專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)及其修補(bǔ)方法，特別是涉及一種可針對(duì)儲(chǔ)存電容失效進(jìn)行修補(bǔ)的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
針對(duì)多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步，多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與其經(jīng)濟(jì)性，一直獨(dú)占近年來的顯示器市場。然而，對(duì)于個(gè)人在桌上操作多數(shù)終端機(jī)/顯示器裝置的環(huán)境，或是以環(huán)保的觀點(diǎn)切入，若以節(jié)省能源的潮流加以預(yù)測，陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問題，而對(duì)于輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無法有效提供解決之道。因此，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT LCD)已逐漸成為市場的主流。
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)主要是由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層所構(gòu)成，其中薄膜晶體管陣列基板是由多個(gè)陣列排列的薄膜晶體管以及與每一個(gè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)配置的畫素電極(pixelelectrode)所組成。其中，薄膜晶體管是用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。此外，為了控制個(gè)別的畫素單元，通常會(huì)經(jīng)由掃瞄配線(scan line)與資料配線(date line)以選取特定的畫素，并藉由提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷?，以顯示對(duì)應(yīng)此畫素的顯示資料。另外，上述的畫素電極的部分區(qū)域通常會(huì)覆蓋于掃瞄配線或是共用配線(common line)上，以形成儲(chǔ)存電容。現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)中，常見的儲(chǔ)存電容可區(qū)分為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(Metal-Insulator-Metal，MIM)以及第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(Metal-Insulator-ITO，MII)兩種架構(gòu)，以下將針對(duì)上述兩種架構(gòu)的儲(chǔ)存電容結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明。
請(qǐng)參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容的剖面示意圖。在現(xiàn)有習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)中，第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容Cst通常是藉由掃瞄配線或共用配線100與其上方的電容電極120耦合而成。此外，在第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容中，掃瞄配線或共用配線100與電容電極120是藉由閘極絕緣層110彼此電性絕緣，因此儲(chǔ)存電容值Cst與閘極絕緣層110的厚度有關(guān)。另外，畫素電極140是藉由保護(hù)層130中的接觸窗132與電容電極120電性連接。
請(qǐng)參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容的剖面示意圖。在現(xiàn)有習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)中，第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容通常是藉由掃瞄配線或共用配線200與其上方的畫素電極230耦合而成。與第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)不同之處在于，第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容中的掃瞄配線或共用配線200與畫素電極230是藉由閘極絕緣層210與保護(hù)層220彼此電性絕緣，因此儲(chǔ)存電容值Cst與閘極絕緣層210及保護(hù)層220的總厚度有關(guān)。
值得注意的是，不論是第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)或第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容(Cst)，皆是用以使薄膜晶體管液晶顯示器中的各畫素能夠正常顯示。然而，制程的缺陷或其他因素可能使得粒子(particle)落于介電層(即上述的閘極絕緣層或保護(hù)層)中，而導(dǎo)致電容泄漏(leakage)的情形。此外，還會(huì)因介電層破洞、介電層的接觸窗未貫通或多余畫素電極殘留等因素，造成儲(chǔ)存電容失效。如此一來，將會(huì)導(dǎo)致畫素顯示異常，而使得顯示品質(zhì)不佳。
