專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電子設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、半導(dǎo)體裝置的制造方法及電子設(shè)備的制造方法，特別涉及適合用于半導(dǎo)體封裝等層疊結(jié)構(gòu)的裝置。
背景技術(shù)：
在以往的半導(dǎo)體裝置中，為了達(dá)到半導(dǎo)體芯片安裝時(shí)節(jié)省空間的目的，例如存在專利文獻(xiàn)1中所揭示的利用載體基板三維安裝半導(dǎo)體芯片的方法。
然而，在利用載體基板三維安裝半導(dǎo)體芯片的方法中，在載體基板的2次安裝時(shí)，用于載體基板間的連接的突出電極融解，存在封裝變形的問題。
專利文獻(xiàn)1特開平10-268683號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可以防止載體基板的2次安裝時(shí)突出電極的融解的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、半導(dǎo)體裝置的制造方法及電子設(shè)備的制造方法。
為了解決上述課題，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置，所具有的特征是具備裝載了第1半導(dǎo)體芯片的第1半導(dǎo)體封裝；在上述第1半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第1突出電極；和第2半導(dǎo)體封裝，裝載有第2半導(dǎo)體芯片，并通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極被安裝在上述第1半導(dǎo)體封裝上。
由此，在利用第1突出電極2次安裝第1半導(dǎo)體封裝時(shí)，可以防止與第1半導(dǎo)體封裝接合的第2突出電極融解。因此，不僅抑制半導(dǎo)體封裝的變形，而且可以三維安裝半導(dǎo)體芯片，在確保半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)的可靠性的情況下，可以達(dá)到半導(dǎo)體芯片安裝時(shí)的節(jié)省空間的目的。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置，所具有的特征是上述第1半導(dǎo)體封裝具備安裝了上述第1半導(dǎo)體芯片的第1載體基板；上述第2半導(dǎo)體封裝具備通過介入上述第2突出電極，以保持在上述第1半導(dǎo)體芯片上的方式而被安裝在上述第1載體基板上的第2載體基板。
由此，即使在第1半導(dǎo)體封裝及第2半導(dǎo)體封裝的種類不同的情況下，也可以抑制高度的增大，而且可以使第2半導(dǎo)體封裝層疊于第1半導(dǎo)體封裝上，同時(shí)，可以提高2次安裝時(shí)的連接可靠性。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置，所具有的特征是上述第1半導(dǎo)體封裝是將上述第1半導(dǎo)體芯片倒裝安裝在上述第1載體基板上的球柵陣列；上述第2半導(dǎo)體封裝是將裝載于上述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片模塑密封的球柵陣列或芯片尺寸封裝。
由此，即使在使用了通用封裝的情況下，也可以防止突出電極的再融解，而且可以層疊不同種類的封裝，不會(huì)使生產(chǎn)效率劣化，可以提高不同種類的封裝間的連接可靠性。
再有，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置，所具有的特征是包括第1載體基板；設(shè)置在上述第1載體基板上的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在上述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比上述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝在上述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；和安裝在上述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片。
由此，在利用第1突出電極2次安裝第1載體基板時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第2突出電極融解，同時(shí)在利用第2突出電極安裝第2載體基板時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第3突出電極融解。因此，不但抑制半導(dǎo)體封裝的變形，而且可以三維安裝半導(dǎo)體芯片，在確保半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)的可靠性的情況下，可以達(dá)到半導(dǎo)體芯片安裝時(shí)的節(jié)省空間的目的。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子設(shè)備，所具有的特征是包括裝載了第1電子部件的第1封裝；在上述第1封裝上設(shè)置的第1突出電極；和第2封裝，裝載了第2電子部件，且通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在上述第1封裝上。
