專利名稱：利用磁力的可拆卸模版窗口和支撐框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及光刻系統(tǒng)，并且更具體地說，涉及安裝模版和薄膜(pellicles)的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中，利用光刻和光學(xué)印刷技術(shù)。在光刻法中，模版上包含的圖像被投射到在其上有光致抗蝕劑的晶片上。該模版或掩模被用于將所需圖像轉(zhuǎn)移至硅片上。該半導(dǎo)體晶片表面涂有光致抗蝕劑以使圖像蝕刻在晶片上面。薄膜與模版組合被用于保護(hù)模版表面不受損壞，并且防止碎片使圖像變形。該薄膜通常被安裝到固體框上固定至模版。
用于光刻中某一波長(zhǎng)的光易于被大氣中的氧氣吸收。因此，當(dāng)這種氧-敏感的光波長(zhǎng)被用于光刻中時(shí)，它們必須通過無氧的大氣被傳送。
光刻系統(tǒng)通常位于凈室環(huán)境中。在某些情況下，不能清除凈室中的大氣中的氧氣，因?yàn)檫@可能在光刻法中導(dǎo)致其它的問題。例如，用于光刻系統(tǒng)的激光干涉儀可能對(duì)空氣折射率的變化敏感，而空氣折射率的變化可能隨著無氧大氣的變化而發(fā)生。因此，無氧的環(huán)境可能必須被嚴(yán)格限制在低于整個(gè)光刻系統(tǒng)下。對(duì)于在含氧環(huán)境中具有高吸收的光波長(zhǎng)而言，所需要的是一種傳送介質(zhì)。
薄膜通常被安裝在與對(duì)應(yīng)的模版相對(duì)的框架上。因此，在模版和薄膜間可能存在氣隙。并且，在157nm的曝光波長(zhǎng)下沒有能用于保護(hù)已制作圖案的模版表面不受微粒污染的已知膜材料?，F(xiàn)在，優(yōu)選的替代辦法是使用通過框架與模版分隔的薄熔融石英玻璃窗口。通常該框架同時(shí)連接至模版和窗口上。另一方面，如果該窗口和框架都是熔融石英玻璃，并且配合面足夠平，則該模版、框架和窗口可以依靠分子力不用粘結(jié)劑而“接觸”在一起，以將表面結(jié)合在一起。然而，將模版、薄膜和框架用容易的方式連接在一起的問題依然存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及能基本上排除相關(guān)技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)問題和缺點(diǎn)的一種利用磁力的可拆卸模版窗口和支撐框架。
本發(fā)明的一種實(shí)施方式包括用以在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對(duì)面的框架、用磁耦合連接至第一相對(duì)面的模版。薄膜利用磁耦合連接至第二相對(duì)面。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明中進(jìn)行陳述，并且部分將從說明中弄清楚，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐弄清楚。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將通過本文中書面說明書和權(quán)利要求書以及附圖中的結(jié)構(gòu)和特別說明中認(rèn)識(shí)并獲得。
要理解前面所述的概要和隨后的具體說明是示范性和說明性的，并且意在提供如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


所包含的

本發(fā)明的實(shí)施例并且被結(jié)合進(jìn)而構(gòu)成此說明書的一部分，并與說明一起說明本發(fā)明的實(shí)施方式，以說明本發(fā)明的原理。在圖中圖1是表示常規(guī)光刻系統(tǒng)中的光路的相關(guān)部分的框圖；圖2是表示本發(fā)明的光刻系統(tǒng)中的光路的相關(guān)部分的框圖；圖3表示按照本發(fā)明的一種實(shí)施方式的模版和薄膜與多孔框架的裝配分解圖；圖4表示本發(fā)明的一實(shí)施例的操作；圖5表示模版-框架-薄膜裝配的另一視圖；圖6A-6B表示本發(fā)明的磁耦合的一種實(shí)施方式；
圖7A-7B表示本發(fā)明的磁耦合的另一實(shí)施方式。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，實(shí)例表示在附圖中。
“環(huán)境空氣”指含氧空氣，如通常的大氣。例如，“環(huán)境空氣”可指在含氧凈室大氣或環(huán)境中的空氣。
“凈化氣”指不含氧氣或某種其它不需要?dú)怏w的氣體，并且用于填充被凈化的氣隙或空間。
圖1表示常規(guī)光刻系統(tǒng)100的相關(guān)部分。常規(guī)光刻系統(tǒng)100位于環(huán)境空氣或氣體環(huán)境中。為簡(jiǎn)潔起見，常規(guī)光刻系統(tǒng)的某些部分沒有在圖1中表示出來，例如光源光學(xué)系統(tǒng)、投射光學(xué)系統(tǒng)等。