由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決薄膜晶體管陣列基板存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并且配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板存在的缺陷，而提供一種新的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可針對(duì)失效的儲(chǔ)存電容進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而提升優(yōu)良率，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板，其包括一基板；多數(shù)個(gè)掃瞄配線，配置于該基板上；多數(shù)個(gè)資料配線，配置于該基板上，其中該些掃瞄配線與該些資料配線是將該基板區(qū)分為多數(shù)個(gè)畫素區(qū)域；多數(shù)個(gè)薄膜晶體管，每一該些薄膜晶體管是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜晶體管是藉由該些掃瞄配線以及該些資料配線驅(qū)動(dòng)；多數(shù)個(gè)畫素電極，每一該些畫素電極是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的該些薄膜晶體管其中之一電性連接，且每一該些畫素電極具有一第一開口；多數(shù)個(gè)共用配線，配置于該基板上，每一該些畫素電極的部分區(qū)域是位于對(duì)應(yīng)的該些共用配線其中之一的上方，而每一該些共用配線具有一第二開口，是位于該第一開口內(nèi)；多數(shù)個(gè)電容電極，每一該些電容電極配置于每一該些畫素電極以及該些共用配線其中之一之間，而每一該些電容電極具有一第三開口，是位于該第一開口內(nèi)，該第三開口與第二開口部分重疊，且該第三開口暴露出該些共用配線其中之一的部分區(qū)域；以及多數(shù)個(gè)連接導(dǎo)體層，每一該些連接導(dǎo)體層是位于該第一開口內(nèi)，且每一該些連接導(dǎo)體層是與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一及該些共用配線其中之一電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，每一該些共用配線更具有一第四開口及一第五開口，且該第四開口及該第五開口分別位于該第二開口的兩側(cè)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其更包括一介電層，配置于該些電容電極與該些共用配線之間，且該介電層覆蓋該第四開口及該第五開口。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其更包括一保護(hù)層，配置于該些畫素電極與該些電容電極之間，且該保護(hù)層具有多數(shù)個(gè)第一接觸窗及多數(shù)個(gè)第二接觸窗，每一該些連接導(dǎo)體層是透過該些第一接觸窗其中之一及該些第二接觸窗其中之一，而與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一以及該些共用配線其中之一同時(shí)電性連接。
前述的薄膜晶體管陣列基板，每一該些連接導(dǎo)體層具有二連接區(qū)以及一待修補(bǔ)區(qū)，該些連接區(qū)分別與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一及該些共用配線其中之一電性連接，且該待修補(bǔ)區(qū)對(duì)應(yīng)于該第三開口與第二開口的重疊處。
前述的薄膜晶體管陣列基板，每一該些畫素電極更具有至少一第一溝槽及至少一第二溝槽，該第一溝槽的延伸方向與該第二溝槽的延伸方向不同，且該第一溝槽及該第二溝槽與該第一開口連通。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些連接導(dǎo)體層與該些畫素電極為相同材質(zhì)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些共用配線其中之一之間具有一粒子/破洞，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域，使得該畫素電極與該瑕疵電容中的該共用配線電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一之間具有一粒子/破洞，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)相鄰二畫素電極之間具有一畫素電極殘留物，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域，以使該些畫素電極之間電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方式包括激光熔接。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求4的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)保護(hù)層的該些第一接觸窗其中之一未貫穿，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其包括以下步驟將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第一接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該共用配線的該部分區(qū)域相熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求4的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)保護(hù)層的該些第二接觸窗其中之一未貫穿，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其包括以下步驟將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第二接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該電容電極的該部分區(qū)域相熔接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第一接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該共用配線的該部分區(qū)域相熔接的方法，或是將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第二接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該電容電極的該部分區(qū)域相熔接的方法包括激光熔接。