由此，在利用第1突出電極2次安裝第1封裝時(shí)，可以防止與第1封裝接合的第2突出電極融解，在抑制封裝變形的同時(shí)，可以三維安裝電子部件。
再有，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子設(shè)備，所具有的特征是包括第1載體基板；在上述第1載體基板上設(shè)置的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在上述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比上述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝于上述第1載體基板上的第1電子部件；和安裝在上述第2載體基板上的第2電子部件。
由此，在利用第1突出電極2次安裝第1載體基板時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第2突出電極融解，同時(shí)，在利用第2突出電極安裝第2載體基板時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第3突出電極融解，不但抑制封裝的變形，還可以三維安裝電子部件。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子儀器，所具有的特征是包括裝載了第1半導(dǎo)體芯片的第1半導(dǎo)體封裝；在上述第1半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第1突出電極；第2半導(dǎo)體封裝，裝載了第2半導(dǎo)體芯片，且通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在上述第1半導(dǎo)體封裝上；和母基板，通過介入上述第1突出電極，安裝有上述第1半導(dǎo)體封裝。
由此，在利用第1突出電極將第1半導(dǎo)體封裝2次安裝在母基板上時(shí)，可以防止與第1半導(dǎo)體封裝接合的第2突出電極融解，不但抑制半導(dǎo)體封裝的變形，還可以三維安裝半導(dǎo)體芯片。
再有，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子儀器，所具有的特征是包括第1載體基板；在上述第1載體基板上設(shè)置的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比上述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在上述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比上述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝在上述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；安裝在上述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片；和母基板，通過介入上述第1突出電極，安裝有上述第1載體基板。
由此，在利用第1突出電極將第1載體基板2次安裝于母基板上時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第2突出電極融解，同時(shí)，在利用上述第2突出電極將第2載體基板安裝于第1載體基板上時(shí)，可以防止與第1載體基板接合的第3突出電極融解，不但可以抑制半導(dǎo)體封裝的變形，還可以三維安裝半導(dǎo)體芯片。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所具有的特征是包括在第1半導(dǎo)體封裝上形成第1突出電極的工序；通過介入上述第1突出電極，在第2半導(dǎo)體封裝上安裝上述第1半導(dǎo)體封裝的工序；和在上述第2半導(dǎo)體封裝上形成其熔點(diǎn)比上述第1突出電極低的第2突出電極的工序。
由此，不但防止連接第1半導(dǎo)體封裝與第2半導(dǎo)體封裝的第1突出電極融解，而且可以利用第2突出電極2次安裝第2半導(dǎo)體封裝，在抑制半導(dǎo)體封裝的變形的同時(shí)，還可以三維安裝半導(dǎo)體芯片。
再有，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所具有的特征是包括在第1半導(dǎo)體芯片上形成第1突出電極的工序；通過介入上述第1突出電極，將上述第1半導(dǎo)體芯片安裝在第1載體基板上的工序；將第2半導(dǎo)體芯片安裝在第2載體基板上的工序；在上述第2載體基板上形成其熔點(diǎn)比上述第1突出電極低的第2突出電極的工序；通過介入上述第2突出電極，將裝載了第2半導(dǎo)體芯片的第2載體基板安裝在上述第1載體基板上的工序；和在上述第1載體基板上形成其熔點(diǎn)比上述第2突出電極低的第3突出電極的工序。
