專利名稱：具有輔助電極線的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，特別是，涉及配有防止由有機電致發(fā)光層退化導(dǎo)致的像素收縮現(xiàn)象的有機電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光顯示裝置，例如有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，具有所需的特性，例如自動發(fā)光、寬視角、快速響應(yīng)、小的厚度、低生產(chǎn)成本和高對比度等。因此，作為下一代平板顯示裝置的有機電致發(fā)光顯示裝置已經(jīng)引起人們的關(guān)注。
典型的有機電致發(fā)光顯示裝置包括陽極、陰極和夾在其間的有機電致發(fā)光層。從各個陽極和陰極提供的電子和空穴組合成處于激發(fā)態(tài)的電子空穴對，其中這些激發(fā)的電子空穴對可以稱為激發(fā)子。當(dāng)激發(fā)子回復(fù)到基態(tài)時，激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間的能量差作為可見光發(fā)射。
根據(jù)它們的像素驅(qū)動方案，有機電致發(fā)光顯示裝置分成無源矩陣型和有源矩陣型，以及器件以N×M矩陣排列。在無源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置中，陽極和陰極彼此垂直排列，通過線選擇驅(qū)動像素。在有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置中，每個像素的像素電極，也就是顯示區(qū)連接到薄膜晶體管，以及通過連接到薄膜晶體管的電容器的電容保持像素的電壓。
更特別地，在有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置中，每個像素包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管、電容器和電致發(fā)光(EL)元件，例如發(fā)光二極管。電壓源線Vdd設(shè)置為驅(qū)動晶體管和電容器的公共電源。電壓源線Vdd控制通過驅(qū)動晶體管到EL元件的電流。另外，輔助電極線設(shè)置為第二電極的輔助電源。輔助電極線通過在源/漏極和第二電極之間產(chǎn)生的電勢差提供電流。
圖1是典型的有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。參考圖1，常規(guī)的有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置10包括具有面板區(qū)A和布線區(qū)B的襯底100，和緩沖層105。包括源/漏區(qū)110c和110a以及溝道區(qū)110b的半導(dǎo)體層110設(shè)置在面板區(qū)A中的緩沖層105上。在一個實施例中，通過構(gòu)圖工藝形成源/漏區(qū)110c和110a以及溝道區(qū)110b。
顯示裝置10還包括設(shè)置在半導(dǎo)體層110上的柵絕緣層120，和對應(yīng)于形成在面板區(qū)A中的柵絕緣層120上溝道區(qū)110b。層間絕緣層140形成在柵極130上，并基本上覆蓋了襯底100的整個表面。在層間絕緣層140形成之后，源/漏極145通過形成在面板區(qū)A中的層間絕緣層140中的接觸孔141連接到源/漏區(qū)110c和110a。半導(dǎo)體層110、柵極130和源/漏極145形成薄膜晶體管(TFT)。
包括和源/漏極145的材料基本相同材料的第一導(dǎo)電圖147也形成在布線區(qū)B中。第一導(dǎo)電圖形147形成上述的輔助電極線。隨后，絕緣層150，例如鈍化層和平面層，形成在源/漏極145和第一導(dǎo)電圖形147上，并基本上在襯底100的整個表面上面。接下來，例如，通過光刻工藝去除形成在布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形147上部的絕緣層150。
在平板區(qū)A中的絕緣層150上形成通孔155，以露出源/漏極145的其中一個。通過構(gòu)圖工藝形成第一電極170以便通過通孔155和源/漏極145接觸，并延伸到絕緣層150。
在形成第一電極170之后，除了布線區(qū)B之外，具有開口178的像素限制層175形成在第一電極170和絕緣層150上。接下來，至少包括有機電致發(fā)光層的有機層180形成在通過面板區(qū)A中的開口露出的第一電極170上。例如，可以通過構(gòu)圖工藝形成有機層180。第二電極190形成在襯底100的基本上整個表面上的有機層180上。因此，布線區(qū)B中的第二電極190電連接到第一導(dǎo)電圖形147。
在一些有機電致發(fā)光顯示裝置中，第一導(dǎo)電圖形147包括和面板區(qū)A中的源/漏極145相同的材料，并可以加大第一導(dǎo)電圖形147的線寬度。第一導(dǎo)電圖形147的材料，鉬(Mo)、鎢(W)和鉬鎢(MoW)，比絕緣層150的氮化硅(SiNx)層具有更高的熱容。物質(zhì)的“熱容”是改變它的溫度一度所需的熱量的量，并具有每一度能量的單位。由于第一導(dǎo)電層圖形147和氮化硅層之間的熱容的差異，所以第一導(dǎo)電圖形147不能有效地向氮化硅層傳輸熱量。結(jié)果，在有機層固化處理中不能在每個面板區(qū)之間進行有效的回流。因此，在每個顯示裝置的面板區(qū)之間的固化處理的效果是不同的，導(dǎo)致在顯示裝置的面板區(qū)之間有機層的厚度不同。而且，剩余在有機層中的氣體可能產(chǎn)生像素收縮。特別地，剩余在有機層中的滲氣或者氣體可能導(dǎo)致顯示裝置的有機電致發(fā)光層的損壞。
