專利名稱：制作液晶顯示器的薄膜晶體管的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器的制作方法，尤指一種利用三道光罩工藝制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法。
背景技術：
液晶顯示器相較于傳統(tǒng)的映像管監(jiān)視器，具有低耗電量、體積小及無輻射的優(yōu)點。而液晶顯示器依其對液晶的作用原理又可分成多種規(guī)格，但主要可分為早期的被動矩陣式(Passive Matrix LCD，PM LCD)以及現(xiàn)在主流的主動矩陣式(Thin Film Transistor LCD，TFT LCD)兩種規(guī)格，其中PM LCD還可分為TN(Twisted Nematic)、STN(SuperTwisted Nematic)、DSTN(Double layer Twisted Nematic)等三種。這兩種規(guī)格主要的差別在于LCD液晶的排列方式會因電流通過而改變，其中被動矩陣式在電流消失會自動回復成原位，必須在下次充電才能再排列，故不具記憶性；而主動矩陣式LCD液晶則在電流停止后，液晶排列方式并不會歸回原位，亦即具有記憶性；當應用于LCD-TV時，即使是超扭轉(zhuǎn)向列液晶顯示器(STN-LCD)仍具有反應速度較慢、色彩數(shù)有限等缺點。相較之下，TFT-LCD利用控制液晶排列方向，讓光線通過液晶時產(chǎn)生不同的折射率，再配合配向膜、偏光板(Polarizer)或彩色濾光片作用產(chǎn)生影像，具有高分辨率、寬視角、反應速度快、畫面對比高等顯示能力的優(yōu)點，使其成為高清晰數(shù)字電視(High-Definition Television，HDTV)的主流產(chǎn)品。然而TFT LCD的主要缺點為價格昂貴，使其在市場中還未普及化，尤其在液晶顯示器薄膜晶體管陣列的微影步驟工藝上，因此有效地將所需光罩數(shù)盡可能地降低，為目前亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是在提供一種制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法，其僅需三道光罩工藝，故可大幅降低制造所需成本，并簡化制作流程。
為達成上述目的，本發(fā)明是涉及一種利用三道光罩制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法，其步驟包括提供一個透明襯底；在襯底上形成一個透明導電層、第一絕緣層和第二金屬層；利用黃光半透光影像與蝕刻技術在每一像素區(qū)域形成源極導線區(qū)、漏極導線區(qū)和像素電極區(qū)域，以及在每一像素區(qū)域的邊界形成多條數(shù)據(jù)信號線；在該襯底上形成一個半導體層與第二絕緣層；利用黃光蝕刻形成半導體通道區(qū)與多個接觸孔于源極導線區(qū)、漏極導線區(qū)和數(shù)據(jù)信號線上；在該襯底上形成第三金屬層與第三絕緣層；以及利用黃光蝕刻形成多條掃描信號線、多條柵極線、多條連接源極導線區(qū)與數(shù)據(jù)信號線的導線、多條連接漏極導線區(qū)與像素電極區(qū)域的導線。


圖1是本發(fā)明制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法中第一道光罩一個優(yōu)選實施例的示意圖；圖2是本發(fā)明制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法中第二道光罩一個優(yōu)選實施例的示意圖；圖3是本發(fā)明制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法中第三道光罩一個優(yōu)選實施例的示意圖；圖4a是步驟(c)中顯影后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖4b是步驟(c)中顯影后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖4c是步驟(c)中顯影后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖4d是步驟(c)中顯影后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；
圖4e是步驟(c)中顯影后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖5a是步驟(c)中蝕刻后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖5b是步驟(c)中蝕刻后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖5c是步驟(c)中蝕刻后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖5d是步驟(c)中蝕刻后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖5e是步驟(c)中蝕刻后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖6a是步驟(c)中過度蝕刻后