專利名稱：電阻器和電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電阻器和一種電子裝備所用的電路板。
背景技術(shù)：
在一個(gè)電子線路所用的一種方形片狀電阻器中，以下技術(shù)是公知的。電阻體的外形不像矩形，而像一個(gè)半圓形和一個(gè)半橢圓形等。為此，有人提出要降低電阻的變化(例如，參看日本專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)8-102401)。
不過(guò)，這種技術(shù)涉及的電阻體制造技術(shù)是為了降低電阻器中電阻體的電阻變化，但是沒(méi)有考慮電路裝配時(shí)的電阻變化。
如上所述，在電子線路所用的電阻器中，已經(jīng)有了降低電阻體之變化電阻的電阻制造技術(shù)。不過(guò)，關(guān)于電路裝配時(shí)降低電阻變化，還沒(méi)有提出一種有效的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種電阻誤差小的電阻器，以及在電路裝配時(shí)能夠降低電阻變化的一種電路板。
依據(jù)本發(fā)明第一方面的一種電阻器，其特征在于包括一個(gè)元件主體；以及該元件主體配備的一個(gè)矩形電極，其中電流流入之矩形電極一個(gè)末端的至少一個(gè)拐角經(jīng)過(guò)倒圓。
依據(jù)本發(fā)明第二方面的一種電路板，其特征在于包括一個(gè)對(duì)其施加一個(gè)電壓的第一布局；一個(gè)第一布局施加之電壓產(chǎn)生的電流流入其中的第二布局；一個(gè)電阻器，具有第一和第二電極，其角經(jīng)過(guò)倒圓，第一電極連接到第一布局，第二電極連接到第二布局。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1A和圖1B顯示了本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例中的一個(gè)電阻器以及該電阻器在一片電路板上的裝配實(shí)例；圖2是一幅斜投影圖，顯示了第一個(gè)實(shí)施例中電阻器的外形；圖3A和圖3B顯示了本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例中的一個(gè)電阻器以及該電阻器在一片電路板上的裝配實(shí)例；圖4是一幅斜投影圖，顯示了第二個(gè)實(shí)施例中電阻器的外形；圖5顯示了在包含本發(fā)明的一個(gè)電阻器的具有多種外形的一個(gè)電阻器中，模擬電極結(jié)合部位的電流分布時(shí)的一種布線圖案布置(布局1)；圖6顯示了與圖5相關(guān)聯(lián)的一種布局(布局2)；圖7顯示了與圖5相關(guān)聯(lián)的一種布局(布局3)；圖8顯示了與圖5相關(guān)聯(lián)的一種布局(布局4)；圖9A和圖9B顯示了現(xiàn)有方形片狀電阻器中布局1的電極結(jié)合部位的電流分布；圖10A和圖10B顯示了現(xiàn)有方形片狀電阻器中布局2的電極結(jié)合部位的電流分布；圖11A和圖11B顯示了現(xiàn)有方形片狀電阻器中布局3的電極結(jié)合部位的電流分布；圖12A和圖12B顯示了現(xiàn)有方形片狀電阻器中布局4的電極結(jié)合部位的電流分布；圖13是一幅斜投影圖，顯示了要測(cè)量的一個(gè)電阻器(電阻模型1)的外形；圖14是一幅斜投影圖，顯示了要測(cè)量的一個(gè)電阻器(電阻模型2)的外形；圖15是一幅斜投影圖，顯示了要測(cè)量的一個(gè)電阻器(電阻模型3)的外形；圖16是一幅斜投影圖，顯示了要測(cè)量的一個(gè)電阻器(電阻模型4)的外形；
圖17顯示了電阻模型1中布局1的電極結(jié)合部位的電流分布；圖18顯示了電阻模型1中布局2的電極結(jié)合部位的電流分布；圖19顯示了電阻模型2中布局1的電極結(jié)合部位的電流分布；圖20顯示了電阻模型2中布局2的電極結(jié)合部位的電流分布；圖21顯示了電阻模型3中布局1的電極結(jié)合部位的電流分布；圖22顯示了電阻模型3中布局2的電極結(jié)合部位的電流分布；圖23顯示了電阻模型4中布局1的電極結(jié)合部位的電流分布；圖24顯示了電阻模型4中布局2的電極結(jié)合部位的電流分布；圖25顯示了電阻模型3中布局3的電極結(jié)合部位的電流分布。
具體實(shí)施例方式
后文中，將引用這些附圖，講解本發(fā)明的若干實(shí)施例。
