專利名稱：半導(dǎo)體集成電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置，更詳細(xì)地說，涉及為了將這些配線層之間平坦化而在同層的配線之間具有由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案的半導(dǎo)體集成電路裝置。
背景技術(shù)：
眾所周知，作為將半導(dǎo)體集成電路裝置進(jìn)一步高集成化的結(jié)構(gòu)，有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)。在具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置中，通過在配線層中包含配線密度的稠密部分和稀疏部分，從而在這兩者上成膜的絕緣膜本身會(huì)形成階差。因此，這樣形成于絕緣膜上的上層配線就會(huì)在上述階差部分上產(chǎn)生斷線等問題，無法避免配線形成的可靠性的降低。
因此，以往為了解決這種問題，提出在配線間隔較寬的部位上同時(shí)形成沒有與配線電連接的導(dǎo)體片(虛擬圖案)，以緩和上述階差產(chǎn)生的方法等。圖5(a)和(b)分別示意性地表示具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置的平面結(jié)構(gòu)和剖面結(jié)構(gòu)的一例。而且，圖5(a)是表示該半導(dǎo)體集成電路裝置的平面結(jié)構(gòu)的一部分的放大俯視圖，圖5(b)是沿圖5(a)的B-B線的剖面圖。
如圖5(b)所示，該半導(dǎo)體集成電路裝置基本上是依序?qū)拥雽?dǎo)體基板10、絕緣膜20、第一配線層30、層間絕緣膜層40、第二配線層50而形成的。
在這里，在上述第一配線層30上，基本上如圖5(a)所示，利用眾所周知的光刻技術(shù)等，例如在由鋁等形成的配線圖案30a與30b之間形成有由與這些配線材料相同的材料形成的長方體形狀的虛擬圖案30D。具體地說，上述配線圖案30a和30b形成為互相大致平行，并且上述長方體形狀的虛擬圖案30D配設(shè)為具有這些配線的平行面，且分別大致等間隔地傾斜排列。
另外，具體地說，上述層間絕緣膜層40形成為將例如由p(等離子體)-TEOS(四乙氧基硅烷)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜40a、例如由平坦性優(yōu)良的SOG(spin on glass)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜40b、例如由p-TEOS膜等構(gòu)成的層間絕緣膜40c層迭的結(jié)構(gòu)。而且，在該絕緣膜40c上形成有例如具有由鋁等構(gòu)成的配線圖案50a的上述第二配線層50。
這樣，通過配設(shè)上述虛擬圖案30D并填埋配線之間的縫隙，從而可以實(shí)現(xiàn)在上述第一配線層30上形成層間絕緣膜40a～40c情況下的平坦化。另外，在形成上述層間絕緣膜40a～40c之后，即使在例如使用CMP進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)平坦化的情況下，也由于通過配設(shè)上述虛擬圖案30D來緩和負(fù)荷的局部集中，故可以避免起因于這種負(fù)荷集中等的平坦性的惡化。并且，通過這樣提高作為上述第二配線層50的基底層的層間絕緣膜40c的平坦性，從而可以抑制上述上層配線自身的斷線等。
另外，以往除了這種半導(dǎo)體集成電路裝置以外，還提出了例如專利文獻(xiàn)1中所見的，線狀的虛擬金屬(虛擬圖案)在相鄰配線之間與配線平行地形成的裝置等。
專利文獻(xiàn)1特開平10-335326號(hào)公報(bào)可是，如上所述通過配設(shè)虛擬圖案30D，從而可以確實(shí)地解決上層配線的斷線等問題。但是，通過這樣配設(shè)虛擬圖案30D，從而在上述配線圖案30a和30b之間隔著虛擬圖案30D而自身產(chǎn)生相對(duì)向電容，即所謂的寄生電容。而且，這樣產(chǎn)生的寄生電容會(huì)引起電路動(dòng)作的速度降低或噪音增加等，以至使該半導(dǎo)體集成電路裝置的電路特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述實(shí)情，其目的在于，提供一種為了達(dá)成配線層間的平坦化，而在同一層的配線間不但具備由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，而且可以適當(dāng)?shù)匾种聘糁撎摂M圖案的配線間的寄生電容的半導(dǎo)體集成電路裝置。
為了達(dá)成這種目的，本發(fā)明的第一方案是一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化，而在同層的配線之間配設(shè)由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，使上述虛擬圖案形成為具有至少相鄰的配線之間的相對(duì)向電容比具有與該配線的平行面的長方體有所減少的形狀的結(jié)構(gòu)。
