專利名稱：具有透濕窗的銅互連線可靠性測量的測試圖案及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種測試圖案的方法，以及更明確而言是關(guān)于一種能測量電遷移的測試圖案。
背景技術(shù)：
測量電遷移(EM)的方法被用于半導(dǎo)體裝置的互連線的可靠性測試。一般而言，金屬原子移動的EM現(xiàn)象發(fā)生于半導(dǎo)體裝置之間，更明確而言發(fā)生于半導(dǎo)體裝置內(nèi)的金屬互連線之間。EM現(xiàn)象造成半導(dǎo)體裝置的劣化及操作上的錯(cuò)誤。因此，制造半導(dǎo)體裝置過程中必需通過金屬互連線間產(chǎn)生EM現(xiàn)象的精密測量以了解導(dǎo)致上述問題的原因，因而可采取解決該問題的適當(dāng)對策。
測量封裝級EM已有一種典型測量EM現(xiàn)象的方法。然而，此方法需較高的封裝成本、較大的設(shè)備投資及較長測量EM現(xiàn)象的時(shí)間。近期，由于半導(dǎo)體裝置的研發(fā)上極為競爭，故此種測試方法不僅研發(fā)成本較高并且因擔(dān)誤研發(fā)時(shí)間而造成極嚴(yán)重后果。
為克服此問題，建議使用一種測量晶片級EM的方法。此測量晶片級EM的方法為執(zhí)行于封裝過程未完成之前。上述方法和一般測量晶片級EM方法比較可減少時(shí)間和成本的浪費(fèi)。
圖1A為測量EM的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的俯視圖。圖1B為圖1A中沿A-A’方向的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的剖面圖。圖1C為圖1A中沿B-B’方向的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的剖面圖。
參考圖1A，多個(gè)底部金屬圖案10經(jīng)由多個(gè)鏈狀構(gòu)造的接觸孔30連接至多個(gè)頂部金屬圖案20。各頂部金屬圖案20連接至多個(gè)相應(yīng)的鋁墊40。
參考圖1B，所述多個(gè)銅互連線10形成于底層11，即形成于半導(dǎo)體基板(未顯示)上的絕緣層。雖然未顯示，但該多個(gè)底部銅互連線10為經(jīng)由多個(gè)形成于底層11的接點(diǎn)連接至芯片的反應(yīng)區(qū)或其它區(qū)。并且該多個(gè)底部銅互連線10以相同距離形成于底層11。
接著，多個(gè)底部銅互連線10之間形成絕緣的第一層間絕緣層12。然后，多個(gè)底部銅互連線10和第一層間絕緣層12上形成金屬間絕緣層13。金屬間絕緣層13上以相同距離形成多個(gè)頂部銅互連線20。其中，多個(gè)底部銅互連線10和多個(gè)頂部銅互連線20經(jīng)由多個(gè)接觸孔30相互連接。
多個(gè)頂部銅互連線20通過第二層間絕緣層14而絕緣，以及形成完全覆蓋多個(gè)底部銅互連線10和第二層間絕緣層14的鈍化層15。
參考圖1C，多個(gè)底部銅互連線10的一通過通過金屬間絕緣層13的多個(gè)接觸孔30而電連接至多個(gè)頂部銅互連線20的兩個(gè)。因此，形成一種鏈狀接點(diǎn)構(gòu)造。
通過蝕刻過程在多個(gè)頂部銅互連線20上形成未示于圖上的鈍化層。
然而，具有上述銅互連線構(gòu)造的晶片級EM測量方法的最終結(jié)果會因每次測試的條件而改變。測量時(shí)因滑動過鋁墊的現(xiàn)象會造成資料的錯(cuò)誤判讀。同時(shí)，鈍化層的過程缺陷所造成的布線失效亦可能造成錯(cuò)誤的判讀。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的為提供一種具有透濕窗的銅互連線以可靠性測量的測試圖案，及其制造方法，其通過形成穿透入層間絕緣層的透濕窗而能在較實(shí)際測量的更嚴(yán)酷的狀況下測量EM。