專利名稱：用于設(shè)備處理系統(tǒng)的高溫高強(qiáng)度可著色材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)包括用于計(jì)算機(jī)和電子元件處理過程中的有色制品的公開說明，這些制品例如，基片載體、半導(dǎo)體托盤、矩陣托盤、以及磁盤處理盒之類。
背景技術(shù)：
利用小元件制造電子設(shè)備的裝配線通常很復(fù)雜。因此需要載體設(shè)備例如讀/寫頭托盤，磁盤處理載體，芯片托盤，以及矩陣托盤來容納這些小元件作為裝配過程的一部分。該載體設(shè)備在裝備過程中很有用，在儲(chǔ)存和運(yùn)輸這些小元件過程中也一樣。許多載體必須防止任何靜電放電(ESD)對(duì)元件的損害。載體是通過將容納元件的表面制成導(dǎo)電性表面而制成防ESD危害的。導(dǎo)電性表面使靜電耗散掉以便靜電荷不會(huì)堆積在元件表面上。
元件通常都很小而且顏色深，因此如果載體是深色的話就難以看清。深顏色造成難以判斷元件在載體上的存在并將他們從載體中移出，尤其當(dāng)機(jī)器視覺處于使用中時(shí)。
常規(guī)的載體裝置是由聚合物與不銹鋼材料或者諸如炭黑或碳纖維的碳化合物混合得到的材料制成的。不銹鋼或者碳有時(shí)被稱為填料，因?yàn)樗ㄟ^將聚合物制成導(dǎo)電的防ESD材料而填補(bǔ)了聚合物的電性能。不銹鋼材料具有導(dǎo)電性，高溫下表現(xiàn)優(yōu)良，并且會(huì)生成深灰色。而且，不銹鋼難以與聚合物混合得到均勻分布的不銹鋼。沒有均勻分布的話，材料更容易具有小絕緣點(diǎn)危及材料的防ESD性能。此外，不銹鋼具有的磁性性質(zhì)有可能會(huì)損害一些種類的元件。而且不銹鋼制材料需要高濃度的顏料使他們顏色變淺或染以不同的顏色，這樣該材料的其它性質(zhì)也許會(huì)受到損害。碳填料的使用會(huì)使載體顏色很深或呈黑色，因?yàn)橛行Я康奶紝⒃撍芰匣旌衔锝境缮钌?br> 發(fā)明簡(jiǎn)述解決這些問題可通過使用少量使用或者不用不銹鋼和/或碳填料的載體。可以使用金屬氧化物填料作為這些填料的替代物。載體優(yōu)選由高溫高強(qiáng)度的聚合物與金屬氧化物制得的材料制成。有利的是，該材料具有可著色性。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案為一種載體，至少部分該載體包括用來容納元件的防靜電放電危害表面，該表面由至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物和至少一種金屬氧化物的混合物制成。載體例子有讀/寫頭托盤，磁盤處理盒，芯片托盤，以及矩陣托盤。材料的顏色明度可以在CIEL*a*b*坐標(biāo)中測(cè)量并賦以L值(見以下討論)，例如大于大約40。
另一個(gè)實(shí)施方案是一種用于容納電子元件的制品，其具有接觸并支持電子元件的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)防靜電放電危害表面。該表面具有至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物和至少一種金屬氧化物的混合物，并且L值大于大約40或大約55。該制品可以是，例如磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，或者基片載體。
另一個(gè)實(shí)施方案是一套用于電子元件處理過程的著色載體套件，該套件包括至少兩小套著色載體，其中每個(gè)著色載體包括防靜電放電危害的表面。每個(gè)小套的小套顏色與其它小套的顏色相區(qū)分開。其表面由高溫高強(qiáng)度聚合物與金屬氧化物以及任選的顏料制成。該載體可以為，例如磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，或者基片載體。
另一個(gè)實(shí)施方案是一種用于處理電子元件的方法，該方法包括將電子元件放置在著色載體的防靜電放電危害表面上，該表面包括至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物，至少一種金屬氧化物，以及任選的至少一種顏料的混合物。該載體可以為，例如磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，或者基片載體。
另一個(gè)實(shí)施方案是一種用于制造電子處理用的制品的方法，該方法包括模制具有防靜電放電危害表面的載體，該表面包含高溫高強(qiáng)度聚合物和導(dǎo)電性填料，L值至少為大約40或大約55，電阻率范圍在103至1014歐姆每平方，其中該表面比小于大約0.03英寸每英寸的平均值更平。該載體可以為，例如磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，或者基片載體。