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，主要是由一基板、多數(shù)個(gè)掃瞄配線、多數(shù)個(gè)資料配線、多數(shù)個(gè)薄膜晶體管、多數(shù)個(gè)畫素電極、多數(shù)個(gè)共用配線、多數(shù)個(gè)電容電極以及多數(shù)個(gè)連接導(dǎo)體層所構(gòu)成。掃瞄配線及資料配線配置于該基板上，且掃瞄配線與資料配線是將基板區(qū)分為多數(shù)個(gè)畫素區(qū)域。每個(gè)薄膜晶體管是位于對(duì)應(yīng)的畫素區(qū)域內(nèi)，且薄膜晶體管是藉由掃瞄配線以及資料配線驅(qū)動(dòng)。每個(gè)畫素電極是位于對(duì)應(yīng)的畫素區(qū)域內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接，且每個(gè)畫素電極具有一第一開口。共用配線配置于基板上，每個(gè)畫素電極的部分區(qū)域是位于對(duì)應(yīng)的共用配線的上方，而每個(gè)共用配線具有一第二開口，是位于第一開口內(nèi)。每個(gè)電容電極配置于對(duì)應(yīng)的畫素電極以及對(duì)應(yīng)的共用配線之間，而每個(gè)電容電極具有一第三開口，是位于第一開口內(nèi)，此第三開口與第二開口部分重疊，且此第三開口暴露出對(duì)應(yīng)的共用配線的部分區(qū)域。每個(gè)連接導(dǎo)體層是位于第一開口內(nèi)，且每個(gè)連接導(dǎo)體層是與對(duì)應(yīng)的電容電極及對(duì)應(yīng)的共用配線電性連接。
此外，每個(gè)共用配線更具有一第四開口及一第五開口，且第四開口及第五開口分別位于第二開口的兩側(cè)。另外，畫素電極與電容電極之間更配置有一保護(hù)層，且保護(hù)層具有多個(gè)第一接觸窗及多個(gè)第二接觸窗，每個(gè)連接導(dǎo)體層是透過一第一接觸窗及一第二接觸窗，而與對(duì)應(yīng)的共用配線以及對(duì)應(yīng)的電容電極同時(shí)電性連接。再者，每個(gè)畫素電極更具有至少一第一溝槽及至少一第二溝槽，第一溝槽的延伸方向與第二溝槽的延伸方向不同，且第一溝槽及第二溝槽與第一開口連通。
基于上述的目的，本發(fā)明再提出了一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)畫素電極與對(duì)應(yīng)的共用配線之間具有一粒子/破洞，以使畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法的步驟是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極的部分區(qū)域，使畫素電極與此瑕疵電容中的共用配線電性絕緣。接著將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或第五開口處的畫素電極與電容電極相熔接。
基于上述的目的，本發(fā)明再提出了一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極之間具有一粒子/破洞，以使畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法的步驟是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣。接著將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或第五開口處的畫素電極與電容電極相熔接。
基于上述的目的，本發(fā)明再提出了一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)相鄰二畫素電極之間具有一畫素電極殘留物，以使其中一畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法的步驟是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極的部分區(qū)域及畫素電極殘留物的部分區(qū)域，以使此兩畫素電極之間電性絕緣。接著將瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或第五開口處的畫素電極與電容電極相熔接。
基于上述的目的，本發(fā)明再提出了一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)畫素電極上具有一畫素電極殘留物，且此畫素電極殘留物與對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域連接，以使畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方是為移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極的部分區(qū)域及畫素電極殘留物的部分區(qū)域，以使畫素電極與對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)體層電性絕緣。接著將瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或第五開口處的畫素電極與電容電極相熔接。
基于上述的目的，本發(fā)明再提出了一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)保護(hù)層的一第一接觸窗及/或一第二接觸窗未貫穿，以使一畫素電極與對(duì)應(yīng)的電容電極所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法的步驟是，將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第一接觸窗及/或第二接觸窗處的連接導(dǎo)體層與共用配線的部分區(qū)域相熔接。
