13-2，13-3，......的角部上設(shè)置有引導(dǎo)劈開的進(jìn)行的引導(dǎo)用的貫通孔16-1，16-2，16-3，......。
其它制造工序與實(shí)施形態(tài)1至5是同樣的。
即便是采用這樣的制造方法，也可以從晶片10的外周部分朝向中心部分地進(jìn)行劈開，而且，可以借助于上述貫通孔16-1，16-2，16-3，......把劈開的進(jìn)行引導(dǎo)到一個(gè)方向上，可以進(jìn)行更為正確的劈開。
另外，本發(fā)明并不限定于上邊所說的實(shí)施形態(tài)1到6，可進(jìn)行種種的變形后予以實(shí)施。
例如，在上述各個(gè)實(shí)施形態(tài)中，雖然說明的要向溝12-1，12-2，12-3，......17-1，17-2，17-3，......或貫通孔16-1，16-2，16-3，......內(nèi)注入的物質(zhì)是純水的情況的例子，但是。理所當(dāng)然地可以使用歸因于液狀樹脂或藥劑等由外部因素而物理性地發(fā)生了變化的別液狀物質(zhì)。此外，只要是因某一因素(熱等)而物理性變化的物質(zhì)，并不限于液狀，也可以使用可放進(jìn)溝內(nèi)去的尺寸的固體的樹脂。若液狀物質(zhì)使用樹脂，則由于在劈開時(shí)使用的樹脂會(huì)附著并殘留在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上，故可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片13-1，13-2，13-3，......的保護(hù)和強(qiáng)度的提高。
要在晶片10上形成的溝12-1，12-2，12-3，......17-1，17-2，17-3，......或貫通孔16-1，16-2，16-3，......在晶片面內(nèi)的位置或數(shù)量、尺寸等并不限于上邊所說的實(shí)施形態(tài)那樣，只要決定為使得可以劈開而且芯片13-1，13-2，13-3，......的側(cè)面全都變成為劈開面即可。
當(dāng)然，例如在芯片尺寸小的情況下，也可以僅僅用貫通孔16-1，16-2，16-3，......進(jìn)行分割。
溝12-1，12-2，12-3，......17-1，17-2，17-3，......或貫通孔16-1，16-2，16-3，......的形成，也可以使用金剛石切片器或金剛石切片刀而不僅僅限于在各個(gè)實(shí)施形態(tài)中所說明的砂輪機(jī)。此外，也可以使用刻蝕等的化學(xué)性的方法、激光光線的照射等的光學(xué)性的方法而不限于這些物理性的方法，只要可以形成可以注入液狀物質(zhì)的大小的溝或貫通孔即可。
溝12-1，12-2，12-3，......17-1，17-2，17-3，......的剖面形狀，可以使用圖16所示的那樣的階梯形狀、圖17所示的那樣的三角形形狀，圖18所示的那樣的傘邊沿形狀，圖19所示的那樣的線狀(因激光光線的照射而產(chǎn)生的改性層)等種種的形狀而不僅是圖15所示的那樣的四角形狀。
如上所述，倘采用本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1到6和變形例1到4的半導(dǎo)體器件的制造方法以及制造裝置，由于不施加機(jī)械性的外力地分割半導(dǎo)體晶片，故可以劈開而不會(huì)施加超過需要的力，難于產(chǎn)生晶片自身的斷裂或殘缺，而且，也難于產(chǎn)生因半導(dǎo)體芯片彼此間的干涉而產(chǎn)生的斷裂或殘缺。因此，可以提高制造成品率。此外，由于可以一攬子地劈開分割1塊晶片，故可以縮短分割工序所需要的時(shí)間。
如上所述，倘采用本發(fā)明的一個(gè)方面，則可以提供可以提高制造成品率、還可以縮短分割工序所需要的時(shí)間的半導(dǎo)體器件的制造方法和制造裝置。
對(duì)于本專業(yè)的技術(shù)人員來(lái)說還可以容易地實(shí)現(xiàn)其它的優(yōu)點(diǎn)和變形。因此，從其更為廣泛的意義上說本發(fā)明并不限于特別的細(xì)節(jié)和典型的實(shí)施形態(tài)的講述。因此，可以進(jìn)行種種的變更而不會(huì)偏離由技術(shù)方案及其等同物所確定的總發(fā)明概念的宗旨和范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶片分割方法，包括在沿著晶片的劈開面的芯片分割線或切片線之上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成的劈開起點(diǎn)；向上述劈開的起點(diǎn)內(nèi)注入液狀物質(zhì)；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化，利用該變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的分割方法，上述劈開的起點(diǎn)，采用對(duì)上述晶片的機(jī)械性的、化學(xué)性的和光學(xué)性的處理中的任何一種或把它們組合起來(lái)的辦法，形成上述溝及貫通孔中的至少一方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的分割方法，上述液狀物質(zhì)包括水、液狀樹脂和藥劑中的任何一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的分割方法，上述液狀物質(zhì)是純水。