圖1A、圖1B和圖2分別顯示了本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例中方形片狀電阻器的結(jié)構(gòu)。圖1A是平面圖，圖1B是側(cè)面圖，圖2是斜投影圖。
本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例中的電阻器10具有一個(gè)方形的片狀電阻體11(R)，實(shí)質(zhì)上它具有六面體形狀和一對(duì)矩形電極12a和12b，配備在方形片狀電阻體11(R)下表面的兩端。
在本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成電阻器10的方形片狀電阻體11(R)以及方形片狀電阻體11(R)下側(cè)兩端配備的電極對(duì)12a和12b，其每個(gè)角都進(jìn)行了倒圓(進(jìn)行弧形倒角后文中稱為“倒圓”)，分別如圖1A、圖1B和圖2所示。
如圖1B所示，例如用焊料使方形片狀電阻體11(R)下表面上配備的電極對(duì)12a和12b，與電路板30上配備的布局Pa和Pb連接，電阻器10(其方形片狀電阻體11(R)和電極對(duì)12a和12b的拐角分別經(jīng)過(guò)了倒圓)就裝配在電路板30上了。在這種情況下，電阻器10的電極12a和12b連接的、電路板30的布局Pa和Pb，比電極12a和12b寬，所以電極12a和12b以全部寬度連接到布局Pa和Pb。
因此，對(duì)方形片狀電阻體11(R)以及電極對(duì)12a和12b的每個(gè)角都分別經(jīng)過(guò)倒圓之后，流向電阻器10的電流在電阻器10的拐角上局部集中所造成的電阻誤差，就能夠得到控制。
確切地說(shuō)，當(dāng)例如施加矩形電壓產(chǎn)生的電流流入電阻體時(shí)，如果假設(shè)電極和電阻體為矩形，如同常規(guī)的方形片狀電阻體，那么在電流流動(dòng)側(cè)(源側(cè))的電極部位中，電流就會(huì)集中在電極拐角上，這種局部集中的偏流分布是相當(dāng)顯著的。所以，電流不能均勻地流入電阻體，就會(huì)產(chǎn)生偏流分布造成的電阻誤差。
在這種情況下，如同在上述實(shí)施例中，對(duì)方形片狀電阻體11(R)以及電極對(duì)12a和12b的每個(gè)角都分別進(jìn)行倒圓。結(jié)果，由于上述偏流分布受到控制，電流均勻地流向電阻體，就能夠抑制偏流分布造成的電阻誤差。
所以，僅僅對(duì)電流流入之源側(cè)的電極(例如12a)的拐角進(jìn)行倒圓，就能夠期望上述優(yōu)點(diǎn)。
偏流分布造成的電阻誤差也會(huì)在電流流出側(cè)(匯側(cè))產(chǎn)生，如同在上述源側(cè)。不過(guò)，對(duì)方形片狀電阻體11(R)配備的電極12a和12b的每個(gè)拐角都分別進(jìn)行倒圓，就控制了上述匯側(cè)上的偏流分布，從而抑制了偏流分布造成的電阻誤差。
電阻器和布局的方向會(huì)改變?cè)陔姌O結(jié)合部位中的這種電流分布。下面將參考圖5至圖25，介紹常規(guī)結(jié)構(gòu)之方形片狀電阻器與本發(fā)明實(shí)施例中方形片狀電阻器的電流分布差異。
參考圖3A、圖3B和圖4，講解本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例中電阻器和裝配實(shí)例。
圖3A、圖3B和圖4中的每一幅都顯示了依據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的方形片狀電阻器結(jié)構(gòu)。圖3A是平面圖，圖3B是側(cè)面圖，圖4是外部透視圖。
本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例中的電阻器20具有方形的片狀電阻體21(R)，實(shí)質(zhì)上它具有六面體形狀和一對(duì)矩形電極22a和22b，配備在方形片狀電阻體21(R)下側(cè)的兩端。
在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中，假設(shè)構(gòu)成電阻器20的方形片狀電阻體21(R)為矩形，類似于常規(guī)的電阻器。構(gòu)成電阻器20的方形片狀電阻體21(R)，其下側(cè)兩端配備的電極對(duì)22a和22b的每個(gè)角都分別進(jìn)行了倒圓，如圖3A所示。