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖6b是步驟(c)中過度蝕刻后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖6c是步驟(c)中過度蝕刻后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖6d是步驟(c)中過度蝕刻后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖6e是步驟(c)中過度蝕刻后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖7a是步驟(e)黃光微影后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖7b是步驟(e)黃光微影后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖7c是步驟(e)黃光微影后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖7d是步驟(e)黃光微影后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；
圖7e是步驟(e)黃光微影后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖8a是步驟(e)蝕刻后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖8b是步驟(e)蝕刻后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖8c是步驟(e)蝕刻后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖8d是步驟(e)蝕刻后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖8e是步驟(e)蝕刻后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖9a是步驟(g)黃光微影后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖9b是步驟(g)黃光微影后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖9c是步驟(g)黃光微影后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖9d是步驟(g)黃光微影后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖9e是步驟(g)黃光微影后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖10a是步驟(g)蝕刻后沿A-A’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖10b是步驟(g)蝕刻后沿B-B’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖10c是步驟(g)蝕刻后沿C-C’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；圖10d是步驟(g)蝕刻后沿D-D’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖；
圖10e是步驟(g)蝕刻后沿E-E’線利用本發(fā)明的制作薄膜晶體管液晶顯示器方法的剖視圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明的利用三道光罩工藝制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法中優(yōu)選包括在像素區(qū)域外圍形成以該透明導電層組成的多條外接周邊線路，其一端與數(shù)據(jù)信號線或掃描信號線電性相連，另一端與一個驅(qū)動電路相連，以控制數(shù)據(jù)信號線或掃描信號線的信號，而數(shù)據(jù)信號線的外接周邊線路與掃描信號線的外接周邊線路可為相同或不同結(jié)構。此外，在形成透明導電層之后與形成第一絕緣層之前，優(yōu)選再形成第一金屬層，以使薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，還包括由該第一金屬層形成的一個遮光層，以防止薄膜晶體管的工作受到從透明襯底穿透過來的光線影響。而在黃光微影的半透光影像(halftone)后的蝕刻技術，優(yōu)選還包括過蝕刻(overetch)，以形成透明導電層過度蝕刻的切底，避免其后沉積的半導體層與透明導電層相連，而造成電路短路。本發(fā)明中沉積第二金屬層后優(yōu)選還包括沉積一個n+型硅層，以使薄膜晶體管具有由該n+型硅層形成的歐姆接觸層，以提高薄膜晶體管的工作性能。
