專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種BGA(球柵排列)型半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有球狀的導(dǎo)電端子。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為三維實(shí)裝技術(shù)CSP(芯片尺寸封裝件)這一新的封裝技術(shù)正在受到關(guān)注。所述的CSP是指具有與半導(dǎo)體芯片的外形尺寸大致相同尺寸的小型封裝件。
眾所周知，BGA型半導(dǎo)體裝置是CSP中的一種。該BGA型半導(dǎo)體裝置把多個(gè)由焊錫等金屬部件組成的球狀導(dǎo)電端子格狀配列在封裝件的一個(gè)主面上，和搭載在封裝件的另一面上的半導(dǎo)體芯片電連接。
在將BGA型半導(dǎo)體裝置組合成電子設(shè)備時(shí)，通過(guò)使各導(dǎo)電端子壓接印刷線(xiàn)路板上的配線(xiàn)圖案，將半導(dǎo)體芯片和搭載在印刷線(xiàn)路板上的外部電路進(jìn)行電連接。
這樣的BGA型半導(dǎo)體裝置與具有突出在側(cè)部的引線(xiàn)插頭的SOP(小引線(xiàn)封裝件)或QFP(四面封裝件)等其它的CSP型半導(dǎo)體裝置相比，其優(yōu)點(diǎn)在于，可以設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電端子，并且可以小型化。這樣的BGA型半導(dǎo)體裝置可以用作搭載在移動(dòng)電話(huà)機(jī)中的數(shù)字相機(jī)的圖象傳感器芯片。
圖9是顯示已有BGA型半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的示意圖，圖9(A)是該BGA型半導(dǎo)體裝置的表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。另外，圖9(B)是該BGA型半導(dǎo)體裝置的內(nèi)面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。
該BGA型半導(dǎo)體裝置100，在第一和第二玻璃基板104a、104b之間介由環(huán)氧樹(shù)脂105a、105b封裝著半導(dǎo)體芯片101。第二玻璃基板104b的一個(gè)主面上，也就是BGA型半導(dǎo)體裝置100的內(nèi)面上晶格狀配置著多個(gè)球狀端子(下面稱(chēng)作導(dǎo)電端子111)。該導(dǎo)電端子111介由第二配線(xiàn)109和半導(dǎo)體芯片101連接。在多個(gè)第二配線(xiàn)109上連接著分別自半導(dǎo)體芯片101內(nèi)部引出的第一配線(xiàn)，各導(dǎo)電端子111和半導(dǎo)體芯片101電連接。
參照?qǐng)D10，更加詳細(xì)地說(shuō)明該BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面結(jié)構(gòu)。圖10顯示沿切割線(xiàn)，分割成個(gè)個(gè)芯片的BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面圖。
在半導(dǎo)體芯片101的表面形成的絕緣膜102上設(shè)置有第一配線(xiàn)103。該半導(dǎo)體芯片101通過(guò)樹(shù)脂105a和第一玻璃基板104a連接。該半導(dǎo)體芯片101的內(nèi)面利用樹(shù)脂105b和第二玻璃基板104b連接。并且第一配線(xiàn)103的一端和第二配線(xiàn)109連接。該第二配線(xiàn)109從第一配線(xiàn)103的一端延長(zhǎng)到第二玻璃基板104b的表面上。并且，延長(zhǎng)至第二玻璃基板104b上的第二配線(xiàn)109上形成著球狀導(dǎo)電端子111。
