專(zhuān)利名稱(chēng)：缺失晶粒的檢測(cè)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及物體的檢測(cè)和涉及硅或藍(lán)寶石晶圓(silicon orsapphire wafers)的半導(dǎo)體器件的制造，更具體涉及用于缺失晶粒(missing dice)檢測(cè)的裝置和方法，例如當(dāng)從晶圓上拾取晶粒和在鍵合位置放置晶粒的時(shí)候。
背景技術(shù)：
在完成形成于晶圓上的器件的制作和切割(fabrication anddicing)之后，單個(gè)晶粒由拾取頭(pickup head)的夾體(collet)從被切割的晶圓中拾取，并在鍵合位置處放置在載體(carrier)、襯底或者其他器件上，以進(jìn)行進(jìn)一步的處理。
為了避免生產(chǎn)單元產(chǎn)生的晶粒缺失(omission)，如果拾取頭在鍵合位置處沒(méi)有拾取和放置晶粒，那么發(fā)出警報(bào)是令人期望的。
公知的檢測(cè)系統(tǒng)通常使用光源(light source)和光敏感元件(lightsensor)，該光源和光敏感元件被排列和放置在物體如待檢測(cè)的晶粒存在與否位置的相對(duì)的兩側(cè)。該位置處物體的存在干擾了狹窄的光束(narrow beam of light)(或者校準(zhǔn)或者聚焦)從光源到光敏感元件的傳輸。由光敏感元件完成的從光源發(fā)出的光線(xiàn)的檢測(cè)被用來(lái)指明物體沒(méi)有在該位置處出現(xiàn)。相反，從光源發(fā)出和由光敏感元件檢測(cè)的光線(xiàn)的缺失被用來(lái)指明物體在該位置處出現(xiàn)。
但是，這些公知的系統(tǒng)在透明的，甚至部分透明物體的情況下令人失望，其中光線(xiàn)能穿越這些物體傳輸，并且即使在物體存在的時(shí)候仍然可以通過(guò)光敏感元件接收相對(duì)強(qiáng)的信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的目的在于提供一種用于測(cè)定物體缺失與否的裝置，該裝置降低了錯(cuò)誤指示的發(fā)生，或者至少將有用的選擇提供給公眾。
本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的目的在于提供一種用于測(cè)定物體缺失與否的方法，該方法降低了錯(cuò)誤指示的發(fā)生，或者至少將有用的選擇提供給公眾。
第一方面，本發(fā)明廣泛地講可以是一種用于在夾體組件(colletassembly)的區(qū)域檢測(cè)目標(biāo)物體存在與否的裝置，該裝置包括光源，用于至少照射該區(qū)域的局部(a portion of the site)；光檢測(cè)器(lightdetector)，用于接收該光源的至少部分光線(xiàn)，此時(shí)該光線(xiàn)由位于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射。
可選擇地，該裝置用來(lái)檢測(cè)該區(qū)域目標(biāo)物體的存在，此時(shí)該目標(biāo)物體主要以預(yù)定的方向呈現(xiàn)表面，其中該照射是基本垂直于所述的方向而入射在該區(qū)域的局部。
可選擇地，該裝置包含有分光器(beam splitter)，并且該光源的光線(xiàn)穿過(guò)該分光器以照射在該區(qū)域的局部，通過(guò)該目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)由該分光器向該光檢測(cè)器進(jìn)一步反射。
分光器從光源向該區(qū)域的局部反射光線(xiàn)，并且將由目標(biāo)物體反射的光線(xiàn)通過(guò)該分光器到達(dá)該光檢測(cè)器，是可以選擇的。
該光檢測(cè)器可以是攝像傳感器(image sensor)或者能量傳感器(power sensor)。
該光線(xiàn)可以是可見(jiàn)光輻射或者不可見(jiàn)光輻射。
光源發(fā)出的光線(xiàn)可以被校準(zhǔn)(collimated)或者聚焦(focused)成為光束，以照射在該區(qū)域的局部。
可選擇地，照射光束在該區(qū)域的局部的寬度大約在0.02到0.5mm之間，更合適的為0.05mm。