另一個(gè)實(shí)施方案是一種用于容納電子元件的載體，該制品包括用于接觸并支持電子元件例如基片的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含至少一個(gè)防靜電放電危害表面，其包含至少一種高溫高強(qiáng)度的聚合物和至少一種金屬氧化物的混合物，其中該表面的L值大于大約40或大約55，并且其中該載體不含有非金屬氧化物顏料。該載體可以為，例如磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，或者基片載體。
附圖簡(jiǎn)述

圖1描繪了對(duì)于特定實(shí)施方案的1976年版CIE L*a*b*空間和L值的坐標(biāo)系統(tǒng)；圖2描繪了用于容納電氣元件的多格子托盤；圖3描繪了從圖2的3-3線觀察到的圖2中的橫截面；以及圖4描繪了堆疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)圖2的托盤。
圖5標(biāo)繪了磁盤處理盒的頂視圖；圖6描繪了圖5的磁盤處理盒的側(cè)視圖；圖7描繪了芯片托盤的透視圖；圖8描繪了圖7的芯片托盤的頂視圖；圖9描繪了沿圖8的芯片托盤A-A線的截面圖；圖10描繪了圖8的芯片托盤的側(cè)視圖；圖11描繪了芯片托盤的透視圖。
優(yōu)選實(shí)施方案詳述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案為一種淺色的防ESD危害載體，其由高溫高強(qiáng)度聚合物制成，并含有金屬氧化物填料。在一些實(shí)施方案中，該金屬氧化物填料包括陶瓷。
材料顏色的明度可以用國(guó)際照明委員會(huì)(CommissionInternationale d’Eclairage)的L*a*b*顏色體系(CIELab，見K.McLaren的The Development of the CIE 1976(L*a*b*)Uniform Colour-Spaceand Colour-Difference Formula，J.Society of Dyers and Colourists，92338-341(1976)和G.A.Agoston，Color Theory and Its Applicationin Art and Design，Hedelberg，1979)來客觀地定量。如圖1所示，1976年版的CIE L*a*b*體系賦予了每種顏色在三坐標(biāo)軸上的位置。L為明度衡量值，取值范圍從0(黑)至100(白)。在此“L”用于1976年版的CIE L*a*b*體系在其它地方可用L*代表與此處的“L”同樣的值。a*軸表示紅或綠色彩的量，b*軸表示黃或藍(lán)色彩的量。因而“a*”和“b*”取值都為0表示為一種均衡的灰色。由于CIELab體系不依賴于設(shè)備，所以其對(duì)于計(jì)算機(jī)成像應(yīng)用來說是一種通用的選擇。使用標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試來測(cè)量CIELab值對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是常用的，例如利用反射計(jì)。例如，由MN州Minneapolis的Photovolt Instruments，Inc.生產(chǎn)的(Photovolt 577型)和NJ州Ramsey的Minolta公司生產(chǎn)的(Minolta CM 2002型)反射計(jì)。這樣L成為一個(gè)客觀的可定量的并且可以再現(xiàn)的任意顏色的明度橫量值。
參見圖1，此處給出了具有的L值范圍在基本為0至大約100的材料的特定實(shí)施方案。例如通過混合聚合物與炭黑以得到接近于0的L值可獲得一種非常深，以至接近于黑色的顏色。而可以加入白色顏料，例如鈦氧化物，來獲得一種接近于100的近乎白色。具有淺顏色適于用作電子元件處理過程支持物的防靜電放電危害材料的一個(gè)實(shí)例為，將聚醚醚酮與大約為54重量％的摻雜銻的氧化錫導(dǎo)電性材料混合，其L值為64.9，見圖1中的“65”處，是采用輸出程序?yàn)镃IELab體系的反射分光光度計(jì)測(cè)得的。下表A表示了用同樣技術(shù)測(cè)得的多種組合物的L值。出于一致性而測(cè)量含有聚醚醚酮的樣品。也可以使用諸如此處所描述的其它聚合物。
表A含常規(guī)填料或非常規(guī)填料的組合物的L值

與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的常規(guī)處理方法相比，在此給出的特定實(shí)施方案提供了具有較高的L值的材料，同時(shí)保持了適當(dāng)?shù)臋C(jī)械和防靜電放電危害的導(dǎo)電特性。而且，特定實(shí)施方案保留了可塑性的特征，例如平整性。這些特定實(shí)施方案的一個(gè)方面在于使用了金屬氧化物或陶瓷來達(dá)到防靜電放電危害和著色特性。這些特定實(shí)施方案的另一個(gè)方面在于使用了高溫高強(qiáng)度的聚合物。這些特定實(shí)施方案的另一個(gè)方面在于使用了各向同性的流動(dòng)顆粒。所有L值預(yù)計(jì)在大約0至大約100的連續(xù)范圍內(nèi)。特定實(shí)施方案獲得的色彩的L值為至少大約33，至少大約40，至少大約55，至少大約66，或者至少大約80。一些實(shí)施方案的色彩值落在從大約38到大約100，大約40到大約99，以及大約40到大約70的L值范圍之內(nèi)。例如，L值大于大約55的材料意味著該材料在CIELab刻度中比L值小于大約55的材料更接近于白色。如這里所述，在預(yù)期的應(yīng)用中，可調(diào)節(jié)導(dǎo)電性、聚合性、以及導(dǎo)電材料的濃度直到達(dá)到所希望的機(jī)械性、顏色或?qū)щ娦蕴匦缘慕M合。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀了這份公開說明之后可容易地實(shí)現(xiàn)這種調(diào)節(jié)。
