專利名稱：用于獲得具有支撐襯底和超薄層的結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制備結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)包含至少一個支撐襯底和一材料尤其是半導(dǎo)體材料的超薄層，可選地具有在支撐襯底與超薄層之間的插入層(interposed layer)。
背景技術(shù)：
在復(fù)合襯底的制備期間，尤其在光學(xué)、電子學(xué)或光電學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用中，采用層轉(zhuǎn)移(layer transfer)法將層從源襯底轉(zhuǎn)移到支撐襯底上。
層轉(zhuǎn)移法之一在于將原子種類注入在源襯底的表面之下，以在其中產(chǎn)生限定薄層的弱區(qū)(zone of weakness)。然后使薄層的自由面與支撐襯底緊密接觸，然后將所述薄層從源襯底的剩余部分分離，以便將它轉(zhuǎn)移到支撐襯底。
這種方法以商標(biāo)“Smart Cut”而公知。
技術(shù)朝這樣一個方向發(fā)展，即將越來越薄的層轉(zhuǎn)移到支撐體上以獲得能由其制備電子組件的復(fù)合襯底，所述電子組件比現(xiàn)有組件運(yùn)行得甚至更快。
在這一方面，應(yīng)當(dāng)參考Aaron Mand的論文，“Value-Added WafersPush Chips Ahead(增值晶片推動芯片向前)”，SemiconductorInternational，November 2002。
然而，到現(xiàn)在為止，試驗顯示當(dāng)待轉(zhuǎn)移的薄層很薄時，也就是，小于大約100納米(nm)，它會包含在轉(zhuǎn)移較厚層時并不出現(xiàn)的缺陷。因而，它經(jīng)受不住隨后的熱處理，進(jìn)行所述熱處理或者是為了加強(qiáng)它與支撐體的鍵合界面(bonding interface)，或者是為了從源襯底將它分離。所述熱處理導(dǎo)致提高了存在于出現(xiàn)在弱區(qū)中的氣體微泡中的壓力并引起它們脫氣(degas)。因而很薄的被轉(zhuǎn)移層包含許多缺陷，諸如水泡(blisters)或者局部分層(partial delamination)。
此外，看起來當(dāng)將很薄的層轉(zhuǎn)移到支撐襯底上時，所獲得的鍵合質(zhì)量對于待接觸層的表面上的顆?；蛱?xì)浠衔锏拇嬖诒绒D(zhuǎn)移較厚的層時敏感得多。
相似地，當(dāng)插入層出現(xiàn)在待轉(zhuǎn)移的薄層與支撐襯底之間時，已經(jīng)顯示被轉(zhuǎn)移薄層越薄，它包含的缺陷就越多。
附圖的圖1顯示，對于給定的插入層厚度，被轉(zhuǎn)移層的總厚度ET即薄層和插入層的厚度之和作為已完成結(jié)構(gòu)中缺陷數(shù)量ND的函數(shù)的理論曲線。
僅僅是為了舉例說明目的的此圖顯示，對于給定的插入層厚度(實線)，被轉(zhuǎn)移薄層具有限制厚度EL1；更小的值會導(dǎo)致包含缺陷的層的轉(zhuǎn)移。對于插入層的更小厚度(點(diǎn)線)，被轉(zhuǎn)移薄層的限制厚度EL2更大。
在絕緣體上硅(SOI)襯底的特殊情況下，將通常是氫離子的原子種類注入于硅襯底的表面處，所述硅襯底的外表面已經(jīng)被氧化，然后將第二硅襯底鍵合到組合體(assembly)上。在分離和退火之后，獲得了包含由氧化物(SiO2)層所覆蓋的體硅層和被轉(zhuǎn)移硅層的SOI襯底(見M.Bruel的論文“Silicon on insulator material technology(絕緣體上硅材料技術(shù))”，Electron Letter，31，1201(1995))。
在掩埋氧化物層的一定厚度之下，已顯示被轉(zhuǎn)移硅層包含缺陷，如果還使用了高溫?zé)崽幚?，則缺陷就更明顯。在這一方面，應(yīng)參考Q.-Y.Tong，G.Cha，R.Gafiteau，和U.Gsele的論文“Low temperature waferdirect bonding(低溫晶片直接鍵合)“，J.Microelectromech Syst，3，29(1994)。
出現(xiàn)所述缺陷的一個可能解釋是在氧化硅層與第二硅襯底之間的鍵合界面處脫氣的出現(xiàn)。
在發(fā)生在分離步驟之后、稱為“穩(wěn)定處理”的退火熱處理期間，在鍵合界面處形成氣體。在厚SOI襯底的情況下，被轉(zhuǎn)移層較厚并作為硬化劑(stiffener)。另外，假定同樣也較厚的氧化物層作為海綿狀物，吸收從鍵合界面釋放的氣體。
