技術(shù)編號(hào)：6831482
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及超大規(guī)模集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種。背景技術(shù) 制造超大規(guī)模集成電路在自對(duì)準(zhǔn)難熔金屬硅化物工藝中，絕大部份有源區(qū)被低電阻的難熔金屬硅化物覆蓋。但是有的區(qū)域，例如高阻多晶硅和隔離有源區(qū)是不能有難熔金屬硅化物的，這些區(qū)域在硅化物工藝中需要阻擋層保護(hù)。在超大規(guī)模集成電路制造工藝中，難熔金屬如鈦(Ti)，鈷(Co)，鎳(Ni)常被用作生成硅化物。同時(shí)，氧化膜和氮化硅膜是被廣泛應(yīng)用的阻擋層。但是，用氧化膜和氮化硅膜作為阻擋層，能降低集成電路器件性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。