本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板分別在畫素電極、電容電極及共用配線上開設(shè)一開口，其中電容電極與共用配線上所開設(shè)的開口是位于畫素電極所開設(shè)的開口內(nèi)，且畫素電極所開設(shè)的開口暴露出共用配線與連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，藉由配置一連接導(dǎo)體層于畫素電極內(nèi)將電容電極與共用配線電性連接，以使畫素電極與電容電極耦合形成一第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。當(dāng)此儲(chǔ)存電容因粒子/破洞、介電層的接觸窗未貫通或多余畫素電極殘留等因素，造成此儲(chǔ)存電容失效時(shí)，可藉由激光修補(bǔ)將原本為第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容切換為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容，使經(jīng)修補(bǔ)的畫素可正常顯示，進(jìn)而提升良率。經(jīng)由上述可獲知，本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，主要在薄膜晶體管陣列基板的畫素電極、電容電極及共用配線上分別開設(shè)一開口，其中電容電極與共用配線上的開口是位于畫素電極的開口內(nèi)，且畫素電極的開口暴露出共用配線及電容電極的部分區(qū)域，藉由配置一連接導(dǎo)體層于畫素電極內(nèi)將電容電極與共用配線電性連接，以使畫素電極與電容電極耦合形成一第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。當(dāng)此儲(chǔ)存電容失效時(shí)，可藉由激光修補(bǔ)將原本為第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容切換為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的修補(bǔ)方法可輕易的地將原本為第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容切換為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容，實(shí)用性高。
2、本發(fā)明的修補(bǔ)方法可針對(duì)儲(chǔ)存電容因粒子/破洞、介電層的接觸窗未貫通或多余畫素電極殘留等各種因素進(jìn)行修補(bǔ)，且可將畫素的單點(diǎn)瑕疵(one defect)修補(bǔ)為無瑕疵(zero defect)，進(jìn)而大幅增進(jìn)良率。
綜上所述，本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法可以針對(duì)失效的儲(chǔ)存電容進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而提升良率。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品及修補(bǔ)方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、修補(bǔ)方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉出多個(gè)較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容的剖面示意圖。
圖2是現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容的剖面示意圖。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
圖4是根據(jù)圖3中的剖面線A-A所見的剖面圖。
圖5是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。
圖6是根據(jù)圖5中剖面線B-B所見的剖面圖。
圖7～10是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。
10、20粒子100、200掃瞄配線或共用配線110、210閘極絕緣層120電容電極130、220保護(hù)層132接觸窗140、230畫素電極 300薄膜晶體管陣列基板310基板 312畫素區(qū)域320掃瞄配線 330資料配線340薄膜晶體管 350畫素電極352第一開口 354第一溝槽356第二溝槽 360共用配線362第二開口 364第四開口366第五開口 370電容電極372第三開口 380連接導(dǎo)體層382連接區(qū) 384待修補(bǔ)區(qū)400介電層 500保護(hù)層510第一接觸窗 520第二接觸窗600、700畫素電極殘留物具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)參閱圖3和圖4所示，其中圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板的示意圖，而圖4是根據(jù)圖3中的剖面線A-A所見的剖面圖。
本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板300，主要是由一基板310、多數(shù)個(gè)掃瞄配線320、多數(shù)個(gè)資料配線330、多數(shù)個(gè)薄膜晶體管340、多數(shù)個(gè)畫素電極350、多數(shù)個(gè)共用配線360、多數(shù)個(gè)電容電極370以及多數(shù)個(gè)連接導(dǎo)體層380所構(gòu)成。
掃瞄配線320及資料配線330配置于基板310上，且掃瞄配線320與資料配線330是將基板310區(qū)分為多數(shù)個(gè)畫素區(qū)域312。每個(gè)薄膜晶體管340是位于對(duì)應(yīng)的畫素區(qū)域312內(nèi)，且薄膜晶體管340是藉由掃瞄配線320以及資料配線330驅(qū)動(dòng)。每個(gè)畫素電極350是位于對(duì)應(yīng)的畫素區(qū)域312內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管340電性連接。共用配線360配置于基板310上，每個(gè)畫素電極350的部分區(qū)域是位于對(duì)應(yīng)的共用配線360的上方，且每個(gè)電容電極370配置于對(duì)應(yīng)的畫素電極350以及對(duì)應(yīng)的共用配線360之間。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3及圖4，每個(gè)畫素電極350、共用配線360及電容電極370上分別開設(shè)一第一開口352、一第二開口362及一第三開口372。其中共用配線360的第二開口362及電容電極370的第三開口372是位于畫素電極350的第一開口352內(nèi)，且第三開口372與第二開口362有部分重疊的區(qū)域。此外，電容電極370的第三開口372是暴露出對(duì)應(yīng)的共用配線360的部分區(qū)域，而畫素電極350的第一開口352則同時(shí)暴露出對(duì)應(yīng)的共用配線360的部分區(qū)域及電容電極370的部分區(qū)域。