由此，不但防止連接第1半導(dǎo)體芯片與第1載體基板的第1突出電極融解，而且可以利用第2突出電極將第2載體基板安裝在第1載體基板上，同時(shí)，不但防止連接第1載體基板與第2載體基板的第2突出電極融解，還可以利用第3突出電極2次安裝第1載體基板，從而在抑制半導(dǎo)體封裝的變形的同時(shí)，還可以三維安裝半導(dǎo)體芯片。
依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子設(shè)備的制造方法，所具有的特征是包括在裝載了第1電子部件的第1封裝上形成第1突出電極的工序；通過介入上述第1突出電極，在裝載了第2電子部件的第2封裝上安裝上述第1封裝的工序；和在上述第2封裝上形成其熔點(diǎn)比上述第1突出電極低的第2突出電極的工序。
由此，不但防止連接第1封裝與第2封裝的第1突出電極融解，而且可以利用第2突出電極2次安裝第2封裝，在抑制封裝的變形的同時(shí)，還可以三維安裝電子部件。
再有，依據(jù)有關(guān)本發(fā)明一方式的電子設(shè)備的制造方法，所具有的特征是包括在第1電子部件上形成第1突出電極的工序；通過介入上述第1突出電極，將上述第1電子部件安裝在第1載體基板上的工序；在第2載體基板上安裝第2電子部件的工序；在上述第2載體基板上形成其熔點(diǎn)比上述第1突出電極低的第2突出電極的工序；通過介入上述第2突出電極，將裝載了第2電子部件的第2載體基板安裝在上述第1載體基板上的工序；和在上述第1載體基板上形成其熔點(diǎn)比上述第2突出電極低的第3突出電極的工序。
由此，不但防止連接第1電子部件與第1載體基板的第1突出電極融解，而且可以利用第2突出電極將第2載體基板安裝在第1載體基板上，同時(shí)，不但防止連接第1載體基板與第2載體基板的第2突出電極融解，還可以利用第3突出電極2次安裝第1載體基板，從而在抑制封裝的變形的同時(shí)，還可以三維安裝電子部件。


圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖2是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖3是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖中11、21、41、51-載體基板，12a、12b、22、32、42a、42b、42b′、52、62-連接盤，13、43-半導(dǎo)體芯片，14、17、24、45、47、54-突出電極，15-各向異性導(dǎo)電片，16、46-焊劑，23、53-密封樹脂，31、61-母基板，PK11、PK12、PK21、PK22-半導(dǎo)體封裝。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，說明有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備及其制造方法。
圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。在該第1實(shí)施方式中，讓在半導(dǎo)體封裝PK12上設(shè)置的突出電極24的熔點(diǎn)比在半導(dǎo)體封裝PK11上設(shè)置的突出電極17的熔點(diǎn)還高。
在圖1(a)中，在半導(dǎo)體封裝PK11上設(shè)有載體基板11，在載體基板11的兩面上分別形成連接盤12a、12b。而且，半導(dǎo)體芯片(或半導(dǎo)體管芯)13被倒裝式安裝于載體基板11上，半導(dǎo)體芯片13上設(shè)有倒裝式安裝用的突出電極14。再有，半導(dǎo)體芯片13上設(shè)置的突出電極14，通過各向異性導(dǎo)電片15與連接盤12b進(jìn)行ACF(Anisotropic Conductive Film各向異性導(dǎo)電薄膜)接合。
在這里，通過利用ACF接合將半導(dǎo)體芯片13安裝在載體基板11上，不需要引線接合或模塑(mould)密封用的空間(space)，可以達(dá)到三維安裝時(shí)的節(jié)省空間的目的，同時(shí)，可以達(dá)到將半導(dǎo)體芯片13與載體基板11接合時(shí)的低溫化的目的，可以降低實(shí)際使用時(shí)的載體基板11的翹曲。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK12上設(shè)置載體基板21，在載體基板21的內(nèi)面上形成有連接盤22。另外，在載體基板21上安裝半導(dǎo)體芯片，用密封樹脂23密封已安裝半導(dǎo)體芯片的載體基板21的一整面。而且，在用密封樹脂23密封被安裝于載體基板21上的半導(dǎo)體芯片時(shí)，例如，可以利用使用了環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂的模塑成型等來進(jìn)行。
由此，利用密封半導(dǎo)體芯片的密封樹脂23，不但可以使半導(dǎo)體封裝PK12的剛性提高，抑制半導(dǎo)體封裝PK12的高度的增大，而且可以使裝載了半導(dǎo)體芯片的載體基板21的翹曲降低。
而且，在載體基板21上，可以安裝進(jìn)行過引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝式安裝半導(dǎo)體芯片，或者可以安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