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種銅互連線的可靠性測量的測試圖案，其包括一半導(dǎo)體基板；形成于基板上的第一層間絕緣層；嵌入第一層間絕緣層內(nèi)的多個(gè)底部銅互連線；多個(gè)底部銅互連線和第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層；嵌入第二層間絕緣層的多個(gè)頂部銅互連線，并經(jīng)由多個(gè)接觸孔連接至多個(gè)底部銅互連線；以及覆蓋多個(gè)頂部銅互連線的鈍化層，其具有在電遷移測試時(shí)可透濕的多個(gè)透濕窗。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造具有透濕窗的可靠性測量銅互連線的測試圖案的方法，其步驟包括于基板上第二層間絕緣層內(nèi)形成一溝槽；在多個(gè)底部銅互連線和第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層；通過雙嵌蝕刻過程形成埋入第二層間絕緣層內(nèi)的多個(gè)頂部銅互連線，并經(jīng)由多個(gè)接觸孔將其連接至多個(gè)底部銅互連線；以及形成鈍化層，其具有EM測量時(shí)可透濕的多個(gè)透濕窗并且覆蓋第二層間絕緣層和多個(gè)頂部銅互連線。
根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的方面，提供一種制造具有透濕窗的可靠性測量銅互連線的測試圖案的方法，其步驟包括形成經(jīng)由多個(gè)接觸孔連接至多個(gè)頂部銅互連線的多個(gè)底部銅互連線；形成鈍化層，其具有在可靠性測量時(shí)可透濕入多個(gè)頂部銅互連線的頂部的透濕窗；在空氣中測量多個(gè)頂部銅互連線和多個(gè)底部銅互連線的電阻；通過加熱板的加熱再一次測量多個(gè)頂部銅互連線和多個(gè)底部銅互連線的電阻；以及使多個(gè)底部銅互連線和多個(gè)頂部銅互連線在大的電阻變化點(diǎn)而完成可靠性測量。


本發(fā)明的上述和其它目的及特性可通過下列配合附圖的較佳具體例的說明而獲得更清礎(chǔ)的了解，其為圖1A為EM測量的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的俯視圖；圖1B為圖1A中沿A-A’方向的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的剖面圖；
圖1C為圖1A中沿B-B’方向的常規(guī)銅互連線構(gòu)造的剖面圖；圖2A為具有根據(jù)本發(fā)明較佳具體例的透濕窗的銅互連線可靠性測量的測試圖案配置圖；圖2B為圖2A中沿C-C’方向的剖面圖；圖3A至3D為制造方法的剖面圖，其根據(jù)圖2A中所示C-C’線的銅互連線可靠性測量的測試圖案；以及圖4為具有和不具有透濕窗的測試圖案在晶片上的EM測試結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
一種具有透濕窗的銅互連線可靠性測量的測試圖案的測試方法，及其制造方法，其將根據(jù)本發(fā)明較佳具體例并參考附圖做更詳細(xì)的說明。
本發(fā)明是關(guān)于一種利用透濕的銅原子擴(kuò)散現(xiàn)象的EM測量方法。一般而言，透濕入層間絕緣層或?qū)娱g絕緣層的銅互連線周圍的濕度會造成銅互連線的銅原子流入層間絕緣層的擴(kuò)散現(xiàn)象。
例如，本發(fā)明利用銅原子因濕度而導(dǎo)致的擴(kuò)散現(xiàn)象；以及更明確而言，其理論基于若未強(qiáng)迫性使銅原子產(chǎn)生擴(kuò)散現(xiàn)象即無法使阻隔層發(fā)生失效，而降低銅互連線的實(shí)際EM測試中發(fā)生失效的可靠性。
為減少EM測量失敗的機(jī)會，因此通過形成可產(chǎn)生濕度的透濕窗而在比實(shí)際EM測試更嚴(yán)格的條件下進(jìn)行EM測量。
若在比實(shí)際EM測試更嚴(yán)格條件下進(jìn)行EM測試而仍能獲得合格的結(jié)果，則表示實(shí)際的銅互連線具有良好的EM性質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明一較佳的具體例中，更詳細(xì)說明具有透濕窗的銅互連線的可靠性測量的測試圖案，及其制造方法。