另外，畫素電極350其更具有至少一第一溝槽354及至少一第二溝槽356，其中第一溝槽354的延伸方向與第二溝槽356的延伸方向不同，且第一溝槽354及第二溝槽356與第一開口352連通。換言之，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板為運(yùn)用至一種多重區(qū)域垂直排列型液晶顯示器(Multi-domain Vertical Alignment liquid crystal display，MVA-LCD)的液晶顯示器中。畫素電極上的溝槽(slit)可使兩基板間的電場改變，并使兩基板間的液晶能以多區(qū)域平均的方式排列，進(jìn)而達(dá)到液晶顯示面板的視角對(duì)稱的目的，而上述的第一開口則可在制作這些溝槽一起形成。
連接導(dǎo)體層380是位于第一開口352內(nèi)，且連接導(dǎo)體層380是與對(duì)應(yīng)的電容電極370及對(duì)應(yīng)的共用配線360電性連接。以本實(shí)施例而言，連接導(dǎo)體層380具有二連接區(qū)382及一待修補(bǔ)區(qū)384，此兩連接區(qū)382分別與對(duì)應(yīng)的電容電極370及共用配線360電性連接，而待修補(bǔ)區(qū)384對(duì)應(yīng)于上述第三開口372與第二開口362的重疊處，用以作為修補(bǔ)時(shí)的切割處。
此外，每個(gè)共用配線360更具有一第四開口364及一第五開口366，且第四開口364及第五開口366分別位于第二開口362的兩側(cè)，用以修補(bǔ)時(shí)的熔接處。另外，電容電極370與共用配線360之間更包括有一介電層400，且介電層400覆蓋第四開口364及第五開口366，而畫素電極350與電容電極370之間更包括一保護(hù)層500，此保護(hù)層500具有第一接觸窗510及第二接觸窗520，上述連接導(dǎo)體層380是透過第一接觸窗510及第二接觸窗520，而與對(duì)應(yīng)的電容電極370以及共用配線360同時(shí)電性連接。
故從上可知，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板，主要是藉由配置一連接導(dǎo)體層于畫素電極的第一開口內(nèi)，而將電容電極與共用配線電性連接，以使畫素電極與電容電極耦合形成一第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。值得注意的是，因制程的瑕疵或其他因素，可能會(huì)導(dǎo)致上述MII架構(gòu)的儲(chǔ)存電容失效，因此，本發(fā)明于下文中將針對(duì)上述MII架構(gòu)的儲(chǔ)存電容產(chǎn)生失效的各種情況，對(duì)應(yīng)提出數(shù)種修補(bǔ)方法，但并非用以限定本發(fā)明。
請(qǐng)參閱圖5和圖6所示，圖5是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖，而圖6是根據(jù)圖5中剖面線B-B所見的剖面圖。當(dāng)畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370之間具有一粒子10(或破洞)，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極370與對(duì)應(yīng)的共用配線360電性絕緣。接著，將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口364或第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接(如標(biāo)示A處)。
以本實(shí)施例而言，移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域例如是上述連接導(dǎo)體層380的待修補(bǔ)區(qū)384。而粒子10(或破洞)在圖中較接近第四開口364處，較佳的修補(bǔ)方式是將對(duì)應(yīng)于第四開口364處的畫素電極350與電容電極370相熔接，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370成為等電位。當(dāng)然熟悉該項(xiàng)技術(shù)應(yīng)知，亦可單獨(dú)將對(duì)應(yīng)于第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接或同時(shí)將對(duì)應(yīng)于第四開口364及第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370成為等電位。此外，上述移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域的方式例如是激光移除，而將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口364或第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接的方式例如是激光熔接。由上可知，經(jīng)修補(bǔ)之后共用配線360與電容電極370即耦合形成第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容，因此使經(jīng)修補(bǔ)的畫素可正常顯示，進(jìn)而提升良率。
