專利名稱：封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種封裝結(jié)構(gòu)，且特別有關(guān)一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，此封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用以提高對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品檢出率，其利用一隔離塊使對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品無法壓合，使此對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品于檢測時(shí)可更明顯地與對準(zhǔn)合格產(chǎn)品做區(qū)別，以提高對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品的檢出率。
背景技術(shù)：
集成電路、顯示器等電子產(chǎn)品于制造完畢后，皆需與外界隔絕以避免污染，因此必須經(jīng)封裝處理加以保護(hù)與外界隔絕；且隨電子產(chǎn)品的多任務(wù)需求，封裝所扮演的角色已不限于元件的保護(hù)，有時(shí)也需藉由封裝技術(shù)來使兩元件相互連結(jié)，所以封裝過程中的對準(zhǔn)技術(shù)關(guān)系著產(chǎn)品整體的品質(zhì)。
目前封裝所常用的技術(shù)有載帶自動(dòng)焊(Tape Automated Bonding；簡稱TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；簡稱COG)、電路板覆晶(Chip On Board；簡稱COB)、薄膜覆晶(Chip On Film；簡稱COF)等。
而封裝中最常見的黏著材料為各向異性導(dǎo)電膠膜(AnisotropicConductive Film，簡稱ACF)，主要成分為樹脂(resin)與導(dǎo)電顆粒(conductiveparticles)，其中樹脂為非導(dǎo)電材料，而導(dǎo)電顆粒則分散于樹脂中，其直徑約為3～5μm；其中導(dǎo)電顆粒的剖面圖如圖1所示，包含一金屬膜2與一聚合物顆粒1，其中金屬膜2包覆聚合物顆粒1，形成一具有彈性的導(dǎo)電顆粒3，其中金屬膜2可為金、鎳或錫等金屬材料。
各向異性導(dǎo)電膠膜應(yīng)用在各式封裝技術(shù)中的方式皆類似，以各向異性導(dǎo)電膠膜應(yīng)用在玻璃覆晶封裝技術(shù)中為例，其作用方式如圖2A所示，于一第一基板10表面上形成一導(dǎo)電引腳(lead)11，如金引腳，并于一第二基板20上形成一導(dǎo)電凸塊(bump)21，如金凸塊，且導(dǎo)電引腳11與導(dǎo)電凸塊21相互對準(zhǔn)，于第一基板10與第二基板20間涂布一各向異性導(dǎo)電膠膜5，其中各向異性導(dǎo)電膠膜5包含樹脂4與導(dǎo)電顆粒3，而分散在樹脂4中的部分導(dǎo)電顆粒3’與第一基板10的導(dǎo)電引腳11與第二基板20的導(dǎo)電凸塊21接觸，形成垂直方向?qū)?，并控制?dǎo)電顆粒3于樹脂4中的濃度使平行方向無法導(dǎo)通，此即為各向異性導(dǎo)電膠膜的名稱由來與作用方式。
相對于完全對準(zhǔn)的圖2A所示，圖2B為對準(zhǔn)失準(zhǔn)的情況，雖然對準(zhǔn)已失準(zhǔn)，但因第二基板20的導(dǎo)電凸塊21與第一基板10的導(dǎo)電引腳11依然可以藉由各向異性導(dǎo)電膠膜的部分導(dǎo)電顆粒3’形成導(dǎo)電通路，故雖對準(zhǔn)失準(zhǔn)產(chǎn)品卻依然可以測出電性值，若對準(zhǔn)失準(zhǔn)值已超過可容許的最大偏移值時(shí)，有時(shí)依然可導(dǎo)通，換句話說，對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品已無法藉由電性量測檢出，使不合格產(chǎn)品的檢出率下降。
另外，也有不使用導(dǎo)電顆粒的黏著材料，稱為無導(dǎo)電顆粒(Non-Conductive Particle，簡稱NCP)膠，如圖3A所示，其導(dǎo)電方式是第一基板10的導(dǎo)電引腳11與第二基板20的導(dǎo)電凸塊21直接接觸，不經(jīng)導(dǎo)電顆粒形成電路耦接，但依然也會(huì)發(fā)生上述對準(zhǔn)失準(zhǔn)值已超過可容許的最大偏移值時(shí)依然可導(dǎo)通的缺點(diǎn)，如圖3B所示，第一基板10的導(dǎo)電引腳11與第二基板20的導(dǎo)電凸塊21在對準(zhǔn)失準(zhǔn)的情況中仍然會(huì)形成電接觸。