常規(guī)光刻系統(tǒng)100由照射源102、模版104、框架106、薄膜108，和半導(dǎo)體晶片110組成。照射源102包括一個(gè)輻射源，用于利用模版104上的圖案對(duì)半導(dǎo)體晶片110的表面曝光。模版104包括一個(gè)有圖案的掩模，該圖案通過來自照射源102的輻射轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片110的表面?？蚣?06是將模版和薄膜裝配在上面的常規(guī)的固體框?？蚣?06含有氣隙112。氣隙112在模版104和薄膜108間的框架106的內(nèi)部形成。薄膜108是一個(gè)潔凈覆蓋層用以保護(hù)模版104不受微粒損壞。
半導(dǎo)體晶片110是一種半導(dǎo)體晶片，其表面通過照射源102的輻射被曝光及蝕刻以具有模版104上的圖案。
照射源102產(chǎn)生輻射114。輻射114經(jīng)過模版104、框架106、氣隙112，和薄膜108傳輸?shù)桨雽?dǎo)體晶片110的表面。當(dāng)輻射114包括被氧氣吸收的光波長(zhǎng)時(shí)，在氣隙112中的氧氣可能會(huì)至少吸收這些光波的一部分，可能阻止足夠量的輻射114到達(dá)半導(dǎo)體晶片110的表面。這種吸收可能導(dǎo)致傳送模版104上的圖案到半導(dǎo)體晶片110的表面的輻射不足，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量下降。
圖2說明按照本發(fā)明一種實(shí)施方式的示例的光刻系統(tǒng)200。光刻系統(tǒng)200位于環(huán)境空氣環(huán)境中。光刻系統(tǒng)200保持在模版和薄膜間的凈化氣環(huán)境用以傳送對(duì)氧敏感的光波。
光刻系統(tǒng)200由照射源202、模版104、多孔框架206、薄膜108，和半導(dǎo)體晶片110組成。
照射源202包括用于曝光半導(dǎo)體晶片110表面的輻射源。照射源202可以包括任何適合曝光半導(dǎo)體晶片表面的可用輻射源，包括激光。照射源202發(fā)射輻射214。輻射214可能包括任何種類的適合的輻射，包括激光。輻射214可能包括適合曝光及蝕刻半導(dǎo)體晶片的氧-敏感光波。例如，這種光波可能包括波長(zhǎng)為157nm的光。
模版104接收輻射214。模版104包括有圖案的掩模，該圖案通過來自照射源202的輻射214被轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片110的表面。
多孔框架206接收已通過模版104的輻射214。模版104被安裝至多孔框架206。多孔框架206包含允許空氣流過但阻擋微粒污染物通過的多孔材料。
薄膜108接收已經(jīng)通過多孔框架206的輻射214。薄膜108被安裝至多孔框架206。模版104與薄膜108成光學(xué)校直。
輻射214透過模版104、多孔框架206、凈化氣隙112，和薄膜108傳輸至半導(dǎo)體晶片110。半導(dǎo)體晶片110接收輻射光214。半導(dǎo)體晶片110包括被照射源202發(fā)射出的輻射214曝光并以模版104上的圖案蝕刻的表面。
多孔框架206包含氣隙112。氣隙112在模版104和薄膜108間的多孔框架206的內(nèi)部形成。用不含氧氣的凈化氣，例如氮?dú)獬錆M氣隙112，因此不干涉輻射214中的氧-敏感波長(zhǎng)。多孔框架206還可防止微粒污染物進(jìn)入氣隙112并損壞模版104。多孔框架206有足夠高的孔隙率以允許氣體自多孔框架206包含的氣隙112中傳到多孔框架206的外部。
由于多孔框架206允許氣體流入和流出，在靜態(tài)模式中，多孔框架206使氣隙112中的壓力與大氣壓相符，消除模版104和/或薄膜108的變形。參看以引用方式結(jié)合在本文中的2002年12月9日提交的第6239863號(hào)美國(guó)專利與第10/314491號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)。
光刻系統(tǒng)200為由照射源202發(fā)出的輻射214提供凈化氣光路。因此，照射源202可以在不經(jīng)受由氧吸收引起的顯著衰減的條件下，傳輸氧敏感光波。
上文說明在示例光刻環(huán)境中的本發(fā)明的具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版。本發(fā)明并不限于這種環(huán)境，并適用于另外的光刻環(huán)境和非光刻環(huán)境。這里給出的實(shí)施例，目的是為了說明，而不是限制。根據(jù)這里所包含的示教，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價(jià)物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
下文說明按照本發(fā)明的具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的實(shí)施例。這里所說明的實(shí)施例，目的是為了說明而不是限制。本發(fā)明適用于需要具有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的任何應(yīng)用。
圖3的分解圖表示按照本發(fā)明的凈化的薄膜至模版氣隙裝置300的實(shí)施例。凈化的薄膜至模版氣隙裝置300包括模版104、多孔框架206、薄膜108、和氣隙112、凈化氣供應(yīng)接口316，和真空源接口318。