而且，第一導(dǎo)電層147的小的線寬度可能導(dǎo)致在第二電極的IR降。IR降是線電阻和從電源和接地柵格得到的電流導(dǎo)致的信號完整性的效果。如果線電阻太高或者電池電流比預(yù)測的大，那么可能產(chǎn)生不能接受的電壓降。這導(dǎo)致性能變差和增加的噪聲靈敏性。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的實施例包括有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中通過在有機電致發(fā)光顯示裝置中形成輔助電極線阻止第二電極的IR降。輔助電極線包括減小輔助電極線和第二電極之間的接觸面積的多個圖形或者溝槽。這種減小接觸面積降低了熱電阻，由此改善了顯示裝置中有機層的處理過程中的熱傳輸。改善的熱傳輸導(dǎo)致更均勻的有機層，其提供了剩余在有機層中的氣體的去除，由此阻止了由于剩余氣體的滲入到有機電致發(fā)光層中導(dǎo)致的有機電致發(fā)光層損壞。由此，阻止了因有機電致發(fā)光層的損壞導(dǎo)致的像素收縮。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，有機電致發(fā)光顯示裝置包括具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底和形成在襯底的面板區(qū)中的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極。顯示裝置還包括形成在襯底的布線區(qū)中的多個第一導(dǎo)電圖形、形成在第一導(dǎo)電圖形上以至少露出第一導(dǎo)電圖形的絕緣層和形成通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極。顯示裝置還包括形成在布線區(qū)中的第一導(dǎo)電圖形的多個第二導(dǎo)電圖形、利用構(gòu)圖工藝形成在面板區(qū)中的第一電極上的有機層，其中有機層至少包括一個有機電致發(fā)光層和形成在襯底的整個表面上的有機層上的第二電極。
在一些實施例中，第一和第二導(dǎo)線圖形電連接到第二電極以構(gòu)成輔助電極線。另外，第一導(dǎo)電圖形可以包括和源/漏極相同的材料，以及第二導(dǎo)電圖形可以包括和第一電極相同的材料。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，有機電致發(fā)光顯示裝置包括具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底和形成在襯底的面板區(qū)中的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極。顯示裝置還包括形成在襯底的布線區(qū)中并具有溝槽的第一導(dǎo)電圖形、形成在第一導(dǎo)電圖形上以至少露出第一導(dǎo)電圖形的絕緣層和形成通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極。顯示裝置還包括利用構(gòu)圖工藝形成在面板區(qū)中的第一電極上的有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層和形成在襯底的基本上整個表面上的有機層上的第二電極。在這個第二方面，第一導(dǎo)電圖形可以電連接到第二電極，以便形成輔助電極線。而且，第一導(dǎo)電圖形可以具有包括和源/漏極的相同材料的溝槽。
根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，有機電致發(fā)光顯示裝置包括具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底和形成在襯底的面板區(qū)中的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極。顯示裝置還包括形成在襯底的布線區(qū)中的多個第一導(dǎo)電圖形、形成以至少露出第一導(dǎo)電圖形的絕緣層、形成通過絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極，以及形成和布線區(qū)的絕緣層中的第一導(dǎo)電圖形接觸的多個第二導(dǎo)電圖形。顯示裝置還包括利用構(gòu)圖工藝形成在面板區(qū)中的第一電極上的有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層和形成在襯底的整個表面上的有機層上的第二電極。在這個第三方面，第一和第二導(dǎo)電圖形可以電連接到第二電極，以便形成輔助電極線。而且，第一導(dǎo)電圖形可以包括和柵極相同的材料，以及第二導(dǎo)電圖形可以包括和第一電極相同的材料。
根據(jù)本發(fā)明的第四個方面，有機電致發(fā)光顯示裝置包括具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底和形成在襯底的面板區(qū)中的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極。顯示裝置還包括形成在襯底的布線區(qū)中并具有溝槽的第一導(dǎo)電圖形、形成在第一導(dǎo)電圖形上以至少露出第一導(dǎo)電圖形上部的中間層、以及絕緣層，其中絕緣層形成在源/漏極上并利用光刻工藝去除第一導(dǎo)電圖形上部的絕緣層。顯示裝置還包括通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極、利用構(gòu)圖工藝形成在第一電極上的有機層，有機層包括至少一個有機電致發(fā)光層和形成在襯底的基本上整個表面上的有機層上的第二電極。在這個第四個方面，第一導(dǎo)電圖形可以電連接到第二電極，以便形成輔助電極線。而且，第一導(dǎo)電圖形可以具有和柵極相同的材料的溝槽。


參考附圖，通過具體描述典型實施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將變得更明顯，其中圖1是典型的有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。
圖3是在對有機電致發(fā)光顯示裝置的層固化處理之后絕緣層的厚度的示意圖。
圖4是在對輔助電極線和數(shù)據(jù)線的材料和線寬固化處理之后絕緣層的厚度的示意圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例第一導(dǎo)電圖形的物理特性的特征值的示意圖。
圖6是關(guān)于其溫度，第一導(dǎo)電圖形的其中一個物理特性的熱容的示意圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三個實施例有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四個實施例有機電致發(fā)光顯示裝置的橫截面圖。
具體實施例方式
下述的具體描述指的是本發(fā)明的某些特定實施例。然而，本發(fā)明可以包含在權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式中。在該說明書中，參考附圖，其中相同的部分用相同的附圖標記表示。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200的橫截面圖。參考圖2，有機電致發(fā)光顯示裝置200包括具有面板A和布線區(qū)B的襯底300，和設(shè)置在襯底300的基本上整個表面上的緩沖層305。緩沖層305可以包括氮化硅層、氧化硅層或者其兩個層。具有源/漏極區(qū)310c和310a以及溝道區(qū)310b的半導(dǎo)體層310形成在面板區(qū)A中的緩沖層305上。在一個實施例中，通過構(gòu)圖設(shè)置在緩沖層305上的多晶硅或非晶硅層形成半導(dǎo)體層310的源/漏極區(qū)310c和310a以及溝道區(qū)310b。優(yōu)選地，使用多晶硅形成半導(dǎo)體層310。