所以研發(fā)出一種在對準(zhǔn)失準(zhǔn)且其偏移值已超過可容許的最大偏移值時(shí)可使電路不導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)，以使對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品可檢測出，此為一相當(dāng)重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可使對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品藉由檢測檢驗(yàn)出，以提高對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品的檢出率。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括一第一基板；多個(gè)導(dǎo)電引腳位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊位于上述第二基板上且位于上述導(dǎo)電引腳相對處；以及至少兩個(gè)隔離塊位于上述第一基板上且位于上述導(dǎo)電引腳的兩側(cè)，且與該些導(dǎo)電引腳相距一固定距離，使該些導(dǎo)電凸塊與該些隔離塊間的距離小于等于一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能允許的最大偏移值，且該些隔離塊的高度高于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的底部，且低于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的頂端。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供尚另一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括一第一基板；多個(gè)導(dǎo)電引腳位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊位于上述第二基板上且位于上述導(dǎo)電引腳相對處；以及至少一第一隔離塊與至少一第二隔離塊位于該第一基板上且分別位于該些導(dǎo)電引腳的一側(cè)和另一側(cè)，且與該些導(dǎo)電引腳分別相隔一第一距離和一第二距離，該第一距離與該第二距離分別小于等于一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能允許的最大偏移值，且位于該些導(dǎo)電凸塊的一側(cè)和另一側(cè)，且該些隔離塊的高度高于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的底部，且低于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的頂端。
當(dāng)對準(zhǔn)失準(zhǔn)值已超過對準(zhǔn)失準(zhǔn)所能容許的最大偏移值時(shí)，此時(shí)隔離塊會(huì)擋住導(dǎo)電凸塊，使導(dǎo)電凸塊與導(dǎo)電引腳無法壓合而無法形成導(dǎo)電耦接。此時(shí)利用電性量測方式即可獲知產(chǎn)品已對準(zhǔn)失準(zhǔn)且失準(zhǔn)程度已超過所能容許的最大偏移值，提高對準(zhǔn)不合格產(chǎn)品的檢出率。
此外，本發(fā)明的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在載帶自動(dòng)焊(Tape AutomatedBonding；簡稱TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；簡稱COG)、電路板覆晶(ChipOn Board；簡稱COB)與薄膜覆晶(Chip On Film；簡稱COF)等封裝技術(shù)中，是一種應(yīng)用范圍廣泛的發(fā)明。


圖1為一各向異性導(dǎo)電膠膜的導(dǎo)電顆粒的剖面圖；圖2A～2B為一系列剖面圖，用以說明現(xiàn)有技術(shù)中以各向異性導(dǎo)電膠膜作為黏著材料的封裝對準(zhǔn)與失準(zhǔn)；圖3A～3B為一系列剖面圖，用以說明現(xiàn)有技術(shù)中以無導(dǎo)電顆粒膠作為黏著材料的封裝對準(zhǔn)與失準(zhǔn)；圖4A～4C為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中以各向異性導(dǎo)電膠膜作為黏著材料的封裝對準(zhǔn)與失準(zhǔn)；圖5A～5C為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中以無導(dǎo)電顆粒膠作為黏著材料的封裝對準(zhǔn)與失準(zhǔn)。
附圖標(biāo)記說明1～聚合物顆粒 2～金屬膜3～導(dǎo)電顆粒 3’～被壓縮的導(dǎo)電顆粒4～樹脂 5～各向異性導(dǎo)電膠膜10～第一基板11～導(dǎo)電引腳20～第二基板21～導(dǎo)電凸塊22～導(dǎo)電凸塊頂端23～導(dǎo)電凸塊底部
50～隔離塊X～失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能容許的最大偏移值具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
本發(fā)明的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在載帶自動(dòng)焊(Tape Automated Bonding；簡稱TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；簡稱COG)、電路板覆晶(Chip On Board；簡稱COB)與薄膜覆晶(Chip On Film；簡稱COF)等封裝技術(shù)中。下列以實(shí)施例1與實(shí)施例2分別說明黏著材料為各向異性導(dǎo)電膠膜與無導(dǎo)電顆粒膠的情況。
實(shí)施例1請參閱圖4A～4C，此封裝為以各向異性導(dǎo)電膠膜作為黏著材料的封裝結(jié)構(gòu)，包含一第一基板10；多個(gè)導(dǎo)電引腳11位于第一基板10上；一第二基板20位于第一基板10相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊21位于第二基板20上且位于導(dǎo)電引腳11相對處；一各向異性導(dǎo)電膠膜5位于第一基板10與第二基板20間。
