專利名稱：電介質(zhì)諧振器、其頻率調(diào)整方法及具有其的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于微波或毫波帶的電介質(zhì)諧振器、其頻率調(diào)整方法及使用了該電介質(zhì)諧振器的集成電路。
背景技術(shù)：
以更為充分地說明本發(fā)明涉及的當(dāng)前的技術(shù)水準(zhǔn)為目的，在此參照在本申請中引用或特定的全部專利、專利申請、專利公報、科學(xué)論文等，從而組合所有這些說明。
在用于微波或毫波帶的振蕩器中，為了提高相位噪聲及頻率穩(wěn)定度，使用電介質(zhì)諧振器(DR)。圖1是表示具有一現(xiàn)有例的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。為了得到負(fù)電阻，在晶體管FET14的源極連接有電容性的微帶線路28b。從晶體管FET14的柵極延伸的微帶線路28a與圓筒狀的TE01δ模式的電介質(zhì)諧振器1感應(yīng)性耦合。此時，耦合度根據(jù)電介質(zhì)諧振器1和微帶線路28a的距離來調(diào)整。在電介質(zhì)諧振器1的諧振頻率中，來自晶體管FET14側(cè)的電磁波被反射，在諧振頻率以外被吸收到終端電阻15a。因此，在諧振頻率中具有大的負(fù)電阻值。在晶體管FET14的漏極，連接有一滿足振蕩條件的方式設(shè)計的匹配電路16(由傳送線路和電容器構(gòu)成)。經(jīng)由～數(shù)kΩ的電阻15b施加晶體管FET144的柵極偏壓17a，并經(jīng)由匹配電路16施加漏極偏壓17b。此外，通過連接到與電介質(zhì)諧振器1感應(yīng)性耦合的微帶線路28c一端的變?nèi)荻O管20，對諧振頻率進行微調(diào)整。為了將控制電壓17c施加到變?nèi)荻O管20上，在變?nèi)荻O管20的一端，連接有在動作頻率中作為低電抗的電容器21a，在另一端連接有DC接地的～數(shù)kΩ的電阻15c。在這種結(jié)構(gòu)中，電介質(zhì)諧振器1的諧振頻率由外形尺寸決定，因此要求很高的加工精度。此外，由于耦合度根據(jù)電介質(zhì)諧振器1和微帶線路28a的距離來調(diào)整，因此對于電介質(zhì)諧振器1的對位要求很高的精度(～0.1mm)。另外，由于電磁場還擴散到諧振器的外側(cè)，因此存在實際安裝到組件時振蕩頻率容易變化的問題。
因此，作為電介質(zhì)諧振器和傳送線路的連接結(jié)構(gòu)，在特開平11-145709號公報中提出了圖2所示的結(jié)構(gòu)。圖2是表示另一現(xiàn)有例的電介質(zhì)諧振器和傳送線路的耦合結(jié)構(gòu)的分解透視圖。電介質(zhì)諧振器1由電介質(zhì)基板30和導(dǎo)電板29a、29b構(gòu)成。在電介質(zhì)基板30的上部和下部的兩面，形成具有圓形狀相向的開口部的導(dǎo)體層31a、31b。在導(dǎo)體層31a上部由薄膜形成技術(shù)形成電介質(zhì)層32。進而，在電介質(zhì)層32的上部形成信號導(dǎo)體層33。在這種結(jié)構(gòu)中，形成了電介質(zhì)基板30的開口部的區(qū)域，作為諧振器而動作。該專利文獻1的情況，也和圖1的結(jié)構(gòu)一樣，耦合度根據(jù)諧振器和信號導(dǎo)體層33的距離來調(diào)整，但通過使用薄膜形成技術(shù)可以對信號導(dǎo)體層33的位置進行高精度的控制，因此耦合度的偏差很小。
但是，在上述特開平11-145709號公報的例中，與圓筒狀的電介質(zhì)諧振器相比，雖然擴散到諧振器外部的電磁場很少，但向上部及下部方向同樣進行擴散，因此需要使構(gòu)成振蕩器的其他線路、晶體管FET等從諧振器遠(yuǎn)離進行配置。即在上部及下部無法配置。其結(jié)果，存在電路變大的問題。此外，由于電屏蔽，因此如圖2所示，存在另外需要覆蓋諧振器部的導(dǎo)電板29a、29b的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種沒有上述問題的電介質(zhì)諧振器。
本發(fā)明的其他目的在于提供一種具有沒有上述問題的電介質(zhì)諧振器的集成電路。
根據(jù)本發(fā)明的一個側(cè)面，提供一種電介質(zhì)諧振器，具備封閉電磁波并具有三維擴展的有效諧振區(qū)域，其中，所述電介質(zhì)諧振器至少包含一個耦合元件，進而所述至少一個耦合元件，包括至少一個槽，在所述有效諧振區(qū)域的周圍面的至少一部分上具有二維擴展并延伸的至少一個導(dǎo)體面上形成；和至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域，與所述至少一個槽鄰接。
優(yōu)選的是，所述有效諧振區(qū)域內(nèi)部由電介質(zhì)構(gòu)成，另一方面，所述有效諧振區(qū)域的周圍，由具有二維的擴展并延伸的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，以不形成超過諧振頻率中電磁波波長的1/2尺寸的間隙，所述至少一個導(dǎo)體面構(gòu)成所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的一部分。
進一步優(yōu)選的是，在所述有效諧振區(qū)域的周圍延伸的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由在電介質(zhì)基板的第一面上延伸的第一導(dǎo)體層、在所述電介質(zhì)基板的第二面上延伸的第二導(dǎo)體層、和埋藏在所述電介質(zhì)基板中的至少一個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
進一步優(yōu)選的是，所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，由環(huán)狀不連續(xù)地延伸的多個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成，所述多個埋藏導(dǎo)體間的距離為所述波長的1/2或1/2以下。
進一步優(yōu)選的是，所述多個埋藏導(dǎo)體，是在貫通所述電介質(zhì)基板的多個通孔中形成的多個貫通插塞、以連接所述第一及第二導(dǎo)體層間，所述多個貫通插塞的間隔為所述波長的1/2或1/2以下。
所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，可以由環(huán)狀連續(xù)地延伸的埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
所述至少一個槽可以在所述第一及第二導(dǎo)體層的至少一個上形成。
優(yōu)選的是，所述至少一個導(dǎo)體面由所述第一導(dǎo)體層構(gòu)成，相對于所述第一導(dǎo)體層上的所述至少一個耦合元件存在的區(qū)域，在從所述電介質(zhì)基板的平面看對應(yīng)的所述第二導(dǎo)體層的區(qū)域上形成至少一個開口部。所述至少一個開口部也可以由尺寸不均的多個開口部構(gòu)成。此外，所述多個開口部也可以被配置在同心圓上。所述至少一個開口部也可以由導(dǎo)電性材料填充在其中。