圖2A為根據(jù)本發(fā)明一較佳具體例說明具有透濕窗的銅互連線可靠性測量的測試圖案的配置。
參考圖2A，以鏈狀經(jīng)由多個(gè)接觸孔112相連接的多個(gè)測試圖案組TP1和TP2為具有兩個(gè)多個(gè)底部銅互連線105連接至一個(gè)多個(gè)頂部銅互連線113的區(qū)段的結(jié)合體，即兩個(gè)多個(gè)底部銅互連線105經(jīng)由置于多個(gè)底部銅互連線105的兩端點(diǎn)的多個(gè)接觸孔112連接至一個(gè)多個(gè)頂部銅互連線113的構(gòu)造。各區(qū)段的頂部銅互連線113為連接至各相應(yīng)的鋁墊116。因此，一區(qū)段包括連接至一鋁墊116的一頂部銅互連線113及一底部銅互連線。上述測試圖案組的構(gòu)造和圖1A中所示相同。
本發(fā)明可形成多個(gè)透濕窗118A和118B而因此在測試中可流入濕度。透濕窗118A和118B形成于含一測試圖案組的多個(gè)頂部銅互連線113之間，或介于多個(gè)測試圖案組之間。其中，組件編號為118A的透濕窗和形成于多個(gè)測試圖案組之間的透濕窗118B比較其長度相對短。
圖2B為圖2A中沿C-C’方向的剖面圖。
參考圖2B，第一層間絕緣層101和第一蝕刻阻隔層102為堆棧于具有如晶體管的裝置的基板上(未顯示)。具有底部銅互連線的第一溝槽103形成于第一層間絕緣層101和第一蝕刻阻隔層102。第一擴(kuò)散阻隔層104形成于第一溝槽103內(nèi)并且底部銅互連線105充填于第一溝槽103內(nèi)被第一擴(kuò)散阻隔層104所包圍的空間。
金屬間絕緣層106、第二蝕刻阻隔層107和第二層間絕緣層108為堆棧于底部銅互連線105和第一蝕刻阻隔層102上。多個(gè)通孔110形成于金屬間絕緣層106和第二蝕刻阻隔層107的堆棧層內(nèi)。多個(gè)第二溝槽109形成于第二層間絕緣層108內(nèi)。多個(gè)第二溝槽109和多個(gè)通孔110為利用一般雙鑲嵌法形成的雙鑲嵌圖案。多個(gè)第二溝槽109為線型圖案，以及多個(gè)通孔110為孔型圖案。
接著，在多個(gè)第二溝槽109和多個(gè)通孔110內(nèi)形成第二擴(kuò)散阻隔層111。形成多個(gè)頂部銅互連線113和多個(gè)接觸孔112以充填多個(gè)第二溝槽109和多個(gè)通孔110內(nèi)的第二擴(kuò)散阻隔層111所包圍的空間。其中，多個(gè)頂部銅互連線113和多個(gè)接觸孔112具有相同的構(gòu)造。在利用電鍍法形成多個(gè)頂部銅互連線113和多個(gè)接觸孔112之后，經(jīng)化學(xué)和機(jī)械研磨(CMP)過程使其呈平滑表面。
接著，于多個(gè)頂部銅互連線113和第二層間絕緣層108上堆棧第三蝕刻阻隔層114和鈍化層115。第三蝕刻阻隔層114和鈍化層115內(nèi)形成透濕窗118A。其中，透濕窗118A形成不暴露出多個(gè)頂部銅互連線113的形狀。因此，鈍化層115和第三蝕刻阻隔層114具有覆蓋多個(gè)頂部銅互連線113的多個(gè)透濕窗118A。透濕窗118A不直接暴露出多個(gè)頂部銅互連線113的原因?yàn)楸苊鉂穸冉?jīng)由透濕窗118A流入的直接接觸而造成多個(gè)頂部銅互連線113的氧化。
參考第2A至2B圖，第一蝕刻阻隔層102、第二蝕刻阻隔層107和第三蝕刻阻隔層114為由氮化硅(Si3N4)所形成。第一擴(kuò)散阻隔層104和第二擴(kuò)散阻隔層111可避免多個(gè)底部銅互連線105和多個(gè)頂部銅互連線113的銅原子擴(kuò)散入第一層間絕緣層101、第二層間絕緣層108和金屬間絕緣層106，因氮化鈦(TiN)、鈦和鈦/氮化鈦可堆棧于氧化物上。
參考圖3A，表面具有如晶體管的裝置的基板上(未顯示)形成第一層間絕緣層101和第一蝕刻阻隔層102。然后，同時(shí)蝕刻第一蝕刻阻隔層102和第一層間絕緣層101而形成第一溝槽103。
接著，基板上形成第一擴(kuò)散阻隔層104和銅層以充填第一溝槽103。然后，經(jīng)由CMP過程形成多個(gè)底部銅互連線105使第一蝕刻阻隔層102上的全部銅層僅存留在第一溝槽103內(nèi)。其中，多個(gè)底部銅互連線105可充填于第一溝槽103內(nèi)第一擴(kuò)散阻隔層104所包圍的空間，以及第一擴(kuò)散阻隔層104可避免多個(gè)底部銅互連線105的銅原子氧化時(shí)擴(kuò)散入第一層間絕緣層101。