作為半導(dǎo)體集成電路裝置，通過采用具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案，從而與采用現(xiàn)有的具有與相鄰配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案的半導(dǎo)體集成電路裝置相比，上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容，即寄生電容確實(shí)有所降低。因此，采用具有該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置，不僅可以通過上述虛擬圖案來提高上層配線的基底的平坦性，還可以確實(shí)地抑制起因于隔著上述虛擬圖案的配線之間的寄生電容的電路動(dòng)作的速度降低或噪音增加等。
另外，在本發(fā)明的第二方案的半導(dǎo)體集成電路裝置中，使這種虛擬圖案形成為具有包括與上述相鄰配線相對(duì)向的面相對(duì)于該配線成為非平行的面的多邊棱柱形狀的結(jié)構(gòu)。
作為具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案的形狀，例如有底面形狀為菱形或者八角形或者三角形的多邊棱柱等。而且，使具有這種形狀的虛擬圖案形成為包含與上述相鄰配線相對(duì)向的面相對(duì)于該配線成為非平行的面的形態(tài)。因此，在使從上述相鄰配線開始的距離恒定的情況下，上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)至少比具有與該配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案確實(shí)有所減少。
另外，本發(fā)明的第三方案的半導(dǎo)體集成電路裝置，在第一方案所述的半導(dǎo)體集成電路裝置中，使上述虛擬圖案形成為具有從與上述相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離間歇或連續(xù)地變化的多邊棱柱形狀的結(jié)構(gòu)。
作為具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案的形狀，有例如底面形狀為菱形或者八角形或者三角形的多邊棱柱等。而且，使具有這種形狀的虛擬圖案形成為從與上述相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離間歇或連續(xù)地變化。因此，與前面的第二方案的發(fā)明同樣，在使從上述相鄰配線開始的距離恒定的情況下，述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)至少比具有與該配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案確實(shí)有所減少。
另外，本發(fā)明的第四方案的半導(dǎo)體集成電路裝置，在第一方案所述的半導(dǎo)體集成電路裝置中，使上述虛擬圖案形成為具有從與上述相鄰配線相對(duì)向的面的配線開始的距離連續(xù)地變化的大致圓柱形狀的結(jié)構(gòu)。
利用這樣形成的虛擬圖案，與之前的第二方案或者第三方案所述的發(fā)明相同，在使從上述相鄰配線開始的距離恒定的情況下，上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)至少比具有與該配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案確實(shí)有所減少。
一方面，本發(fā)明的第五方案的半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化，而在同一層的配線之間配置由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，使上述虛擬圖案形成為具有具備相對(duì)作為芯片而切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面都不平行的四個(gè)柱面的長方體形狀的結(jié)構(gòu)。
一般，上述配線層中的配線形成為相對(duì)于作為芯片而切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面平行或者垂直。因此，通過將上述虛擬圖案形成為具備相對(duì)于作為芯片而切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面都不平行的四個(gè)柱面的長方體形狀，從而使與這些柱面都不平行的配線增多。即，如果半導(dǎo)體集成電路裝置采用具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案，則可以得到與之前的方案1～4所述的半導(dǎo)體集成電路裝置相同或者以此為基準(zhǔn)的效果，同時(shí)，并不限于相鄰的配線，對(duì)于更多的配線，也可以實(shí)現(xiàn)減少其與上述虛擬圖案之間產(chǎn)生的相對(duì)向電容。
另一方面，本發(fā)明的第六方案的半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料形成的虛擬圖案，使上述虛擬圖案形成為具有互相相對(duì)向的面的距離間歇或連續(xù)地變化的多邊棱柱形的結(jié)構(gòu)。