所述槽可以至少部分包圍所述補片導(dǎo)體區(qū)域。所述槽也可以完全包圍所述補片區(qū)域。
所述至少一個耦合元件可以由多個耦合元件構(gòu)成。所述多個耦合元件可以由同一種類的多個耦合元件構(gòu)成。所述多個耦合元件也可以由不同種類的多個耦合元件構(gòu)成。
所述電介質(zhì)諧振器，還可以包括在所述有效諧振區(qū)域外形成的至少一個共面線路。
所述電介質(zhì)諧振器還可以包括在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
所述電介質(zhì)諧振器還可以包括在形成了所述耦合元件的區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
優(yōu)選的是，所述電介質(zhì)諧振器，還包括在所述耦合元件存在的區(qū)域內(nèi)形成、以與所述至少一個槽鄰接的至少一個信號導(dǎo)體層，所述至少一個信號導(dǎo)體層構(gòu)成至少一個共面線路。所述至少一個信號導(dǎo)體層，還可以與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域鄰接。所述至少一個信號導(dǎo)體層，可以進一步與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域至少部分重疊。
所述至少一個耦合元件，可以經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至負(fù)電阻生成電路。所述導(dǎo)電性接點可以由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的第二側(cè)面，提供一種集成電路，包括電介質(zhì)諧振器，具備封閉電磁波并具有三維擴展的有效諧振區(qū)域，其中，所述電介質(zhì)諧振器至少包含一個耦合元件，進而所述至少一個耦合元件，包括至少一個槽，在所述有效諧振區(qū)域的周圍面的至少一部分上具有二維擴展并延伸的至少一個導(dǎo)體面上形成；和至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域，與所述至少一個槽鄰接；以及負(fù)電阻生成電路，經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至所述至少一個耦合元件。
所述導(dǎo)電性接點可以由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
所述至少一個負(fù)電阻生成電路包括第一傳送線路，可以在第一電路基板上形成，并且直接與所述至少一個導(dǎo)電性接點連接。
優(yōu)選的是，所述至少一個負(fù)電阻生成電路還包括在所述第一電路基板上形成的變?nèi)荻O管，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點連接至所述第一傳送線路的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性接點連接至所述變?nèi)荻O管連接的第二耦合元件構(gòu)成。
所述至少一個負(fù)電阻生成電路可以構(gòu)成包括至少一個振蕩電路的有源元件。
優(yōu)選的是，所述至少一個導(dǎo)電性接點被連接至所述第一傳送線路的中央部，所述第一傳送線路的第一端部與所述有源元件連接，所述第一傳送線路的第二端部與終端電阻連接。此外，所述至少一個耦合元件，可以由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至終端電阻的第二耦合元件構(gòu)成。此外，所述至少一個耦合元件，可以由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第二耦合元件構(gòu)成。
所述第一傳送線路和在所述第一電路基板上形成的第三傳送線路可以經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接。
所述第一傳送線路和在所述第二電路基板上形成的第四傳送線路可以經(jīng)由導(dǎo)電性的凸起連接。
可以在所述第二電路基板上形成凹部，在該凹部內(nèi)收容搭載于所述電介質(zhì)諧振器上的所述第一電路基板?？梢酝ㄟ^封閉所述第二電路基板及所述電介質(zhì)諧振器的間隙的樹脂膜，將所述第一電路基板封閉在所述第二電路基板的凹部內(nèi)。
優(yōu)選的是，所述有效諧振區(qū)域內(nèi)部由電介質(zhì)構(gòu)成，另一方面，所述有效諧振區(qū)域的周圍，由具有二維的擴展并延伸的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，以不形成超過諧振頻率中電磁波波長的1/2尺寸的間隙，所述至少一個導(dǎo)體面構(gòu)成所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的一部分。
在所述有效諧振區(qū)域的周圍延伸的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以由在電介質(zhì)基板的第一面上延伸的第一導(dǎo)體層、在所述電介質(zhì)基板的第二面上延伸的第二導(dǎo)體層、和埋藏在所述電介質(zhì)基板中的至少一個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
優(yōu)選的是，所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，由環(huán)狀不連續(xù)地延伸的多個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成，所述多個埋藏導(dǎo)體間的距離為所述波長的1/2或1/2以下。
優(yōu)選的是，所述多個埋藏導(dǎo)體，是在貫通所述電介質(zhì)基板的多個通孔中形成的多個貫通插塞、以連接所述第一及第二導(dǎo)體層間，所述多個貫通插塞的間隔為所述波長的1/2或1/2以下。
根據(jù)本發(fā)明的第三側(cè)面，提供一種電介質(zhì)諧振器，包括電介質(zhì)基板；第一導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第一面上形成；第二導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第二面上形成；多個貫通插塞，埋藏在多個通孔中，該多個通孔，以諧振頻率中電磁波波長的1/2或1/2以下的間隔、以上述電介質(zhì)基板的平面看環(huán)狀不連續(xù)地被配置，且貫通所述電介質(zhì)基板；有效諧振區(qū)域，由所述第一及第二導(dǎo)體層和所述多個埋藏導(dǎo)體劃定，封閉電磁波并具有三維擴展；和至少一個耦合元件，在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)，在所述第一導(dǎo)體層上形成，進而，所述至少一個耦合元件，包括在所述第一導(dǎo)體層上形成的至少一個槽、和與所述至少一個槽鄰接的至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域。