可選擇地，該照射光線(xiàn)的光源和光檢測(cè)器二者均在該區(qū)域的一側(cè)，并且在該區(qū)域的相對(duì)側(cè)設(shè)置有暗背景。
目標(biāo)物體可以是基本透明的。
目標(biāo)物體可以具有不等于1的折射率(refractive index)。
可選擇地，該折射率約為1.55。
該光源和光檢測(cè)器中的一個(gè)或者兩個(gè)可以遠(yuǎn)離該夾體組件設(shè)置。
第二方面，本發(fā)明廣泛地講可以是一種晶粒處理設(shè)備，其包括有用于固定晶粒的夾體組件，和按照第一方面所述的裝置或者第一方面所述裝置的任一選項(xiàng)，其中所述目標(biāo)物體為晶粒。
第三方面，本發(fā)明廣泛地講可以是一種用于在夾體組件的區(qū)域測(cè)定目標(biāo)物體存在與否的方法，該方法包括以下步驟(a)至少照射該區(qū)域的局部；(b)設(shè)置光檢測(cè)器，以至少接收該照射光線(xiàn)的部分，此時(shí)該照射光線(xiàn)由位于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射；以及(c)檢測(cè)所述的照射光線(xiàn)，該照射光線(xiàn)由所述的目標(biāo)物體所反射和由所述的檢測(cè)器所接收。
可選擇地，當(dāng)該目標(biāo)物體主要以預(yù)定的方向呈現(xiàn)表面時(shí)，該方法測(cè)定該區(qū)域目標(biāo)物體的存在，并且所述的照射光線(xiàn)是基本垂直于所述方向而入射在該區(qū)域的所述局部。
可選擇地，該方法進(jìn)一步包含有下述步驟(d)將所述的照射光線(xiàn)穿越分光器以照射在該區(qū)域的所述局部，以及(e)通過(guò)該目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)，由該分光器向該光檢測(cè)器進(jìn)一步反射。
可選擇地，該方法進(jìn)一步包含有下述步驟(f)通過(guò)分光器從該光源向該區(qū)域的所述局部反射光線(xiàn)，以及(g)將由目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)穿越該分光器到達(dá)該光檢測(cè)器。
該光檢測(cè)器可以是攝像傳感器或者能量傳感器。
該光線(xiàn)可以是可見(jiàn)光輻射或者不可見(jiàn)光輻射。
可選擇地，該方法進(jìn)一步包含有下述步驟(h)將照射光線(xiàn)校準(zhǔn)或者聚焦成為光束，以照射該區(qū)域的所述局部。
較適宜地講，該照射光束在該區(qū)域的所述局部的寬度大約在0.02到0.5mm之間，最合適的為0.05mm。
較適宜地講，步驟(c)中所述的反射照射光線(xiàn)的檢測(cè)隨同暗背景進(jìn)行，該暗背景的方位和由設(shè)置于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射的光線(xiàn)的方向相反。
目標(biāo)物體可以是基本透明的。
可選擇地，目標(biāo)物體具有不等于1的折射率。
該折射率更合適地約為1.55。
可選擇地，該方法進(jìn)一步包含有下述步驟(j)利用該夾體組件力圖拾取物體；(k)照射該夾體組件的預(yù)定區(qū)域；(l)設(shè)置檢測(cè)器以檢測(cè)從該夾體組件的所述區(qū)域反射的照射光線(xiàn)；(m)測(cè)定該夾體的區(qū)域中的物體存在與否，該測(cè)定是基于由該檢測(cè)器檢測(cè)的光線(xiàn)。
較適宜地講，其中步驟(1)中從該區(qū)域反射的光線(xiàn)的檢測(cè)隨同暗背景進(jìn)行，該暗背景的方位和由設(shè)置于該區(qū)域時(shí)的物體反射的光線(xiàn)的方向相反。
本發(fā)明可進(jìn)一步存在于此處提及或者附圖所示的部件或者特征的任一可選組合中，凡未清晰表述的這些部件或者特征的公知的等效實(shí)施，均仍然應(yīng)包含于本發(fā)明之中。


本發(fā)明的較佳實(shí)施例現(xiàn)將僅僅通過(guò)實(shí)例并參考附圖加以描述，其不能理解成是對(duì)本發(fā)明的限制，其中圖1所示為用于在預(yù)定位置測(cè)定晶粒存在或者缺失的光學(xué)裝置(optical arrangement)的第一較佳實(shí)施例的示意圖，圖2所示為圖1所示的另一種可選實(shí)施例的示意圖，