上述技術(shù)在以下專(zhuān)利文獻(xiàn)1中有記載。
(特許文獻(xiàn)1)特許公報(bào)2002-512436號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在所述BGA型半導(dǎo)體裝置100將玻璃基板壓接在半導(dǎo)體晶片101的兩面上。但是不形成半導(dǎo)體元件的面，也就是配置導(dǎo)電端子的面不一定必須與第二玻璃基板104b接觸。即只要使半導(dǎo)體芯片101和第二配線(xiàn)109絕緣，就不需要連接第二玻璃基板。兩片玻璃的厚度占半導(dǎo)體裝置100整個(gè)厚度的多數(shù)。因此通過(guò)只在半導(dǎo)體芯片101形成半導(dǎo)體元件的面上連接玻璃基板，可以減少成本，使半導(dǎo)體裝置100小型化。以利用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的剖面8為例進(jìn)行說(shuō)明。不用連接第二玻璃基板，而在半導(dǎo)體芯片1上形成絕緣膜7，通過(guò)在其上形成緩沖部件8、第二配線(xiàn)9、保護(hù)膜10、導(dǎo)電端子11，而制成和半導(dǎo)體裝置100相同的半導(dǎo)體裝置。但是在制作這樣的半導(dǎo)體裝置時(shí)，存在以下問(wèn)題。
首先說(shuō)明第一個(gè)問(wèn)題。在制造這樣的BGA型半導(dǎo)體裝置時(shí)，在使絕緣膜成膜之前，有一個(gè)研削工序，即用背研磨機(jī)研削與連接玻璃基板4的面相對(duì)的面，也就是半導(dǎo)體裝置的背面。通過(guò)背研磨機(jī)，用砂輪研削含有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片，從而消薄晶片。這樣，由于砂輪有凹凸，在研削后的面上產(chǎn)生深度或?qū)挾葹閿?shù)μm的劃痕。在圖10中所示的所述半導(dǎo)體裝置100的情況下，為了在兩面上連接玻璃基板，由劃痕產(chǎn)生的凹凸被樹(shù)脂105b覆蓋，不易形成問(wèn)題。
但是，如本發(fā)明所述，在僅在形成半導(dǎo)體元件的面上連接玻璃基板的BGA型半導(dǎo)體裝置為了保持第二配線(xiàn)和芯片的絕緣性，需要在進(jìn)行背研磨的半導(dǎo)體晶片面上形成絕緣膜7。絕緣膜7由于利用等離子體CVD裝置形成，完全顯出面內(nèi)的凹凸，CVD成膜后的面不平坦。結(jié)果導(dǎo)致在絕緣膜7、第二配線(xiàn)9和制作布線(xiàn)圖案中使用的保護(hù)層的包覆性惡化。在絕緣膜7的包覆性惡化時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生針孔和裂紋，成為導(dǎo)致降低半導(dǎo)體裝置的有效利用率或可靠性的原因。
下面對(duì)第二個(gè)問(wèn)題進(jìn)行說(shuō)明。背研磨之后，將半導(dǎo)體晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片，沿著半導(dǎo)體晶片的邊界線(xiàn)進(jìn)行蝕刻形成槽。在被蝕刻的半導(dǎo)體晶片面上由于沾附殘?jiān)虍愇?，在蝕刻的半導(dǎo)體晶片面上形成凹凸。另外，蝕刻后形成棱角的部分尖端變成尖形狀。由此在形成槽以后成膜的制作布線(xiàn)圖案用保護(hù)層、第二配線(xiàn)9和保護(hù)膜10的包覆性惡化，成為導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的可信度、有效利用率降低的原因。
本發(fā)明鑒于以上問(wèn)題進(jìn)行了研究。解決了在BGA型半導(dǎo)體裝置的制造工序中發(fā)生的上述背研磨的半導(dǎo)體晶片的面凹凸、上述蝕刻的半導(dǎo)體晶片的面凹凸或者上述蝕刻產(chǎn)生的槽形成之后產(chǎn)生棱角尖的部分的問(wèn)題。