優(yōu)選的是，所述至少一個導(dǎo)體面由所述第一導(dǎo)體層構(gòu)成，相對于所述第一導(dǎo)體層上的所述至少一個耦合元件存在的區(qū)域，在從所述電介質(zhì)基板的平面看對應(yīng)的所述第二導(dǎo)體層的區(qū)域上形成至少一個開口部。所述至少一個開口部可以由尺寸不均的多個開口部構(gòu)成。所述多個開口部可以被配置在同心圓上。所述至少一個開口部可以由導(dǎo)電性材料埋藏在其中。
所述至少一個耦合元件可以由同一種類的多個耦合元件構(gòu)成。
所述至少一個耦合元件可以由不同種類的多個耦合元件構(gòu)成。
還可以包括在所述有效諧振區(qū)域外形成的至少一個共面線路。
所述電介質(zhì)諧振器還可以包括在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
所述電介質(zhì)諧振器還可以包括在形成了所述耦合元件的區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
所述電介質(zhì)諧振器，還可以包括在所述耦合元件存在的區(qū)域內(nèi)形成、以與所述至少一個槽鄰接的至少一個信號導(dǎo)體層，所述至少一個信號導(dǎo)體層構(gòu)成至少一個共面線路。所述至少一個信號導(dǎo)體層，還可以與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域鄰接。所述至少一個信號導(dǎo)體層，可以進一步與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域至少部分重疊。
所述至少一個耦合元件，可以經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至負(fù)電阻生成電路。所述導(dǎo)電性接點可以由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的第四側(cè)面，提供一種集成電路，包括電介質(zhì)諧振器，該電介質(zhì)諧振包括電介質(zhì)基板；第一導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第一面上形成；第二導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第二面上形成；多個貫通插塞，埋藏在多個通孔中，該多個通孔，以諧振頻率中電磁波波長的1/2或1/2以下的間隔、以上述電介質(zhì)基板的平面看環(huán)狀不連續(xù)地被配置，且貫通所述電介質(zhì)基板；有效諧振區(qū)域，由所述第一及第二導(dǎo)體層和所述多個埋藏導(dǎo)體劃定，封閉電磁波并具有三維擴展；和至少一個耦合元件，在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)，在所述第一導(dǎo)體層上形成，進而，所述至少一個耦合元件，包括在所述第一導(dǎo)體層上形成的至少一個槽、和與所述至少一個槽鄰接的至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域；以及振蕩電路，在第一電路基板上形成，并且經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接至所述至少一個耦合元件。
優(yōu)選的是，所述振蕩電路還包括在所述第一電路基板上形成的變?nèi)荻O管，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起連接至所述第一傳送線路的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性凸起連接至所述變?nèi)荻O管的第二耦合元件構(gòu)成。優(yōu)選的是，所述第一傳送線路的第一端部與所述振蕩電路連接，所述第一線路的第二端部與終端電阻連接。
此外，所述至少一個耦合元件，可以由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至終端電阻的第二耦合元件構(gòu)成。
此外，所述至少一個耦合元件，可以由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第二耦合元件構(gòu)成。
所述第一傳送線路和在所述第一電路基板上形成的第三傳送線路可以經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接。
所述第一傳送線路和在所述第二電路基板上形成的第四傳送線路可以經(jīng)由導(dǎo)電性的凸起連接。
可以在所述第二電路基板上形成凹部，在該凹部內(nèi)收容搭載于所述電介質(zhì)諧振器上的所述第一電路基板。可以通過封閉所述第二電路基板及所述電介質(zhì)諧振器的間隙的樹脂膜，將所述第一電路基板封閉在所述第二電路基板的凹部內(nèi)。


圖1是表示具有一現(xiàn)有例的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖2是表示其他現(xiàn)有例的電介質(zhì)諧振器和傳送線路的耦合結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖3A是表示本發(fā)明的實施方式1的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的透視圖。
圖3B是表示具有圖3A的點劃線A-A’中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖向圖。
圖3C是表示具有圖3A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。
圖4A是表示本發(fā)明的實施方式1的第二結(jié)構(gòu)例中的諧振器部的俯視圖。
圖4B是表示具有圖4A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。
圖5是表示本發(fā)明的實施方式1的第三結(jié)構(gòu)例的諧振器部的俯視圖。
圖6A是表示本發(fā)明的實施方式2的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。
圖6B是具有圖6A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。
圖7A是表示本發(fā)明的實施方式3的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。
圖7B是具有圖7A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施方式3的第二結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。
圖9是表示具有本發(fā)明的實施方式4的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。