柵絕緣層320設(shè)置在包括半導(dǎo)體層310的襯底的基本上整個表面上，例如，柵絕緣層320可以形成為氮化硅層、氧化硅層或其雙層。
柵極330設(shè)置在對應(yīng)于半導(dǎo)體層310的溝道區(qū)310b的區(qū)中的柵絕緣層320上。通過在面板區(qū)A中的柵絕緣層320上沉積柵金屬材料并構(gòu)圖柵金屬材料可以形成柵極。形成柵極330之后，通過利用掩模將n型或者p型離子摻雜到半導(dǎo)體層310種限定源/漏區(qū)310c和310a以及溝道區(qū)310b。
層間絕緣層340形成在包括柵極330的襯底的基本上整個表面上，其中層間絕緣層可以包括氧化硅層、氮化硅層或者其雙層。其后，在面板區(qū)A中的層間絕緣層340中形成接觸孔341，以露出源/漏區(qū)310c和310a。
源/漏極345形成在面板區(qū)A中，以便通過接觸孔341和半導(dǎo)體層310的源/漏區(qū)310c和310a接觸。在一個實施例中，通過在層間絕緣層340上沉積和構(gòu)圖金屬材料形成源/漏極345。因此，半導(dǎo)體層310、柵極330和源/漏極345構(gòu)成薄膜晶體管。
顯示裝置200還包括多個第一導(dǎo)電圖形347，具有通過在金屬材料上進行光刻工藝在布線區(qū)B上形成的凹凸結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，第一導(dǎo)電圖形347包括和源/漏極345相同的材料。源/漏極345包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(MoSi2)和鋁(Al)中的至少一種。在第一導(dǎo)電圖形347的形成過程中，同時形成電源線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。
在和面板區(qū)A中的薄膜晶體管和布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347上形成絕緣層350。在一個實施例中，絕緣層350包括鈍化層和/或平面層。鈍化層優(yōu)選保護薄膜晶體管不受污染，并可以包括氮化硅層、氧化硅層或者其雙層。平面層可以包括丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烷(BCB)樹脂、聚酰亞胺(PI)樹脂、聚酰胺(PA)樹脂和苯酚樹脂中的至少一種。絕緣層350經(jīng)受固化處理。
形成第一導(dǎo)電圖形347，以便具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔距離。如果線寬大約小于等于1μm，則可能在第二電極發(fā)生IR降。如果線寬大約大于等于750μm，則在有機層的固化處理中不能有效地進行有機層的平面層的回流。由于不良的回流工藝，有機層可能太厚，其導(dǎo)致有機層中的剩余氣體的滲氣進入有機電致發(fā)光層中。
為了避免滲氣現(xiàn)象，導(dǎo)電圖形347之間的間隙優(yōu)選保持在大于等于大約5μm并減小到當(dāng)前有機EL制造裝置的容許范圍。該間隙還優(yōu)選小于等于大約350μm以便不引起IR降，其中第一導(dǎo)電圖形347形成顯示裝置200的輔助電極線的一部分。
除了預(yù)定區(qū)之外，使用光刻工藝和刻蝕工藝隔離面板區(qū)A中的絕緣層。特別地，布線區(qū)B中的絕緣層350經(jīng)受光刻工藝以至少露出第一導(dǎo)電圖形347的上部。從面板區(qū)A和第一導(dǎo)電圖形347的上部去除絕緣層，使得在下面的工藝中沉積有機層380之后，可以阻止剩余氣體的滲氣進入到有機電致發(fā)光層中。
通孔355形成在面板區(qū)A中的絕緣層350中以露出源/漏極345的其中一個。接下來，形成通過通孔355和源/漏極345的其中一個接觸的第一電極370。在第一電極370構(gòu)成陽極的地方，第一電極370可以是有大功函的導(dǎo)電透明材料，例如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)構(gòu)成的透明電極，或者具有反射電極(由高反射金屬，例如鋁或者鋁合金構(gòu)成)的透明電極作為底層。在第一電極370構(gòu)成陰極的地方，第一電極370可以是包括選自低功函導(dǎo)電材料例如Mg、Ca、Al及其合金的組中的一種或者多種材料的薄或者厚的反射電極。
在第一電極370的形成過程中，通過形成多個第二導(dǎo)電圖形371在布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347形成輔助電極線373。在一個實施例中，第二導(dǎo)電圖形371包括和第一電極370相同的材料，并設(shè)置成彼此電連接到第一導(dǎo)電圖形347。通過避免布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347暴露于在對面板區(qū)A中的第一電極370的構(gòu)圖工藝中使用的刻蝕或者顯影，第二導(dǎo)電圖形371阻止對線的損害。
有機材料沉積在面板區(qū)A中的第一電極370上。而且，通過利用光刻工藝可以進一步形成包括開口的像素限定層375。像素限定層375可以包括一種或者多種有機材料，例如丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烷(BCB)樹脂、聚酰亞胺(Pi)樹脂、聚酰胺(PA)樹脂和苯酚樹脂。
在通過面板區(qū)A中的開口385露出的第一電極370上形成至少包括有機電致發(fā)光層的有機層380。除了有機電致發(fā)光層之外，有機層380可以包括至少一個孔注入層、空穴注入層、電子傳輸層和電子注入層。
第二電極390形成在包括有機層380的襯底的基本上整個表面上。第一電極370構(gòu)成為陽極(透明電極或者具有反射層的透明電極作為底層)，第二電極390形成為包括一種或多種低功函導(dǎo)電金屬，例如Mg、Ca、Al及其合金的反射電極。在第一電極構(gòu)成為陰極的地方，第二電極390形成為由ITO或者IZO構(gòu)成的透明電極。