在被轉(zhuǎn)移層和/或氧化物層較薄的薄SOI襯底的情況下，所述吸收現(xiàn)象和硬化效應(yīng)現(xiàn)象并不發(fā)生，且脫氣導(dǎo)致鍵合界面處的弱附著(adhesion)。
另一可能解釋是，在薄SOI襯底中，在相對于鍵合界面的較淺深度處注入氫。因而被轉(zhuǎn)移層中的氫飽和，所述氫易于通過擴(kuò)散在鍵合界面的方向上遷移。
用電流技術(shù)獲得的SOI襯底包含厚度在100nm與1.5微米(μm)之間的掩埋氧化物層(SiO2)和表面硅。到現(xiàn)在為止，很難獲得所述兩層更薄的高質(zhì)量SOI襯底。
在這方面到現(xiàn)在為止所進(jìn)行的試驗一直旨在加強(qiáng)層間的鍵合，但沒有獲得滿意的結(jié)果。
最后，從文獻(xiàn)WO-00/48278可知道形成光學(xué)硅層的方法，所述方法包括轉(zhuǎn)移層和減薄的步驟。該方法旨在獲得指定厚度的光學(xué)硅層，所述指定厚度稱為“光學(xué)厚度”，等于λ/4nS，其中λ是產(chǎn)生的或接收到的光的波長，nS是硅的折射率。
然而，該方法的目的并不是獲得超薄層，因此完全沒有提及在將超薄層轉(zhuǎn)移到支撐物上的期間出現(xiàn)水泡或缺陷的問題。
最后，該文獻(xiàn)完全沒有建議使用轉(zhuǎn)移具有一厚度的層的中間步驟，所述厚度比要獲得的超薄層的厚度大得多(substantially greater)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服上述缺點(diǎn)，并提供一種能將被轉(zhuǎn)移層和可選的插入層轉(zhuǎn)移到支撐襯底的方法，所述插入層很薄，即，小于約50納米(50nm)或甚至小于20nm厚。這些層被稱為“超薄”層。
本發(fā)明尤其應(yīng)用于制備所有具有層的堆疊的襯底，其中一些層對脫氣敏感。
為此，本發(fā)明涉及一種制備結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)包含至少一個支撐襯底和來源于尤其由半導(dǎo)體材料制成的源襯底的超薄層，以應(yīng)用于電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)領(lǐng)域，所述方法包括如下步驟a)通過分子鍵合將支撐襯底鍵合到源襯底的被稱為“前面(frontface)”的一個面上，所述源襯底在其中具有弱區(qū)，所述弱區(qū)與所述前面一起定義被稱為“待轉(zhuǎn)移層”的有用層，所述有用層的厚度比所述超薄層的厚度大得多；b)沿著所述弱區(qū)，將所述支撐襯底和所述待轉(zhuǎn)移的有用層從源襯底的剩余部分分離，以獲得包含至少所述被轉(zhuǎn)移的有用層和所述支撐襯底的中間結(jié)構(gòu)；c)減薄所述被轉(zhuǎn)移的有用層以獲得所述超薄層。
下面是本發(fā)明能夠單獨(dú)存在或組合的另外優(yōu)點(diǎn)和非限制特性●在插入層上進(jìn)行分子鍵合支撐襯底的步驟a)，所述插入層存在于所述源襯底的前面上；●中間結(jié)構(gòu)的待轉(zhuǎn)移有用層至少比由減薄步驟c)所獲得的所述超薄層厚三倍(at least three times thicker)；●中間結(jié)構(gòu)的所述待轉(zhuǎn)移有用層是300納米厚或更厚，超薄層的厚度是100納米或更??；●超薄層的厚度是50納米或更??；●所述插入層的厚度是50納米或更小；●所述插入層是絕緣材料層；●插入層是選自氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、高介電常數(shù)絕緣材料、金剛石、及所述材料的組合的材料層；●使用下列技術(shù)中的至少一種進(jìn)行減薄化學(xué)機(jī)械拋光，在包含氫、氬或其混和物的氣氛中退火；犧牲氧化；和化學(xué)蝕刻；●在鍵合步驟a)之后并在減薄步驟c)之前進(jìn)行熱退火處理；●在分離步驟b)期間進(jìn)行熱退火處理；●在分離步驟b)之前進(jìn)行熱退火處理；●通過原子種類注入獲得弱區(qū)；●弱區(qū)是多孔層；●分離步驟b)包括施加機(jī)械和/或熱應(yīng)力；●被轉(zhuǎn)移的有用層是包含懸浮圖案(suspended motifs)的層(懸浮層)；●源襯底由選自硅、碳化硅(silicon carbide)、鍺、硅鍺、IV-IV化合物、和III-V化合物的一材料形成，或由所述材料的組合形成；●支撐襯底由選自硅、碳化硅、鍺、硅鍺、IV-IV化合物、和III-V化合物的一材料形成，由或所述材料的組合形成。