圖10是表示具有本發(fā)明的實施方式4的第二結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。
圖11A是表示本發(fā)明的實施方式5的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的透視圖。
圖11B是表示具有圖11A的點劃線B-B’中倒裝片安裝的電介質(zhì)諧振器的振蕩(DRO)的縱向剖面圖。
圖12A是表示相對形成于本發(fā)明的電介質(zhì)諧振器的開口數(shù)諧振頻率的變化的計算結(jié)果的圖。
圖12B是表示相對形成于本發(fā)明的電介質(zhì)諧振器的開口數(shù)空載Q的變化的計算結(jié)果的圖。
具體實施例方式
接下來，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)說明。
(實施方式1)圖3A是表示本發(fā)明的實施方式1的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的透視圖。圖3B是表示具有圖3A的點劃線A-A’中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。圖3C是具有圖3A的電介質(zhì)諧振器的振蕩(DRO)的等效電路圖。電介質(zhì)諧振器1，在電介質(zhì)基板2的兩面形成接地導(dǎo)體層3a、3b，并由在環(huán)狀配列于兩導(dǎo)體層間的通孔4a內(nèi)填充的插塞式(plug)導(dǎo)體4b連接。為了抑制源于通孔間的泄漏，通孔4a的間隔優(yōu)選的是，電介質(zhì)基板內(nèi)的波長的1/2以下，更優(yōu)選的是1/4以下。包圍在該通孔及接地導(dǎo)體層3a、3b內(nèi)的區(qū)域被稱為有效諧振區(qū)域。在此，電介質(zhì)諧振器1，在基本動作下成為TE110模式諧振器。由接地導(dǎo)體層3a中央部的槽(slot)5a和被槽5a包圍的補片(patch)6a構(gòu)成的耦合元件7a與電介質(zhì)諧振器1感應(yīng)性耦合。耦合度通過槽5a的寬度、補片6a的尺寸、形成補片6a的位置來調(diào)整。由于耦合元件7a利用平板印刷等形成，因此耦合度的控制性很高。在本實施方式中，電磁波幾乎被封閉在電介質(zhì)基板2的有效諧振區(qū)域內(nèi)。因此，可以不對諧振器的特性產(chǎn)生影響，就如圖3B所示，在諧振器上部倒裝片式安裝振蕩電路9，可以小型化。
接下來，對具有本實施方式的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)進行說明。補片6a和振蕩電路9上的傳送線路13a經(jīng)由凸起(bump)8連接。具體地說，進行倒裝片安裝。傳送線路13a經(jīng)由終端電阻15a接地。因此，僅諧振頻率被反射，其他頻率的電磁波由終端電阻15a吸收。在振蕩電路MMIC9上，傳送線路13a被連接至作為有源元件的晶體管FET14的柵極。在晶體管FET14上，為了得到負(fù)電阻，連接有施加正反饋的電容性的傳送線路13b。晶體管FET14的漏極，經(jīng)由由傳送線路和電容器構(gòu)成的匹配電路16連接至輸出用的傳送線路13c。經(jīng)由～數(shù)kΩ的電阻15b施加晶體管FET14的柵極偏壓17a，并經(jīng)由匹配電路16施加漏極偏壓17b。振蕩電路9的輸出用的傳送線路13c凸起連接到共面線路12a，該共面線路12a，由在電介質(zhì)諧振器1的基板端形成的信號導(dǎo)體層11a、和夾著槽10a配置的接地導(dǎo)體層3a構(gòu)成。由此，從共面線路12a輸出振蕩器(DRO)的信號。如此，在本實施方式的結(jié)構(gòu)中，輸出用的共面線路12a，被設(shè)置在由通孔列4a包圍的電介質(zhì)基板的有效諧振區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。因此，在諧振器上，開口部僅位于耦合元件7a上，可以將由開口部的電磁場的紊亂引起的諧振器的Q的降低限制最小。
圖4A是表示本發(fā)明的實施方式1的第二結(jié)構(gòu)例的諧振器部的俯視圖。圖4B是具有圖4A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。耦合元件，如圖4A所示，也可以是在補片6b上連接了兩個共面線路19的耦合元件7b，該共面線路19由信號導(dǎo)體層18a、和夾著槽5b配置的接地導(dǎo)體層3a構(gòu)成。此時，如圖4B所示，耦合元件7b，相對于連接至晶體管FET14柵極的傳送線路13a串連連接。因此，與經(jīng)由具有電感成分的凸起分路連接的情況(耦合元件7a)相比，容易得到大的耦合度。進而，由于在耦合元件7b連接有共面線路19，因此在將振蕩電路MMIC9安裝到電介質(zhì)諧振器1之前，具有容易進行晶圓(on-wafer)評價的優(yōu)點。
圖5是表示本發(fā)明實施方式1的第三結(jié)構(gòu)例中的諧振器部的俯視圖。耦合元件，如圖5所示，也可以是通過在接地導(dǎo)體層3a上形成槽5c而設(shè)置補片6c構(gòu)成的耦合元件7c。在補片6c上，也可以連接與接地導(dǎo)體層3a一起構(gòu)成共面線路的信號導(dǎo)體層18b。在該耦合元件7c的情況下，在全部頻率均反射，因此雖然需要注意不要發(fā)生在不需要的頻率的振蕩，但不需要終端電阻15a。
在此，表示了TE110模式的諧振器的情況，但當(dāng)然也可以是利用了TE210模式等高級別模式的諧振器。
(實施方式2)圖6A是表示本發(fā)明實施方式2的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。圖6B是具有圖6A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。作為本發(fā)明的實施方式2，表示可以電調(diào)整具有電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的頻率的結(jié)構(gòu)。在接地導(dǎo)體層3a上形成兩個耦合元件7d、7e。耦合元件7d被連接至從晶體管FET14的柵極延伸的傳送線路13a，耦合元件7e被連接至在振蕩電路MMIC9上形成的變?nèi)荻O管20。為了對變?nèi)荻O管20施加控制電壓17c，使耦合元件7e側(cè)經(jīng)由～數(shù)kΩ的電阻15c而DC接地。此外，在與耦合元件7e相反的一側(cè)，連接有在動作頻率中低電抗的電容器21a?？梢酝ㄟ^使控制電壓17c變化，變?nèi)荻O管20的電容變化，調(diào)整諧振器的諧振頻率(振蕩頻率)。可以使傳送線路介于耦合元件7e和變?nèi)荻O管20之間。此外，在此，作為與變?nèi)荻O管20的耦合元件，例舉了使用耦合元件7e，但也可以使用耦合元件7c。此時，由于變?nèi)荻O管20的耦合元件7c側(cè)變?yōu)榻拥仉娢?，因此具有不需要電?5c的優(yōu)點。當(dāng)然，也可以選用耦合元件7b的構(gòu)成替代耦合元件7d。