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的分割方法，上述液狀物質(zhì)物理性地變化的外部因素是熱，借助于加熱使上述液狀物質(zhì)因氣化而膨脹。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片的分割方法，上述加熱，采用使加熱板貼緊到上述晶片的背面上的辦法進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的分割方法，上述液狀物質(zhì)物理性地變化的外部因素是熱，借助于冷卻使上述液狀物質(zhì)因固化而膨脹。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片的分割方法，上述冷卻，采用使冷卻板貼緊到上述晶片的背面上的辦法進(jìn)行。
9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在沿著形成有半導(dǎo)體元件的晶片的劈開面的芯片分割線或切片線之上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域；向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化，利用該變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域，采用對(duì)上述晶片的機(jī)械性的、化學(xué)性的和光學(xué)性的處理中的任何一種或把它們組合起來(lái)的辦法，形成上溝及貫通孔中的至少一方。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述液狀物質(zhì)包括水、液狀樹脂和藥劑中的任何一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述液狀物質(zhì)是純水。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述液狀物質(zhì)物理性地變化的外部因素是熱，借助于加熱使上述液狀物質(zhì)因氣化而膨脹。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述加熱，采用使加熱板貼緊到上述晶片的背面上的辦法進(jìn)行。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述液狀物質(zhì)物理性地變化的外部因素是熱，借助于冷卻使上述液狀物質(zhì)因固化而膨脹。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述冷卻，采用使冷卻板貼緊到上述晶片的背面上的辦法進(jìn)行。
17.一種晶片分割裝置，包括其構(gòu)成為在沿著晶片的劈開面的芯片分割線或切片線之上，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域的第1機(jī)構(gòu)；其構(gòu)成為向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)的第2機(jī)構(gòu)；和其構(gòu)成為加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化的第3機(jī)構(gòu)，其中，利用上述液狀物質(zhì)的變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
18.一種半導(dǎo)體器件的制造裝置，包括在沿著形成有半導(dǎo)體元件的晶片的劈開面的芯片分割線或切片線之上，形成有由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成，成為劈開的起點(diǎn)的區(qū)域的裝置；向成為上述劈開的起點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)注入液狀物質(zhì)的裝置；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化的裝置，其中，利用上述液狀物質(zhì)的變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
全文摘要
在沿著晶片的劈開面的晶片分割線或切片線上邊，形成由溝和貫通孔中的至少一方構(gòu)成的劈開起點(diǎn)；向上述劈開的起點(diǎn)內(nèi)注入液狀物質(zhì)；和加上物理性地變化的外部因素使上述液狀物質(zhì)變化，利用該變化劈開上述晶片以分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。
文檔編號(hào)H01L21/301GK1667798SQ200510053418
公開日2005年9月14日 申請(qǐng)日期2005年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月8日
發(fā)明者清水紀(jì)子, 田久真也, 黑澤哲也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