本發(fā)明的另外特性和優(yōu)點(diǎn)從參考附圖的以下說明變得顯而易見，所述說明提供了可能實施的非限制性示意。
在附圖中●圖1是顯示對于所述插入層的兩種不同厚度，被轉(zhuǎn)移層的總厚度ET(薄層和插入層)作為在已完成結(jié)構(gòu)中所觀察到的缺陷數(shù)量ND的函數(shù)的圖；●圖2A至2E和3A至3E示意了在本發(fā)明的方法的兩種變體中的連續(xù)步驟。
在圖2A至2E和3A至3E中，不同的層及它們的厚度沒有按比例顯示，并且為了清楚的目的而在某些地方有意地放大。
具體實施例方式
圖2A顯示了具有內(nèi)部弱區(qū)12的源襯底1，所述弱區(qū)12定義了兩部分，即待轉(zhuǎn)移的有用區(qū)13和所述源襯底的剩余部分14或背面部分。
它具有被稱為“前面(front face)”的面10和被稱為“背面”的相對面11，所述面10將與支撐襯底3接觸并位于待轉(zhuǎn)移的有用層13的一側(cè)。
通過注入原子種類可獲得弱區(qū)12。
“注入原子種類”的表述是指分子的或離子的原子種類的任何轟擊，其能夠?qū)⑺龇N類引入到材料中，所述種類的最大濃度在相對于轟擊表面10的預(yù)定深度處。分子的或離子的原子種類以一能量被引入到材料中，所述能量也在一最大值附近分布。
例如可使用離子束注入器或等離子沉浸注入器(plasma immersionimplanter)將原子種類注入到所述源襯底1中。
優(yōu)選地，通過離子轟擊進(jìn)行所述注入。更優(yōu)選地，所注入的離子種類是氫。諸如稀有氣體(例如氦)的其它離子種類可有利地單獨(dú)使用或結(jié)合氫使用。
所述注入在源襯底1的體內(nèi)以平均的(mean)離子穿透深度生成了基本上平行于前面10的平面的弱區(qū)12。
在這一方面，應(yīng)當(dāng)參考有關(guān)以商標(biāo)“Smart Cut”而公知的方法的文獻(xiàn)。
也可以通過多孔層來構(gòu)成弱區(qū)12，所述多孔層例如通過歐洲專利EP-A-0 849 788中描述的方法來獲得。
待轉(zhuǎn)移的有用層13也可以是其前面10具有通過蝕刻而獲得的孔洞(cavities)的層，所述層是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的“懸浮層(suspendedlayer)”。上述層用于微機(jī)電系統(tǒng)，MEMS的制備中。
支撐襯底3用作機(jī)械支撐，為此，它的厚度是幾百微米(典型地約為300μm)。
它具有將與源襯底1的前面10接觸的前面30以及被稱為“背面”的相對面31。
源襯底1和支撐襯底3可由任何材料構(gòu)成，尤其是那些通常用于電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用的材料，諸如半導(dǎo)體材料。
作為示意性實例，可以使用經(jīng)常用于所述應(yīng)用中的材料硅、碳化硅、鍺、硅鍺、IV-IV化合物、III-V化合物、或所述材料的組合即包含至少兩個選自上述那些材料的材料層的多層襯底，來作為支撐襯底3和源襯底1的組成材料。
IV-IV化合物是其兩種元素屬于周期表的IVa列的化合物。III-V化合物是其一種元素選自周期表的IIIa列且其另一元素選自Va列的化合物，諸如氮化鎵(GaN)、砷化鎵(AsGa)、或磷化銦(InP)。
不管制備弱區(qū)12的方式是什么，均采用待轉(zhuǎn)移的有用層13相對于要在支撐襯底3上獲得的最終層的厚度非常厚的方式來形成它。
下面描述關(guān)于所述待轉(zhuǎn)移層13的厚度的特性。
如圖2B所示，然后通過晶片鍵合將支撐襯底3的前面30鍵合到源襯底1的前面10。
有利地，在堆疊上進(jìn)行退火熱處理以增強(qiáng)源襯底1的前面10與支撐襯底3的前面30之間的鍵合界面。所述熱處理是在一溫度下進(jìn)行的，所述溫度適合作為相接觸材料的化學(xué)本性的函數(shù)。
如圖2C所示，然后沿著弱區(qū)12將支撐襯底3和待轉(zhuǎn)移層13從源襯底1的剩余部分14分離。
例如，通過施加機(jī)械起源的應(yīng)力來實現(xiàn)分離，所述機(jī)械起源的應(yīng)力通常是張力和/或彎曲和/或切應(yīng)力。