請(qǐng)參閱圖7所示，是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。當(dāng)畫素電極350與對(duì)應(yīng)的共用配線360之間具有一粒子20(或破洞)，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極370與對(duì)應(yīng)的共用配線360電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極350的部分區(qū)域，使畫素電極350與此瑕疵電容中的共用配線360電性絕緣。接著將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口364或第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接。
以本實(shí)施例而言，移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域例如是連接導(dǎo)體層380的待修補(bǔ)區(qū)384，而粒子20(或破洞)在圖中較接近第四開口364處，則移除較接近第四開口364處的畫素電極350的部分區(qū)域(如標(biāo)示B處)，以使畫素電極350與共用配線360電性絕緣。之后再將對(duì)應(yīng)于第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接(如標(biāo)示C處)。同樣地，上述移除連接導(dǎo)體層380或畫素電極350的部分區(qū)域的方式例如是激光移除，而將畫素電極350與電容電極370相熔接的方式例如是激光熔接。由上可知，經(jīng)修補(bǔ)之后共用配線360與電容電極370即耦合形成MIM架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
請(qǐng)參閱圖8所示，是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。當(dāng)相鄰二畫素電極350之間因制程的瑕疵而形成一畫素電極殘留物600，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法是先移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極370與對(duì)應(yīng)的共用配線360電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極350的部分區(qū)域及畫素電極殘留物600的部分區(qū)域，以使此兩畫素電極350之間電性絕緣。接著將瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口364或第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接。
以本實(shí)施例而言，移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域例如是連接導(dǎo)體層380的待修補(bǔ)區(qū)384，而畫素電極殘留物600在圖中較接近第四開口364處，則移除較接近第四開口364處的畫素電極350的部分區(qū)域(如標(biāo)示D處)以及畫素電極殘留物600的部分區(qū)域(如標(biāo)示E處)，以使此兩畫素電極350之間電性絕緣。之后再將對(duì)應(yīng)于第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接(如標(biāo)示F處)。同樣地，上述移除連接導(dǎo)體層380、畫素電極350及畫素電極殘留物600的部分區(qū)域的方式例如是激光移除，而將畫素電極350與電容電極370相熔接的方式例如是激光熔接。由上可知，經(jīng)修補(bǔ)之后共用配線360與電容電極370即耦合形成MIM架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
請(qǐng)參閱圖9所示，是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。當(dāng)畫素電極350上因制程的瑕疵而形成一畫素電極殘留物700，且此畫素電極殘留物700與對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域連接，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法是為移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域，使此瑕疵電容中的電容電極370與對(duì)應(yīng)的共用配線360電性絕緣。接著移除此瑕疵電容中的畫素電極350的部分區(qū)域及畫素電極殘留物700的部分區(qū)域，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)體層380電性絕緣。接著將瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口364或第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接。
以本實(shí)施例而言，移除此瑕疵電容中的連接導(dǎo)體層380的部分區(qū)域例如是連接導(dǎo)體層380的待修補(bǔ)區(qū)384，而畫素電極殘留物700在圖中較接近第四開口364處，則移除較接近第四開口364處的畫素電極350及畫素電極殘留物600的部分區(qū)域(如標(biāo)示G處)，之后再將對(duì)應(yīng)于第五開口366處的畫素電極350與電容電極370相熔接(如標(biāo)示H處)。同樣地，上述移除連接導(dǎo)體層380、畫素電極350及畫素電極殘留物700的部分區(qū)域的方式例如是激光移除，而將畫素電極350與電容電極370相熔接的方式例如是激光熔接。由上可知，經(jīng)修補(bǔ)之后共用配線360與電容電極370即耦合形成MIM架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
請(qǐng)參閱圖10所示，是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過修補(bǔ)之后的示意圖。當(dāng)保護(hù)層的第一接觸窗510及/或第二接觸窗520因制程瑕疵而未貫穿，以使畫素電極350與對(duì)應(yīng)的電容電極370所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，此修補(bǔ)方法是將此瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第一接觸窗510及/或第二接觸窗處的連接導(dǎo)體層380與共用配線360的部分區(qū)域相熔接(如標(biāo)示I處與J處)。由上可知，經(jīng)修補(bǔ)之后電容電極370與畫素電極350即耦合形成原設(shè)計(jì)的MII架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