在薄膜晶體管液晶顯示器中在每一像素區(qū)域內(nèi)優(yōu)選還包括一個電容，以暫時儲存信號，其中此電容的下電極板主要為由像素電極區(qū)域的邊緣延伸而出的部分，但亦可還包括第二金屬層，或者第一金屬層，而其上電極為第三金屬層。該電容的位置優(yōu)選位于掃描信號線的一側(cè)邊，以增加像素電極的開口率。此外，薄膜晶體管液晶顯示器的半導體層一般為非晶硅層，亦可為多晶硅層。而透明導電層一般由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)組成。第一絕緣層、第二絕緣層、與第三絕緣層優(yōu)選為氧化硅、氮化硅、或氫氧化硅。第二絕緣層亦可為有機絕緣層。此外第三絕緣層為一個保護層，以保護薄膜晶體管免于受到水氣、刮傷等。
為能讓審查員能更了解本發(fā)明的技術內(nèi)容，特舉一個優(yōu)選具體實施例說明如下。
在本實施例中，薄膜晶體管液晶顯示器的制作完成結(jié)構請參考圖3下半部，主要包括在一個像素區(qū)域中形成薄膜晶體管區(qū)300、像素電極區(qū)域460、電容區(qū)域420以及圍繞在像素區(qū)域界線上的數(shù)據(jù)信號線330與掃描信號線380，而在像素區(qū)域外還具有多條外接周邊線路區(qū)域450a與450b，使外圍驅(qū)動電路的信號，經(jīng)由其分別傳送至掃描信號線380與數(shù)據(jù)信號線330。本實施例中，掃描信號線380相連的外接周邊線路區(qū)域450a的結(jié)構與數(shù)據(jù)信號線330相連的外接周邊線路區(qū)域450b的結(jié)構相同，故在以下描述中，省略連接至數(shù)據(jù)信號線330的外接周邊線路區(qū)域450b的制作流程。在圖3中沿線A-A’為薄膜晶體管上由源極導線區(qū)310至漏極導線區(qū)320的剖面；而沿線B-B’為漏極導線區(qū)320連接至像素電極區(qū)域460的剖面；而沿線C-C’為外接周邊線路區(qū)域450a連接至掃描信號線380的剖面；而沿線D-D’為由數(shù)據(jù)信號線330連接至源極導線區(qū)310的剖面；而沿線E-E’為電容區(qū)域420的上下電極板結(jié)構剖面。
此薄膜晶體管液晶顯示器制作方法包括首先在步驟(a)中提供一個透明襯底110。
隨后在步驟(b)中在透明襯底110上依次形成透明導電層120、第一金屬層130、第一絕緣層140、第二金屬層150以及一個n+型硅層160。
在步驟(c)中利用黃光微影的半透光影像(halftone)技術定義出源極導線區(qū)310、漏極導線區(qū)320、薄膜晶體管通道遮光區(qū)350、像素透明導電區(qū)域340、數(shù)據(jù)信號線330和外接周邊線路430，如圖1所示，其中框線部分的空白區(qū)域為使用狹縫式曝光，而框線部分的橫條區(qū)域為完全不曝光。故在黃光微影后，沿線A-A’如圖4a所示形成定義源極導線區(qū)310、薄膜晶體管通道遮光區(qū)350與漏極導線區(qū)320的光阻層210；沿線B-B’如圖4b所示形成定義漏極導線區(qū)320與像素透明導電區(qū)域340的光阻層210；沿線C-C’如圖4c所示形成定義外接周邊線路430與周邊第二金屬區(qū)470的光阻層210，由于沿線C-C’時外接周邊線路430目的是與掃描信號線380相連，故此處定義的周邊第二金屬區(qū)470并無功用，但若外接周邊線路430與數(shù)據(jù)信號線330相連，則該周邊第二金屬區(qū)470屬于數(shù)據(jù)信號線330的一小部分；沿線D-D’如圖4d所示形成定義數(shù)據(jù)信號線330與源極導線區(qū)310的光阻層210；沿線E-E’如圖4e所示形成定義像素透明導電區(qū)域340中作為電容的下電極板的光阻層210。在此黃光微影中，像素透明導電區(qū)域340主要作為像素電極，但其上部末端邊緣作為電容區(qū)域420的下電極，而合并源極導線區(qū)310、漏極導線區(qū)320以及薄膜晶體管通道遮光區(qū)350即為一般所稱的薄膜晶體管區(qū)300。
接著經(jīng)蝕刻工藝后，沿線A-A’如圖5a所示，在源極導線區(qū)310與漏極導線區(qū)320分別得到由第二金屬層150形成的源極導線與漏極導線、由n+型硅層160形成的歐姆接觸層以及位于整個薄膜晶體管區(qū)300由第一金屬層130形成的薄膜晶體管遮光層；沿線B-B’如圖5b所示，除了在圖5a出現(xiàn)的漏極導線區(qū)320的第二金屬層150組成的漏極導線，在像素透明導電區(qū)域340形成由透明導電層120組成的像素電極；沿線C-C’如圖5c所示，在整個外接周邊線路區(qū)域450a形成由透明導電層120組成的外接周邊線路430，并在外接周邊線路區(qū)域450a右側(cè)保留第二金屬層，以使外接周邊線路區(qū)域450a與外接周邊線路區(qū)域450b結(jié)構相同；沿線D-D’如圖5d所示，左側(cè)為第二金屬層150形成的數(shù)據(jù)信號線330，右側(cè)為源極導線區(qū)310的第二金屬層150形成的源極導線；沿線E-E’如圖5e所示保留第一金屬層130并去除第二金屬層150，以在電容區(qū)域420形成一個與像素電極連接的下電極板。
接著再利用過度蝕刻透明導電層120與第一金屬層130，產(chǎn)生切底(undercut)，然后去除光阻，此時透明襯底110上方所形成的結(jié)構沿A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、與E-E’依次如圖6a、6b、6c、6d與6e所示。