第一導(dǎo)電圖形347形成輔助電極線的一部分。因為第一導(dǎo)電圖形347的材料，例如鉬(Mo)和鎢(W具有比絕緣層(350)的氮化硅(SiNx)層高的熱容，所以第一導(dǎo)電圖形347不可能有效地向氮化硅(SiNx)層傳輸熱量。然而，多個第一導(dǎo)電圖形347和多個第二導(dǎo)電圖形371減小了第二電極390和氮化硅層之間的接觸面積，由此在對有機層的固化處理過程中降低了熱電阻和優(yōu)化了熱傳輸。在有機層固化的過程中，改善的熱傳輸提供了每個布線區(qū)中更有效的回流，導(dǎo)致這些區(qū)域之間固化的有機層的更好的均勻性。有機層的均勻性優(yōu)選包括這些區(qū)之間的厚度的均勻性。因此，可以形成具有小級差的均勻厚度的有機層。而且，從有機層去除了剩余的氣體，由此避免從有機層到有機電致發(fā)光層滲透剩余氣體，并避免了由有機電致發(fā)光層的損壞導(dǎo)致的像素收縮。
制造有機電致發(fā)光顯示裝置200的方法的實施例包括制備由玻璃、石英或者塑料制成的襯底300。接下來，在襯底300上形成緩沖層305。緩沖層305可以包括氮化硅層、氧化硅層或者其雙層。
緩沖層305的形成可以包括例如，等離子體增強化學(xué)汽相淀積(PECVD)工藝，或者低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)工藝。該方法還包括在面板區(qū)A中的緩沖層305上形成具有源/漏區(qū)310c和310a以及溝道區(qū)310b的半導(dǎo)體層310。
形成半導(dǎo)體層310可以包括用化學(xué)汽淀積(CVD)工藝沉積非晶硅、用結(jié)晶工藝將沉積的多晶硅結(jié)晶到結(jié)晶的多晶硅層中，并對形成的層構(gòu)圖。CVD工藝可以包括PECVD和LPCVD工藝。在使用PECVD工藝沉積非晶硅的地方，在沉積硅層之后，為了減小硅層中的氫氣濃度，可以進行熱脫氫工藝。
對非晶硅層的結(jié)晶工藝可以包括快速熱退火(RTA)工藝、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)工藝、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)工藝、固相結(jié)晶(SPC)工藝、準分子激光器退火(ELA)工藝和連續(xù)橫向凝固(SLS)工藝中的一種。
該方法還包括在包括半導(dǎo)體層310的襯底的基本上整個表面上形成柵絕緣層320。形成柵絕緣層320可以包括例如，使用PECVD工藝或者LPCVD工藝沉積。
該方法還包括形成柵極330，對應(yīng)于半導(dǎo)體層310的溝道區(qū)310b。柵極330的形成可以包括在面板區(qū)A中的柵絕緣層320上沉積柵金屬材料并構(gòu)圖柵金屬材料。在柵極330形成為多晶硅的地方，使用和用于形成半導(dǎo)體層310相同的工藝和非晶硅一起形成柵極330。在使用鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(MoSi2)的其中一種形成柵極330的地方，形成柵極330包括LPCVD或者PECVD和構(gòu)圖工藝。
制造顯示裝置200的方法還包括形成源/漏區(qū)310c、310a和溝道區(qū)310b，包括使用掩模將雜質(zhì)注入到半導(dǎo)體層310中。n型雜質(zhì)可以包括例如，磷(P)、砷(As)和銻(Sb)中的至少一種，以及p型雜質(zhì)可以包括例如，硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)中的至少一種。
該方法還包括在包括柵極330的襯底的基本上整個表面上的柵極330上形成層間絕緣層340。層間絕緣層340的形成可以包括例如，PECVD工藝或者LPCVD工藝。
該方法還可以包括在面板區(qū)A中的層間絕緣層340中形成接觸孔341，以便露出半導(dǎo)體層310的源/漏區(qū)310c和310a。在形成接觸孔341之后，在面板區(qū)A中形成通過接觸孔341使源/漏極345和半導(dǎo)體層310中的源/漏區(qū)310c和310a接觸。源/漏極345的形成可以包括在層間絕緣層340上沉積金屬材料并構(gòu)圖金屬材料。該方法還包括在布線區(qū)B中形成多個第一導(dǎo)電圖形347，包括在金屬材料上進行光刻工藝。在一個實施例中，第一導(dǎo)電圖形347包括和源/漏極345相同的材料。在一個實施例中，源/漏極345包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(MoSi2)和鋁(Al)中的至少一種。
優(yōu)選形成多個第一導(dǎo)電圖形347，以具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
半導(dǎo)體層310、柵極330和源/漏極345構(gòu)成薄膜晶體管，以及制造顯示裝置200的方法還包括在面板區(qū)A中的薄膜晶體管上和布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347上形成絕緣層350，絕緣層350可以包括鈍化層和/或平面層。鈍化層的形成可以包括形成氮化硅層、氧化硅層或者其雙層。平面層可以包括一種或多種有機材料，例如丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烷(BCB)樹脂、聚酰亞胺(PI)樹脂、聚酰胺(PA)樹脂和苯酚樹脂。在使用旋涂工藝將平面層沉積之后，絕緣層350經(jīng)受固化處理。
除了面板中和布線區(qū)A和B的預(yù)定區(qū)之外，以光刻工藝和刻蝕工藝隔離面板區(qū)A中的絕緣層。此時，布線區(qū)B中的絕緣層350經(jīng)受光刻工藝以至少露出第一導(dǎo)電圖形347的上部。從面板區(qū)A和第一導(dǎo)電圖形347的上部去除絕緣層。由此，在沉積有機層之后，可以阻止剩余的氣體滲入到有機電致發(fā)光層中。因此，可以阻止因有機電致發(fā)光層損壞導(dǎo)致的像素收縮。
圖3是表示對有機電致發(fā)光顯示裝置的層固化處理之后絕緣層的厚度的示意圖。參考圖3，在輔助電極線、像素區(qū)和數(shù)據(jù)線經(jīng)受顯影處理之后，其絕緣層的厚度以像素區(qū)、輔助電極線和數(shù)據(jù)線上升的順序增加。然而，顯影層經(jīng)受固化處理之后，絕緣層的厚度顯示，其固化作用按照像素區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和輔助電極線的順序遞減，并且輔助電極線沒有得到有效地固化。
圖4是表示對輔助電極線和數(shù)據(jù)線的材料和線寬固化處理之后絕緣層的厚度的示意圖。參考圖4，具有750μm線寬的輔助電極線和具有6μm線寬的第一導(dǎo)電圖形的比較顯示，因為在顯影工藝之后輔助電極線和數(shù)據(jù)線的有機層(PC459)的厚度分別是1.80到1.85μm，所以其厚度不具有顯著的差異。