多孔框架206包括第一表面320和第二表面322(位于多孔框架206的與第一表面320相對(duì)側(cè)，在圖3中不可見)。第一表面320和第二表面322基本上互相平行。多孔框架206由一種多孔過濾材料構(gòu)成。多孔框架206的多孔過濾材料允許氣體的傳送，但阻止微粒的傳送。這些微?？赡馨諝庵械奈⒘?、灰塵、由光刻工藝產(chǎn)生的微粒、和由其它源產(chǎn)生的微粒。在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架206基本上為矩形。在替代實(shí)施方式中，多孔框架206可以包括其它形狀，例如圓形、橢圓形和不規(guī)則形狀。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架206由一種以上的金屬制成。舉例說來，多孔框架206可以包含鐵、銅、青銅、鎳、鈦或其它金屬，或選自以上金屬構(gòu)成組中金屬的組合或其合金。多孔框架206包含通過孔成形方法在金屬中形成的孔隙。舉例說來，多孔框架206可以由通過燒結(jié)而在它們的接觸點(diǎn)被結(jié)合的金屬粉?；蚪z制成，燒結(jié)可以在微?；蚪z之間產(chǎn)生連續(xù)、明確的孔隙網(wǎng)絡(luò)。燒結(jié)技術(shù)通常將兩種以上的起初分離的微粒在低于熔點(diǎn)的溫度下焊接在一起并在微粒之間生成接觸區(qū)。形成孔隙的其它方法也在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)?？紫抖然蚩讖酱笮】梢酝ㄟ^加工過程控制，并且可以根據(jù)逐個(gè)應(yīng)用而確定。舉例說來，孔隙度可以被規(guī)定微米級(jí)，或微米的分?jǐn)?shù)級(jí)。但是，本發(fā)明并不限于這些孔隙度值。許多供應(yīng)商可能供應(yīng)按照燒結(jié)及其它技術(shù)制造的適當(dāng)多孔金屬。這些供應(yīng)商包括Michigan州Auburn Hills的GKNSinter Metals公司和California州Gardena的Capstan Permaflow股份有限公司。
薄膜108被連接至多孔框架206的第一表面320。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的那樣，薄膜108可以包含一種玻璃、膜或其它材料(盡管目前使用157nm的膜有困難)。薄膜108被連接或固定至第一表面320，以使氣隙112在第一表面320處被完全封閉。此外，薄膜108被固定至第一表面320，以使在薄膜108和第一表面320的接口處形成實(shí)質(zhì)上的氣密密封。
模版104被連接至多孔框架206的第二表面322。模版104被連接或固定至第二表面322，以使氣隙112在第二表面322處被完全封閉。此外，模版104被固定至第二表面322，以使在模版104和第二表面322的接口處形成實(shí)質(zhì)上的氣密密封。模版104與第二表面322被以本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的方式固定。
薄膜108、模版104和多孔框架206組合形成實(shí)質(zhì)上的氣密氣隙112，其中氣體僅流經(jīng)多孔框架206的材料。在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架206的多孔過濾材料能夠允許氣體的傳送而同時(shí)阻止微粒污染物的進(jìn)入。
與模版104和薄膜108裝配的“可呼吸的”多孔框架206可以或者被允許保持靜態(tài)(即對(duì)周圍環(huán)境開放)，或者被連接至如上所述的外部增壓凈化氣源。凈化氣供應(yīng)接口316連接多孔框架206及凈化氣源。凈化氣供應(yīng)接口316連接多孔框架206的第一框架端面324。凈化氣供應(yīng)接口316優(yōu)選將凈化氣從凈化氣源提供給第一框架端面324。凈化氣從凈化氣供應(yīng)接口316通過第一框架端面324的孔隙注入氣隙112。在替代實(shí)施方式中，凈化氣供應(yīng)接口316為多孔框架206中的第一端口、孔或閥，用以通過多孔框架206提供凈化氣并進(jìn)入氣隙112。
真空源接口318連接多孔框架206與真空源。真空源接口318連接至多孔框架206的第二框架端面326。如圖3所示，第二框架端面326位于多孔框架206的與第一框架端面324相對(duì)側(cè)(在圖3中不可見)。在替代實(shí)施方式中，第二框架端面326可以位于不與第一框架端面324相對(duì)的框架206的側(cè)面上。真空源接口318最好通過第二框架端面326從氣隙112中排空或去除凈化氣。在替代實(shí)施方式中，真空源接口318為多孔框架206中的第二端口、孔或閥，用以從氣隙112中更直接地排空或去除凈化氣。
在正常操作中，多孔框架206具有四個(gè)外露表面第一框架端面324、第二框架端面326、第三框架端面328和第四框架端面330(與第三框架端面328相對(duì)，在圖3中不可見)。在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架206的所有外露表面為多孔狀，并允許氣體從氣隙112通入和通出。在替代實(shí)施方式中，第一框架端面324和第二框架端面326為多孔框架206的僅有的多孔外露表面。這在本發(fā)明的動(dòng)態(tài)應(yīng)用中特別有用，允許多孔框架206在第一框架端面324和第二框架端面326處被分別連接至凈化氣源和真空源，而沒有漏氣的其余外露表面。