隨后，在步驟(d)中在整個透明襯底110上方形成一個非晶硅層170與第二絕緣層180，此時由于透明導電層120與第一金屬層130的底切，而使非晶硅層170與透明導電層120及第一金屬層130并不相連，而不會造成彼此電流間的干擾。步驟(e)利用黃光微影分別在源極導線區(qū)310、漏極導線區(qū)320、外接周邊線路區(qū)域450a與450b以及數(shù)據(jù)信號線330上定義多個接觸孔370b、370c、370a與370d，此外亦定義像素透明導電區(qū)域340的開口370e，如圖2所示的虛線區(qū)域(其中橢圓形的虛線并非接觸孔或開口)；其中沿A-A’剖面如圖7a所示，定義源極導線區(qū)310的源極接觸孔370b與漏極導線區(qū)320的漏極接觸孔370c的光阻層220，此二接觸孔之間恰為定義薄膜晶體管半導體通道區(qū)；沿B-B’剖面如圖7b所示，亦即在漏極導線區(qū)320，形成定義接觸孔370c的光阻層220，并在像素透明導電區(qū)域340上方定義開口370e；沿C-C’剖面如圖7c所示，亦即在外接周邊線路區(qū)域450a，形成定義接觸孔370a的光阻層220；沿線D-D’剖面如圖7d所示，分別在數(shù)據(jù)信號線330與源極導線區(qū)310上形成定義接觸孔370d與370b的光阻層220；沿E-E’剖面如圖7e所示，在下電極板區(qū)域420a形成定義非晶硅層170的電容下電極板的光阻層220。
接著進行蝕刻工藝，此時沿A-A’剖面如圖8a所示，源極導線區(qū)310與漏極導線區(qū)320即形成接觸孔370b與370c，并形成非晶硅層170的半導體通道區(qū)，其中接觸孔的底部均為第二金屬層150；而沿B-B’剖面如圖8b所示，在像素透明導電區(qū)域340主要為透明導電層120與第一金屬層130；而沿C-C’剖面如圖8c所示，外接周邊線路區(qū)域450a由于定義接觸孔370a，使得第一金屬層130與第二金屬層150皆為外露；沿D-D’剖面如圖8d所示，數(shù)據(jù)信號線330與源極導線區(qū)310上方分別形成接觸孔370d與370b；沿E-E’剖面如圖8e所示，屬于電容下電極板區(qū)域420a的非晶硅層170亦形成。
去除光阻層220后，在步驟(f)依次在透明襯底110上形成第三金屬層190與保護層200。
并在步驟(g)中利用黃光微影定義掃描信號線380、一個與掃描信號線380相連的柵極線390、一個連接源極導線區(qū)310與數(shù)據(jù)信號線330的第一導線400、一個連接漏極導線區(qū)320與像素透明導電區(qū)域340的第二導線410以及一個位于電容下電極板區(qū)域420a連接所有導電層或半導體層的第三導線440，如圖3所示的粗線區(qū)域，此外像素透明導電區(qū)域340在本實施例中等于電容的下電極板區(qū)域420a加上像素電極區(qū)域460。進行更詳細地說明，沿A-A’剖面如圖9a所示，定義出晶體管柵極線390的光阻層230；沿B-B’剖面如圖9b所示，定義連接漏極導線區(qū)320與像素電極區(qū)域460的第二導線410的光阻層230；沿C-C’剖面如圖9c所示，定義與外接周邊線路430連接的掃描信號線380的光阻層230；沿線D-D’如圖9d所示，定義連接源極導線區(qū)310與數(shù)據(jù)信號線330的第一導線400的光阻層230；沿E-E’剖面如圖9e所示，定義電容的上電極板光阻層230，其亦為掃描信號線380，以及連接電容下電極板非晶硅層170與第一金屬層130的第三導線440的光阻層230’。
再進行蝕刻工藝后，并去除光阻，此時在薄膜晶體管區(qū)300形成一個薄膜晶體管，其結(jié)構如圖10a所示，包括n+型硅層160的歐姆接觸層、非晶硅層170的半導體通道、在源極導線區(qū)310與漏極導線區(qū)320的第二金屬層150的源極導線與漏極導線、第三金屬層190的柵極線390以及第一金屬層130的遮光層。而漏極導線區(qū)320與像素電極區(qū)域460的結(jié)構如圖10b所示，第二金屬層150的漏極導線藉由第三金屬層190的第二導線410，與位于像素電極區(qū)域460中透明導電層120的像素電極相連接。位于外接周邊線路區(qū)域450a的結(jié)構如圖10c所示，透明導電層120的外接周邊線路430藉由第一金屬層130與第三金屬層190的掃描信號線380電性相連，此外亦與第二金屬層150電性相接，但此位置的第二金屬層150并無功用，僅為使外接周邊線路區(qū)域450a與外接周邊線路區(qū)域450b結(jié)構相同，故此第二金屬層150若位于外接周邊線路區(qū)域450b，則其為數(shù)據(jù)信號線330的一個末端，用以驅(qū)動數(shù)據(jù)信號線330。數(shù)據(jù)信號線330與源極導線區(qū)310的結(jié)構如圖10d所示，其中第二金屬層150的數(shù)據(jù)信號線330藉由第三金屬層190的第一導線400與第二金屬層150的源極導線相連接。而電容的結(jié)構如圖10e所示，其中作為下電極板的透明導電層120、非晶硅層170與第一金屬層130，利用第三金屬層190’的第三導線440相連接，以達到等電位，而第三金屬層190則作為電容的上電極板。
本實施例中，可制作出具有薄膜晶體管與像素電極的襯底，且其僅需三道光罩，即可在襯底上制作出像素電極與薄膜晶體管，可大幅降低制造所需成本，并簡化制作流程。
上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以權利要求書所述為準，而非僅限于上述實施例。
權利要求