例如，可用牽拉設(shè)備(drawing rig)，或者將一個或多個刀片引入弱區(qū)12處的所述層堆疊的一側(cè)，或者通過橫向施加在所述相同弱區(qū)處的一股流體(液體或氣體)來施加所述應(yīng)力。
應(yīng)用所述機(jī)械起源的應(yīng)力促使弱區(qū)12處的裂紋蔓延(propagationof crack)。
也可以通過施加熱起源的應(yīng)力來實現(xiàn)分離。
也可以結(jié)合機(jī)械起源的應(yīng)力和熱起源的應(yīng)力。
因而獲得包含支撐襯底3和于是被稱為“被轉(zhuǎn)移層”的有用層13的中間結(jié)構(gòu)4。
如圖2D所示，然后在被轉(zhuǎn)移的有用層13上進(jìn)行減薄步驟(箭頭A)以獲得超薄層130(見圖2E)。
所獲得的最后結(jié)構(gòu)，參考數(shù)字5，包含支撐體3和超薄層130。
可使用下列技術(shù)中的一種或多種來進(jìn)行減薄，例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、在包含氫和/或氬的氣氛中退火、犧牲氧化、或者干法或濕法化學(xué)蝕刻。
化學(xué)機(jī)械拋光是結(jié)合機(jī)械拋光和化學(xué)拋光的技術(shù)，所述機(jī)械拋光通過使旋轉(zhuǎn)的拋光頭經(jīng)過被轉(zhuǎn)移層13的自由表面131之上來進(jìn)行，所述化學(xué)拋光通過在所述拋光頭的表面與待拋光的表面131之間分配以液體或漿糊形式的研磨劑，諸如膠態(tài)硅石(colloidal silica)，而實施。
在包含氫和/或氬的氣氛中退火是在所述氣氛中在大約1050℃至1350℃的溫度下將中間結(jié)構(gòu)4退火幾十秒到幾十分鐘。所述退火在表面131上重新排列原子，其被轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定的能級，使表面131光滑，并因而減小了層13的厚度(減薄)。
犧牲氧化是在氧化氣氛中加熱自由表面131以形成氧化層，所述氧化層被除去，并重復(fù)操作多次直到達(dá)到超薄層130的期望厚度。
最后，化學(xué)蝕刻操作包括在化學(xué)品的浴(bath)中所進(jìn)行的濕法蝕刻或在蝕刻被轉(zhuǎn)移層13的氣體等離子中所進(jìn)行的干法蝕刻。干法蝕刻的進(jìn)行也可以通過離子轟擊，例如使用氬，其具有減小層13的厚度直到獲得超薄層130的機(jī)械彈道(ballistic)效應(yīng)。
從減薄步驟得到的超薄層130的最終厚度是100納米(100nm)或更小，或者甚至50納米(50nm)或更小。
也可在分離步驟期間或其后，但總是在減薄步驟之前進(jìn)行用以增強(qiáng)源襯底1的前面10與支撐體3的前面30之間的鍵合界面的上述熱退火處理。也可以在鍵合與減薄之間多次重復(fù)所述退火熱處理。
應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)在分離步驟期間進(jìn)行熱退火時，可以進(jìn)行采用增高的溫度的單一熱處理。
因而，例如，當(dāng)源襯底1是硅時，于是在大約500℃下進(jìn)行沿弱區(qū)12的分離，當(dāng)溫度至少是1000℃并維持了幾小時，鍵合界面被增強(qiáng)。
根據(jù)本發(fā)明并且與現(xiàn)有技術(shù)相反，制備超薄層130的方法在于經(jīng)過中間步驟(獲得中間結(jié)構(gòu)4)，在所述中間步驟期間轉(zhuǎn)移了有用層13，厚度比當(dāng)完成該方法時所獲得的超薄層130的厚度大得多。
表述“大得多”是指待轉(zhuǎn)移層13具有足以經(jīng)得起分離或增強(qiáng)其與支撐襯底3的鍵合界面的不同熱處理的厚度，而不會在所述界面處引起缺陷或氣泡的形成。
優(yōu)選地，待轉(zhuǎn)移層13至少比超薄層130厚三倍。再優(yōu)選地，所述層13是300納米厚或更厚，而相比較而言，超薄層130是100納米厚或更薄，或者甚至50納米或更薄。
圖3A至3E顯示根據(jù)圖2A至2E所描述的方法的變體。
在該變體中，在源襯底1的前面10與支撐表面3的前面30之間插入插入層2(見圖3B)。
如圖3A所示，所述插入層2是在借助于晶片鍵合的鍵合步驟之前，優(yōu)選在源襯底1的前面10上形成的。然而，它也可以形成在支撐襯底3的前面30上或在前面10和30兩者上。
例如，可以使用稱作CVD的化學(xué)汽相沉積技術(shù)，或通過外延技術(shù)即金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)，或通過氫化物汽相外延(HVPE)來獲得插入層2。