本發(fā)明在背研磨之后，或者蝕刻之后，對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行濕蝕刻，由此使晶片面內(nèi)的凹凸平滑或使尖的部分的尖端變圓滑。這樣在以后的工序，背研磨之后或者蝕刻后的半導(dǎo)體晶片面上形成的保護(hù)膜、第二配線(xiàn)、絕緣膜和保護(hù)膜的包覆性可以得到提高，可以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的有效利用率以及可靠性。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖9是根據(jù)現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法制備的半導(dǎo)體裝置的立體圖；圖10是根據(jù)現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置制造方法制備的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D1至圖8依次說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
如圖1所示，準(zhǔn)備通過(guò)后工序形成半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體晶片1a。該半導(dǎo)體芯片1是例如CCD的圖象傳感器用芯片，由半導(dǎo)體晶片處理形成。介由絕緣膜2，在其表面上用于分割半導(dǎo)體芯片1的邊界S(稱(chēng)為切割線(xiàn)或劃片線(xiàn))附近形成一對(duì)第一配線(xiàn)3，使其具有規(guī)定的間隔。第一配線(xiàn)3是從半導(dǎo)體芯片1的焊點(diǎn)擴(kuò)展到邊界S附近的點(diǎn)也就是第一配線(xiàn)3是外部連接焊點(diǎn)，與半導(dǎo)體晶片1中沒(méi)圖示的電路進(jìn)行電連接。
介由粘接劑將支撐板粘接在形成有第一配線(xiàn)3的半導(dǎo)體晶片1a的表面上。在此，使用透明的環(huán)氧樹(shù)脂5作為粘接劑，使用透明的玻璃基板4作為支撐板。例如不是用CCD，而是用存儲(chǔ)器或微型計(jì)算機(jī)等的LSI制造本發(fā)明的BGA型半導(dǎo)體裝置時(shí)，也可以使用各種適當(dāng)?shù)恼辰觿┱迟N不透明的塑料制支撐板。
如圖2所示，對(duì)于所述半導(dǎo)體晶片1a，背研磨與粘接有玻璃基板4的面相對(duì)的面，消薄半導(dǎo)體晶片1a的厚度。這時(shí)背研磨的半導(dǎo)體晶片1a的厚度為230μm左右。
在背研磨的半導(dǎo)體晶片1a面，如圖2中用圓圍起的部分“a蝕刻前的面”所示，發(fā)生劃痕，可以形成寬、深度為數(shù)μm的凹凸。為了使其減小，使用具有作為半導(dǎo)體晶片1a的材料硅(SI)與作為絕緣膜2以及玻璃基板4的材料硅氧化膜(下面為SiO2)相比的高蝕刻選擇比的藥液，對(duì)半導(dǎo)體晶片1a面進(jìn)行濕蝕刻。通過(guò)該蝕刻，把半導(dǎo)體晶面1a減少5～30m，可以得到圖2中由圓圍起的部分”b蝕刻后的面”所示的凹凸少的面。
該濕蝕刻中使用的藥液如前所述只要Si和SiO2具有高選擇比就可以，沒(méi)有特別限定。例如在本實(shí)施方式中，使用氫氟酸2.5％、硝酸50％、醋酸10％以及水37.5％的溶液作為濕蝕刻溶液。
濕蝕刻方法也可以使用以下面所示方法中的任何一種。
第一方法如涂覆保護(hù)層那樣，使背研磨的半導(dǎo)體晶片1a的面朝上，向半導(dǎo)體晶片1a上滴下藥液，通過(guò)使粘接有玻璃基板的半導(dǎo)體晶片1a以其軸作為中心旋轉(zhuǎn)，將藥液分散在該半導(dǎo)體晶片1a的整個(gè)晶面內(nèi)，從而進(jìn)行濕蝕刻，降低表面粗糙度。
此時(shí)，通過(guò)改變半導(dǎo)體晶片1a的旋轉(zhuǎn)方向，使藥液均勻地分布在整個(gè)晶面內(nèi)，從而降低表面粗糙度。