凈化氣可以通過凈化氣供應(yīng)接口316進(jìn)入該裝置，并可以通過真空源接口318從該裝置排空，以產(chǎn)生凈化氣沿氣隙112的連續(xù)流。平衡通過氣隙112的凈化氣流，使其壓力等于大氣壓，以消除模版104和/或薄膜108的變形。
以上說明本發(fā)明的帶有凈化的薄膜至模版氣隙的模版的實(shí)施例。本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。這里提出的這些實(shí)施例，目的是說明，而不是限制。根據(jù)這里所包含的示例內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價(jià)物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
本節(jié)中提出與上述結(jié)構(gòu)和/或?qū)嵤┓绞较嚓P(guān)的示例操作和/或結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。這里提出的這些部件和方法，目的是說明，而不是限制。本發(fā)明并不限于這里所述的部件和方法的特定實(shí)施例。根據(jù)這里所包含的示例內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白替代方案(包括所說明的內(nèi)容的等價(jià)物、延伸、改變、偏移等)。這種替代方案處于本發(fā)明的領(lǐng)域和精神內(nèi)。
圖4表示本發(fā)明的一實(shí)施例的操作。圖4表示多孔框架模版/薄膜組件404、凈化氣源416和真空源418。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400包括模版、多孔框架、和薄膜，例如圖3所示的模版104、多孔框架206和薄膜108。多孔框架模版/薄膜組件400還包括氣隙112。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400保持對(duì)模版臨界表面上的機(jī)械微?？刂?，同時(shí)允許連續(xù)凈化氣或空氣環(huán)境流入氣隙112。此外，多孔框架模版/薄膜組件400標(biāo)準(zhǔn)化氣隙112中的壓力，有效消除由大氣壓變化引起的模版或薄膜的變形。
在具體實(shí)施方式
中，多孔框架206的多孔過濾材料能夠允許氣體的傳送而同時(shí)阻止微粒污染物的進(jìn)入。此“可呼吸的”多孔框架模版/薄膜組件400可以被允許保持靜態(tài)(即對(duì)周圍環(huán)境開放)。在靜態(tài)實(shí)施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400不被連接至凈化氣源416或真空源418。環(huán)境空氣可以被允許通過多孔框架模版/薄膜組件400進(jìn)入氣隙112，如在示例環(huán)境空氣流動(dòng)路徑420中。但是，在下面所述的優(yōu)選實(shí)施方式中，凈化氣的連續(xù)流被注入氣隙112以防止環(huán)境空氣進(jìn)入氣隙112。
多孔框架模版/薄膜組件400也可以在動(dòng)態(tài)環(huán)境中操作。在動(dòng)態(tài)實(shí)施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400可以被連接至凈化氣源416。凈化氣源416通過多孔框架模版/薄膜組件400的多孔框架供應(yīng)凈化氣至氣隙112。進(jìn)入氣隙112的凈化氣被表示為插入凈化氣流422。凈化氣源416的適用的供氣系統(tǒng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知。
此外，在動(dòng)態(tài)實(shí)施方式中，多孔框架模版/薄膜組件400可以被連接至真空源418。真空源418通過多孔框架模版/薄膜組件400的多孔框架從氣隙112中去除凈化氣和/或環(huán)境空氣(如果有的話)。從氣隙112去除的凈化氣被表示為去除氣流424。用作真空源418的適用真空系統(tǒng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知。
圖5表示本發(fā)明實(shí)施例的另一說明。如圖5所示，利用例如通過磁涂層所產(chǎn)生的磁耦合，框架106被連接至模版104和薄膜108。注意在157納米下使用的通常由熔融石英玻璃制成的薄膜的典型厚度為約0.8mm。如圖5所示，模版104和薄膜108的中央?yún)^(qū)域(圖案區(qū)域)通常專用于模版圖案(或者在薄膜108的情況下被清除)。中央?yún)^(qū)域的典型尺寸為約長(zhǎng)100mm寬120mm。整個(gè)模版104和薄膜108的典型尺寸為大約150mm的方形。圍繞中央圖案區(qū)域的“暗區(qū)”可以被用于在模版104和薄膜108上沉積磁涂層?？梢栽诳蚣?06上沉積高磁導(dǎo)率涂層，以便耦合至形成模版104和薄膜108上涂層的高Hc材料。在本文中，高Hc材料是一種矯頑力值至少為1,000奧斯特、并更優(yōu)選至少為5,000或10,000奧斯特的材料。
注意使用多孔框架106不是本發(fā)明的必要條件，以可以使用一種固體(例如石英玻璃框架106)，采用其它用于凈化薄膜108和模版104間的空間的裝置。