高溫高強(qiáng)度聚合物優(yōu)選是一種具有高度耐熱和耐化學(xué)腐蝕性的物質(zhì)。該聚合物優(yōu)選耐化學(xué)溶劑N-甲基吡咯烷酮、丙酮、己酮、以及其它腐蝕性極性溶劑。高溫高強(qiáng)度聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和/或熔點(diǎn)高于大約150℃。而且，該高強(qiáng)度高溫聚合物優(yōu)選具有至少2Gpa的剛度。
高溫高強(qiáng)度聚合物的實(shí)例有聚苯醚、離聚物樹脂、尼龍6樹脂、尼龍6，6樹脂、芳香聚酰胺樹脂、聚碳酸酯、聚縮醛、聚苯硫醚(PPS)、三甲基戊烯樹脂(TMPR)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮(PEK)、聚砜(PSF)、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA)、聚醚砜(PES，也被稱為聚芳砜(PASF))、高溫?zé)o定型樹脂(HTA)、聚醚酰亞胺(PEI)、液晶聚合物(LCP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯三元共聚物(EPE)，等等。也可以使用包括這里所描述的聚合物的混合物、共混物以及共聚物。特別優(yōu)選的是PEK、PEEK、PES、PEI、PSF、PASF、PFA、FEP、HTA、LCP等等。高溫高強(qiáng)度聚合物的例子還在例如，美國(guó)專利5240753，4757126，4816556，5767198中和專利申請(qǐng)EP1178082以及PCT/US99/24295(WO00/34381)中給出了，因而在此引入作為參考。
金屬氧化物填料是一種包含金屬氧化物的導(dǎo)電性材料，可以加入高溫高強(qiáng)度聚合物中制成淺色的并具有足夠機(jī)械性質(zhì)的防ESD危害材料用作載體。金屬氧化物優(yōu)選與陶瓷混合或者涂覆于陶瓷上，例如摻雜金屬氧化物的陶瓷。這種填料通常具有較淺的顏色，使它們能用于制造淺色材料。由于它們具有較淺的顏色，就可以加入其它的顏料以賦予該材料特定的顏色。另外，陶瓷耐用，而金屬氧化物/陶瓷組合材料通常具有不依賴于濕度的導(dǎo)電特性。陶瓷是一種由金屬與非金屬元素組合的化合物構(gòu)成的材料。陶瓷包括金屬氧化物。
適合的金屬氧化物的例子如硼酸鋁、氧化鋅、堿性硫酸鎂、氧化鎂、鈦酸鉀、硼酸鎂、二硼化鈦、氧化錫、以及硫酸鈣。這些列出的氧化物只作為舉例而非意在限制本發(fā)明的范圍。美國(guó)專利6413489，6329058，5525556，5599511，5447708，6413489，5338334和5240753中給出了填料的其它例子，將其在此引入作為參考。一般來說，金屬氧化物可以根據(jù)需要用另一種金屬摻雜或者涂覆以賦予或者提高導(dǎo)電性。
一種優(yōu)選的填料是氧化錫，特別是摻銻的氧化錫，例如，由MillikenChemical公司提供的商品名為Zelec的產(chǎn)品家族。這些產(chǎn)品是小的、大致球狀和淺藍(lán)灰到淺綠灰色的。這些顏色使得可制造出各式各樣的淺色材料，包括白色。另外，摻銻的氧化錫材料可用于制造透明膜，并且具有大多數(shù)陶瓷的優(yōu)點(diǎn)，例如，不腐蝕，耐酸、堿、氧化劑、高溫和許多溶劑。
另一類優(yōu)選的填料為晶須，尤其是鈦酸鹽晶須，更優(yōu)選是鈦酸鉀和硼酸鋁晶須，其在例如美國(guó)專利5942205和5240753中有所描述，將其在此引入作為參考。術(shù)語晶須指橫截面積最高達(dá)8×10-5平方英寸、長(zhǎng)度大約至少是平均直徑的10倍的單根晶體纖維。晶須通常沒有缺陷因而比具有類似組成的多晶體更加堅(jiān)韌。因此特定的晶須填料能夠提高復(fù)合材料的強(qiáng)度以及賦予其別的特性，例如提高的剛度、抗磨損性和靜電消除性。一類優(yōu)選的晶須是由日本Otsuma Chemical公司提供的商品名為DENTALL的產(chǎn)品，這些是涂覆了氧化錫薄層的陶瓷晶須。
填料的尺寸和形狀沒有限制，可以是例如，晶須、球體、顆粒、纖維或其它形狀。填料的尺寸沒有限制，但優(yōu)選為小顆粒例如晶須或類似尺寸的球體，或者十分小的尺寸?？梢圆捎弥圃旆浅Ｐ☆w粒的技術(shù)，例如采用納米技術(shù)。
適合的金屬氧化物填料可以設(shè)置成各種結(jié)構(gòu)。例如惰性核心顆粒可以以金屬氧化物涂覆。該金屬氧化物涂層因而通過該惰性顆粒得以增量，使得產(chǎn)品比較便宜。另一選擇，可使用中空核心代替惰性顆粒?；蛘?，顆粒的尺寸可以通過省去核心而做的更小一些?；蛘?，可以用金屬氧化物摻雜陶瓷。摻雜材料具有導(dǎo)電性，并且保留了陶瓷的機(jī)械和著色特性。