第二方法將半導(dǎo)體晶片1a浸入藥液中進(jìn)行浸漬處理，進(jìn)行濕蝕刻，從而降低表面粗糙度。由此與上述第一方法中的濕蝕刻相比，可以使藥液更加均勻地遍及整個(gè)該半導(dǎo)體晶片1a的晶片面內(nèi)，可以更加均勻地降低其表面粗糙度。
第三方法用CMP(化學(xué)機(jī)理拋光)研磨背研磨后的半導(dǎo)體晶片1a面，由此降低表面粗糙度。
第四方法不用濕蝕刻，將背研磨后的半導(dǎo)體晶片1a的面朝上，對(duì)該半導(dǎo)體晶片1a的面進(jìn)行干蝕刻，也可以降低晶片內(nèi)整體的表面粗糙度。
濕蝕刻之后，如圖3所示，對(duì)與粘接有玻璃基板4的面相對(duì)側(cè)的半導(dǎo)體晶片1a面，沿著邊界S形成設(shè)有開(kāi)口部的沒(méi)圖示的保護(hù)層布線(xiàn)圖案。通過(guò)以該保護(hù)層布線(xiàn)圖案為掩模對(duì)半導(dǎo)體晶片1a進(jìn)行等方向蝕刻，由此在邊界S部分形成帶有錐度的槽，形成露出絕緣膜2的狀態(tài)。由此將半導(dǎo)體晶片1a分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片1，這些半導(dǎo)體芯片1由于受玻璃基板4支撐，因而整體具有半導(dǎo)體晶片1a的形態(tài)。
該蝕刻也可以進(jìn)行干蝕刻、濕蝕刻中任何一種。
形成槽的半導(dǎo)體晶片1a上產(chǎn)生表面凹凸或蝕刻產(chǎn)生的殘?jiān)?、異物。如在圖3中用圓包起的c、d表示，在槽中角的部分形成尖的形狀。
如圖4所示，為了除去所示的殘?jiān)虍愇铮辜獠糠值那岸瞬繄A滑，進(jìn)行濕蝕刻。通過(guò)該濕蝕刻，圖3中的c、d部分如圖4中的c、d部分，可以使尖的部分圓滑。
所述濕蝕刻中使用的藥液可以使用和背研磨后濕蝕刻同樣的藥液。濕蝕刻的方法例如有以下方法。
第一方法如涂覆保護(hù)層那樣，將形成槽后的面置于上側(cè)，在半導(dǎo)體晶片1a上滴下藥液，通過(guò)旋轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體晶片1a使藥液遍及在該半導(dǎo)體晶片1a的整個(gè)晶面，對(duì)形成槽后的面進(jìn)行濕蝕刻。
這時(shí)，通過(guò)切換半導(dǎo)體晶片1a的旋轉(zhuǎn)方向，藥液可均勻地遍及半導(dǎo)體晶片1a整體上，提高晶片面內(nèi)蝕刻的均勻性。
第二方法將半導(dǎo)體晶片1a浸入藥液中進(jìn)行浸漬處理，對(duì)槽形成后的面進(jìn)行濕蝕刻。由此與上述第一方法中的濕蝕刻相比，可以使藥液更加均勻地遍及整個(gè)該半導(dǎo)體晶片1a的晶片面內(nèi)，可以進(jìn)一步提高晶片面內(nèi)的蝕刻均勻性。
第三方法不用濕蝕刻，對(duì)形成槽的半導(dǎo)體晶片1a的面進(jìn)行干蝕刻，由此也可以使半導(dǎo)體晶片1a的上述尖的部分的前端部圓滑。
濕蝕刻后，如圖5所示，對(duì)與粘接有所述半導(dǎo)體芯片1的玻璃基板4的面相對(duì)的面，進(jìn)行絕緣膜7的成膜。在本實(shí)施例成膜3μm的硅烷基底氧化膜。
如圖6所示，在所述半導(dǎo)體芯片1中，在絕緣膜7上涂覆沒(méi)圖示的保護(hù)層，布線(xiàn)絕緣膜7使所述第一配線(xiàn)3的下面一部分露出。將所述保護(hù)層做成掩膜，蝕刻絕緣膜7、絕緣膜2，使第一配線(xiàn)3的下面的一部分露出。然后，在和以后形成導(dǎo)電端子11的位置重合的位置形成具有柔軟性的緩沖部件8。緩沖部件8吸收加在導(dǎo)電端子11上的力，具有緩沖導(dǎo)電端子11接合時(shí)的沖擊的功能，本發(fā)明不受不使用緩沖部件8的限制。
然后在和粘接有所述玻璃基板4的面相對(duì)的面上，形成第二配線(xiàn)9。由此電連接第一配線(xiàn)3和第二配線(xiàn)9。