如圖3B所示，例如用焊料使方形片狀電阻體21(R)下表面上配備的電極對(duì)22a和22b，與電路板30上配備的布局Pa和Pb連接，電阻器20(配備在方形片狀電阻體21(R)下表面兩端的電極對(duì)22a和22b的拐角經(jīng)過(guò)了倒圓)就裝配在電路板30上了。在這種情況下，電阻器20的電極22a和22b與之連接的電路板30的布局Pa和Pb，比電極22a和22b寬，所以電極22a和22b以全部寬度連接到布局Pa和Pb。
如上所述，方形片狀電阻體21(R)配備的電極對(duì)22a和22b的每個(gè)拐角，都分別經(jīng)過(guò)了倒圓。結(jié)果，在布局Pa和Pb布局Pa和Pb與電極22a和22b的結(jié)合部位，電極22a和22b的拐角上電流局部集中所造成的電阻誤差，就能夠得到控制。確切地說(shuō)，例如在假設(shè)電極為矩形，如同常規(guī)的方形片狀電阻體時(shí)，如果施加矩形電壓使電流流入電阻體，相應(yīng)電流流入之源側(cè)電極部位中，電流就會(huì)集中在電極拐角上。所以，由于在方形片狀電阻體21(R)的電極22a和22b上電流沒(méi)有均勻地流入，就會(huì)產(chǎn)生偏流分布造成的電阻誤差。在這種情況下，如上述實(shí)施例，方形片狀電阻體21(R)配備的電極對(duì)22a和22b的每個(gè)拐角，都分別經(jīng)過(guò)了倒圓。結(jié)果，由于上述電流分布的偏流受到了控制，電流均勻地流向電阻體，就能夠抑制偏流分布造成的電阻誤差。此外，偏流分布造成的電阻誤差也會(huì)產(chǎn)生在匯側(cè)，如同在上述源側(cè)。不過(guò)，對(duì)電極22a和22b的每個(gè)拐角都進(jìn)行倒圓，就控制了上述偏流分布，從而抑制了偏流分布造成的電阻誤差。在這種情況下，電阻器和布局的方向會(huì)改變電流分布。
依據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的帶有倒圓拐角的方形片狀電阻器以及帶有多種電極形狀的方形片狀電阻器包括常規(guī)的方形片狀電阻器，其電流分布差異的模擬結(jié)果顯示在圖5至圖25中。
測(cè)量條件如下。要測(cè)量的方形片狀電阻器如下。方形片狀電阻體的基本形狀為6.35mm(L)×3.18mm(W)×4.7mm(T)。方形片狀電阻體下側(cè)兩端配備之電極的基本形狀為2.20mm(d)×3.18mm(W)X0.15mm(T)。電阻為0.001Ω，額定電功率為1.0W，額定電流為31.6A。在圖5至圖25中，方形片狀電阻器由符號(hào)R表示，電極由符號(hào)Ta(源側(cè))和符號(hào)Tb(匯側(cè))表示。假設(shè)測(cè)量的環(huán)境溫度為25±5℃，測(cè)量電流為DC1A或更小，測(cè)量分辨率為0.1μΩ。
在圖5至圖8顯示了方形片狀電阻器(R)和布局(Pa、Pb)的若干布置實(shí)例，包含方形片狀電阻器(R)后，就形成了電流路徑。注意，在顯示的一個(gè)實(shí)例中，在布局(Pa、Pb)上布置著(電路連接著)現(xiàn)有的方形片狀電阻器(R)，其拐角沒(méi)有經(jīng)過(guò)倒圓。
圖5至圖8顯示了在電路板上分別裝配和測(cè)量方形片狀電阻器(R)時(shí)，方形片狀電阻器(R)的典型布局(Pa、Pb)的布置實(shí)例(布局1至布局4)。
在圖5所示的布局布置實(shí)例中，窄布局(Pa、Pb)和方形片狀電阻器(R)是沿著電流流動(dòng)的方向，以直線布置。在本布局布置實(shí)例中，向布局(Pa)施加電壓后，電流就很容易從方形片狀電阻器(R)的電極Ta(源側(cè))的一個(gè)末端流動(dòng)。注意，圖5所示的布置布局稱為“布局1”。
在圖6所示的布局布置實(shí)例中，布局(Pa、Pb)的寬度大于電極Ta和Tb的寬度。在本布局布置實(shí)例中，向布局(Pa)施加電壓后，電流就很容易從方形片狀電阻器(R)的電極Ta(源側(cè))的末端及其周圍流動(dòng)。注意，圖6所示的布置布局稱為“布局2”。
在圖7所示的布局布置實(shí)例中，方形片狀電阻器(R)布置在并列布局(Pa、Pb)的每個(gè)末端。在本布局布置實(shí)例中，向布局(Pa)施加電壓后，電流通過(guò)方形片狀電阻器(R)轉(zhuǎn)向布局(Pb)。注意，圖7所示的布置布局稱為“布局3”。
在圖8所示的布局布置實(shí)例中，方形片狀電阻器(R)跨越在延伸方向不同的布局(Pa、Pb)上。在本布局布置實(shí)例中，向布局(Pa)施加電壓后，電流以Z形方向流向布局(Pb)。注意，圖8所示的布置布局稱為“布局4”。