圖3所示為使用第一較佳實(shí)施例的裝置中的夾體組件的側(cè)視剖視圖，圖4所示為夾體組件的側(cè)視剖視圖，其中光源和光檢測(cè)器被遠(yuǎn)離于該夾體組件設(shè)置，以及圖5所示是包含有本發(fā)明的晶粒放置裝置的平面示意圖。
具體實(shí)施例方式
值得注意的是，用于在預(yù)定位置檢測(cè)物體的存在與否的方法和裝置可以引用附圖實(shí)施成不同的形式，下面的實(shí)施例僅僅以舉例的方式進(jìn)行描述。
此處引述的“光線(xiàn)”不是打算限制于可見(jiàn)光，而是應(yīng)被理解為還包括不可見(jiàn)光輻射(non-visible radiation)，例如包含具有在可見(jiàn)光譜之外波長(zhǎng)的紅外線(xiàn)和紫外線(xiàn)輻射(infrared and ultraviolet radiation)，引述的“反射”包括來(lái)自表面的光線(xiàn)散射或者放射(scattering of lightor radiation)。
圖1所示為用于在預(yù)定位置測(cè)定晶粒存在與否的光學(xué)裝置的第一較佳實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中該預(yù)定位置位于用于晶粒放置的夾體組件的晶粒處理夾體(die-handling collet)處。該夾體組件被用來(lái)拾取從硅或藍(lán)寶石晶圓(silicon or sapphire wafer)制作的單個(gè)晶粒，以及放置該晶粒于鍵合位置處，例如在此處該晶粒附著于襯底上，如引線(xiàn)框。
光源1，如激光器二極管(laser diode)，被用來(lái)至少照射該夾體中區(qū)域的局部。如圖1所示，該區(qū)域由晶粒2所占用。該光源發(fā)出的光線(xiàn)最好被校準(zhǔn)或聚焦，例如通過(guò)透鏡22(參見(jiàn)圖3)成為狹窄的入射光束3(incident beam)。在較佳的應(yīng)用中，該被校準(zhǔn)或聚焦的光束的寬度在0.02-0.5mm之間，更適宜的寬度為0.05mm。該入射光束通過(guò)該夾體被導(dǎo)引于該晶粒2的一細(xì)小部位，該入射光束的內(nèi)徑能小至0.02mm。源自該夾體的內(nèi)表面，而非該夾體中的晶粒位置的光線(xiàn)反射引起的噪音，通過(guò)使得該光束直徑足夠小而被最小化，這樣除了晶粒外其他幾乎不被照射。
在圖1所示的情形下，照射光線(xiàn)入射于晶粒的表面4上，其方向大體垂直于該表面4的方向。但是，入射光束的和垂直入射相近的其他角度可以被使用，在這種情形下，光線(xiàn)從晶粒表面以相應(yīng)的角度反射，只要入射和反射的角度足夠小以使得該光線(xiàn)可以被接收。通過(guò)分光器5(beam splitter)后，光源照射到晶粒表面上。在圖1所示的情形下，其中晶粒2是透明的，光線(xiàn)的主要部分6傳輸通過(guò)晶粒2。但是，入射光線(xiàn)的較小部分7從晶粒表面4反射回至該分光器5，該分光器反射光線(xiàn)到光檢測(cè)器(light detector)，其可以是光感測(cè)器8(photo-sensor)。圖1表示了這種從入射光束3分離的反射部分或光束7。該分離僅僅便于圖1所提供的說(shuō)明的清晰性，在實(shí)際中該入射和反射光束是一致的，至少在該晶粒表面4上。
該光感測(cè)器8的輸出信號(hào)和電子放大器9相連，該電子放大器產(chǎn)生放大了的輸出10作進(jìn)一步的處理，以基于由該光感測(cè)器8所接收的光線(xiàn)來(lái)測(cè)定該夾體中晶粒的存在與否。
該光感測(cè)器8可以是攝像傳感器或者普通的光線(xiàn)能量傳感器(light power sensor)。
在本實(shí)施例應(yīng)用中，其中，該光學(xué)裝置監(jiān)控從晶圓制作的晶粒的存在或缺失，該晶圓由藍(lán)寶石制成，該晶粒是基本透明的。通常，透明體表面的反射率(reflectivity)R可以表述成R=((n-1)(n+1))2]]>其中n是透明體的折射率(refractive index)。