然而，在固化氮化硅(SiNx)層/玻璃的地方，具有750μm線寬的輔助電極線的第一導(dǎo)電圖形的絕緣層的厚度減小了0.13μm，以及具有6μm線寬的數(shù)據(jù)線的絕緣層的厚度減小了0.3μm。在固化氮化硅(SiNx)層/鎢化鉬(MoW)的地方，具有750μm線寬的輔助電極線的第一導(dǎo)電圖形的絕緣層的厚度減小了0.16μm，以及具有6μm線寬的數(shù)據(jù)線的絕緣層的厚度減小了0.1μm。在固化鎢化鉬(MoW)/玻璃的地方，具有750μm線寬的輔助電極線的第一導(dǎo)電圖形的絕緣層的厚度沒有減小，以及具有6μm線寬的數(shù)據(jù)線的絕緣層的厚度減小了0.05μm。由此，通過減小輔助電極線的第一導(dǎo)電圖形的線寬并進行固化處理可以改善固化處理的效果。
表1和圖5描述了第一導(dǎo)電圖形材料的物理特性的特征值，以及表2和圖6表示相對于其溫度第一導(dǎo)電圖形的熱容和物理特性。
表1

表2

參考表1和圖5，氮化硅(SiNx)層、鎢(W)和鉬(Mo)的導(dǎo)熱率不具有顯著的差異，但是(Al)的導(dǎo)熱率比氮化硅(SiNx)層、鎢(W)和鉬(Mo)的導(dǎo)熱率高大約0.2cal/cm*s。然而，鎢(W)和鉬(Mo)的熱容高于鋁(Al)和氮化硅(SiNx)層的熱容。
參考表2，在施加1400cal和材料在260℃的地方，鉬(Mo)、鎢(W)和鋁(Al)的熱容高于氮化硅(SiNx)層的熱容。如圖6所示，鉬(Mo)、鎢(W)和鋁(Al)的溫度低于響應(yīng)1400cal的氮化硅(SiNx)層的溫度。因此，由于熱容之間的差異，所以鉬(Mo)、鎢(W)和鋁(Al)不能有效地向氮化硅(SiNx)層傳輸熱量。因此，對有機層在固化處理過程中的回流是無效的。因此，優(yōu)選形成第一導(dǎo)電圖形347以具有凸凹結(jié)構(gòu)。在某些實施例中，多個第一導(dǎo)電圖形347具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔，以便最大化有機層固化處理過程中回流的效果。
再次參考制造顯示裝置200的方法，在第一導(dǎo)電圖形347的形成過程中同時形成電源線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。該方法還包括在面板區(qū)A中的絕緣層350中形成通孔355，以便露出源/漏極345的其中一個。
在形成通孔355之后，形成通過通孔355和露出的源/漏極345的其中一個接觸并延伸到絕緣層350的第一電極370。第一電極370的形成可以包括例如，濺射工藝或者離子電鍍工藝。優(yōu)選地，第一電極370的形成包括通常的濺射工藝。第一電極370沉積之后，利用應(yīng)用由光刻工藝形成的光刻(PR)層的圖形的刻蝕工藝構(gòu)圖第一電極370。
在構(gòu)圖第一電極370之后，通過形成多個第二導(dǎo)電圖形371在布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347上形成輔助電極線373。在一個實施例中，第二導(dǎo)電圖形371包括和第一電極370相同的材料，并被設(shè)置成電連接到第一導(dǎo)電圖形347。還設(shè)置第二導(dǎo)電圖形371的結(jié)構(gòu)以減小其和第二電極390的接觸面積，由此減小熱阻和最優(yōu)化熱傳輸。另外，通過避免布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347暴露于對面板區(qū)A中的第一電極370構(gòu)圖處理過程中的刻蝕或者顯影，第二導(dǎo)電圖形371阻止了線的損壞。
接下來，有機材料沉積在面板區(qū)A中的第一電極370上，使用刻蝕工藝可以進一步形成像素限定層375。在一個實施例中，像素限定層375包括一種或者多種有機材料，例如丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烷(BCB)樹脂、聚酰亞胺(Pi)樹脂、聚酰胺(PA)樹脂和苯酚樹脂。在一個實施例中，像素限定層375的沉積包括旋涂工藝。
制造顯示裝置200的方法還包括，在像素限定層375沉積之后，沉積有機層380，至少包括通過面板區(qū)A中的開口385露出第一電極370上的有機電致發(fā)光層。有機層的沉積可以包括例如，真空淀積工藝、旋涂工藝或者激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝。優(yōu)選地，利用旋涂工藝沉積有機層380。而且，有機層380的構(gòu)圖可以包括LITI工藝或者利用蔭罩板的真空淀積工藝。
有機電致發(fā)光層可以包括小分子材料或者聚合材料。小分子材料可以是8-羥基喹啉鋁(Alq3)、蒽、環(huán)戊二烯、BeBq2、Almq、ZnPBO、Balq、DPVBi、BSA-2和2PSP中的一種或多種。聚合材料可以是聚亞苯基(PPP)，其衍生物、聚(p-phenylenevinylene)(PPV)，其衍生物、聚噻吩(PT)及其衍生物中的一種或多種。
在形成有機層380之后，該方法進行到在襯底的基本上整個表面上的有機層380上形成第二電極390的工藝。第二電極390的形成可以包括真空淀積工藝。
制造有機電致發(fā)光顯示裝置的方法還包括密封襯底300和上襯底。由此完成有機電致發(fā)光顯示裝置的制造。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置700的橫截面圖。參考圖7，和有機電致發(fā)光顯示裝置200相同的結(jié)構(gòu)地形成有機電致發(fā)光顯示裝置700，直到在襯底300上形成層間絕緣層340。
在形成層間絕緣層340之后，形成通過面板區(qū)A中的接觸孔341和半導(dǎo)體層310的源/漏極310c和310a接觸的源/漏極345。源/漏極345的形成可以包括在層間絕緣層340上沉積金屬材料并構(gòu)圖金屬材料。通過對源/漏極345上的金屬材料進行光刻工藝在布線區(qū)B中形成具有凹槽的第一導(dǎo)電圖形347。在一個實施例中，第一導(dǎo)電圖形347包括和源/漏極345相同的材料。在形成第一導(dǎo)電圖形347的過程中，電源線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata同時形成。
不像顯示裝置200中的多個第一導(dǎo)電圖形，顯示裝置700中的第一導(dǎo)電圖形347包括凹槽。在一個實施例中，第一導(dǎo)電圖形347具有大約1到大約750μm的線寬和5到350μm的間隔。
由于和顯示裝置10的第一導(dǎo)電圖形147比較，通過具有凹槽的第一導(dǎo)電圖形347減小了線寬，所以在對顯示裝置的有機層固化處理的過程中更有效地進行了回流。