圖9A至圖12B顯示了利用圖5至圖8所示的布局布置(布局1至布局4)，拐角沒(méi)有倒圓的、現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)所測(cè)出的電流分布。在圖9A至圖12B中，電流密度最高之處顯示為d1，比較高之處顯示為d2。
圖9A顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置拐角沒(méi)有倒圓的、現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入方形片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖9B顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，匯側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流向布局(Pb)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖10A顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入方形片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在幾個(gè)點(diǎn)上。
圖10B顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，匯側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流向布局(Pb)的電流，部分地集中在幾個(gè)點(diǎn)上。
圖11A顯示了以圖7所示的“布局3”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入方形片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖11B顯示了以圖7所示的“布局3”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，匯側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流向布局(Pb)的電流，部分地集中在幾個(gè)點(diǎn)上。
圖12A顯示了以圖8所示的“布局4”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入方形片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖12B顯示了以圖8所示的“布局4”來(lái)布置現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)時(shí)，匯側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流向布局(Pb)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
如圖9A至圖12B所示，在現(xiàn)有外形的方形片狀電阻器(R)中，即使在布局布置(布局1至布局4)的任何一種中，電流分布會(huì)變?yōu)殡娏鞑糠值丶性谝粋€(gè)點(diǎn)上或幾個(gè)點(diǎn)上的分布，而且電流不會(huì)均勻地流過(guò)電阻體。所以會(huì)造成電阻誤差。
圖13至圖16分別顯示了要測(cè)量之電阻器的外形實(shí)例。圖13至圖16顯示了片狀電阻體和電極的外形都改變的實(shí)例(電阻模型1至電阻模型4)。圖13顯示的一個(gè)片狀電阻器，外形如同橢圓。圖14顯示的一個(gè)片狀電阻器，其拐角逐漸彎曲(半徑600μm的倒圓)。圖15顯示的方形片狀電阻器，其拐角經(jīng)過(guò)了本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的倒圓(半徑300μm)。圖16顯示的片狀電阻器，其兩端的外形都如同半圓。圖13所示外形如同橢圓的片狀電阻器，稱為“電阻模型1”。圖14所示其拐角逐漸彎曲的片狀電阻器，稱為“電阻模型2”。圖15所示依據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例經(jīng)過(guò)倒圓的方形片狀電阻器(即圖1和圖2所示的方形片狀電阻器10)，稱為“電阻模型3”。圖16所示其兩端的外形都如同半圓的片狀電阻器，稱為“電阻模型4”。
圖17至圖24分別顯示了利用圖5至圖8所示的布局布置(布局1至布局4)，上述每個(gè)電阻模型(電阻模型1至電阻模型4)的電阻器所測(cè)出的電流分布。在圖17至圖24中，電流密度最高之處顯示為d1，比較高之處顯示為d2。