金屬氧化物導(dǎo)體應(yīng)當(dāng)分散在材料中以便形成導(dǎo)體的三維交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。該網(wǎng)絡(luò)用作靜電荷導(dǎo)出的通路。金屬氧化物導(dǎo)體的濃度與材料的ESD特性相關(guān)。非常低濃度的金屬氧化物導(dǎo)體產(chǎn)生高表面電阻率。該電阻率隨著金屬氧化物導(dǎo)體濃度的增加而下降緩慢，直到當(dāng)金屬氧化物導(dǎo)體開始彼此接觸而達(dá)到“突增界限”時(shí)，再進(jìn)一步增加金屬氧化物導(dǎo)體的濃度會(huì)使電阻率迅速下降。最終，達(dá)到這樣一種陶瓷濃度，當(dāng)進(jìn)一步提高金屬氧化物導(dǎo)體濃度時(shí)不再使電阻率有顯著的降低，因?yàn)榻饘傺趸飳?dǎo)體已經(jīng)形成了最優(yōu)數(shù)目的網(wǎng)絡(luò)。典型的是，所添加材料具有的導(dǎo)電性小于所述金屬氧化物導(dǎo)體時(shí)會(huì)導(dǎo)致表面電阻率的增加。因而，顏料的添加會(huì)影響表面電阻率，但通過調(diào)節(jié)顏料和導(dǎo)體填料的含量可以制造出具有預(yù)期電阻率的組合物。
對(duì)于載體處理設(shè)備來說，例如芯片托盤、矩陣托盤、或者磁盤處理盒，采用淺色材料具有許多優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可容易看見該處理設(shè)備中的元件。機(jī)器視覺系統(tǒng)對(duì)顏色對(duì)比度很敏感，因此能夠控制處理設(shè)備的顏色是一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)，其可以有助于機(jī)器視覺的使用。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于該處理設(shè)備具有可著色性。這樣就可以對(duì)顏色進(jìn)行優(yōu)化使元件更容易被看見?；蛘卟煌愋偷奶幚硌b置可以用不同的顏色制作，使用戶可以容易地識(shí)別出不同型號(hào)和應(yīng)用的處理設(shè)備?；蛘卟煌愋突虺叽绲脑梢源娣庞诓挥妙伾奶幚碓O(shè)備中使這些元件的裝運(yùn)和使用更高效。
通過加入對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是公知的顏料來實(shí)現(xiàn)著色過程。顏料的例子包括，二氧化鈦、氧化鐵、氧化鉻綠、鐵藍(lán)、鉻綠、硫硅酸鋁、鋁酸鈷、錳酸鋇、鉻酸鉛、硫化鎘以及硒化物。如果希望成黑色的話，或者如果使所用炭黑的濃度不造成深色或黑色時(shí)，可以使用炭黑。通過使用顏料獲得的顏色可橫跨可見光的光譜，包括白色。
特定實(shí)施方案還加入了顏料從而不但獲得了預(yù)期的L值，而且獲得了特定的顏色，例如，紅、綠、藍(lán)、黃或其組合。顏料以適當(dāng)?shù)臐舛燃尤胍赃_(dá)到預(yù)期的顏色。實(shí)現(xiàn)該預(yù)期的著色過程可通過加入本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的顏料，并將它們同在此所描述的導(dǎo)電材料和聚合物混合以達(dá)到預(yù)期的顏色、導(dǎo)電性以及機(jī)械性能。顏料的例子包括，二氧化鈦、氧化鐵、氧化鉻綠、鐵藍(lán)、鉻綠、硫硅酸鋁、鋁酸鈷、錳酸鋇、鉻酸鉛、硫化鎘以及硒化物。如果希望成黑色的話，或者如果使所用炭黑的濃度不造成深色或黑色時(shí)，可以使用炭黑。通過使用顏料獲得的顏色可橫跨可見光的光譜，包括白色。
填料(們)存在的量?jī)?yōu)選足夠使載體具有的表面電阻率范圍在大約103到1014歐姆每平方，該范圍使所述表面具有防ESD危害特性；表面電阻率范圍更優(yōu)選在104到小于大約107歐姆每平方。不過，最佳電阻率范圍可取決于特定的應(yīng)用。另外，合格的芯片托盤的表面電阻率范圍通常至少在大約107至108每平方。不同的是，其它元件并不必要求同樣的電阻率。例如，合格的讀/寫頭托盤的表面電阻率范圍通常在大約104至小于大約107歐姆平方。由于必需將導(dǎo)電性材料加入聚合物以制成防ESD危害材料，所以電阻率例如在108歐姆每平方的材料比電阻率例如在104歐姆每平方的材料中的填料要更少。因而讀/寫頭托盤通常需要比芯片托盤更多的導(dǎo)電性填料。并且，該填料優(yōu)選均勻地遍布在材料中，以避免存在損害其防ESD危害特性的小絕緣點(diǎn)。此外，填料存在的濃度優(yōu)選能避免在材料中形成黑顏色，更優(yōu)選能避免在材料中形成深的顏色。常規(guī)需要用來制造防ESD危害材料的炭黑濃度會(huì)造成材料呈黑色。
常規(guī)的微芯片托盤由炭黑制成。常規(guī)需要用來制造防ESD危害材料的炭黑濃度會(huì)造成材料呈深色，而且基本上呈黑色。因而通常微芯片托盤并不優(yōu)選用作許多元件的載體，因?yàn)樵撐⑿酒斜P由于炭黑填料的存在而顏色非常深。此外，非常深的顏色對(duì)采用機(jī)器視覺的系統(tǒng)的性能優(yōu)化來說是個(gè)難題，因?yàn)樵《彝ǔ３噬铑伾?，而微芯片托盤也是深色的緣故。