耦合強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上與磁場(chǎng)強(qiáng)度的平方成比例。模版104和薄膜108上的高Hc涂層一旦被磁化就成為永磁鐵?？梢杂米鞲逪c涂層的材料示例包括陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鎳合金、釹鐵硼合金、釤鈷和釤鈷合金、鋁鎳合金、釩合金、鈷合金、鎳釩鈷合金等等，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所清楚的那樣。
框架106上的涂層最好由高磁導(dǎo)率材料制成，以使該涂層在不飽和的情況下承載高磁通量，并在被磁化時(shí)保持高磁通量。因此，在高Hc材料與高磁導(dǎo)率涂層之間形成磁路。高磁導(dǎo)率材料的示例包括軟鐵及軟鐵合金、和鎳鐵合金。對(duì)本說明而言，高磁導(dǎo)率指能夠使用至少10、并優(yōu)選至少100的磁導(dǎo)率承載優(yōu)選至少1,000高斯的磁通量密度。
圖6A表示由高磁導(dǎo)率涂層601和高Hc涂層602形成的磁路，如上所述涂層被放置在模版104和框架106上。類似地，圖6B表示被放置在框架106上的高Hc涂層602，和被放置在薄膜108上的高磁導(dǎo)率涂層601。應(yīng)該理解兩圖中的涂層601和602可以被反轉(zhuǎn)，只要保持它們的相對(duì)布置。
在圖6A和6B中可以進(jìn)一步看到，高Hc涂層602包括多個(gè)磁化區(qū)域603A、603B、603C，以便與高磁導(dǎo)率涂層601結(jié)合形成磁路。高Hc涂層602應(yīng)該最好被磁化成交變磁場(chǎng)方向的高空間頻率圖案。區(qū)域603的典型尺寸應(yīng)該為橫向尺寸與涂層602的厚度的處于相同數(shù)量級(jí)。因此，對(duì)于.5微米厚的涂層602而言，區(qū)域603的橫向尺寸(寬度)應(yīng)該最好不超過幾微米。
圖7A和7B與圖6A和6B類似，但表示一種高Hc涂層已經(jīng)被圖案化為“條”703A、703B、703C的實(shí)施方式。因此，代替高磁化交變區(qū)域(圖6A和6B中的603)，圖7A和7B中的“條”703之間的區(qū)域保持為空。
也應(yīng)該理解與高Hc性質(zhì)相關(guān)的磁滯以有助于保持取向，因?yàn)榇篷詈戏乐乖舜讼鄬?duì)滑動(dòng)。磁耦合允許使用凸點(diǎn)(或接合點(diǎn)中的脊)，從而減少接合點(diǎn)(框架106、薄膜108和模版104的耦合位置)處的耦合力矩，導(dǎo)致變形減少。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)是各元件可以非常容易地被拆卸和裝配，而僅需要最小的力。
裝配過程相對(duì)較快，并且易于逆操作。由于磁力在一定距離處起作用，輕微的凸點(diǎn)或脊可以被用于最小化模版104、框架106和薄膜108之間的接合處的耦合力矩。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解，在不偏離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和領(lǐng)域的前提下，可以做出各種形式和內(nèi)容上的改變。因此，本發(fā)明的范圍和領(lǐng)域?qū)⒉幌抻谏鲜鋈魏螌?shí)施例，而是應(yīng)該僅按照權(quán)利要求書及其等價(jià)物被限定。
權(quán)利要求
1.一種用于在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對(duì)面的框架；利用磁耦合被連接至所述第一相對(duì)面的模版；和利用磁耦合被連接至所述第二相對(duì)面的薄膜。
2.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第一相對(duì)面包含高磁導(dǎo)率涂層。
3.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第二相對(duì)面包含高磁導(dǎo)率涂層。
4.如權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層包含選自由軟鐵、鎳鐵、和鎳鐵合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
5.如權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層承載至少1,000高斯的磁通量，并在1,000高斯下保持至少100的磁導(dǎo)率。
6.如權(quán)利要求4的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對(duì)面的所述高磁導(dǎo)率涂層。
7.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對(duì)面的所述高磁導(dǎo)率涂層。
8.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括選自由陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鈷合金、鎳合金、釩合金、釤鈷合金、釤鈷、鋁鎳合金、鎳鐵合金、釹鐵硼合金和釩鈷合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
9.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括交變磁場(chǎng)方向的高空間頻率圖案。