(實施方式3)圖7A是表示本發(fā)明實施方式3的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。圖7B是具有圖7A的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的等效電路圖。振蕩電路9的輸出，經(jīng)由在切斷DC偏壓的動作頻率具有低電抗的電容器21b，連接至通過在接地導(dǎo)體層3a形成槽5e而構(gòu)成的耦合元件7f。進一步，通過形成槽5e而在接地導(dǎo)體層3a上設(shè)置耦合元件7g。耦合元件7g，跨越諧振器的內(nèi)側(cè)和外側(cè)，與共面線路12b連接，該共面線路12b由信號導(dǎo)體層11b、和夾著槽10b配置的接地導(dǎo)體層3a構(gòu)成。此時，電介質(zhì)諧振器1，僅輸出諧振頻率，諧振頻率以外均被反射。在本實施方式的結(jié)構(gòu)中，振蕩電路9部的結(jié)構(gòu)為基本的振蕩器的結(jié)構(gòu)，電路設(shè)計變得容易。
圖8是表示本發(fā)明實施方式3的第二結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的俯視圖。輸出用的共面線路，也可以如圖8所示設(shè)置兩個。此時，經(jīng)由耦合元件7h輸入到電介質(zhì)諧振器1的信號，一部分經(jīng)由耦合元件7i被輸出到共面線路12c，剩余部分經(jīng)由耦合元件7j被輸出到共面線路12d。如此，電介質(zhì)諧振器1具有2分配的功能，例如，在外差方式的情況下，可以作為發(fā)送機及接收機的局部振蕩器用的信號源使用。在此，例舉了2分配的例子，但也可以通過增加耦合元件的數(shù)量，使之為3分配或3分配以上的多分配。
(實施方式4)圖9是表示具有本發(fā)明實施方式4的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。由于電磁波幾乎完全被封閉在電介質(zhì)諧振器1內(nèi)，因此期待即使將倒裝片安裝了振蕩電路9的電介質(zhì)諧振器1，進一步倒裝片安裝到如圖9所示的組件等安裝基板22上，振蕩頻率也不發(fā)生變化。在安裝基板22上形成凹坑23，在該凹坑23內(nèi)內(nèi)置振蕩電路9。在安裝基板22的背面形成接地導(dǎo)體層3d，在表面除去了信號導(dǎo)體層24的部分形成接地導(dǎo)體層3c。電介質(zhì)諧振器1上的共面線路12a，通過凸起8連接至由安裝基板22上的信號導(dǎo)體層24和接地導(dǎo)體層3c構(gòu)成的共面線路。接地導(dǎo)體層3c和3d，通過沿著凹坑23的外周配列、埋設(shè)在通孔4c內(nèi)的插塞式導(dǎo)體4d連接。由此，內(nèi)置有振蕩電路9的凹坑23內(nèi)被電磁性屏蔽。
圖10是具有本發(fā)明實施方式4的第二結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。如圖10所示，也可以通過熱固化性的樹脂25等增強電介質(zhì)諧振器1的外周部。在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，由于在安裝基板22上設(shè)置有凹坑23，因此即使在外周部涂布了樹脂25的情況下，樹脂25也難以進入振蕩電路MMIC9部。因此，可以期待由于使用樹脂25而引起的振蕩特性的變化幾乎沒有。
(實施方式5)圖11A是表示本發(fā)明實施方式5的第一結(jié)構(gòu)例中的電介質(zhì)諧振器的透視圖。圖11B是表示具有圖11A的點劃線B-B’中倒裝片安裝的電介質(zhì)諧振器的振蕩器(DRO)的縱向剖面圖。將電介質(zhì)諧振器1倒裝片安裝到安裝基板22上時，電介質(zhì)諧振器1的背面面對空氣層。如圖11A所示，在電介質(zhì)基板1背面的接地導(dǎo)體層3b形成多個開口26。通過使用導(dǎo)電膏27a或焊線27b等埋藏在該開口26內(nèi)，可以調(diào)整電介質(zhì)諧振器1的諧振頻率。
圖12A是表示相對在本發(fā)明的電介質(zhì)諧振器上形成的開口數(shù)量諧振頻率變化的計算結(jié)果的圖。在38GHz帶諧振器中，表示計算了開口26的數(shù)量變化時諧振頻率的變化。可知能通過改變開口26的個數(shù)，階段性地調(diào)整諧振頻率。相對于諧振器的中心將開口配置為同心圓狀時，對于同心圓上的開口，每1個對應(yīng)的諧振頻率的調(diào)整量幾乎相同，容易調(diào)整。此外，通過改變開口26的尺寸，可以改變每1個對應(yīng)的諧振頻率的調(diào)整量。形成了多個尺寸時，可以形成每1個對應(yīng)的調(diào)整量不同的開口，可以進行諧振頻率的微調(diào)整。
圖12B是表示相對在本發(fā)明的電介質(zhì)諧振器上形成的開口數(shù)、空載Q的變化的計算結(jié)果。表示圖12A的情況下的空載Q的計算結(jié)果，但看不到特別劣化。在此，例舉了預(yù)先形成開口26、逐個埋藏的示例，但也可以例如使用激光、依次形成開口26、調(diào)整諧振頻率。
以上對優(yōu)選實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可以進行適當(dāng)?shù)淖兏?。在實施方式中，作為有源元件例舉了場效應(yīng)型晶體管FET，但也可以使用雙極晶體管等。此外，連接基板兩面的接地導(dǎo)體層3a、3b及3c、3d，利用插塞式導(dǎo)體4b、4d，但也可以利用僅在電鍍通孔這種通孔內(nèi)壁面形成了導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，將振蕩電路倒裝片連接到通過在電介質(zhì)諧振器上部的接地導(dǎo)體層形成槽而構(gòu)成的耦合元件，從而在使用了電介質(zhì)諧振器的振蕩器中，可以提高耦合的控制性和再現(xiàn)性，并且可以使電路小型化。此外，根據(jù)在耦合元件相反的接地導(dǎo)體層上形成多個尺寸不同的開口的實施方式，可以通過調(diào)整其數(shù)量進行高精度的頻率調(diào)整。根據(jù)本發(fā)明，在作為負(fù)電阻生成電路的一例的振蕩電路上連接了電介質(zhì)諧振器，但不限于振蕩電路，只要是生成負(fù)電阻的電路，通過連接本發(fā)明的電介質(zhì)諧振器就可以得到本發(fā)明的效果。此外，作為連接負(fù)電阻生成電路和電介質(zhì)諧振器的設(shè)備例舉了凸起，但如布線這樣有距離的雖然不是很優(yōu)選，但不需要一定限定于凸起，也可以是作為接點起作用的設(shè)備。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明涉及用于微波或毫波帶的電介質(zhì)諧振器、其頻率調(diào)整方法及使用了該電介質(zhì)諧振器的集成電路，可以適用于所有設(shè)備，在其利用可能性中并沒有任何限定。