合格的芯片托盤的表面電阻率范圍通常在至少大約107至108每平方。不同的是，合格的讀/寫頭托盤的表面電阻率范圍通常在大約104至小于大約107歐姆每平方。由于必需將導(dǎo)電性材料加入聚合物以制成防ESD危害的材料，所以電阻率例如在108歐姆每平方的材料比電阻率例如在104歐姆每平方的材料中的填料要更多。由于將填料提高到較高的水平存在不確定性，制造用于計(jì)算機(jī)芯片托盤的防ESD危害材料的方法并不能推定能轉(zhuǎn)用于讀/寫頭托盤。而且，用于與計(jì)算機(jī)芯片處理過程一起使用的材料，例如基片載體，必須具有非常低水平的可析出金屬離子，但這對(duì)讀/寫頭托盤材料來說并不是主要關(guān)注的問題。因而用于制造微芯片托盤的技術(shù)和方法并不適用于制造讀/寫頭托盤。
出于這些原因，制作讀/寫頭托盤的科學(xué)家已開發(fā)出與制作計(jì)算機(jī)芯片托盤的技術(shù)不同的技術(shù)。讀/寫頭托盤通常由金屬填料例如不銹鋼制成，而不是炭黑填料。不銹鋼具有導(dǎo)電性，高溫下性能優(yōu)良，并且在材料中不會(huì)造成深顏色。由于該材料的顏色不深，所以讀/寫頭可以很容易地被看到。
發(fā)明者出乎意料地發(fā)現(xiàn)了一個(gè)令人驚訝的結(jié)果，高溫高強(qiáng)度的聚合物可以與大于約40重量％的陶瓷混合從而獲得一種防ESD危害材料，而不會(huì)丟失所希望的處理特性例如可塑性和流動(dòng)性，也不會(huì)丟失所希望的機(jī)械特性例如抗壓強(qiáng)度和抗拉強(qiáng)度以及適當(dāng)?shù)膭偠?。該結(jié)果令人驚訝是因?yàn)椋M管聚合物可以與適度量的非聚合物材料混合而在最終產(chǎn)物中不丟失聚合物所希望的特性，但添加大量，即大于約40重量％的非聚合物材料，預(yù)計(jì)會(huì)導(dǎo)致最終產(chǎn)物的性質(zhì)不再與聚合物的性質(zhì)類似。金屬氧化物處理過的或摻雜了金屬氧化物的陶瓷優(yōu)選用于制造防ESD危害的材料。然而，通常需要大量的這種陶瓷，以在材料中達(dá)到所希望的導(dǎo)電性。陶瓷的優(yōu)選濃度范圍為大約40％到大約75％，更優(yōu)選的濃度范圍為大約45％到大約70％，還更優(yōu)選的范圍為大約50％到大約60％。
而且，令人驚訝的是，添加大于約40重量％的金屬氧化物和/或陶瓷到一種高強(qiáng)度高溫聚合物中可使得材料具有平整的表面，甚至更令人驚訝的是，會(huì)比用不銹鋼獲得的表面更平整。然而實(shí)際上，將金屬氧化物與高強(qiáng)度高溫聚合物一起使用會(huì)使讀/寫頭托盤比用不銹鋼制成的托盤更平整。術(shù)語光滑(smooth)有時(shí)候被用于指沒有翹曲，但是為了更清楚說明，在此采用術(shù)語平整(flat)來表示沒有翹曲。翹曲是在成型或其它處理步驟中有時(shí)候出于無意引入到表面的彎曲度。因此術(shù)語平整不要與粗糙度的度量混淆。平整是一種載體包括讀/寫頭托盤所希望的特征。獲得出乎意料的平整度的一個(gè)原因可能是用于平整表面的金屬氧化物具有各向同性的流動(dòng)形狀。各向同性的流動(dòng)形狀是一種能避免流動(dòng)流體產(chǎn)生的力造成其沿任何特定方向取向的形狀，換句話說顆粒的流動(dòng)特性在所有方向上都大致相同。因此球狀的顆粒具有各向同性的流動(dòng)形狀，因?yàn)楫?dāng)該顆?；旌显诹鲃?dòng)流體中時(shí)該顆粒不會(huì)變得沿任何特定的方向取向。相反，桿狀顆粒就不具有各向同性的流動(dòng)形狀，因?yàn)樗惺蛊溟L(zhǎng)軸與流動(dòng)方向平行對(duì)齊的趨勢(shì)。
使用各向同性的流動(dòng)形狀的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于這種形狀促進(jìn)了在所有方向上的一致性收縮。模制制品通常會(huì)在模具中隨著其從液態(tài)硬化到固態(tài)而收縮。各向異性的流動(dòng)形狀有產(chǎn)生不一致收縮的趨勢(shì)，因?yàn)樵摳飨虍愋缘牧鲃?dòng)形狀會(huì)優(yōu)選趨于沿一個(gè)方向?qū)R并且在一個(gè)方向上具有不同的收縮特性。例如，由具有沿一個(gè)主要方向?qū)R的桿狀填料的材料模制的制品，其收縮方向沿平行于對(duì)齊方向的軸和垂直于對(duì)齊方向的軸上有所差別。當(dāng)制造必需精確設(shè)計(jì)來容納尺寸上只有微小不同的制品時(shí)，一致性收縮很有益處。
而且，各向同性的流動(dòng)形狀促進(jìn)了非磨損材料的制造。設(shè)置在材料表面的各向同性流動(dòng)形狀很光滑。與此相反，各向異性的流動(dòng)形狀可能會(huì)突出于表面并呈現(xiàn)磨損點(diǎn)。例如，存在于表面上的球體形狀提供了圓的非磨損表面。但是突出于表面的桿狀纖維可能會(huì)磨損與該表面接觸的制品。因此，例如，放置在含有各向同性流動(dòng)形狀組分的材料上的讀/寫頭托盤，相對(duì)于具有各向異性組分的材料來說，可以接觸磨損性低的材料。