如圖7所示，在和粘接有所述玻璃基板4的面相對(duì)的面上，涂覆沒(méi)圖示的保護(hù)層，形成布線(xiàn)圖案使沿邊界S的部分開(kāi)口。將該保護(hù)層作為掩膜進(jìn)行刻蝕，除去邊界S附近的第二配線(xiàn)9。另外，圖中未示出，第二配線(xiàn)9形成后，在和粘接玻璃基板4的面相對(duì)的面進(jìn)行無(wú)電解電鍍處理，在第二配線(xiàn)9鍍Ni-Au。
然后在和粘接有玻璃基板4的面相對(duì)的面上形成保護(hù)膜10。為了形成保護(hù)膜10，將和粘接有玻璃基板4的面相對(duì)的面朝上，從上方滴下熱硬化性的有機(jī)系列樹(shù)脂，使半導(dǎo)體晶片1a自身旋轉(zhuǎn)，利用該旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，將該有機(jī)系列樹(shù)脂擴(kuò)散在晶片面上。由此，可以在第二配線(xiàn)9的表面形成保護(hù)膜10。
如圖8所示，通過(guò)利用圖中沒(méi)示出的保護(hù)層的遮掩蝕刻除去形成導(dǎo)電端子11的部分(對(duì)應(yīng)緩沖部件8的位置上)。并且在通過(guò)上述蝕刻露出的第二配線(xiàn)9上形成導(dǎo)電端子11。沿著邊界S切斷保護(hù)膜10、樹(shù)脂5和玻璃基板4，由此完成BGA半導(dǎo)體裝置。
在本實(shí)施例，作為形成球形端子(即導(dǎo)電端子11)的半導(dǎo)體裝置的適用例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此，也適于不形成球形端子的半導(dǎo)體裝置，例如LGA型的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的效果是通過(guò)解決薄型BGA型半導(dǎo)體裝置制造中的問(wèn)題，提高BGA半導(dǎo)體裝置的可靠性和有效利用率。其內(nèi)容如下。
(1)在對(duì)與粘接有支撐板的半導(dǎo)體晶片面的相對(duì)的面背研磨之后，通過(guò)在與上述半導(dǎo)體晶片面相對(duì)的面上發(fā)生的劃痕，也就是相對(duì)幅度、深度達(dá)到數(shù)μm的晶片面內(nèi)的凹凸進(jìn)行濕蝕刻，由此降低表面粗糙度，提高膜的包覆性。
(2)進(jìn)行背研磨后，或者為了將芯片邊界部分加工成帶有錐度的槽而進(jìn)行的蝕刻操作后發(fā)生的異物或殘?jiān)a(chǎn)生的晶片面內(nèi)的凹凸，或者對(duì)尖端尖的部分進(jìn)行濕蝕刻，使晶片面內(nèi)的凹凸消除，棱角圓滑，提高膜的包覆性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片面上粘接支撐板，對(duì)與粘接有所述支撐板的面相對(duì)的所述半導(dǎo)體晶片的面進(jìn)行背研磨，通過(guò)對(duì)所述背研磨的所述半導(dǎo)體晶片面進(jìn)行濕蝕刻，減小表面粗糙度。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片面上粘接支撐板，對(duì)與粘接有所述支撐板的面相對(duì)的所述半導(dǎo)體晶片的面進(jìn)行背研磨形成槽，通過(guò)對(duì)所述蝕刻的所述半導(dǎo)體晶片面進(jìn)行濕蝕刻，進(jìn)行加工使所述槽的角部圓滑。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻是將所述背研磨的半導(dǎo)體晶片的面朝上，從上方把藥液滴到該半導(dǎo)體晶片上，使該半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)，將藥液擴(kuò)散到整個(gè)該半導(dǎo)體晶片上，而進(jìn)行濕蝕刻加工。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻是將所述蝕刻的所述半導(dǎo)體晶片面朝上，從上方將藥液滴至該半導(dǎo)體晶片，使該半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)，將藥液擴(kuò)散到整個(gè)該半導(dǎo)體晶片上，而進(jìn)行濕蝕刻加工。