在形成第一導(dǎo)電圖形347之后，在面板區(qū)A中的薄膜晶體管上和第一導(dǎo)電圖形347上形成絕緣層350。絕緣層350包括鈍化層和/或平面層，以及絕緣層350經(jīng)受固化處理。除了預(yù)定的最小區(qū)域，面板區(qū)A中的絕緣層350經(jīng)受光刻工藝和隔離刻蝕工藝?？涛g工藝之后，利用光刻工藝去除形成在布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347上的絕緣層350。特別地，從第一導(dǎo)電圖形347的上部去除絕緣層350，以便阻止在下述工藝中沉積有機層之后，剩余的氣體滲入到有機電致發(fā)光層中。
在有選擇的去除絕緣層350之后，在面板區(qū)A中的絕緣層350中形成通孔355以露出源/漏極345。然后形成通過通孔355和源/漏極345接觸的第一電極370并延伸到絕緣層350。
接下來，在面板區(qū)A中的第一電極370上沉積有機材料，并且借助于刻蝕工藝可以進一步形成像素限定層375。在形成像素限定層375之后，至少包括有機電致發(fā)光層的有機層380形成在通過面板區(qū)A中的開口385露出的第一電極370。
第二電極390形成在襯底的基本上整個表面上的有機層380上。布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347直接和第二電極390接觸，并電連接到第二電極390，以便實現(xiàn)類似于顯示裝置200的輔助電極線的輔助電極線373。
圖8是有機電致發(fā)光顯示裝置800的第三個實施例的橫截面圖。和有機電致發(fā)光顯示裝置200、700相同的結(jié)構(gòu)地形成有機電致發(fā)光顯示裝置800，直到在襯底300上形成層間絕緣層320。
參考圖8，在面板區(qū)A中的柵絕緣層320上形成柵極330。形成柵極330之后，包括和柵極330相同材料的多個第一導(dǎo)電圖形347形成在柵絕緣層320的布線區(qū)B上。可以使用和第一個實施例相同的工藝形成第一導(dǎo)電圖形347。
通過顯示裝置800中的第一導(dǎo)電圖形347減小輔助電極的線寬，并由此在對顯示裝置的有機層固化處理的過程中有效地進行回流。
在形成第一導(dǎo)電圖形347的過程中，電壓線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata同時形成。其后，在柵極330和第一導(dǎo)電圖形347上形成層間絕緣層340。形成在層間絕緣層340上的源/漏極345的結(jié)構(gòu)和第一和第二實施例200、700的相同。
形成源/漏極345之后，在面板區(qū)A中的薄膜晶體管上形成絕緣層350和在布線區(qū)B中的第一導(dǎo)電圖形347上形成絕緣層350。接下來，絕緣層350經(jīng)受固化處理。除了預(yù)定的最小區(qū)域，面板區(qū)A中的絕緣層經(jīng)受光刻工藝和刻蝕工藝以隔離絕緣層350。
除了第一導(dǎo)電圖形347之外，使用光刻工藝去除形成在布線區(qū)B中第一導(dǎo)電圖形347上的絕緣層350。特別地，從第一導(dǎo)電圖形347的上部去除絕緣層350，以便阻止有機層380沉積之后，剩余氣體滲入到有機電致發(fā)光層中。結(jié)果，阻止了由于有機電致發(fā)光層損壞導(dǎo)致的像素收縮現(xiàn)象。
用于形成顯示裝置800的附加部件的工藝，包括第一電極370和第二電極390，和顯示裝置200的第一個實施例的相同。
圖9是有機電致發(fā)光顯示裝置900的第四個實施例的橫截面圖。和根據(jù)第一到第三實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)地形成有機電致發(fā)光顯示裝置900，直到在襯底300上形成柵絕緣層320。
參考圖9，使用構(gòu)圖工藝在面板區(qū)A中的柵絕緣層320上形成柵極330。第一導(dǎo)電圖形347形成在柵絕緣層320并包括凹槽。在顯示裝置900中，第一導(dǎo)電圖形347包括和柵極330相同的材料。使用和第二個實施例顯示裝置200相同的工藝形成顯示裝置900的第一導(dǎo)電圖形347。
以大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔的第一導(dǎo)電圖形347。第一導(dǎo)電圖形的結(jié)構(gòu)347提供了減小的線寬，由此允許對顯示裝置900的有機層固化處理的過程中有效的回流。
在形成第一導(dǎo)電圖形347的過程中，電源線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata同時形成。其后，在柵極330和第一導(dǎo)電圖形347上形成層間絕緣層340。
形成在層間絕緣層340上的源/漏極345和絕緣層350的結(jié)構(gòu)和顯示裝置800的第三個實施例相同。形成絕緣層350之后，形成通過面板區(qū)A中的絕緣層350中的通孔355和源/漏極345接觸的第一電極370，其中第一電極370延伸到絕緣層350。
用于在顯示裝置900中形成連接結(jié)構(gòu)的工藝，包括第一電極370到第二電極390上的像素限定層375，和第二個實施例的相同。
盡管上述的有機電致發(fā)光顯示裝置的實施例包括頂柵型薄膜晶體管，但是本發(fā)明不局限于此，并且具有底柵型薄膜晶體管的有機電致發(fā)光顯示裝置在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
如上所述，通過在有機電致發(fā)光顯示裝置中形成輔助電極線本發(fā)明的實施例阻止第二電極的IR降。另外，在輔助電極線中提供多個圖形和/或凹槽以減小輔助電極線和第二電極之間的接觸面積，降低熱阻以最優(yōu)化有機層固化處理過程中熱傳輸。另外，由于輔助電極的結(jié)構(gòu)可以去除有機層中的剩余氣體，由此阻止因剩余氣體滲入到有機電致發(fā)光層導(dǎo)致的有機電致發(fā)光層的損壞帶來的像素收縮。因此，用上述的本發(fā)明的實施例改善了顯示裝置的可靠性。