其中該第一基板10為膠帶(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷電路板或半導(dǎo)體基板；而導(dǎo)電引腳為金屬，如金、鎳或錫等；第二基板20為膠帶(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷電路板或半導(dǎo)體基板；而導(dǎo)電凸塊為金屬，如金、鎳或錫等；且隔離塊為絕緣材質(zhì)，如樹脂等。
該各向異性導(dǎo)電膠膜5包括一樹脂4、多個(gè)導(dǎo)電顆粒3與被導(dǎo)電引腳11及導(dǎo)電凸塊21壓縮的導(dǎo)電顆粒3’，這些被壓縮的導(dǎo)電顆粒3’會(huì)使導(dǎo)電引腳11及導(dǎo)電凸塊21形成電耦接；以及至少二個(gè)隔離塊50位于第一基板10上，該些隔離塊50的高度高于對準(zhǔn)壓合后導(dǎo)電凸塊底部23，且低于對準(zhǔn)壓合后導(dǎo)電凸塊頂端22，且與該些導(dǎo)電凸塊21相距一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能容許的最大偏移值X，意即在完全對準(zhǔn)時(shí)偏移值為0，而在對準(zhǔn)不完全時(shí)，偏移值小于或等于X時(shí)是可容許的范圍，但若偏移值超過X時(shí)，則為對準(zhǔn)失準(zhǔn)的不合格產(chǎn)品。
圖4A為完全對準(zhǔn)時(shí)的剖面圖；圖4B為對準(zhǔn)失準(zhǔn)，但依然在可容許的偏移值X內(nèi)時(shí)的剖面圖；圖4C為對準(zhǔn)失準(zhǔn)且超過可容許的偏移值X時(shí)的剖面圖。
在圖4B中顯示第一基板10與第二基板20對準(zhǔn)失準(zhǔn)，且其對準(zhǔn)失準(zhǔn)值小于或等于X，表示對準(zhǔn)失準(zhǔn)值依然在可容許的偏移值X內(nèi)時(shí)，此時(shí)，隔離塊50并不會(huì)擋住導(dǎo)電凸塊21，第一基板10與第二基板20依然可正常壓合，故導(dǎo)電凸塊21與導(dǎo)電引腳11依然可藉由導(dǎo)電顆粒3’形成導(dǎo)電耦接。
在圖4C中顯示第一基板10與第二基板20對準(zhǔn)失準(zhǔn)，且其對準(zhǔn)失準(zhǔn)值大于X，表示對準(zhǔn)失準(zhǔn)值已超過可容許的偏移值X，此時(shí)，隔離塊50會(huì)擋住導(dǎo)電凸塊21，使第一基板10與第二基板20無法正常壓合，故導(dǎo)電凸塊21與導(dǎo)電引腳11無法藉由導(dǎo)電顆粒3’形成導(dǎo)電耦接。此時(shí)利用電性量測方式即可獲知產(chǎn)品已對準(zhǔn)失準(zhǔn)且已超過可容許的偏移值X，進(jìn)而提高不合格產(chǎn)品的檢出率。
實(shí)施例2請參閱圖5A～5C，此封裝以無導(dǎo)電顆粒膠作為黏著材料的封裝結(jié)構(gòu)，包含一第一基板10；多個(gè)導(dǎo)電引腳11位于第一基板10上；一第二基板20位于第一基板10相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊21位于第二基板20上且位于導(dǎo)電引腳11相對處；以及至少二個(gè)隔離塊50位于第一基板10上。
其中該第一基板10為膠帶(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷電路板或半導(dǎo)體基板；而導(dǎo)電引腳為金屬，如金、鎳或錫等；第二基板20為膠帶(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷電路板或半導(dǎo)體基板；而導(dǎo)電凸塊為金屬，如金、鎳或錫等；且隔離塊為絕緣材質(zhì)，如樹脂等。
該些隔離塊50的高度高于對準(zhǔn)壓合后導(dǎo)電凸塊底部23，且低于對準(zhǔn)壓合后導(dǎo)電凸塊頂端22，且該些導(dǎo)電凸塊21相距一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能容許的最大偏移值X，意即在完全對準(zhǔn)時(shí)偏移值為0，而在對準(zhǔn)不完全時(shí)，偏移值小于或等于X時(shí)是可容許的范圍，但若偏移值超過X時(shí)，則為對準(zhǔn)失準(zhǔn)的不合格產(chǎn)品。
圖5A為完全對準(zhǔn)時(shí)的剖面圖；圖5B為對準(zhǔn)失準(zhǔn)，但依然在可容許的偏移值X內(nèi)時(shí)的剖面圖；圖5C為對準(zhǔn)失準(zhǔn)且超過可容許的偏移值X時(shí)的剖面圖。
在圖5B中顯示第一基板10與第二基板20對準(zhǔn)失準(zhǔn)，且其對準(zhǔn)失準(zhǔn)值小于或等于X，表示對準(zhǔn)失準(zhǔn)值依然在可容許的偏移值X內(nèi)時(shí)，此時(shí)，隔離塊50并不會(huì)擋住導(dǎo)電凸塊21，第一基板10與第二基板20依然可正常壓合，故導(dǎo)電凸塊21與導(dǎo)電引腳11依然可形成導(dǎo)電耦接。