還可以降低加入了金屬氧化物和/或金屬氧化物陶瓷的材料的比重。比重的降低可以通過向該材料加入附加聚合物或者填料。一種填料可以是低比重的填料，例如中空玻璃球體(3M ScotchlightTM玻璃泡)。另一選擇，形成低比重材料的輕質(zhì)聚合物可以混入該材料中。這種聚合物優(yōu)選選擇使金屬氧化物填料被隔離到連續(xù)的相中，這樣不會(huì)損害最終材料的電學(xué)特性。適合的輕質(zhì)聚合物的例子有苯乙烯和無定型聚烯烴，例如ZeonoxTM、ZeonexTM和TopazTM。
這里就讀/寫頭托盤描述了許多實(shí)施方案，因?yàn)槠涫且环N優(yōu)選的實(shí)施方案。然而，應(yīng)當(dāng)明白這些說明也可以更普遍地應(yīng)用在所有類型的用于電子處理過程的托盤上。托盤用于，例如，微芯片、計(jì)算機(jī)元件以及音頻元件處理過程，也可參見美國(guó)專利6079565以及2002年9月11日提交的序列號(hào)為10/241815的美國(guó)專利，將其在此引入作為參考。電子處理過程包括那些涉及組裝用于電子工業(yè)的元件的生產(chǎn)過程。托盤對(duì)于這些過程來說十分有用，因?yàn)樵仨氁苑奖愣夷鼙Ｗo(hù)該元件不受污染和靜電放電損害的方式轉(zhuǎn)移和/或存放。托盤包括防靜電放電危害表面，其容納和接觸著電子元件從而支持著它。托盤具有多個(gè)格子，例如如圖2和3所示。元件被該托盤格子裝盛著，托盤格子可以是，例如，凹口、被隔壁環(huán)繞的空間、柱托、或者凸起、凹槽、或其它的能限制處于該托盤上元件的移動(dòng)性的結(jié)構(gòu)，這樣該托盤能夠被順利轉(zhuǎn)移而不用從該托盤中移出所述元件。例如，格子可以是由凹槽限定的空間。托盤優(yōu)選為可重疊的(圖4)并且所述重疊物優(yōu)選也為可重疊的，例如在集運(yùn)架上，以便有助于處理過程。
微電子工業(yè)中托盤用于存放、運(yùn)輸、制造以及通常用于容納小元件，例如，半導(dǎo)體芯片、鐵氧體磁頭、磁共振讀出磁頭、薄膜磁頭、裸模具、沖擊模具、基板、光學(xué)裝置、激光二極管、預(yù)制坯、以及各式各樣的機(jī)械制品例如彈簧和透鏡。
為了有助于大規(guī)模處理芯片，開發(fā)出專門載體稱為矩陣托盤。這些托盤設(shè)計(jì)成在排列成矩陣或者格柵的單個(gè)處理小室或小穴中容納多個(gè)芯片。矩陣或者格柵的大小范圍可以從兩個(gè)至幾百個(gè)，取決于所要處理的芯片的尺寸。矩陣托盤的例子在例如，美國(guó)專利5794783，6079565，6105749，6349832，以及6474477中有所提供。
另一種類型的托盤被稱為芯片托盤，其用于容納集成半導(dǎo)體芯片或者有關(guān)零件，例如裸模具或者被切割成單個(gè)元件并且沒有封裝起來的加工基片。芯片托盤的例子在例如，美國(guó)專利5375710，5551572，以及5791486中有所提供。
磁盤處理盒用于處理磁盤，例如，高硬度儲(chǔ)存磁盤。磁盤處理盒的例子在例如，美國(guó)專利5348151和5921397中有所提及。
基片載體用于處理半導(dǎo)體工業(yè)中的硅片，所用的材料和設(shè)計(jì)能在基片儲(chǔ)存或處理過程中保護(hù)它們?；d體的例子在例如，美國(guó)專利(或公開)20030146218，20030132232，20030132136，6248177，5788082，5788082，以5749469中有所描述。
表面可以包括一種材料，通過將該材料模制形成為該表面。因而如果模制成表面的材料是已知的，則表面上的材料就是已知的。因而可以假設(shè)表面和材料的主體成份類似，盡管可估計(jì)到表面的最上面部分可具有與該主體材料不同的組成。另外，可以確定表面具有的平均平整度以英寸每英寸來衡量。可使用常規(guī)的平整度測(cè)量或L值比色測(cè)量法，其提供了該表面的重要部分的平均值。因而這些測(cè)量可以區(qū)別于那些為非常小部分的表面提供平均值的測(cè)量法，例如，原子力顯微鏡法。
參見圖2-4，描繪了具有多個(gè)格子180的托盤100。該格子180具有底表面120，構(gòu)成側(cè)面102，在底表面120上包含有目標(biāo)物。托盤100的頂表面132為連續(xù)的，并且在格子180之間限定了隔斷物。頂表面132的外邊緣116與上托盤側(cè)面122相連續(xù)并且彼此垂直。托盤側(cè)面122與唇緣112垂直。唇緣112與下托盤側(cè)面114垂直。參見圖4，托盤100可以以重疊的結(jié)構(gòu)101的形式放置而不用使底部托盤表面126接在例如208所標(biāo)出的電氣元件上。唇緣112用作為底部托盤表面126的擋塊。
參見圖5和6，描繪了磁盤處理盒的實(shí)施方案。用于處理高硬度存儲(chǔ)磁盤的磁盤處理盒300包括多個(gè)開放式支持的相向磁盤間隔302，用于通過該盒的間隔來支持多個(gè)磁盤對(duì)齊放置。間隔302由兩對(duì)水平支持物支持，該支持物的末端固定在304上。每個(gè)間隔302，從上部和下部橫截面看去，其幾何結(jié)構(gòu)用于形成最大化的通道并易于處理過程中流體的進(jìn)入。