圖17顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置圖13所示“電阻模型1”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型1”的片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖18顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置圖13所示“電阻模型1”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型1”的片狀電阻器(R)的電流比較均勻。
圖19顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置圖14所示“電阻模型2”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型2”的片狀電阻器(R)的電流，略微出現(xiàn)部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖20顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置圖14所示“電阻模型2”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型2”的片狀電阻器(R)的電流，略微出現(xiàn)部分地集中在幾個(gè)點(diǎn)上。
圖21顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置圖1和圖2所示依據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的方形片狀電阻器10，即圖15所示“電阻模型3”的片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型3”的片狀電阻器(R)的電流比較均勻。
圖22顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置圖15所示“電阻模型3”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型3”的片狀電阻器(R)的電流比較均勻。
圖23顯示了以圖5所示的“布局1”來(lái)布置圖16所示“電阻模型4”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型4”的片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
圖24顯示了以圖6所示的“布局2”來(lái)布置圖16所示“電阻模型4”的方形片狀電阻器(R)時(shí)，源側(cè)電極結(jié)合部位的電流分布。在這個(gè)實(shí)例中，流入“電阻模型4”的片狀電阻器(R)的電流，部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。
從圖17到24中所示的每個(gè)電阻模型(電阻模型1到電阻模型4)的電流分布得到下列結(jié)果。
以下的結(jié)果從圖13所示的“電阻模型1”獲得。在圖6所示的“布局2”中，流入“電阻模型1”的片狀電阻器(R)的電流比較均勻，如圖18所示。在圖5所示的“布局1”中，由于電流部分地集中，如圖17所示，電流沒(méi)有均勻地流入“電阻模型1”的片狀電阻器(R)。所以，在圖5所示的“布局1”中，圖13所示“電阻模型1”的片狀電阻器(R)，其電阻誤差大。
以下的結(jié)果從圖14所示的“電阻模型2”中獲得。如圖19和圖20所示，在圖5所示的“布局1”和圖6所示的“布局2”中，都部分可見(jiàn)某些電流集中在幾個(gè)點(diǎn)上。結(jié)果就能夠理解，在電極的拐角以圓弧進(jìn)行倒圓時(shí)，如果半徑大，電流也會(huì)如“電阻模型1”一樣部分地集中。
以下的結(jié)果從圖16所示的“電阻模型4”中獲得。從圖23和圖24可見(jiàn)，如同圖13所示的“電阻模型1”，在圖5所示的“布局1”和圖6所示的“布局2”中，電流都部分地集中在一個(gè)點(diǎn)上。結(jié)果就能夠理解，即使電極的末端制成半圓形，電流也會(huì)如“電阻模型1”一樣部分地集中。