承上所述，上述各個(gè)實(shí)施例中所揭露的連接導(dǎo)體層其材質(zhì)無須限制，但為了使制程更為簡便，連接導(dǎo)體層的材質(zhì)可與畫素電極相同，例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。換言之，在形成畫素電極時(shí)，可進(jìn)一步將畫素電極分為兩個(gè)部分，其中一部分作為連接導(dǎo)體層，而剩余的部分作為畫素的顯示區(qū)域。此外，上述各個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板皆是以運(yùn)用至一MVA型液晶顯示器中舉例說明，但并不局限使用于MVA型液晶顯示器中，本發(fā)明的精神更可應(yīng)用于其他型態(tài)的液晶顯示器，如TN型、STN型液晶顯示器等。換言之，實(shí)施例中的畫素電極可選擇性地形成該些溝槽。另外，實(shí)施例中的薄膜晶體管陣列基板是以儲(chǔ)存電容在共用配線(Cst oncommon)上的基板舉例說明。當(dāng)然，熟悉該項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)知，本發(fā)明的修補(bǔ)方法亦可運(yùn)用在現(xiàn)有習(xí)知儲(chǔ)存電容在閘極上(Cst on gate)的基板上。
故從上可知，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板分別在畫素電極、電容電極及共用配線上開設(shè)一開口，其中電容電極與共用配線上所開設(shè)的開口是位于畫素電極所開設(shè)的開口內(nèi)，且畫素電極所開設(shè)的開口暴露出共用配線與連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，藉由配置一連接導(dǎo)體層于畫素電極的開口內(nèi)將電容電極與共用配線電性連接，以使畫素電極與電容電極耦合形成一第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。當(dāng)此儲(chǔ)存電容因粒子/破洞或多余畫素電極殘留等因素，造成此儲(chǔ)存電容失效時(shí)，可藉由本發(fā)明的修補(bǔ)方法將原本為第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容切換為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容，使經(jīng)修補(bǔ)的畫素可正常顯示，進(jìn)而提升良率。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其包括一基板；多數(shù)個(gè)掃瞄配線，配置在該基板上；多數(shù)個(gè)資料配線，配置在該基板上，其中該些掃瞄配線與該些資料配線是將該基板區(qū)分為多數(shù)個(gè)畫素區(qū)域；多數(shù)個(gè)薄膜晶體管，每一該些薄膜晶體管是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜晶體管是藉由該些掃瞄配線以及該些資料配線驅(qū)動(dòng)；多數(shù)個(gè)畫素電極，每一該些畫素電極位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的該些薄膜晶體管其中之一電性連接，而且每一該些畫素電極具有一第一開口；多數(shù)個(gè)共用配線，配置在該基板上，每一該些畫素電極的部分區(qū)域是位于對(duì)應(yīng)的該些共用配線其中之一的上方，而每一該些共用配線具有一第二開口，是位于該第一開口內(nèi)；多數(shù)個(gè)電容電極，每一該些電容電極配置在每一該些畫素電極以及該些共用配線其中之一之間，而每一該些電容電極具有一第三開口，是位于該第一開口內(nèi)，該第三開口與第二開口部分重疊，且該第三開口暴露出該些共用配線其中之一的部分區(qū)域；以及多數(shù)個(gè)連接導(dǎo)體層，每一該些連接導(dǎo)體層是位于該第一開口內(nèi)，且每一該些連接導(dǎo)體層是與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一及該些共用配線其中之一電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于每一該些共用配線更具有一第四開口及一第五開口，且該第四開口及該第五開口分別位于該第二開口的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其更包括一介電層，配置在該些電容電極與該些共用配線之間，且該介電層覆蓋該第四開口及該第五開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其更包括一保護(hù)層，配置在該些畫素電極與該些電容電極之間，且該保護(hù)層具有多數(shù)個(gè)第一接觸窗及多數(shù)個(gè)第二接觸窗，每一該些連接導(dǎo)體層是透過該些第一接觸窗其中之一及該些第二接觸窗其中之一，而與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一以及該些共用配線其中之一同時(shí)電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于每一該些連接導(dǎo)體層具有二連接區(qū)及一待修補(bǔ)區(qū)，該些連接區(qū)分別與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一及該些共用配線其中之一電性連接，且該待修補(bǔ)區(qū)對(duì)應(yīng)于該第三開口與第二開口的重疊處。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于每一該些畫素電極更具有至少一第一溝槽及至少一第二溝槽，該第一溝槽的延伸方向與該第二溝槽的延伸方向不同，且該第一溝槽及該第二溝槽與該第一開口連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些連接導(dǎo)體層與該些畫素電極為相同材質(zhì)。