接著，包括多個(gè)底部銅互連線105的第一蝕刻阻隔層102上堆棧金屬間絕緣層106、第二蝕刻阻隔層107和第二層間絕緣層108。然后，經(jīng)由雙嵌蝕刻過程在具有線型的多個(gè)第二溝槽底下形成暴露出一部分多個(gè)底部銅互連線105的多個(gè)通孔110。
參考圖3B，為充填多個(gè)第二溝槽109和多個(gè)通孔110，在第二溝槽109的各邊形成第二擴(kuò)散阻隔層111和銅層。然后，充填多個(gè)第二溝槽109內(nèi)第二擴(kuò)散阻隔層111所包圍的空間而形成多個(gè)接觸孔112和多個(gè)頂部銅互連線113。第二擴(kuò)散阻隔層111可避免多個(gè)頂部銅互連線113和多個(gè)接觸孔112的銅原子氧化時(shí)擴(kuò)散入金屬間絕緣層106和第二層間絕緣層108。
參考圖3C，第三蝕刻阻隔層114和鈍化層115依序堆棧在具有多個(gè)頂部銅互連線113的第二層間絕緣層108上。其中，第三蝕刻阻隔層114可避免在其后形成鋁墊和透濕窗的鈍化層蝕刻過程中造成第二層間絕緣層108的回蝕。
接著，利用鈍化層上的光敏層和蝕刻過程透過屏蔽形成一墊罩(padmask)(未顯示)。之后，鈍化層115和第三蝕刻阻隔層114利用墊罩做為屏蔽而依序進(jìn)行墊蝕刻過程。在多個(gè)頂部銅互連線113的末端形成暴露的開口。然后，通過沉積多個(gè)鋁墊于具有開口的頂部銅互連線113的各邊并進(jìn)行具有開口的頂部銅互連線113的蝕刻過程而形成如圖2A中所示的多個(gè)鋁墊116。其中，如圖2A中所示的多個(gè)鋁墊116為連接至各相應(yīng)的頂部銅互連線113而使其可找出顯示失敗結(jié)果的多個(gè)頂部銅互連線。
接著，再于鈍化層115上形成光敏層并經(jīng)由另外的屏蔽和蝕刻過程形成產(chǎn)生透濕窗的多個(gè)透濕窗屏蔽117。然后，利用透濕窗屏蔽117做為蝕刻屏蔽進(jìn)行一部分鈍化層115和第三蝕刻阻隔層114的蝕刻過程而形成透濕窗118A。其中，組件編號為118A的多個(gè)透濕窗和示于圖2A中的透濕窗比較其長度相對短。
參考圖3D，其已除去透濕窗屏蔽。經(jīng)由上述一系列的過程使一部分第二層間絕緣層108暴露于透濕窗118A之下。亦即，具有線型的多個(gè)透濕窗118A為位于第二層間絕緣層108的頂部銅互連線113之間。
示于圖2A中形成于測試圖案組的各區(qū)段間的多個(gè)透濕窗118A以多個(gè)接觸孔連接而形成鏈狀構(gòu)造。組件編號為118B的其它透濕窗為介于測試圖案組之間的長透濕窗。
如上所述，在形成透濕窗118A和118B之后，空氣中的濕度可經(jīng)由多個(gè)透濕窗118A和118B而流入第二層間絕緣層108。然后流入第二層間絕緣層的濕度在EM測試期間再擴(kuò)散入多個(gè)頂部銅互連線113的側(cè)壁，因而可在劣化條件下進(jìn)行EM測試。
接著，于下述說明根據(jù)本發(fā)明的銅互連線的EM測試方法。
為觀察EM現(xiàn)象，先測量測試圖案在空氣中的電阻。然后，將晶片置于加熱板上，并在350℃下進(jìn)行熱處理。之后，再一次測量其電阻然后比較其結(jié)果。
當(dāng)比較結(jié)果時(shí)，應(yīng)在電阻有較大變化時(shí)結(jié)束其EM測量點(diǎn)。其中，較大的電阻變化點(diǎn)代表空氣中濕度經(jīng)由透濕窗流入的瞬間。然后，進(jìn)行流入的濕度的熱處理。在進(jìn)行流入濕度的熱處理時(shí)，強(qiáng)迫使多個(gè)底部銅互連線105和多個(gè)頂部銅互連線113的銅原子產(chǎn)生擴(kuò)散作用。因此，可加大多個(gè)銅互連線的電阻變化。
若顯示極佳的EM測試結(jié)果，即表示電阻幾乎未受到改變，因此證明該多個(gè)銅互連線為良品。若顯示失敗的EM測試結(jié)果，則表示電阻產(chǎn)生極大的改變，因此可證明該多個(gè)銅互連線為劣品。