當(dāng)所述插入層2是氧化物時，也能通過將體襯底1氧化來獲得它。
當(dāng)弱區(qū)12是通過注入原子種類而獲得時，優(yōu)選在注入之前沉積插入層2。與沉積方法有關(guān)的溫度大升高可能對弱區(qū)12不利。
相反，當(dāng)弱區(qū)12是多孔層時，插入層2的沉積在形成所述多孔區(qū)和待轉(zhuǎn)移的有用層13之后，后者也通常通過外延得到。
所述插入層2例如可由絕緣材料層構(gòu)成，尤其是氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、金剛石、具有高介電常數(shù)的絕緣材料、或所述材料的組合，例如氮氧化硅。所述插入層2也可以由所述材料的多個不同的層組成(多層)。
該方法的其它步驟與上述的那些步驟相同，不再詳細(xì)重述。應(yīng)當(dāng)注意，在圖3C所示的分離步驟之后，獲得包括支撐體3、插入層2和被轉(zhuǎn)移層13的中間結(jié)構(gòu)4’。
在減薄操作之后，獲得支撐襯底3，所述支撐襯底3接連支撐著插入層2然后超薄層130以形成最終結(jié)構(gòu)5’。
優(yōu)選地，插入層2較薄，即50納米(50nm)或更薄。
本發(fā)明的方法可以制備SOI型襯底，其中氧化硅插入層和表面硅層都小于50nm厚，這到目前為止一直不可能。
現(xiàn)在描述本發(fā)明的方法的四個特定實例。
實例1進(jìn)行由體硅形成的源襯底1的熱氧化，以便用50納米(50nm)厚的氧化硅(SiO2)插入層2覆蓋它。
然后通過使用8×1016H+/cm2的注入劑量和210keV的注入能量注入氫離子H+來形成弱區(qū)12，以獲得具有1.9微米(1.9μm)厚度的待轉(zhuǎn)移層13。
然后通過晶片鍵合將由體硅形成的支撐襯底鍵合到所述氧化層2。
然后通過低于500℃的熱處理分離源襯底1的剩余部分14，并用高于1000℃的熱處理增強(qiáng)鍵合界面。
最后，通過拋光和犧牲氧化進(jìn)行減薄以獲得具有超薄硅層130的最終結(jié)構(gòu)5’，所述超薄硅層130的厚度為50nm或者如果繼續(xù)所述減薄步驟甚至為20nm。
實例2遵循實例1的步驟，除了氧化硅層2是20納米厚之外。
實例3遵循實例1的步驟，除了注入劑量是7×1016H+/cm2及注入能量是160keV，以致待轉(zhuǎn)移層13是1.5微米(1.5μm)厚。
實例4遵循實例3的步驟，除了氧化硅層2是20納米厚之外。
權(quán)利要求
1.一種制備結(jié)構(gòu)(5，5’)的方法，所述結(jié)構(gòu)(5，5’)包含至少一個支撐襯底(3)和來源于源襯底(1)的一超薄層(130)，尤其由半導(dǎo)體材料制成，應(yīng)用于電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)領(lǐng)域，所述方法包括如下步驟a)通過分子鍵合將支撐襯底(3)鍵合到源襯底(1)的被稱為“前面”(10)的一個面上，所述源襯底在其中具有弱區(qū)(12)，所述弱區(qū)(12)與所述前面(10)一起定義被稱為“待轉(zhuǎn)移層”的有用層(13)，所述有用層(13)的厚度比所述超薄層(130)的厚度大得多；b)沿著所述弱區(qū)(12)將所述支撐襯底(3)和所述待轉(zhuǎn)移的有用層(13)從源襯底(1)的剩余部分(14)分離，以獲得包括至少所述被轉(zhuǎn)移的有用層(13)和所述支撐襯底(3)的中間結(jié)構(gòu)(4，4’)；c)減薄所述被轉(zhuǎn)移的有用層(13)以獲得所述超薄層(130)。
2.如權(quán)利要求1所述的獲得結(jié)構(gòu)(5’)的方法，所述結(jié)構(gòu)(5’)包含支撐襯底(3)，來源于源襯底(1)的超薄層(130)，尤其由半導(dǎo)體材料形成，以及插在所述支撐襯底(3)和所述超薄層(130)之間的插入層(2)，其特征在于，分子鍵合支撐襯底(3)的步驟a)是在存在于所述源襯底(1)的前面(10)上的插入層(2)上進(jìn)行的。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述中間結(jié)構(gòu)(4，4’)的待轉(zhuǎn)移有用層(13)至少比由減薄步驟c)獲得的所述超薄層(130)厚三倍。