8.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些共用配線其中之一之間具有一粒子/破洞，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成設(shè)有的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域，使該畫素電極與該瑕疵電容中的該共用配線電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
12.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一之間具有一粒子/破洞，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
15.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)相鄰二畫素電極之間具有一畫素電極殘留物，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域，以使該些畫素電極之間電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或該第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方式包括激光熔接。
19.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求2或權(quán)利要求6的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些畫素電極其中之一上具有一畫素電極殘留物，且該畫素電極殘留物與對(duì)應(yīng)的該些連接導(dǎo)體層其中之一的部分區(qū)域連接，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域，使該瑕疵電容中的該電容電極與對(duì)應(yīng)的共用配線電性絕緣；移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域，以使該畫素電極與對(duì)應(yīng)的該連接導(dǎo)體層電性絕緣；以及將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該連接導(dǎo)體層的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的移除該瑕疵電容中的該畫素電極的部分區(qū)域及該畫素電極殘留物的部分區(qū)域的方法包括激光移除。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第四開口或第五開口處的該畫素電極與該電容電極相熔接的方法包括激光熔接。
23.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求4的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)保護(hù)層的該些第一接觸窗其中之一未貫穿，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第一接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該共用配線的該部分區(qū)域相熔接。
24.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適用于對(duì)權(quán)利要求4的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)保護(hù)層的該些第二接觸窗其中之一未貫穿，以使該些畫素電極其中之一與對(duì)應(yīng)的該些電容電極其中之一所形成的電容成為一瑕疵電容時(shí)，其特征在于其包括以下步驟將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第二接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該電容電極的該部分區(qū)域相熔接。
25.根據(jù)權(quán)利要求23項(xiàng)或第24項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第一接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該共用配線的該部分區(qū)域相熔接的方法，或是將該瑕疵電容中對(duì)應(yīng)于該第二接觸窗處的該連接導(dǎo)體層與該電容電極的該部分區(qū)域相熔接的方法包括激光熔接。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，主要在薄膜晶體管陣列基板的畫素電極、電容電極及共用配線上分別開設(shè)一開口，其中電容電極與共用配線上的開口是位于畫素電極的開口內(nèi)，且畫素電極的開口暴露出共用配線及電容電極的部分區(qū)域，藉由配置一連接導(dǎo)體層在畫素電極內(nèi)將電容電極與共用配線電性連接，以使畫素電極與電容電極耦合形成一第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。當(dāng)此儲(chǔ)存電容失效時(shí)，可藉由激光修補(bǔ)將原本為第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容切換為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲(chǔ)存電容。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1588614SQ20041005468
公開日2005年3月2日 申請(qǐng)日期2004年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月27日
發(fā)明者吳俊麟, 侯凱元, 沈肇锜, 陳仁杰 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司