專利名稱：實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及超大規(guī)模集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法。
背景技術(shù)：
制造超大規(guī)模集成電路在自對準難熔金屬硅化物工藝中，絕大部份有源區(qū)被低電阻的難熔金屬硅化物覆蓋。但是有的區(qū)域，例如高阻多晶硅和隔離有源區(qū)是不能有難熔金屬硅化物的，這些區(qū)域在硅化物工藝中需要阻擋層保護。
在超大規(guī)模集成電路制造工藝中，難熔金屬如鈦(Ti)，鈷(Co)，鎳(Ni)常被用作生成硅化物。同時，氧化膜和氮化硅膜是被廣泛應用的阻擋層。
但是，用氧化膜和氮化硅膜作為阻擋層，能降低集成電路器件性能。比如，在氧化膜阻擋層刻蝕中會引起有源區(qū)硅損失，造成二極管結(jié)受到損傷，和其它不良影響。氮化硅膜阻擋層會帶來高應力和氮化硅殘留問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，它可以提高超大規(guī)模集成電路器件性能，并可以降低廢棄品。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，采用由氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)構(gòu)成的多層膜作為阻擋層；在自對準難熔金屬硅化物工藝中，首先生長一層薄氧化硅(SiO2)，然后再生長一層氮氧化硅(SiON)。
應用本發(fā)明的方法能很好地保護有源區(qū)硅損失，降低漏電，提高器件性能，且可降低廢棄品。本發(fā)明能提高阻擋層刻蝕選擇比(氮氧化硅與薄氧化硅)，有效地保護薄氧化硅下面的有源區(qū)硅，保證硅結(jié)深，和減少非有源區(qū)隔離氧化硅損失，從而減少漏電。漏電是亞深微米半導體器件的致命參數(shù)，與成品率緊密相連。


附圖是本發(fā)明氮氧化硅多層難熔金屬硅化物阻擋層示意圖。
具體實施例方式
經(jīng)過廣泛的研試，可以驗證氮氧化硅(SiON)具有低應力和較高刻蝕選擇比等良好性能，完全可以解決其它阻擋層會使大規(guī)模集成電路器件性能降低的缺陷，而且與現(xiàn)有的工藝兼容。
如圖所示，本發(fā)明采用由氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)構(gòu)成的多層膜作為阻擋層。在自對準難熔金屬硅化物工藝中，首先生長一層薄氧化硅3(SiO2)，然后再生長一層氮氧化硅2(SiON)，這兩層膜可以用等離子淀積(PECVD)的方法去生長，當然也可采用其它方法生長，比如常壓淀積(APCVD)，低壓淀積(LPCVD)等。在阻擋層刻蝕中，先用等離子刻蝕氮氧化硅2，再用濕法腐蝕液去除薄氧化硅3，這樣能有效地保護有源區(qū)硅，降低漏電，提高器件性能。
圖中的1是多晶硅、4是側(cè)墻。
權(quán)利要求
1.一種實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，其特征在于在自對準難熔金屬硅化物工藝中，首先生長一層薄氧化硅，然后再生長一層氮氧化硅。
2.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，其特征在于所述的薄氧化硅和氮氧化硅兩層膜可用等離子淀積生長。
3.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，其特征在于在阻擋層刻蝕中，先用等離子刻蝕氮氧化硅，再用濕法腐蝕液去除薄氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法，在自對準難熔金屬硅化物工藝中，首先生長一層薄氧化硅，然后再生長一層氮氧化硅。本發(fā)明可以提高超大規(guī)模集成電路器件性能，并可以降低廢棄品。適用于超大規(guī)模集成電路的制造工藝流程。
文檔編號H01L21/314GK1731566SQ200410053420
公開日2006年2月8日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月4日
發(fā)明者陳華倫 申請人:上海華虹Nec電子有限公司