5.如權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻與切換所述半導(dǎo)體晶片的旋轉(zhuǎn)方向同時(shí)進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻通過(guò)CMP處理所述背研磨后的半導(dǎo)體晶片面降低表面粗糙度。
7.如權(quán)利要求1，3，6中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，利用所述濕蝕刻除去所述背研磨后的半導(dǎo)體晶片面上附著的異物。
8.如權(quán)利要求2或4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，利用所述濕蝕刻，除去所述蝕刻后的半導(dǎo)體晶片面上附著的異物。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片上，介由絕緣膜以鄰接的半導(dǎo)體元件的邊界為中心形成一對(duì)第一配線(xiàn)的工序；介由粘接劑粘接支撐板覆蓋所述第一配線(xiàn)的工序；對(duì)與粘接有所述支撐板的面相對(duì)的所述半導(dǎo)體晶片的面進(jìn)行背研磨的工序；通過(guò)對(duì)所述背研磨后的半導(dǎo)體晶片面進(jìn)行濕蝕刻降低表面粗糙度的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括對(duì)所述背研磨后的半導(dǎo)體晶片面或者所述濕蝕刻后的所述半導(dǎo)體晶片的面利用保護(hù)層布線(xiàn)圖案進(jìn)行將該保護(hù)層做成掩膜的濕蝕刻，沿著所述半導(dǎo)體元件的邊界線(xiàn)形成槽的工序；對(duì)含有所述槽的所述蝕刻的半導(dǎo)體晶片面，通過(guò)進(jìn)行濕蝕刻，使該槽的角部圓滑的工序。
11.如權(quán)利要求1，2，9，10中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻通過(guò)將所述半導(dǎo)體晶片浸在藥液中的浸漬處理進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求1，2，9，10中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，代替所述濕蝕刻，采用干蝕刻。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。其在形成有第一配線(xiàn)(3)的半導(dǎo)體晶片(1a)的表面上介由樹(shù)脂(5)粘接成為支撐板的玻璃基板(4)。背研磨與粘接有該基板(4)的面相對(duì)的面，使半導(dǎo)體晶片(1a)的厚度變薄。這時(shí)，為除去由背研磨處理產(chǎn)生的劃痕帶來(lái)的半導(dǎo)體晶片(1a)面內(nèi)的凹凸進(jìn)行濕蝕刻處理。然后對(duì)與粘接有玻璃基板(4)的面相對(duì)的面進(jìn)行蝕刻，使沿著邊界S的區(qū)域形成帶有錐度的槽。為了圓滑該蝕刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部進(jìn)行濕蝕刻。通過(guò)上述濕蝕刻處理，背研磨后，提高形成蝕刻后形成的絕緣膜、配線(xiàn)、保護(hù)膜的包覆性，從而提高半導(dǎo)體裝置的有效利用率和可靠性。
文檔編號(hào)H01L21/78GK1591789SQ20041000662
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月25日
發(fā)明者鈴木彰, 野間崇, 篠木裕之, 高尾幸弘, 石部真三, 大塚茂樹(shù), 山口惠一 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社