盡管上面具體的說明書已經(jīng)展示、描述和指出了應(yīng)用到不同實施例的本發(fā)明的新穎性特征，但是將可以理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在設(shè)備或者工藝的形式和細節(jié)中作出各種省略、替換和改變。通過附帶的權(quán)利要求而不是上述的說明書指示本發(fā)明的范圍。落在權(quán)利要求的等價的意義和范圍內(nèi)的變化將包含在它們的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有面板區(qū)和布線區(qū)；薄膜晶體管，形成在面板區(qū)中的襯底上，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；多個第一導(dǎo)電圖形，形成在布線區(qū)中的襯底上；絕緣層，形成在第一導(dǎo)電圖形上，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形；第一電極，通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸；多個第二導(dǎo)電圖形，形成在布線區(qū)中的第一導(dǎo)電圖形上；有機層，形成在面板區(qū)中的第一電極上，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層；以及第二電極，形成在有機層上基本上覆蓋襯底的整個表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形包括和源/漏極相同的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中源/漏極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第二導(dǎo)電圖形包括和第一電極相同的材料。
6.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有面板區(qū)和布線區(qū)；薄膜晶體管，形成在襯底的面板區(qū)中，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；第一導(dǎo)電圖形，形成在襯底的布線區(qū)中并包括凹槽；絕緣層，形成在第一導(dǎo)電圖形上，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形；第一電極，形成為通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸；有機層，形成在面板區(qū)中的第一電極上，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層；以及第二電極，形成在有機層上基本上覆蓋襯底的整個表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形包括和源/漏極相同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中源/漏極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
10.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有面板區(qū)和布線區(qū)；薄膜晶體管，形成在襯底的面板區(qū)中，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；多個第一導(dǎo)電圖形，形成在襯底的布線區(qū)中；絕緣層，形成為至少露出第一導(dǎo)電圖形的上部；第一電極，形成為通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸；多個第二導(dǎo)電圖形，形成為和布線區(qū)的絕緣層中的第一導(dǎo)電圖形接觸；有機層，形成在面板區(qū)中的第一電極上，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層；以及第二電極，形成在有機層上基本上覆蓋襯底的整個表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形包括和柵極相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中柵極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
14.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有面板區(qū)和布線區(qū)；薄膜晶體管，形成在襯底的面板區(qū)中，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；第一導(dǎo)電圖形，形成在布線區(qū)中的襯底上并包括凹槽；層間絕緣層，形成在第一導(dǎo)電圖形上以便至少露出第一導(dǎo)電圖形的上部；絕緣層，形成在源/漏極上并在第一導(dǎo)電圖形的上部去除；第一電極，形成為通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸；有機層，形成在第一電極上，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光層；以及第二電極，形成在有機層上基本上覆蓋襯底的整個表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形包括和柵極相同的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中柵極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
18.一種制造有機電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括制備具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底；在襯底的面板區(qū)中形成薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；在襯底的布線區(qū)中形成多個第一導(dǎo)電圖形；在第一導(dǎo)電圖形上形成絕緣層，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形；形成通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極；在布線區(qū)中的第一導(dǎo)電圖形上形成多個第二導(dǎo)電圖形；在面板區(qū)中的第一電極上形成有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光顯示層；以及在有機層上基本上覆蓋基板的整個表面形成第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第一導(dǎo)電圖形包括和源/漏極相同的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中源/漏極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