參見圖7-11，芯片托盤400在基座404內(nèi)具有多個(gè)格子402?；?04具有狹槽406。芯片托盤400’具有表面408，其中存在多個(gè)格子410。格子404，410用于容納處理過程中的或者用于存放的芯片。該托盤可以重疊放置并形成與自動(dòng)處理裝置協(xié)同工作的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例1用如表1所示的金屬氧化物陶瓷與PEEK的混和物模制成標(biāo)準(zhǔn)讀/寫頭托盤。該模制過程與加載了不銹鋼的PEEK處理過程基本上相同，盡管該模制的溫度要稍微下調(diào)一些。這些試驗(yàn)的結(jié)果表明ZelecECP 1410T是一種制造淺色讀/寫頭托盤的優(yōu)選金屬氧化物陶瓷。而且，該高溫高強(qiáng)度聚合物可以加載大于百分之40的填料而不會(huì)損害讀/寫頭托盤所需要的機(jī)械特性。另外，令人驚訝的是發(fā)現(xiàn)用于容納讀/寫頭的表面很平整，其平整度已超過了用不銹鋼填料所達(dá)到的平整度。這些試驗(yàn)表明適當(dāng)?shù)牟牧峡捎糜谥圃炀仃囃斜P、芯片托盤、基片載體、以及磁盤處理盒。
表1金屬氧化物顆粒與高溫高強(qiáng)度聚合物的混和物。

實(shí)施例2用如表2所示的金屬氧化物陶瓷與PEEK的混和物進(jìn)行模制制備標(biāo)準(zhǔn)讀/寫頭托盤。該模制過程與加載了不銹鋼的PEEK處理過程基本上相同，盡管該模制的溫度要稍微下調(diào)一些。這些試驗(yàn)的結(jié)果表明金屬氧化物陶瓷可用于制造淺色防ESD危害的讀/寫頭托盤。而且，該高溫高強(qiáng)度聚合物可以加載大于百分之40的填料而不會(huì)損害讀/寫頭托盤所需要的機(jī)械特性。這些試驗(yàn)表明適當(dāng)?shù)牟牧峡捎糜谥圃炀仃囃斜P、芯片托盤、基片載體、以及磁盤處理盒。
表2金屬氧化物顆粒與高溫高強(qiáng)度聚合物混和物的ESD特性

實(shí)施例3比較PEEK與金屬氧化物陶瓷混和的各種組合物的特性，如表3所示，用碳纖維組合物(18％wt.)和PEEK的純混和物作為對(duì)照物。用ZelecECP 1410T(52％)作為金屬氧化物陶瓷。該模制過程與加載了不銹鋼的PEEK處理過程基本上相同，盡管對(duì)大部分組合物來說該模制的溫度要稍微下調(diào)一些。標(biāo)準(zhǔn)頭托盤的收縮范圍為0.008至0.013in/in，大小可以接受。另外，該標(biāo)準(zhǔn)托盤相當(dāng)平整。第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)頭托盤模型具有的用于容納讀/寫頭的表面的平均平整度為0.004+/-0.001in/in，最大值為0.007in/in。第二個(gè)標(biāo)準(zhǔn)頭托盤模型具有的用于容納讀/寫頭的表面的平均平整度為0.013+/-0.010in/in，最大值為0.017in/in。
這些試驗(yàn)結(jié)果表明金屬氧化物可以用于制造淺色防ESD危害的讀/寫頭托盤，其具有大于40重量％的金屬氧化物填料，而不會(huì)損害所述頭托盤所需要的機(jī)械特性。另外，這些試驗(yàn)表明通過使用與金屬氧化物，例如金屬氧化物陶瓷結(jié)合的高溫高強(qiáng)度聚合物可以獲得出乎意料的平整表面，這些試驗(yàn)表明適當(dāng)?shù)牟牧峡捎糜谥圃炀仃囃斜P、芯片托盤、基片載體、以及磁盤處理盒。
表3金屬氧化物與PEEK的各種復(fù)合物的特性。

實(shí)施例4比較PEEK與金屬氧化物陶瓷混和的各種組合物的樹脂純度特性，如表4所示，用碳纖維組合物(18％wt.)和PEEK的純混和物作為對(duì)照物。用ZelecECP 1410T(52wt％)作為金屬氧化物陶瓷。氣體釋放量的測(cè)量是通過保持樣品30分鐘和一個(gè)10Tenax管在100℃下并用自動(dòng)熱解吸單位氣體色譜/質(zhì)譜來分析所釋放的氣體。分析金屬是通過將該材料板放置在85℃的稀硝酸中一小時(shí)，并用與ICP/MS感應(yīng)耦聯(lián)的等離子/質(zhì)譜法分析所析出的金屬。陰離子的分析是通過將該材料暴露于85℃下的淡水中一個(gè)小時(shí)，接著用離子色譜法分析該水樣。表5表示了所回收的金屬。表6表示了所回收的陰離子。
這些試驗(yàn)的結(jié)果表明金屬氧化物陶瓷相對(duì)于用碳纖維制成的比較材料具有明顯更多的析出金屬。然而，所析出的金屬量足夠用于讀/寫頭托盤中。這些試驗(yàn)表明適當(dāng)?shù)牟牧峡捎糜谥圃炀仃囃斜P、芯片托盤、基片載體、以及磁盤處理盒。
表4含有金屬氧化物的各種高溫高強(qiáng)度復(fù)合物的樹脂純度。

表5表4中的組合物的金屬水平

圖6表4中的各種PEEK復(fù)合物的陰離子