通常對(duì)藍(lán)寶石而言，n位于1.55至1.7之間。如果n＝1.55，那么R＝0.047(或4.7％)。但是，反射仍然發(fā)生在該藍(lán)寶石晶粒的頂面和底面，假設(shè)總的發(fā)射率大約為9.4％。這樣，即使該晶粒是完全透明的，只要其折射率不等于1，該晶粒仍然會(huì)反射回部分入射光束，以由光感測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)。通過(guò)晶粒的這種反射使得透明物體，如夾體中的藍(lán)寶石晶粒存在或者缺失的測(cè)定得以基于反射光線(xiàn)，而非傳統(tǒng)的發(fā)射光線(xiàn)(transmitted light)?；谖矬w光線(xiàn)散射的測(cè)定也是可能的，只要散射光線(xiàn)的強(qiáng)度足夠到達(dá)該光感測(cè)器。
圖2所示為另一個(gè)裝置。圖1和圖2中的相應(yīng)特征進(jìn)行了類(lèi)似的標(biāo)注。在本裝置中，照射光源1和光感測(cè)器8的位置相互交換，這樣源自照射光源1的光線(xiàn)被引導(dǎo)到分光器5，該分光器向晶粒2的表面4反射入射光束3。入射光線(xiàn)的主要部分6傳輸穿越該晶粒，而該入射光線(xiàn)的次要部分7通過(guò)分光器5反射回光感測(cè)器8。
圖3所示為使用第一較佳實(shí)施例的裝置時(shí)夾體組件20的側(cè)視剖視圖。光源或者激光器二極管1設(shè)置在夾體組件20的頂端，以投射光束通過(guò)該夾體組件20。源自該光源的光線(xiàn)由棱鏡(lens)22校準(zhǔn)和聚焦成為一狹窄的入射光束，該入射光束通過(guò)該分光器5，并引導(dǎo)通過(guò)夾體21，以便于至少位于該夾體21開(kāi)口處的區(qū)域局部被照亮。晶粒2設(shè)置于所述的開(kāi)口處。入射光束從晶粒2的表面反射回分光器5，該分光器向該光感測(cè)器8反射光線(xiàn)。在圖3中，光源1和光感測(cè)器8同該夾體組件20被一體集成，并設(shè)置于該夾體組件20上。
圖4所示為夾體組件20的側(cè)視剖視圖，其中光源1和光檢測(cè)器8遠(yuǎn)離于該夾體組件20設(shè)置。光纖(optical fibre)23被用來(lái)從遠(yuǎn)端安裝的激光器二極管1引導(dǎo)入射光線(xiàn)到夾體21中晶粒2的表面。另一根光纖24被用來(lái)引導(dǎo)從晶粒2的表面反射的光線(xiàn)到同樣遠(yuǎn)端設(shè)置的光感測(cè)器8。在另一個(gè)可選的裝置(圖中未示)中，一根單獨(dú)的光纖同時(shí)引導(dǎo)朝向晶粒的入射光線(xiàn)和背離晶粒的反射光線(xiàn)。
在可選的裝置(圖中未示)中，光學(xué)系統(tǒng)，例如光導(dǎo)桿(lightguides)、鏡面(mirrors)等，能被用來(lái)引導(dǎo)光源1的入射光線(xiàn)，或者引導(dǎo)晶粒表面反射的光線(xiàn)返回到光感測(cè)器8。使用光纖23、24的優(yōu)點(diǎn)是光源和/或感測(cè)器不需要安裝在夾體組件20上，以便于在不負(fù)擔(dān)一接合臂(bond arm)控制該夾體組件的前提下使用更重和更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。更加可取的是，該光源1和光感測(cè)器8的一個(gè)或兩個(gè)可以安裝在該夾體組件20上或者遠(yuǎn)端安裝。
圖5所示是使用以上所述的缺失晶粒檢測(cè)組件的放置裝置設(shè)計(jì)的示意圖。安裝有接合臂11以圍繞軸線(xiàn)12旋轉(zhuǎn)。夾體組件20裝配于該接合臂的末端(distal end)13。
照射光源和光感測(cè)器安裝在該夾體組件20中，照射光線(xiàn)被校準(zhǔn)或聚焦成為帶有細(xì)小光點(diǎn)直徑(spot size)的光束，該光束穿越夾體并投射在晶粒所在的位置。由于通過(guò)使用校準(zhǔn)或聚焦的光束和細(xì)小光點(diǎn)直徑減少了背景噪音，所以檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)-噪音比值很高。
圖5顯示了位于三個(gè)位置的接合臂11。在第一接合臂位置11A，拾取頭和夾體位于藍(lán)寶石晶圓14上被選定的晶粒(圖中未示)的上方，在該晶圓上單個(gè)的晶粒被制作和切割。操作該夾體以力圖拾取選定的晶粒，并旋轉(zhuǎn)該接合臂11以朝向第三接合臂位置11C移動(dòng)夾體。
藍(lán)寶石晶圓具有很高的定向反射面(specular surface)，其能干擾該晶圓上方從單個(gè)晶粒反射的光線(xiàn)的測(cè)量。因此，在中間的第二位置11B設(shè)置有暗背景(dark background)15，當(dāng)接合臂從第一位置11A到第三位置11C經(jīng)過(guò)時(shí)，該接合臂移動(dòng)穿越該第二位置。