22.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第二導(dǎo)電圖形包括和第一電極相同的材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中形成第一導(dǎo)電圖形包括同時形成電壓線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。
24.一種制造有機電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括制備具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底；在襯底的面板區(qū)中形成薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；在襯底的布線區(qū)中形成第一導(dǎo)電圖形，其中第一導(dǎo)電圖形包括凹槽；在第一導(dǎo)電圖形上形成絕緣層，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形；形成通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極；在第一電極上形成有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光顯示層；以及在有機層上基本上覆蓋基板的整個表面形成第二電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中第一導(dǎo)電圖形包括和源/漏極相同的材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中源/漏極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
27.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
28.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中形成第一導(dǎo)電圖形包括同時形成電壓線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。
29.一種制造有機電致發(fā)光顯示裝置的方法制備具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底；在襯底的面板區(qū)中形成薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；在襯底的布線區(qū)中形成多個第一導(dǎo)電圖形；形成絕緣層，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形的上部；形成通過形成在絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極；形成和布線區(qū)中的絕緣層中的第一導(dǎo)電圖形接觸的多個第二導(dǎo)電圖形；在面板區(qū)中的第一電極上形成有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光顯示層；以及在有機層上基本上覆蓋基板的整個表面形成第二電極。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中第一導(dǎo)電圖形包括和柵極相同的材料。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中柵極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
32.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
33.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中形成第一導(dǎo)電圖形包括同時形成電壓線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。
34.一種制造有機電致發(fā)光顯示裝置的方法制備具有面板區(qū)和布線區(qū)的襯底；在襯底的面板區(qū)中形成薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源/漏極；在襯底的布線區(qū)中形成多個第一導(dǎo)電圖形，其中第一導(dǎo)電圖形包括凹槽；在第一導(dǎo)電圖形上形成層間絕緣層，以便至少露出第一導(dǎo)電圖形的上部；在源/漏極上形成絕緣層，其中在第一導(dǎo)電圖形的上部去除該絕緣層；形成通過絕緣層中的通孔和源/漏極的其中一個接觸的第一電極；利用構(gòu)圖工藝在第一電極上形成有機層，其中有機層至少包括有機電致發(fā)光顯示層；以及在有機層上基本上覆蓋基板的整個表面形成第二電極。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中第一導(dǎo)電圖形包括和柵極相同的材料。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中柵極包括鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、鋁(Al)、和硅化鎢(WSi2)中的至少一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中第一導(dǎo)電圖形具有大約1到大約750μm的線寬和大約5到大約350μm的間隔。
38.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中形成第一導(dǎo)電圖形包括同時形成電壓線Vdd和數(shù)據(jù)線Vdata。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，設(shè)置成通過在有機電致發(fā)光顯示裝置中形成輔助電極線來阻止第二電極的IR降。該顯示裝置還設(shè)置成阻止由于氣體傳輸?shù)接袡C電致發(fā)光層中導(dǎo)致的有機電致發(fā)光層的損壞引起的像素收縮。通過在輔助電極線中設(shè)置多個圖形和/或凹槽阻止氣體排出，來降低輔助電極線和第二電極之間的接觸面積，由此降低固化過程中的熱阻和最優(yōu)化熱傳輸，并還允許有機薄膜中剩余氣體的去除。
文檔編號H01L21/8234GK1825614SQ200510003499
公開日2006年8月30日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月29日
發(fā)明者吳相憲 申請人:三星Sdi株式會社