接著，如圖1(b)所示，在設(shè)于載體基板21內(nèi)面上的連接盤22上形成突出電極24。另外，向載體基板11的連接盤12b上供給焊劑16。而且，也可以取代焊劑16，向載體基板11的連接盤12b上供給焊錫膏。
接下來，如圖1(c)所示，在半導(dǎo)體封裝PK11上安裝半導(dǎo)體封裝PK12，通過進(jìn)行回流焊處理，使突出電極24接合在連接盤12b上。而且，突出電極24可以避開半導(dǎo)體芯片13的裝載區(qū)域進(jìn)行配置，例如，可以將突出電極24配置在載體基板21內(nèi)面的周圍。然后，讓突出電極24與在載體基板11上設(shè)置的連接盤12b接合，將載體基板21被保持在半導(dǎo)體芯片13上，由此可以將載體基板21安裝于載體基板11上。
這樣，即使在半導(dǎo)體封裝PK11、PK12的種類不同的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)，不但不同種類的半導(dǎo)體芯片的層疊成為可能，也可以達(dá)到節(jié)省空間的目的。而且，在將載體基板21安裝在載體基板11上時(shí)，可以使載體基板21的內(nèi)面密接于半導(dǎo)體芯片13上，也可以使載體基板21的內(nèi)面與半導(dǎo)體芯片13隔開。
接著，如圖1(d)所示，在載體基板11內(nèi)面所設(shè)置的連接盤12a上，形成熔點(diǎn)比突出電極24還低的突出電極17。
接下來，如圖1(e)所示，將已形成突出電極17的載體基板11安裝在母基板31上。然后，通過在比突出電極24的熔點(diǎn)還低，比突出電極17的熔點(diǎn)還高的溫度下進(jìn)行回流焊處理，使突出電極17接合于母基板31的連接盤32上。
由此，在利用突出電極17，2次安裝半導(dǎo)體封裝PK12時(shí)，可以防止與半導(dǎo)體封裝PK11接合的突出電極24融解。因此，不但可以抑制半導(dǎo)體封裝PK11、PK12的變形，而且可以3維安裝半導(dǎo)體芯片；在確保半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)的可靠性的情況下，可以達(dá)到半導(dǎo)體芯片安裝時(shí)的節(jié)省空間的目的。
此外，作為載體基板11、21，例如，可以使用雙面基板、多層布線基板、層疊(build-up)基板、帶狀基板或薄膜基板等，作為載體基板11、21的材質(zhì)，例如，可以使用聚酰亞胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、芳族聚酰胺與環(huán)氧的合成物或陶瓷等。另外，作為突出電極14、17、24，例如可以使用由Au凸塊(bump)、焊錫材料覆蓋的Cu凸塊或Ni凸塊，或者焊錫球等，特別作為突出電極17、24，例如通過使用焊錫球，使用通用的BGA，可以層疊不同種類的封裝PK11、PK12之間，可以在生產(chǎn)流水線上適用。
在這里，在作為突出電極17、24使用焊錫球的情況下，可以使用組成不同的Pb-Sn焊錫，例如，作為突出電極17，可以使用Sn與Pb的比例為4∶6，熔融溫度為238℃的Pb-Sn焊錫，作為突出電極24，可以使用Sn與Pb的比例為2∶8，熔融溫度為279℃的Pb-Sn焊錫。另外，作為突出電極17、24，也可以使用組成不同的游離鉛焊錫，例如，作為突出電極17，可以使用合金組成為Sn-3.5Ag-0.75Cu，熔融溫度為219℃的游離鉛焊錫，作為突出電極24，可以使用合金組成為Sn-0.75Cu，熔融溫度為229℃的游離鉛焊錫。
另外，在上述實(shí)施方式中，為了將載體基板21安裝在載體基板11上，雖然對將突出電極24設(shè)置于載體基板21的連接盤22上的方法進(jìn)行了說明，但也可以將突出電極24設(shè)于載體基板11的連接盤12b上。再有，在上述實(shí)施方式中，雖然對利用ACF接合將半導(dǎo)體芯片13安裝在載體基板11上的方法進(jìn)行了說明，但例如可以使用NCF(Nonconductive Film)接合、ACP(Anisotropic Conductive Paste)接合、NCP(Nonconductive Paste)接合等其他的接合劑接合，也可以使用焊錫接合或合金接合等金屬接合。還有，也可以在載體基板11與載體基板21之間的空隙內(nèi)，根據(jù)需要注入樹脂。
圖2及圖3是表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。而且，在該第2實(shí)施方式中，讓在半導(dǎo)體封裝PK22上設(shè)置的突出電極54的熔點(diǎn)比在半導(dǎo)體封裝PK21上設(shè)置的突出電極47的熔點(diǎn)還高，同時(shí)，讓在半導(dǎo)體芯片43上設(shè)置的突出電極45的熔點(diǎn)比在半導(dǎo)體封裝PK22上設(shè)置的突出電極54的熔點(diǎn)還高。
在圖2(a)中，在載體基板41上形成連接盤42b、42b′，同時(shí)，在載體基板41的內(nèi)面上形成有連接盤42a。另外，在半導(dǎo)體芯片43上設(shè)有配置突出電極45用的連接盤44。