當(dāng)夾體在暗背景上方移動(dòng)時(shí)，光感測(cè)器信號(hào)處理器被觸發(fā)，例如通過(guò)發(fā)自主控制器或者接合臂控制器的信號(hào)，以進(jìn)行從晶粒反射的光線(xiàn)的測(cè)量，如目前，是在夾體中。當(dāng)夾體在暗背景上方移動(dòng)時(shí)接合臂保持移動(dòng)，此時(shí)著手測(cè)量。測(cè)量值和一基準(zhǔn)信號(hào)(reference signal)進(jìn)行比較，該基準(zhǔn)信號(hào)代表晶粒缺失時(shí)被檢測(cè)的光強(qiáng)度(lightintensity)的參考值加上一個(gè)合理差值，其能被手動(dòng)地預(yù)置或者通過(guò)信號(hào)處理器自動(dòng)地得到。
如果反射的測(cè)量值大于該基準(zhǔn)信號(hào)，這被視作為表示夾體中存在晶粒，否則缺失晶粒警報(bào)被發(fā)出并且接合臂回復(fù)到第一接合臂位置11A，以進(jìn)行另一次拾取晶粒的嘗試。
如果從反射測(cè)量顯示夾體中存在晶粒，接合臂繼續(xù)移動(dòng)到第三接合臂位置11C，在此處夾體被釋放以在鍵合位置放置該晶粒。
然后，接合臂開(kāi)始返回第一接合臂位置11A。當(dāng)該夾體在暗背景15上方返回時(shí)，光感測(cè)器信號(hào)處理器再一次被觸發(fā)以進(jìn)行從晶粒反射的光線(xiàn)的第二次測(cè)量，如目前，是在夾體中。測(cè)量再一次被著手，同時(shí)接合臂保持移動(dòng)，并且測(cè)量值和基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較。
如果反射測(cè)量值小于該基準(zhǔn)信號(hào)，這被視作為表示夾體中不存在晶粒，該晶粒放置完好，否則反射信號(hào)大于該基準(zhǔn)信號(hào)，這被視作為表示晶粒沒(méi)有被放置，未放置晶粒警報(bào)被發(fā)出。
如果反射測(cè)量值小于該基準(zhǔn)信號(hào)，表示夾體中不存在晶粒，然后該基準(zhǔn)信號(hào)將被帶有附加合理差值的該反射測(cè)量值取代。該基準(zhǔn)信號(hào)用這種方式可被持續(xù)地更新，以適應(yīng)周?chē)h(huán)境的變化，例如背景光的程度，并且適應(yīng)裝置性能參數(shù)的漂移，例如光源和光感測(cè)器中的性能參數(shù)。
接合臂返回到第一位置11A以完成一個(gè)晶粒放置周期。雖然本實(shí)施例涉及到透明的晶粒，值得注意的是非透明晶粒的存在也能通過(guò)本發(fā)明所述的裝置和方法進(jìn)行檢測(cè)。
此處描述的本發(fā)明在所具體描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上很容易產(chǎn)生變化、修正和/或補(bǔ)充，可以理解的是所有這些變化、修正和/或補(bǔ)充都包括在本發(fā)明的上述描述的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在夾體組件的區(qū)域檢測(cè)目標(biāo)物體存在與否的裝置，該裝置包括光源，用于至少照射該區(qū)域的局部；光檢測(cè)器，用于接收該光源的至少部分光線(xiàn)，此時(shí)該光線(xiàn)由位于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，該裝置用來(lái)檢測(cè)該區(qū)域目標(biāo)物體的存在，此時(shí)該目標(biāo)物體主要以預(yù)定的方向呈現(xiàn)表面，其中所述的照射是基本垂直于所述的方向而入射在該區(qū)域的所述局部。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，該裝置還包含有分光器，其中所述光源的光線(xiàn)穿過(guò)該分光器以照射在該區(qū)域的所述局部，通過(guò)該目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)由該分光器向該光檢測(cè)器進(jìn)一步反射。