參照了幾個優(yōu)選實施方式及實施例對本發(fā)明進行了說明，但這些實施方式及實施例僅僅是例舉實例說明本發(fā)明，因此可以理解沒有限定的意思。讀了本說明書后，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說可以明白容易利用等效的結(jié)構(gòu)要素及技術(shù)進行很多變更及置換，但可知這種變更及置換應(yīng)該在權(quán)利要求范圍及其主旨之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)諧振器，具備封閉電磁波并具有三維擴展的有效諧振區(qū)域，其中，所述電介質(zhì)諧振器至少包含一個耦合元件，進而所述至少一個耦合元件，包括至少一個槽，在所述有效諧振區(qū)域的周圍面的至少一部分上具有二維擴展并延伸的至少一個導(dǎo)體面上形成；和至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域，與所述至少一個槽鄰接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述有效諧振區(qū)域內(nèi)部由電介質(zhì)構(gòu)成，另一方面，所述有效諧振區(qū)域的周圍，由具有二維的擴展并延伸的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，以不形成超過諧振頻率中電磁波波長的1/2尺寸的間隙，所述至少一個導(dǎo)體面構(gòu)成所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)諧振器，其中，在所述有效諧振區(qū)域的周圍延伸的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由在電介質(zhì)基板的第一面上延伸的第一導(dǎo)體層、在所述電介質(zhì)基板的第二面上延伸的第二導(dǎo)體層、和埋藏在所述電介質(zhì)基板中的至少一個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，由環(huán)狀不連續(xù)地延伸的多個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成，所述多個埋藏導(dǎo)體間的距離為所述波長的1/2或1/2以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述多個埋藏導(dǎo)體，是在貫通所述電介質(zhì)基板的多個通孔中形成的多個貫通插塞，以連接所述第一及第二導(dǎo)體層，所述多個貫通插塞的間隔為所述波長的1/2或1/2以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，由環(huán)狀連續(xù)地延伸的埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個槽在所述第一及第二導(dǎo)體層的至少一個上形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個導(dǎo)體面由所述第一導(dǎo)體層構(gòu)成，相對于所述第一導(dǎo)體層上的所述至少一個耦合元件存在的區(qū)域，在從所述電介質(zhì)基板的平面看對應(yīng)的所述第二導(dǎo)體層的區(qū)域上形成至少一個開口部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個開口部由尺寸不均的多個開口部構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述多個開口部被配置在同心圓上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個開口部由導(dǎo)電性材料填充在其中。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述槽至少部分地包圍所述補片導(dǎo)體區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述槽完全包圍所述補片區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個耦合元件由多個耦合元件構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述多個耦合元件由同一種類的多個耦合元件構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述多個耦合元件由不同種類的多個耦合元件構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，還包括在所述有效諧振區(qū)域外形成的至少一個共面線路。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器還包括在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器還包括在形成了所述耦合元件的區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器，還包括在所述耦合元件存在的區(qū)域內(nèi)形成、以與所述至少一個槽鄰接的至少一個信號導(dǎo)體層，所述至少一個信號導(dǎo)體層構(gòu)成至少一個共面線路。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個信號導(dǎo)體層，還與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域鄰接。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個信號導(dǎo)體層，進一步與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域至少部分重疊。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個耦合元件，經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至負(fù)電阻生成電路。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述導(dǎo)電性接點由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