另一方面，在半導(dǎo)體封裝PK22上設(shè)置載體基板51，在載體基板51的背面上形成有連接盤52。另外，在載體基板51上安裝半導(dǎo)體芯片，用密封樹脂53密封已安裝了半導(dǎo)體芯片的載體基板51的一整面。而且，在用密封樹脂53密封載體基板51上安裝的半導(dǎo)體芯片的情況下，例如可以利用使用了環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂的模塑成型等來進(jìn)行。再有，在載體基板51上，可以安裝已被引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝式安裝半導(dǎo)體芯片，或者可以安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
接著，如圖2(b)所示，在設(shè)于半導(dǎo)體芯片43上的連接盤44上形成突出電極45。也可以將突出電極45設(shè)置于載體基板41側(cè)。另外，向載體基板41的連接盤42b′上供給焊劑46。而且，也可以取代焊劑46，向載體基板41的連接盤42b′上供給焊錫膏。
接下來，如圖2(c)所示，在載體基板41上安裝半導(dǎo)體芯片43。而且通過進(jìn)行回流焊處理，使突出電極45接合于連接盤42b′上，制造半導(dǎo)體封裝PK21。
接著，如圖3(a)所示，在設(shè)于載體基板51內(nèi)面的連接盤52上，形成熔點(diǎn)比突出電極45低的突出電極54。而且，也可以將突出電極54設(shè)置在載體基板41側(cè)。再有，向載體基板41的連接盤42b供給焊劑46。還有，也可以取代焊劑46，向載體基板41的連接盤42b上供給焊錫膏。
然后，如圖3(b)所示，將半導(dǎo)體封裝PK22安裝在半導(dǎo)體封裝PK21上。而且，通過在比突出電極45的熔點(diǎn)低，比突出電極54的熔點(diǎn)高的溫度下進(jìn)行回流焊處理，從而使突出電極54與連接盤42b接合。再有，突出電極54可以避開半導(dǎo)體芯片43的裝載區(qū)域配置，例如，可以將突出電極54配置在載體基板51內(nèi)面的周圍。還有，讓突出電極54與載體基板41上設(shè)置的連接盤42b接合，將載體基板51保持在半導(dǎo)體芯片43上，由此可以將載體基板51安裝于載體基板41上。
這樣，即使在半導(dǎo)體封裝PK21、PK22的種類不同的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)，不但不同種類的半導(dǎo)體芯片的層疊成為可能，也可以達(dá)到節(jié)省空間的目的。
接著，如圖3(c)所示，在載體基板41背面所設(shè)的連接盤42a上形成熔點(diǎn)比突出電極54還低的突出電極47。
接下來，如圖3(d)所示，將已形成突出電極47的載體基板41安裝在母基板61上。而且通過在比突出電極54的熔點(diǎn)還低、比突出電極47的熔點(diǎn)還高的溫度下進(jìn)行回流焊處理，從而使突出電極47接合在母基板61的連接盤62上。
由此，不但防止連接半導(dǎo)體芯片43與載體基板41的突出電極45融解，而且可以利用突出電極54將載體基板51安裝在載體基板41上，同時(shí)，不但防止連接載體基板41與載體基板51的突出電極54融解，而且可以利用突出電極47將載體基板41安裝在母基板61上，不但抑制半導(dǎo)體封裝PK21、PK22的變形，還可以三維安裝半導(dǎo)體芯片。
而且，作為突出電極45、47、54，例如可以使用由Au凸塊、焊錫材料覆蓋的Cu凸塊或Ni凸塊，或者焊錫球等。另外，可以根據(jù)需要在載體基板41與載體基板51之間的空隙內(nèi)注入樹脂。
再有，上述半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備，例如可以適用于液晶顯示裝置、移動(dòng)電話、便攜式信息終端、攝像機(jī)(video camera)、數(shù)碼相機(jī)、MD(MiniDisc)唱機(jī)(player)等電子儀器，不但可以達(dá)到電子儀器的小型·輕量化的目的，而且可以使電子儀器的可靠性提高。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備裝載了第1半導(dǎo)體芯片的第1半導(dǎo)體封裝；在所述第1半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第1突出電極；和第2半導(dǎo)體封裝，裝載有第2半導(dǎo)體芯片，并通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極被安裝在所述第1半導(dǎo)體封裝上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝具備安裝了所述第1半導(dǎo)體芯片的第1載體基板；所述第2半導(dǎo)體封裝具備通過介入所述第2突出電極，以保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上的方式而被安裝在所述第1載體基板上的第2載體基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體封裝是將所述第1半導(dǎo)體芯片倒裝安裝在所述第1載體基板上的球柵陣列；所述第2半導(dǎo)體封裝是將裝載于所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片模塑密封的球柵陣列或芯片尺寸封裝。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第1載體基板；設(shè)置在所述第1載體基板上的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在所述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比所述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；和安裝在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片。