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中分光器從所述的光源向所述區(qū)域的所述局部反射光線(xiàn)，并且由目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)穿越該分光器到該光檢測(cè)器。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該光檢測(cè)器是攝像傳感器。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該光檢測(cè)器是能量傳感器。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該光線(xiàn)是可見(jiàn)光輻射。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該光源發(fā)出的光線(xiàn)被校準(zhǔn)或者聚焦成為光束，以照射在該區(qū)域的所述局部。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中該照射光束在該區(qū)域的所述局部的寬度大約在0.02到0.5mm之間。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該照射光線(xiàn)的光源和該光檢測(cè)器二者均在該區(qū)域的一側(cè)。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，該裝置包含有暗背景，其設(shè)置于該區(qū)域的相對(duì)的另一側(cè)。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該目標(biāo)物體是基本透明的。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中該目標(biāo)物體具有不等于1的折射率。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中該折射率約為1.55。
15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該光源和光檢測(cè)器中的一個(gè)或者兩個(gè)遠(yuǎn)離該夾體組件設(shè)置。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，該裝置包含有在該光源和光檢測(cè)器的一個(gè)或兩個(gè)和該夾體組件之間導(dǎo)引光線(xiàn)的設(shè)備，該設(shè)備選自下述組群光纖、鏡面和光導(dǎo)桿。
17.一種晶粒處理設(shè)備，其包含有夾體組件，用于固定晶粒；前述任一權(quán)利要求所述的裝置，其中該目標(biāo)物體為晶粒。
18.一種用于在夾體組件的區(qū)域檢測(cè)目標(biāo)物體存在與否的方法，該方法包括以下步驟(a)至少照射該區(qū)域的局部；(b)設(shè)置光檢測(cè)器，以至少接收該照射光線(xiàn)的部分，此時(shí)該照射光線(xiàn)由位于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射；以及(c)檢測(cè)所述的照射光線(xiàn)，該照射光線(xiàn)由所述的目標(biāo)物體所反射和由所述的檢測(cè)器所接收。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，當(dāng)該目標(biāo)物體主要以預(yù)定的方向呈現(xiàn)表面時(shí)，該方法測(cè)定該區(qū)域目標(biāo)物體的存在，其中所述的照射光線(xiàn)是基本垂直于所述方向而入射在該區(qū)域的所述局部。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包含有下述步驟(d)將所述的照射光線(xiàn)穿過(guò)分光器以照射在該區(qū)域的所述局部；以及(e)通過(guò)該目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)，由該分光器向該光檢測(cè)器進(jìn)一步反射。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包含有下述步驟(f)通過(guò)分光器從光源向該區(qū)域的所述局部反射所述的照射光線(xiàn)，以及(g)將由目標(biāo)物體反射的所述光線(xiàn)穿越該分光器到該光檢測(cè)器。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該光檢測(cè)器是攝像傳感器。