25.一種集成電路，包括電介質(zhì)諧振器，具備封閉電磁波并具有三維擴展的有效諧振區(qū)域，其中，所述電介質(zhì)諧振器至少包含一個耦合元件，進而所述至少一個耦合元件，包括至少一個槽，在所述有效諧振區(qū)域的周圍面的至少一部分上具有二維擴展并延伸的至少一個導(dǎo)體面上形成；和至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域，與所述至少一個槽鄰接；以及負(fù)電阻生成電路，經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至所述至少一個耦合元件。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的集成電路，其中，所述導(dǎo)電性接點由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的集成電路，其中，所述至少一個負(fù)電阻生成電路包括第一傳送線路，在第一電路基板上形成，并且直接與所述至少一個導(dǎo)電性接點連接。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的集成電路，其中，所述至少一個負(fù)電阻生成電路還包括在所述第一電路基板上形成的變?nèi)荻O管，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點連接至所述第一傳送線路的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性接點連接至所述變?nèi)荻O管的第二耦合元件構(gòu)成。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的集成電路，其中，所述至少一個負(fù)電阻生成電路構(gòu)成包括至少一個振蕩電路的有源元件。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的集成電路，其中，所述至少一個導(dǎo)電性接點被連接至所述第一傳送線路的中央部，所述第一傳送線路的第一端部與所述有源元件連接，所述第一傳送線路的第二端部與終端電阻連接。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的集成電路，其中，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至終端電阻的第二耦合元件構(gòu)成。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的集成電路，其中，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性接點及所述第一傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二傳送線路連接至所述有源元件的輸出側(cè)的第二耦合元件構(gòu)成。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的集成電路，其中，所述第一傳送線路和在所述第一電路基板上形成的第三傳送線路經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接。
34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的集成電路，其中，所述第一傳送線路和在所述第二電路基板上形成的第四傳送線路經(jīng)由導(dǎo)電性的凸起連接。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的集成電路，其中，在所述第二電路基板上形成凹部，在該凹部內(nèi)收容搭載于所述電介質(zhì)諧振器上的所述第一電路基板。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的集成電路，其中，通過封閉所述第二電路基板及所述電介質(zhì)諧振器的間隙的樹脂膜，將所述第一電路基板封閉在所述第二電路基板的凹部內(nèi)。
37.根據(jù)權(quán)利要求25所述的集成電路，其中，所述有效諧振區(qū)域內(nèi)部由電介質(zhì)構(gòu)成，另一方面，所述有效諧振區(qū)域的周圍，由具有二維的擴展并延伸的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，以不形成超過諧振頻率中電磁波波長的1/2尺寸的間隙，所述至少一個導(dǎo)體面構(gòu)成所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的一部分。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的集成電路，其中，在所述有效諧振區(qū)域的周圍延伸的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由在電介質(zhì)基板的第一面上延伸的第一導(dǎo)體層、在所述電介質(zhì)基板的第二面上延伸的第二導(dǎo)體層、和埋藏在所述電介質(zhì)基板中的至少一個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的集成電路，其中，所述至少一個埋藏導(dǎo)體，從所述電介質(zhì)基板的平面看，由環(huán)狀不連續(xù)地延伸的多個埋藏導(dǎo)體構(gòu)成，所述多個埋藏導(dǎo)體間的距離為所述波長的1/2或1/2以下。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的集成電路，其中，所述多個埋藏導(dǎo)體，是貫通所述電介質(zhì)基板的多個通孔中形成的多個貫通插塞、以連接所述第一及第二導(dǎo)體層，所述多個貫通插塞的間隔為所述波長的1/2或1/2以下。
41.一種電介質(zhì)諧振器，包括電介質(zhì)基板；第一導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第一面上形成；第二導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第二面上形成；多個貫通插塞，埋藏在多個通孔中，該多個通孔，以諧振頻率中電磁波波長的1/2或1/2以下的間隔、從上述電介質(zhì)基板的平面看環(huán)狀不連續(xù)地被配置，且貫通所述電介質(zhì)基板；有效諧振區(qū)域，由所述第一及第二導(dǎo)體層和所述多個埋藏導(dǎo)體劃定，封閉電磁波并具有三維擴展；和至少一個耦合元件，在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)，在所述第一導(dǎo)體層上形成，進而，所述至少一個耦合元件，包括在所述第一導(dǎo)體層上形成的至少一個槽、和與所述至少一個槽鄰接的至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域。
42.根據(jù)權(quán)利要求要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個導(dǎo)體面由所述第一導(dǎo)體層構(gòu)成，相對于所述第一導(dǎo)體層上的所述至少一個耦合元件存在的區(qū)域，在從所述電介質(zhì)基板的平面看對應(yīng)的所述第二導(dǎo)體層的區(qū)域上形成至少一個開口部。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個開口部由尺寸不均的多個開口部構(gòu)成。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述多個開口部被配置在同心圓上。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個開口部由導(dǎo)電性材料填充在其中。
46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個耦合元件由同一種類的多個耦合元件構(gòu)成。