10.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述高Hc具有至少為1,000奧斯特的數(shù)值。
11.如權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述Hc具有至少為5,000奧斯特的數(shù)值。
12.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第一相對(duì)面包含高Hc涂層。
13.如權(quán)利要求12的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對(duì)面的所述高Hc涂層。
14.如權(quán)利要求12的設(shè)備，其中所述高Hc涂層被制作成條狀圖案。
15.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第二相對(duì)面包含高Hc涂層。
16.如權(quán)利要求15的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一相對(duì)面的所述高Hc涂層。
17.如權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述框架包括嵌入的永磁鐵。
18.一種用于在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含框架；利用磁耦合被連接至所述框架的第一側(cè)的模版；和利用磁耦合被連接至所述框架的第二側(cè)的薄膜。
19.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第一側(cè)包含高磁導(dǎo)率涂層。
20.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第二側(cè)包含高磁導(dǎo)率涂層。
21.如權(quán)利要求20的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層包含選自由軟鐵、鎳鐵、和鎳鐵合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
22.如權(quán)利要求20的設(shè)備，其中所述高磁導(dǎo)率涂層承載至少1,000高斯的磁通量，并在1,000高斯下保持至少100的磁導(dǎo)率。
23.如權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高磁導(dǎo)率涂層。
24.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高Hc涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高磁導(dǎo)率涂層。
25.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括選自由陶瓷鐵氧體、鋇鐵氧體、鈷合金、鎳合金、釩合金、釤鈷合金、釤鈷、鋁鎳合金、鎳鐵合金、釹鐵硼合金和釩鈷合金構(gòu)成組中的任何一種材料。
26.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述高Hc涂層包括交變磁場(chǎng)方向的高空間頻率圖案。
27.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述高Hc具有至少為1,000奧斯特的數(shù)值。
28.如權(quán)利要求25的設(shè)備，其中所述Hc具有至少為5,000奧斯特的數(shù)值。
29.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第一側(cè)包含高Hc涂層。
30.如權(quán)利要求29的設(shè)備，其中所述模版包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高Hc涂層。
31.如權(quán)利要求29的設(shè)備，其中所述高Hc涂層被制作成條狀圖案。
32.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述第二側(cè)包含高Hc涂層。
33.如權(quán)利要求32的設(shè)備，其中所述薄膜包括圖案區(qū)域外的高磁導(dǎo)率涂層，用于耦合至所述框架的所述第一側(cè)的所述高Hc涂層。
34.如權(quán)利要求18的設(shè)備，其中所述框架包括嵌入的永磁鐵。
全文摘要
一種用以在光刻系統(tǒng)中保持薄膜和模版間的光學(xué)縫隙的設(shè)備，該設(shè)備包含確定第一和第二相對(duì)面的框架，利用磁耦合被連接至第一相對(duì)面的模版，和利用磁耦合被連接至第二相對(duì)面的薄膜。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1534382SQ20041000205
公開日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月9日
發(fā)明者丹尼爾·N·加爾伯特, 丹尼爾 N 加爾伯特 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司