對(duì)于一般的鋪線方法，通過半導(dǎo)體集成電路裝置采用具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案，從而可以實(shí)現(xiàn)減少上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)。
另外，本發(fā)明的第七方案的半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料形成的虛擬圖案，上述虛擬圖案形成為具有互相相對(duì)的面的距離連續(xù)地變化的大致圓柱形狀的結(jié)構(gòu)。
對(duì)于配線的任何鋪設(shè)方法，如果半導(dǎo)體集成電路裝置采用具有這種結(jié)構(gòu)的虛擬圖案，則可以實(shí)現(xiàn)減少上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置中，為了實(shí)現(xiàn)配線層之間的平坦化，而在同層的配線之間，使由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案形成為具有至少相鄰配線之間的相對(duì)向電容比具有與該配線的平行面的長方體有所減少的形狀。由此，可以確實(shí)地減少隔著上述虛擬圖案的配線間的寄生電容，并且可以確實(shí)抑制起因于該寄生電容的電路動(dòng)作的速度降低或噪音增加等。


圖1是關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的一個(gè)實(shí)施方式，(a)是示意性地表示其平面結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是沿著(a)的B-B線的剖面圖。
圖2是表示本實(shí)施方式中使用的虛擬圖案的外觀形狀的立體圖。
圖3是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置的配線層的布線示例的俯視圖。
圖4(a)～(1)示意性地表示本實(shí)施方式中使用的虛擬圖案的變形例的平面(底面)結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖5是關(guān)于現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路裝置，(a)是示意性地表示該平面結(jié)構(gòu)的平面圖，(b)是沿著(a)的B-B線的剖面圖。
圖中1-半導(dǎo)體基板，2-絕緣膜，3、5-配線層，3a～3c、5a-配線圖案，3D-虛擬圖案，4-層間絕緣膜層，4a～4c層間絕緣膜。
具體實(shí)施例方式
圖1是示意性地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置也和之前的圖5所例示的半導(dǎo)體集成電路裝置相同，通過配設(shè)上述虛擬圖案來實(shí)現(xiàn)上層配線的基底的平坦化。但是，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置是通過按照圖1所示的形態(tài)來配置上述虛擬圖案，從而抑制上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)的。
圖1(a)和(b)分別示意性地表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置的平面結(jié)構(gòu)和剖面結(jié)構(gòu)的一例。而且，圖1(a)是表示半導(dǎo)體集成電路裝置的平面結(jié)構(gòu)的一部分的放大俯視圖，圖1(b)是沿著圖1(a)的B-B線的剖面圖。
如圖1(b)所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置也基本上是依序?qū)拥雽?dǎo)體基板1、絕緣膜2、第一配線層3、層間絕緣膜層4、第二配線層5而形成的。
在這里，在上述第一配線層3上，基本上如圖1(a)所示，利用眾所周知的光刻技術(shù)等，在例如由鋁等構(gòu)成的配線圖案3a和3b之間形成有由與這些配線材料相同的材料構(gòu)成的長方體形狀的虛擬圖案3D。具體地說，上述配線圖案3a和3b形成為相互大致平行，上述長方體形狀的虛擬圖案3D具有與這些配線大致呈45度傾斜的柱面，且配設(shè)為分別大致等間隔地傾斜排列。
另外，具體地說，上述層間絕緣膜層4為將例如由p(等離子)-TEOS(四乙氧基硅烷)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜4a、例如由平坦性優(yōu)良的SOG(spin on glass)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜4b、例如由p-TEOS膜等構(gòu)成的層間絕緣膜4c層迭的結(jié)構(gòu)。并且，在該絕緣膜4c上形成具有例如由鋁等構(gòu)成的配線圖案5a的上述第二配線層5。
這樣，可以通過配設(shè)上述虛擬圖案3D并填埋配線之間的縫隙，從而實(shí)現(xiàn)在上述第一配線層3上形成層間絕緣膜4a～4c情況下的平坦化。另外，因?yàn)榧词乖谛纬缮鲜鰧娱g絕緣膜4a～4c后，例如使用CMP而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)平坦化的情況下，也可以通過配設(shè)上述虛擬圖案3D來緩和負(fù)荷的局部集中，所以可以避免因?yàn)檫@種負(fù)荷集中等引起的平坦性的惡化。并且，在這種情況下，也通過這樣提高作為上述第二配線層5的基底的層間絕緣膜4c的平坦性，從而可以抑制上述上層配線本身的斷線等。