47.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個耦合元件由不同種類的多個耦合元件構(gòu)成。
48.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，還包括在所述有效諧振區(qū)域外形成的至少一個共面線路。
49.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器還包括在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
50.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器還包括在形成了所述耦合元件的區(qū)域內(nèi)形成的至少一個共面線路。
51.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述電介質(zhì)諧振器，還包括在所述耦合元件存在的區(qū)域內(nèi)形成、以與所述至少一個槽鄰接的至少一個信號導(dǎo)體層，所述至少一個信號導(dǎo)體層構(gòu)成至少一個共面線路。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個信號導(dǎo)體層，還與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域鄰接。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個信號導(dǎo)體層，進一步與所述至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域至少部分重疊。
54.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述至少一個耦合元件，經(jīng)由至少一個導(dǎo)電性接點連接至負(fù)電阻生成電路。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的電介質(zhì)諧振器，其中，所述導(dǎo)電性接點由導(dǎo)電性凸起構(gòu)成。
56.一種集成電路，包括電介質(zhì)諧振器，該電介質(zhì)諧振器包括電介質(zhì)基板；第一導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第一面上形成；第二導(dǎo)體層，在所述電介質(zhì)基板的第二面上形成；多個貫通插塞，埋藏在多個通孔中，該多個通孔，以諧振頻率中電磁波波長的1/2或1/2以下的間隔、從上述電介質(zhì)基板的平面看環(huán)狀不連續(xù)地被配置，且貫通所述電介質(zhì)基板；有效諧振區(qū)域，由所述第一及第二導(dǎo)體層和所述多個埋藏導(dǎo)體劃定，封閉電磁波并具有三維擴展；和至少一個耦合元件，在所述有效諧振區(qū)域內(nèi)，在所述第一導(dǎo)體層上形成，進而，所述至少一個耦合元件，包括在所述第一導(dǎo)體層上形成的至少一個槽、和與所述至少一個槽鄰接的至少一個補片導(dǎo)體區(qū)域；以及振蕩電路，在第一電路基板上形成，并且經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接至所述至少一個耦合元件。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的集成電路，其中，所述振蕩電路還包括在所述第一電路基板上形成的變?nèi)荻O管，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起連接至所述第一傳送線路的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性凸起連接至所述變?nèi)荻O管的第二耦合元件構(gòu)成。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一傳送線路的第一端部與所述振蕩電路連接，所述第一傳送線路的第二端部與終端電阻連接。
59.根據(jù)權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至終端電阻的第二耦合元件構(gòu)成。
60.根據(jù)權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述至少一個耦合元件，由經(jīng)由第一導(dǎo)電性凸起及所述第一傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第一耦合元件、和經(jīng)由第二傳送線路連接至所述振蕩電路的輸出側(cè)的第二耦合元件構(gòu)成。
61.根據(jù)權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一傳送線路和在所述第一電路基板上形成的第三傳送線路經(jīng)由導(dǎo)電性凸起連接。
62.根據(jù)權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一傳送線路和在所述第二電路基板上形成的第四傳送線路經(jīng)由導(dǎo)電性的凸起連接。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的集成電路，其中，在所述第二電路基板上形成凹部，在該凹部內(nèi)收容搭載于所述電介質(zhì)諧振器上的所述第一電路基板。
64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的集成電路，其中，通過封閉所述第二電路基板及所述電介質(zhì)諧振器的間隙的樹脂膜，將所述第一電路基板封閉在所述第二電路基板的凹部內(nèi)。
全文摘要
在使用了電介質(zhì)諧振器(DR)的振蕩器中，提高了電介質(zhì)諧振器(DR)和振蕩電路的耦合的控制性和再現(xiàn)性，且使集成電路小型化。電介質(zhì)諧振器(DR)1，在電介質(zhì)基板2的兩面形成接地導(dǎo)體層3a、3b，由通孔4a連接兩導(dǎo)體層。由接地導(dǎo)體層3a的中央部的槽5a和被槽5a包圍的補片6a構(gòu)成的耦合元件7a、與電介質(zhì)諧振器(DR)1耦合。補片6a和振蕩電路9上的傳送線路13a經(jīng)由凸起8連接。傳送線路13a經(jīng)由終端電阻15a接地。在振蕩電路MMIC9上，傳送線路13a與晶體管FET14的柵極連接。在晶體管FET14上連接有施加正反饋的電容性傳送線路13b。晶體管FET14的輸出，經(jīng)由匹配電路16連接至輸出用的傳送線路13c。振蕩電路9的輸出用傳送線路13c，凸起連接至共面線路12a，該共面線路12a由在電介質(zhì)諧振器(DR)1的基板端部形成的信號導(dǎo)體層11a、和接地導(dǎo)體層3a構(gòu)成。
文檔編號H01P7/10GK1754281SQ20048000506
公開日2006年3月29日 申請日期2004年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月24日
發(fā)明者伊東正治, 丸橋建一, 岸本修也, 大畑惠一 申請人:日本電氣株式會社