圖4為有和無透濕窗的晶片的測試圖案在EM測試后的結(jié)果。參考圖4，G符號代表”良品”，F(xiàn)符號代表”劣品”，而X符號代表在熱處理之前已”損壞”。白底色矩形代表無透濕窗的測試圖案，以及陰影線矩形代表具有透濕窗的測試圖案。圖4為透濕窗流入的濕度經(jīng)1小時(shí)熱處理之后所獲得的測試結(jié)果。
參考圖4，在1小時(shí)熱處理的EM測試中，具有透濕窗的測試圖案產(chǎn)生F的機(jī)率較無透濕窗的測試圖案為高。例如，無透濕窗的測試圖案中無芯片受熱處理的影響而產(chǎn)生F。然而，具有透濕窗的測試圖案的17個(gè)芯片中除三個(gè)標(biāo)示X符號的芯片在加熱處理前已損壞之外僅兩個(gè)芯片未產(chǎn)生F。
根據(jù)本發(fā)明較佳的具體例，多個(gè)底部銅互連線105和多個(gè)頂部銅互連線113為由純銅所制成。然而，可利用銅化合物金屬形成該多個(gè)底部和頂部銅互連線。亦可利用濺鍍法取代形成銅層的電鍍法。此外，可利用蝕刻法取代研磨銅層表面的CMP法。
本發(fā)明通過在測試圖案構(gòu)造上形成多個(gè)透濕窗以在EM測量中強(qiáng)迫性促進(jìn)銅原子的擴(kuò)散作用。
并且，本發(fā)明利用能加速銅原子擴(kuò)散的測試圖案，因而可獲得一種極快速的反饋。因此，能適時(shí)地制造出半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明申請案的主題是關(guān)于2003年11月18日向韓國專利商標(biāo)局提出的韓國專利申請案號KR2003-0081395，將其完整內(nèi)容納入于此以供參考。
本發(fā)明雖然引用某些較佳具體例做為說明，但是熟習(xí)本技藝的技術(shù)者應(yīng)了解其各種變化和改良并未偏離本發(fā)明，并屬于下述權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
本案摘要附圖的元件符號簡單說明101第一層間絕緣層102第一蝕刻阻隔層103第一溝槽104第一擴(kuò)散阻隔層105底部銅互連線106金屬間絕緣層107第二蝕刻阻隔層108第二層間絕緣層109第二溝槽110通孔111第二擴(kuò)散阻隔層112接觸孔113頂部銅互連線114第三蝕刻阻隔層115鈍化層116鋁墊118A 透濕窗主要組件符號說明10 底部銅互連線11 底層12 第一層間絕緣層13 金屬間絕緣層14 第二層間絕緣層
15 鈍化層20 頂部銅互連線30 接觸孔40 鋁墊101第一層間絕緣層102第一蝕刻阻隔層103第一溝槽104第一擴(kuò)散阻隔層105底部銅互連線106金屬間絕緣層107第二蝕刻阻隔層108第二層間絕緣層109第二溝槽110通孔111第二擴(kuò)散阻隔層112接觸孔113頂部銅互連線114第三蝕刻阻隔層115鈍化層116鋁墊117透濕窗屏蔽118A，118B 透濕窗TP1，TP2 測試圖案組
權(quán)利要求
1.一種制造測試圖案的方法，其能可靠性測量具有透濕窗的銅互連線，其包括半導(dǎo)體基板；形成于基板上的第一層間絕緣層；嵌入第一層間絕緣層內(nèi)的多個(gè)底部銅互連線；多個(gè)底部銅互連線和第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層；嵌入第二層間絕緣層的多個(gè)頂部銅互連線，并經(jīng)由多個(gè)接觸孔連接至多個(gè)底部銅互連線；以及覆蓋多個(gè)頂部銅互連線的鈍化層，其具有在電遷移測試時(shí)可透濕的多個(gè)透濕窗。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該測試圖案進(jìn)一步包括至少一鋁墊，其通過通過多個(gè)透濕窗周圍的一部分鈍化層而連接至多個(gè)頂部銅互連線且接觸探頭以便于測試EM。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中多個(gè)底部銅互連線和多個(gè)頂部銅互連線被擴(kuò)散阻隔層所包圍以避免銅原子的擴(kuò)散。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中多個(gè)底部銅互連線和多個(gè)頂部銅互連線被擴(kuò)散阻隔層所包圍以避免銅原子的擴(kuò)散。