接下來，利用圖2表示本實(shí)施方式中采用的上述虛擬圖案3D的形狀以及尺寸的具體示例。另外，圖2表示的是為了方便而從左或右傾斜45度的方向觀察上述虛擬圖案3D的外觀形狀的立體圖。
該虛擬圖案3D的形狀如圖2所示，關(guān)于圖2中a1～a2、b1～b2及c的各個(gè)部位的尺寸，例如設(shè)定為a1＝a2＝b1＝b2＝0.4μm、c＝0.32μm～1.0μm。并且，對(duì)于虛擬圖案3D的這種尺寸，圖1舉例表示的上述配線圖案3a和3b例如形成為具有寬度為0.4μm、厚度(高度)為0.32μm～1.0μm的尺寸。
一方面，圖3示意性地表示具有這些配線圖案和虛擬圖案而形成的上述第一配線層3的布線示例的一部分。另外，之前的圖1(a)相當(dāng)于擴(kuò)大表示圖3中用點(diǎn)劃線所示的區(qū)域A20的俯視圖。
如圖3所示，在進(jìn)行上述第一配線層3的布線之際，按照以下順序進(jìn)行。
(1)首先，以將所要數(shù)量的虛擬圖案3D分別等間隔地傾斜排列的形態(tài)配置在整個(gè)基板上。
(2)之后，在基板上配置例如沿著圖中X軸方向或者Y軸方向的配線圖案3a～3c。
(3)削除與這些配線圖案3a～3c或者其周圍(在圖3中用虛線表示的區(qū)域A11～A13)重迭的部分的虛擬圖案(在圖3中用雙點(diǎn)劃線表示的虛擬圖案3D’)。
另外，此時(shí)通過如上所述地將虛擬圖案3D傾斜排列地進(jìn)行配置，從而一定在具有所定間隔的配線之間配置了任一虛擬圖案3D。另外，通過使上述虛擬圖案3D為長方體形狀，從而即使在這樣的布線中或者在作為之后工序的實(shí)際通過腐蝕等進(jìn)行的加工中，也可以高度地維持這種操作性。
如圖1或圖3所示，在本實(shí)施方式中，上述虛擬圖案3D形成為具備相對(duì)于沿著X軸方向或者Y軸方向的配線圖案分別大致呈45度傾斜的柱面的長方體形狀。因此，該虛擬圖案3D無論與上述配線圖案中的哪一個(gè)相鄰，在從相鄰配線開始的距離恒定的情況下，該虛擬圖案3D與相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)都比具有與該配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案確實(shí)有所減少。進(jìn)而，因?yàn)樵撎摂M圖案3D之間的相對(duì)向電容(寄生電容)也減少，故結(jié)果是可以減少隔著虛擬圖案的配線之間的寄生電容。
另外，雖然沒有特別圖示，上述半導(dǎo)體集成電路裝置在切割芯片以切取芯片的工序，即切割工序之際，是將沿著之前圖3中的X軸方向或者Y軸方向的面作為切口而進(jìn)行切出的。即，上述虛擬圖案3D形成為具有相對(duì)于作為芯片而切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面完全大致呈45度傾斜的柱面的長方體形狀。而且，如之前的圖3舉例所示的配線圖案3a～3c所示，一般配線大多形成為與作為上述芯片而切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面平行或垂直。即，本身與虛擬圖案3D的所有柱面都不平行的配線增加。
如以上所說明的，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體集成電路裝置可以得到以下的優(yōu)良效果。
(1)將用于平坦化配線層之間的虛擬圖案3D做成具備與相鄰配線大致呈45°傾斜的柱面的長方體形狀。因此，在從相鄰配線開始的距離恒定的情況下，可以使相鄰配線與虛擬圖案之間的相對(duì)向電容(寄生電容)比具有與該配線的平行面的長方體形狀的虛擬圖案確實(shí)有所減少。因此，采用具有該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置，不但可以通過上述虛擬圖案提高上層配線的基底的平坦性，還可以確實(shí)地抑制起因于上述配線之間的寄生電容的電路動(dòng)作的速度降低或噪音增加等。
(2)進(jìn)而，對(duì)于虛擬圖案3D，形成為其所有的柱面與作為芯片而被切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面大致呈45°傾斜。由此，對(duì)于大多數(shù)的配線，都可以實(shí)現(xiàn)減少與上述虛擬圖案之間產(chǎn)生的相對(duì)向電容(寄生電容)。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置并不限于上述實(shí)施方式，例如也可以按照以下的方式來實(shí)施。
在上述實(shí)施方式中，雖然由層間絕緣膜4a～4c的三層構(gòu)成層間絕緣膜層4，但是對(duì)于層間絕緣膜4的構(gòu)成及材料等做成一層等是任意的。
在上述實(shí)施方式中，雖然將虛擬圖案3D配置為傾斜排列的形態(tài)，但是虛擬圖案3D的配置形態(tài)可以是任意的，例如按照縱向和橫向排列的形態(tài)進(jìn)行配置也適用于本發(fā)明。