5.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括裝載了第1電子部件的第1封裝；在所述第1封裝上設(shè)置的第1突出電極；和第2封裝，裝載了第2電子部件，且通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在所述第1封裝上。
6.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括第1載體基板；在所述第1載體基板上設(shè)置的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在所述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比所述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝于所述第1載體基板上的第1電子部件；和安裝在所述第2載體基板上的第2電子部件。
7.一種電子儀器，其特征在于，包括裝載了第1半導(dǎo)體芯片的第1半導(dǎo)體封裝；在所述第1半導(dǎo)體封裝上設(shè)置的第1突出電極；第2半導(dǎo)體封裝，裝載了第2半導(dǎo)體芯片，且通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在所述第1半導(dǎo)體封裝上；和母基板，通過介入所述第1突出電極，安裝有所述第1半導(dǎo)體封裝。
8.一種電子儀器，其特征在于，包括第1載體基板；在所述第1載體基板上設(shè)置的第1突出電極；通過介入其熔點(diǎn)比所述第1突出電極高的第2突出電極而被安裝在所述第1載體基板上的第2載體基板；通過介入其熔點(diǎn)比所述第2突出電極高的第3突出電極而被安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；安裝在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片；和母基板，通過介入所述第1突出電極，安裝有所述第1載體基板。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在第1半導(dǎo)體封裝上形成第1突出電極的工序；通過介入所述第1突出電極，在第2半導(dǎo)體封裝上安裝所述第1半導(dǎo)體封裝的工序；和在所述第2半導(dǎo)體封裝上形成其熔點(diǎn)比所述第1突出電極低的第2突出電極的工序。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在第1半導(dǎo)體芯片上形成第1突出電極的工序；通過介入所述第1突出電極，將所述第1半導(dǎo)體芯片安裝在第1載體基板上的工序；將第2半導(dǎo)體芯片安裝在第2載體基板上的工序；在所述第2載體基板上形成其熔點(diǎn)比所述第1突出電極低的第2突出電極的工序；通過介入所述第2突出電極，將裝載了第2半導(dǎo)體芯片的第2載體基板安裝在所述第1載體基板上的工序；和在所述第1載體基板上形成其熔點(diǎn)比所述第2突出電極低的第3突出電極的工序。
11.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在裝載了第1電子部件的第1封裝上形成第1突出電極的工序；通過介入所述第1突出電極，在裝載了第2電子部件的第2封裝上安裝所述第1封裝的工序；和在所述第2封裝上形成其熔點(diǎn)比所述第1突出電極低的第2突出電極的工序。
12.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在第1電子部件上形成第1突出電極的工序；通過介入所述第1突出電極，將所述第1電子部件安裝在第1載體基板上的工序；在第2載體基板上安裝第2電子部件的工序；在所述第2載體基板上形成其熔點(diǎn)比所述第1突出電極低的第2突出電極的工序；通過介入所述第2突出電極，將裝載了第2電子部件的第2載體基板安裝在所述第1載體基板上的工序；和在所述第1載體基板上形成其熔點(diǎn)比所述第2突出電極低的第3突出電極的工序。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，在載體基板(11)背面所設(shè)的連接盤(12a)上，形成熔點(diǎn)比突出電極(24)還低的突出電極(17)，通過在比突出電極(24)的熔點(diǎn)還低、比突出電極(17)的熔點(diǎn)還高的溫度下進(jìn)行回流焊處理，可以使突出電極(17)接合在母基板(31)的連接盤(32)上。這樣，可以防止在載體基板的2次安裝時(shí)突出電極的融解。
文檔編號(hào)H01L25/18GK1531086SQ20041000668
公開日2004年9月22日 申請日期2004年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月25日
發(fā)明者青柳哲理 申請人:精工愛普生株式會(huì)社