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中透濕窗為一種開口于第二層間絕緣層頂部的線型窗，其可使?jié)穸冉?jīng)由第二層間絕緣層流入頂部銅互連線。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中具有開口于第二層間絕緣層頂部的多個(gè)線型透濕窗可使?jié)穸冉?jīng)由第二層間絕緣層流入多個(gè)頂部銅互連線。
7.一種制造測試圖案的方法，其能可靠性測量具有透濕窗的銅互連線，其步驟包括于基板上第一層間絕緣層內(nèi)形成一溝槽；在多個(gè)底部銅互連線和第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層；通過雙嵌蝕刻過程形成埋入第二層間絕緣層內(nèi)的多個(gè)頂部銅互連線，并經(jīng)由多個(gè)接觸孔將其連接至多個(gè)底部銅互連線；以及形成鈍化層，其具有EM測量時(shí)可透濕的多個(gè)透濕窗并且覆蓋第二層間絕緣層和多個(gè)頂部銅互連線。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成鈍化層的步驟包括形成覆蓋第二層間絕緣層和多個(gè)頂部銅互連線的鈍化層；進(jìn)行鈍化層的墊蝕刻過程而使頂部銅互連線開口于一邊；形成連接至各相應(yīng)頂部銅互連線的多個(gè)鋁墊；以及在鈍化層和多個(gè)鋁墊上形成透濕窗屏蔽。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中透濕窗為開口于第二層間絕緣層的頂部以使?jié)穸冉?jīng)由第二層間絕緣層流入頂部銅互連線的線型窗。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中透濕窗為開口于第二層間絕緣層的頂部以使?jié)穸冉?jīng)由第二層間絕緣層流入頂部銅互連線的線型窗。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中多個(gè)底部銅互連線和多個(gè)頂部銅互連線被擴(kuò)散阻隔層所包圍以避免銅原子的擴(kuò)散。
12.一種制造測試圖案的方法，其能可靠性測量具有透濕窗的銅互連線，其步驟包括形成經(jīng)由多個(gè)接觸孔連接至多個(gè)頂部銅互連線的多個(gè)底部銅互連線；形成鈍化層，其具有在可靠性測量時(shí)可透濕入多個(gè)頂部銅互連線的頂部的透濕窗；在空氣中測量多個(gè)頂部銅互連線和多個(gè)底部銅互連線的電阻；通過加熱板的加熱再一次測量多個(gè)頂部銅互連線和多個(gè)底部銅互連線的電阻；以及在多個(gè)底部銅互連線和多個(gè)頂部銅互連線的電阻變化是大的點(diǎn)處完成可靠性測量。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中透濕窗為一種開口于第二層間絕緣層頂部的線型窗，其可使?jié)穸冉?jīng)由第二層間絕緣層流入頂部銅互連線。
全文摘要
揭示一種具有透濕窗而能可靠性測量銅互連線的測試圖案，及其制造方法。此方法的步驟包括于基板上形成第一層間絕緣層；第一層間絕緣層內(nèi)嵌入多個(gè)底部銅互連線；在多個(gè)底部銅互連線和第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層；第二層間絕緣層嵌入多個(gè)頂部銅互連線，并經(jīng)由多個(gè)接觸孔連接至多個(gè)底部銅互連線；以及多個(gè)頂部銅互連線上覆蓋鈍化層，其具有在電遷移測試時(shí)可透濕的多個(gè)透濕窗。
文檔編號H01L23/544GK1619324SQ20041009079
公開日2005年5月25日 申請日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月18日
發(fā)明者金相榮 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司