在上述實(shí)施方式中，雖然使虛擬圖案3D形成為具備相對(duì)于相鄰配線及作為芯片而被切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面都大致傾斜45°的四個(gè)柱面的長方體形狀的結(jié)構(gòu)。但是，只要該虛擬圖案3D滿足以下任何一個(gè)結(jié)構(gòu)即可。
(a)包含有與相鄰配線相對(duì)的面和該配線不平行的面的多邊棱柱形狀。
(b)不具有與相鄰配線相對(duì)的面和該配線平行的面的多邊棱柱形狀。
(c)從與相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離間歇或連續(xù)地變化的多邊棱柱形狀。另外，上述虛擬圖案3D也可以為從與上述相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離連續(xù)地變化的大致圓柱形狀。即，作為這種虛擬圖案也可以適宜地采用底面形狀為例如圖4(a)～(1)舉例所示的形狀的多邊棱柱形狀或者圓柱形狀。尤其，如果將上述虛擬圖案3D形成為相互相對(duì)面的距離間歇或者連續(xù)地變化的多邊棱柱形狀，則相對(duì)一般的鋪設(shè)方法，也可以實(shí)現(xiàn)上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)的減少。另外，如果將上述虛擬圖案3D形成為相互相對(duì)的面的距離連續(xù)變化的大致圓柱形狀(圖4(1))，則相對(duì)任意方向配線的鋪設(shè)方法，可以簡單地實(shí)現(xiàn)上述虛擬圖案和相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)的減少。結(jié)果是，這種虛擬圖案只要是相鄰配線之間的相對(duì)向電容至少比具有與該配線的平行面的長方體有所減少的形狀即可。
另外，對(duì)于在配線層上形成的配線圖案和虛擬圖案的材料也不限于鋁，例如也可以是銅或者鋁合金或者多晶硅等。另外，虛擬圖案的尺寸可以任意，可以設(shè)定為對(duì)應(yīng)于配線層上形成的配線寬度等的所希望的尺寸。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，其特征在于，上述虛擬圖案形成為相鄰配線之間的相對(duì)向電容至少比具有與該配線的平行面的長方體有所減少的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，上述虛擬圖案形成為具有包括與上述相鄰配線相對(duì)向的面相對(duì)于該配線成為非平行的面的多邊棱柱形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，上述虛擬圖案形成為具有從與上述相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離間歇或者連續(xù)地變化的多邊棱柱形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，上述虛擬圖案形成為具有從與上述相鄰配線相對(duì)的面的配線開始的距離連續(xù)地變化的圓柱形狀。
5.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，其特征在于，上述虛擬圖案形成為具有包括相對(duì)作為芯片而被切出的半導(dǎo)體基板的側(cè)面都不平行的四個(gè)柱面的長方體形狀。
6.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，其特征在于，上述虛擬圖案形成為具有互相相對(duì)的面的距離間歇或連續(xù)地變化的多邊棱柱形狀。
7.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其具有跨越多層在半導(dǎo)體基板上鋪設(shè)配線的多層配線結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)這些配線層之間的平坦化而在同層的配線之間配置由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案，其特征在于，上述虛擬圖案形成為互相相對(duì)的面的配線的距離連續(xù)地變化的圓柱形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其為了實(shí)現(xiàn)配線層之間的平坦化，而在同一層配線之間具備由與配線材料相同的材料構(gòu)成的虛擬圖案的同時(shí)，可以適當(dāng)?shù)匾种圃撎摂M圖案和配線之間的相對(duì)向電容。作為在同一層配線(配線圖案)(3a、3b)之間利用與這些配線材料相同的材料形成的虛擬圖案(3D)，使其形狀為與相鄰配線之間的相對(duì)向電容(寄生電容)比具有與該配線的平行面的長方體有所減少的形狀。具體地說，該虛擬圖案(3D)形成為具備與相鄰配線(配線圖案)(3a、3b)大致呈45°傾斜的柱面的長方體形狀。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1581478SQ20041006988
公開日2005年2月16日 申請日期2004年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月1日
發(fā)明者西村英孝 申請人:三洋電機(jī)株式會(huì)社