23.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該光檢測(cè)器是能量傳感器。
24.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該光線(xiàn)是可見(jiàn)光輻射。
25.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包含有下述步驟(h)將照射光線(xiàn)校準(zhǔn)或者聚焦成為光束，以照射該區(qū)域的所述局部。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中該校準(zhǔn)或者聚焦的照射光束在該區(qū)域的所述局部的寬度大約在0.02到0.5mm之間。
27.如權(quán)利要求18所述的方法，其中步驟(c)中所述的反射照射光線(xiàn)的檢測(cè)隨同暗背景進(jìn)行，該暗背景的方位和由設(shè)置于該區(qū)域的目標(biāo)物體反射的光線(xiàn)的方向相反。
28.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該目標(biāo)物體是基本透明的。
29.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該目標(biāo)物體具有不等于1的折射率。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中該折射率約為1.55。
31.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包含有下述步驟(i)利用該夾體組件力圖拾取物體；(j)照射該夾體組件的預(yù)定區(qū)域；(k)設(shè)置檢測(cè)器以檢測(cè)從該夾體組件的所述區(qū)域反射的照射光線(xiàn)；(l)測(cè)定該夾體組件的區(qū)域中的物體存在與否，該測(cè)定基于由該檢測(cè)器檢測(cè)的光線(xiàn)。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中步驟(l)中從該區(qū)域反射的光線(xiàn)的檢測(cè)隨同暗背景進(jìn)行，該暗背景的方位和由設(shè)置于該區(qū)域時(shí)的物體反射的光線(xiàn)的方向相反。
33.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包含有存儲(chǔ)附加有合理差值的測(cè)量強(qiáng)度值的步驟，以取代已存儲(chǔ)的基準(zhǔn)強(qiáng)度值，該基準(zhǔn)強(qiáng)度值用來(lái)決定物體是否缺失。
全文摘要
在夾體組件的區(qū)域是否存在目標(biāo)物體的顯示是通過(guò)監(jiān)控該區(qū)域反射的光線(xiàn)獲得的。反射光線(xiàn)的利用使得物體存在的檢測(cè)成為可能，尤其是透明物體。在用于決定藍(lán)寶石晶粒是否存在于晶粒處理夾體組件的較佳的裝置中，光源的光線(xiàn)被校準(zhǔn)或者聚焦成為狹窄的光束，并且被導(dǎo)引通過(guò)分光器于夾體組件的目標(biāo)位置。從該晶粒表面反射的光由分光器進(jìn)一步反射到光感測(cè)器。在運(yùn)送鍵合位置的晶粒的途中，當(dāng)夾體經(jīng)過(guò)暗背景上方時(shí)該反射光線(xiàn)被測(cè)量；而在嘗試放置該晶粒于該鍵合位置后返回的時(shí)候，該反射光線(xiàn)再一次被測(cè)量。在前次測(cè)量中該晶粒存在的測(cè)定和在后次測(cè)量中該晶粒缺失的測(cè)定，表明在鍵合位置晶粒放置良好。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1576824SQ20041006276
公開(kāi)日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月11日
發(fā)明者王凡, 梁永康 申請(qǐng)人:先進(jìn)自動(dòng)器材有限公司