在圖5C中顯示第一基板10與第二基板20對準(zhǔn)失準(zhǔn)，且其對準(zhǔn)失準(zhǔn)值大于X，表示對準(zhǔn)失準(zhǔn)值已超過可容許的偏移值X，此時(shí)，隔離塊50會(huì)擋住導(dǎo)電凸塊21，使第一基板10與第二基板20無法正常壓合，故導(dǎo)電凸塊21與導(dǎo)電引腳11無法形成導(dǎo)電耦接。此時(shí)利用電性量測方式即可獲知產(chǎn)品已對準(zhǔn)失準(zhǔn)且已超過可容許的偏移值X，進(jìn)而提高不合格產(chǎn)品的檢出率。
雖然本發(fā)明已揭露優(yōu)選實(shí)施例如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附權(quán)利要求所確定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括一第一基板；多個(gè)導(dǎo)電引腳位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊位于上述第二基板上且位于上述導(dǎo)電引腳相對處；以及至少兩個(gè)隔離塊位于上述第一基板上且位于上述導(dǎo)電引腳的兩側(cè)，且與該些導(dǎo)電引腳相距一固定距離，使該些導(dǎo)電凸塊與該些隔離塊間的距離小于等于一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能允許的最大偏移值，且該些隔離塊的高度高于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的底部，且低于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的頂端。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中于第一基板與第二基板間還包含一各向異性導(dǎo)電膠膜，且該各向異性導(dǎo)電膠膜包括多個(gè)導(dǎo)電顆粒。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中于第一基板與第二基板間還包含一無導(dǎo)電顆粒膠。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中該些隔離塊位于全部導(dǎo)電引腳的兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中該隔離塊為絕緣材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中該隔離塊為樹脂。
7.一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括一第一基板；多個(gè)導(dǎo)電引腳位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊位于上述第二基板上且位于上述導(dǎo)電引腳相對處；以及至少一第一隔離塊與至少一第二隔離塊位于該第一基板上且分別位于該些導(dǎo)電引腳的一側(cè)和另一側(cè)，且與該些導(dǎo)電引腳分別相隔一第一距離和一第二距離，該第一距離與該第二距離分別小于等于一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能允許的最大偏移值，且位于該些導(dǎo)電凸塊的一側(cè)和另一側(cè)，且該些隔離塊的高度高于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的底部，且低于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的頂端。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中于第一基板與第二基板間還包含一各向異性導(dǎo)電膠膜，且該各向異性導(dǎo)電膠膜包括多個(gè)導(dǎo)電顆粒。
9.如權(quán)利要求7所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中于第一基板與第二基板間還包含一無導(dǎo)電顆粒膠。
10.如權(quán)利要求7所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中該隔離塊為絕緣材質(zhì)。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，其中該隔離塊為樹脂。
全文摘要
本發(fā)明公開一種封裝對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括一第一基板；多個(gè)導(dǎo)電引腳位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相對處；多個(gè)導(dǎo)電凸塊位于上述第二基板上且位于上述導(dǎo)電引腳相對處；以及至少兩個(gè)隔離塊位于上述第一基板上且位于上述導(dǎo)電引腳的兩側(cè)，且與該些導(dǎo)電引腳相距一固定距離，使該些導(dǎo)電凸塊與該些隔離塊間的距離小于等于一失準(zhǔn)對準(zhǔn)時(shí)所能允許的最大偏移值，且該些隔離塊的高度高于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的底部，且低于對準(zhǔn)壓合后該些導(dǎo)電凸塊的頂端。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1560913SQ20041000662
公開日2005年1月5日 申請日期2004年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者李俊右, 鄭炳欽 申請人:友達(dá)光電股份有限公司