4.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述中間結(jié)構(gòu)(4，4’)的待轉(zhuǎn)移有用層(13)是300納米厚或更厚，所述超薄層(130)的厚度是100納米或更小。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述超薄層(130)的厚度是50納米或更小。
6.如權(quán)利要求2至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述插入層(2)的厚度是50納米或更小。
7.如權(quán)利要求2至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述插入層(2)是絕緣材料層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述插入層(2)是選自氧化硅、氮化硅、高介電常數(shù)的絕緣材料、金剛石、和所述材料的組合的材料層。
9.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，使用下列技術(shù)中的至少一種來進(jìn)行減薄化學(xué)機(jī)械拋光，在包含氫、氬或其混和物的氣氛中退火，犧牲氧化，和化學(xué)蝕刻。
10.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在鍵合步驟a)之后且在減薄步驟c)之前進(jìn)行熱退火處理。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在分離步驟b)期間進(jìn)行所述熱退火處理。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在分離步驟b)之前進(jìn)行所述熱退火處理。
13.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，通過原子種類注入獲得所述弱區(qū)(12)。
14.如權(quán)利要求1至12中任一項所述的方法，其特征在于，所述弱區(qū)(12)是多孔層。
15.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述分離步驟b)包括施加機(jī)械和/或熱應(yīng)力。
16.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述被轉(zhuǎn)移的有用層(13)是包含懸浮圖案的層。
17.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述源襯底(1)由選自硅、碳化硅、鍺、硅鍺、IV-IV化合物、和III-V化合物的一材料形成，或由所述材料的組合形成。
18.如前面權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述支撐襯底(3)由選自硅、碳化硅、鍺、硅鍺、IV-IV化合物、和III-V化合物的一材料形成，或由所述材料的組合形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種獲得結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)具有至少一個支撐襯底(3)，由源襯底(1)制備的超薄層，尤其由半導(dǎo)體材料制成，并可選地具有插入層。本發(fā)明方法包括如下步驟a)通過分子附著將支撐襯底(3)附著到源襯底(1)的前面(10)，所述源襯底(1)具有限定待轉(zhuǎn)移的有用層(13)的弱區(qū)(12)，所述有用層(13)的寬度明顯大于所述超薄層(130)的寬度；b)沿著所述弱區(qū)(12)將所述支撐襯底(3)從源襯底(1)的剩余部分(14)分離，由此獲得具有至少所述被轉(zhuǎn)移的有用層(13)和所述支撐襯底(3)的中間結(jié)構(gòu)；c)減薄所述被轉(zhuǎn)移的有用層(13)直到獲得超薄層。本發(fā)明用于制備電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)領(lǐng)域中的襯底。
文檔編號H01L21/20GK1802737SQ200480015601
公開日2006年7月12日 申請日期2004年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月6日
發(fā)明者C·奧耐特, B·巴塔尤, B·吉斯勒, H·莫里索 申請人:S.O.I.Tec絕緣體上硅技術(shù)公司, 原子能源局