1.一種制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法，其中該薄膜晶體管液晶顯示器中包括多條影像信號線與多條掃描信號線，每兩條相鄰的該影像信號線與每兩條相鄰的該掃描信號線間界定出每一像素區(qū)域，在該一像素區(qū)域中包括一個薄膜晶體管區(qū)域以及一個透明像素電極區(qū)域，該方法包括以下步驟(a)提供一個透明襯底；(b)在該透明襯底的第一表面上依次形成一個透明導電層、第一絕緣層以及第二金屬層；(c)利用半透光影像(halftone)微影與蝕刻，在每一該薄膜晶體管區(qū)域中定義并形成具有該第二金屬層的源極導線區(qū)與漏極導線區(qū)，在該像素區(qū)域中定義并形成具有該透明導電層的該像素電極區(qū)域、以及定義并形成具有該第二金屬層的該些數(shù)據(jù)信號線；(d)在該透明襯底的該第一表面上依次形成一個半導體層與第二絕緣層；(e)利用黃光微影與蝕刻，在每一該薄膜晶體管區(qū)域中定義并形成該晶體管的一個半導體通道區(qū)、以及在該源極導線區(qū)、該漏極導線區(qū)、與該數(shù)據(jù)信號線上定義并形成多個接觸孔；(f)在該透明襯底的該第一表面上依次形成第三金屬層與第三絕緣層；以及(g)利用黃光微影與蝕刻定義并形成具有該第三金屬層的該些掃描信號線、多條與該掃描信號線相連的柵極線、多條連接該源極導線區(qū)與該數(shù)據(jù)信號線的第一導線、多條連接該漏極導線區(qū)與該像素電極區(qū)域的第二導線。
2.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(b)中還包括在所述透明導電層與所述第一絕緣層之間形成第一金屬層，以使所述第一金屬層在步驟(c)中形成一個遮光層，位于所述薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)。
3.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中像素區(qū)域外圍還包括定義形成多條具有所述透明導電層的外接周邊線路，并在步驟(g)后其一端與所述數(shù)據(jù)信號線或所述掃描信號線電性相連。
4.如權利要求3所述的方法，其中所述外接周邊線路利用一個外接驅(qū)動電路控制所述數(shù)據(jù)信號線或所述掃描信號線的信號。
5.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中所述蝕刻技術還包括過蝕刻(overetch)，以形成一個切底(undercut)，使步驟(d)中所形成的所述半導體層與所述透明導電層不相連。
6.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(b)中還包括在所述第二金屬層的表面上形成一個n+型硅層，以使所述薄膜晶體管具有該n+型硅層的歐姆接觸層。
7.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中所述像素區(qū)域內(nèi)，還包括形成具有所述第二金屬層與所述透明導電層的電容下電極板，并在步驟(g)中形成具有所述第三金屬層的電容上電極板。
8.如權利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中所述像素區(qū)域內(nèi)，還包括形成具有所述第一金屬層與所述透明導電層的電容下電極板，并在步驟(g)中形成具有所述第三金屬層的電容上電極板。
9.如權利要求7所述的方法，其中所述電容形成在所述掃描信號線的側(cè)邊，以增加所述像素電極的開口率。
10.如權利要求8所述的方法，其中所述電容形成在所述掃描信線的側(cè)邊，以增加所述像素電極的開口率。
11.如權利要求1所述的方法，其中所述半導體層是一個非晶硅層。
12.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電層為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
13.如權利要求1所述的方法，其中所述第二絕緣層為氧化硅、氮化硅、或氫氧化硅。
14.如權利要求1所述的方法，其中所述第二絕緣層為有機絕緣層。
15.如權利要求1所述的方法，其中所述第三絕緣層為氧化硅、氮化硅、或氫氧化硅。
16.如權利要求1所述的方法，其中所述第三絕緣層是一個保護層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用三道光罩制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法，其步驟包括在透明襯底上依次形成一個透明導電層、第一絕緣層、與第二金屬層；利用黃光半影與蝕刻技術在每一像素區(qū)域中形成源極導線區(qū)、漏極導線區(qū)、與像素電極區(qū)域，以及在每一像素區(qū)域邊界形成多條數(shù)據(jù)信號線；在襯底上形成一個半導體層與第二絕緣層；利用黃光蝕刻形成半導體通道區(qū)以及多個接觸孔于源極導線區(qū)、漏極導線區(qū)、與數(shù)據(jù)信號線上；最后在襯底上形成第三金屬層與第三絕緣層；并利用黃光蝕刻形成掃描信號線與柵極線。
文檔編號H01L21/00GK1645227SQ20051000596
公開日2005年7月27日 申請日期2005年1月31日 優(yōu)先權日2005年1月31日
發(fā)明者陳宏德 申請人:廣輝電子股份有限公司