以下的結(jié)果從圖15所示的“電阻模型3”中獲得。如圖21和圖22所示，在圖5所示的“布局1”和圖6所示的“布局2”中，都沒(méi)有見(jiàn)到電流的部分集中，在具有每種上述外形的電阻模型中，這種電流分布是最均勻的。
為了更詳細(xì)地檢驗(yàn)“電阻模型3”的電流分布，已經(jīng)模擬了布線布局為圖7所示之“布局3”時(shí)的電流分布。圖25顯示了這種結(jié)果。能夠證實(shí)，根本沒(méi)有見(jiàn)到圖11所示的電流部分集中，電極結(jié)合部位的電流分布均勻。
從上述測(cè)量結(jié)果可以認(rèn)清，為了減小偏流造成的電阻誤差，把電極的外形制成“電阻模型3”是最有效的。
上述依據(jù)本發(fā)明的電極外形不限于方形片狀電阻器，可以應(yīng)用于電路板上裝配的、需要高準(zhǔn)確度的多種阻抗元件。
本發(fā)明的特征在于電路板和電阻器的以下結(jié)構(gòu)，電路板具有施加電壓的布局，電阻器插入布局之間，流動(dòng)著施加電壓產(chǎn)生的電流。電阻器配備了拐角經(jīng)過(guò)倒圓的方形電極，以便在形成電流路徑的上述每個(gè)布局與電阻器的結(jié)合部位，使電流分布均勻。電阻器和每個(gè)布局通過(guò)這個(gè)電極以焊料連接，就裝配了電阻器。結(jié)果，使電阻器與布局的結(jié)合部位中電流分布均勻，在電阻器與布局的結(jié)合部位控制電流部分集中產(chǎn)生的偏流分布，就能夠抑制電流部分集中造成的電阻誤差。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，不難設(shè)想出其它的優(yōu)點(diǎn)和修改。所以，從廣義上來(lái)說(shuō)，本發(fā)明并不限于本文所示和介紹的特定細(xì)節(jié)、代表性器件和展示性實(shí)例。因此，對(duì)于附帶的權(quán)利要求書(shū)及其相當(dāng)內(nèi)容定義的一般發(fā)明概念，在不脫離其實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可以作出多種修改。
權(quán)利要求
1.一種電阻器，其特征在于包括一個(gè)元件主體；以及一個(gè)矩形電極，配備在元件主體上，其中電流流入其中的矩形電極的一個(gè)末端的至少一個(gè)拐角經(jīng)過(guò)倒圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電阻器，其特征在于，該電極的所有拐角都經(jīng)過(guò)倒圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電阻器，其特征在于元件主體是一個(gè)方形片狀電阻體，以及一對(duì)電極配備在方形片狀電阻體同一面的兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電阻器，其特征在于，電極的所有拐角都經(jīng)過(guò)倒圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的電阻器，其特征在于，方形片狀電阻體的一個(gè)拐角經(jīng)過(guò)倒圓。
6.一種電路板，其特征在于包括對(duì)其施加一個(gè)電壓的第一布局；第一布局上施加的電壓產(chǎn)生的電流在其中流動(dòng)的第二布局；一個(gè)電阻器，具有其拐角經(jīng)過(guò)倒圓的第一和第二電極，第一電極連接到第一布局，第二電極連接到第二布局。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路板，其特征在于，第一和第二電極配備在方形片狀電阻體同一面的兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的電路板，其特征在于，方形片狀電阻體的一個(gè)拐角經(jīng)過(guò)倒圓。
全文摘要
公開(kāi)了電阻器和電路板。一種電阻器(10)包括一個(gè)元件主體(11)以及配備在元件主體(11)上的一個(gè)矩形電極(12a、12b)，其中電流在其中流動(dòng)的矩形電極(12a、12b)的一個(gè)末端的至少一個(gè)拐角經(jīng)過(guò)倒圓。
文檔編號(hào)H01C1/14GK1574114SQ200410032939
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月26日
發(fā)明者杉浦雄介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