BDL表示低于檢測(cè)極限***這里所描述的實(shí)施方案只提供作本發(fā)明的實(shí)例，而并不意在限制本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)。本申請(qǐng)中所列出的所有專利和公開物，包括申請(qǐng)，在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種用于容納電子元件的制品，該制品包括用于接觸并支持電子元件的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)防靜電放電危害表面，該表面包括至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物和至少一種金屬氧化物的混合物，其中所述表面具有的L值大于大約40，并且其中該制品選自矩陣托盤和基片托盤。
2.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述表面包括格子的底部。
3.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大約55。
4.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大約65。
5.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述聚合物的剛度至少大約1Gpa，并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或者熔點(diǎn)高于大約150℃。
6.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述金屬氧化物存在的濃度為大約40重量％至大約75重量％。
7.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物選自硼酸鋁、氧化鋅、堿性硫酸鎂、氧化鎂、石墨、鈦酸鉀、硼酸鎂、二硼化鈦、氧化錫、硫酸鈣、以及摻銻的氧化錫。
8.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述高溫高強(qiáng)度聚合物選自聚苯硫醚、聚醚酰亞胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
9.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物存在的濃度為大約50重量％至大約60重量％。
10.如權(quán)利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大約0.03英寸每英寸的平均值。
11.如權(quán)利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大約0.015英寸每英寸的平均值。
12.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述高溫高強(qiáng)度聚合物包括選自聚苯醚、離聚物樹脂、尼龍6樹脂、尼龍6，6樹脂、芳香聚酰胺樹脂、聚碳酸酯、聚縮醛、三甲基戊烯樹脂、聚砜、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物、高溫?zé)o定型樹脂、聚丙烯砜液晶聚合物、聚偏二氟乙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、以及四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯三元共聚物。
13.如權(quán)利要求1所述的制品，其中至少一種所述金屬氧化物設(shè)置成多個(gè)顆粒。
14.如權(quán)利要求13所述的制品，其中所述顆粒包括各向同性的流動(dòng)形狀。
15.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述顏料選自二氧化鈦、氧化鐵、氧化鉻綠、鐵藍(lán)、鉻綠、硫硅酸鋁、鋁酸鈷、錳酸鋇、鉻酸鉛、硫化鎘以及硒化物。
16.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物為所述至少一種顏料。
17.如權(quán)利要求1所述的制品，其中所述表面包括的電阻率為103至1014歐姆每平方。
18.一套用于電子元件處理過程的著色載體套件，該套件包括至少兩小套著色載體，其中每個(gè)著色載體包括防靜電放電危害表面，每個(gè)小套含有的小套顏色與其它小套的顏色不同，其中所述表面包含高溫高強(qiáng)度聚合物、金屬氧化物以及顏料，其中所述載體選自磁盤處理盒，矩陣托盤，芯片托盤，以及基片載體。
19.如權(quán)利要求18所述的托盤套件，其中每個(gè)小套載體對(duì)應(yīng)一個(gè)不同型號(hào)的載體。
20.如權(quán)利要求18所述的托盤套件，其中每個(gè)小套載體對(duì)應(yīng)所述載體中的一類元件。
21.如權(quán)利要求18所述的套件，其中所述格子的平整度好于大約0.03英寸每英寸的平均值。
22.如權(quán)利要求18所述的套件，其中所述載體包括多個(gè)格子，其中所述格子的平整度好于大約0.015英寸每英寸的平均值。
23.如權(quán)利要求18所述的套件，其中所述表面具有的L值至少為大約40。
24.如權(quán)利要求18所述的套件，其中所述至少一種金屬氧化物選自硼酸鋁、氧化鋅、堿性硫酸鎂、氧化鎂、石墨、鈦酸鉀、硼酸鎂、二硼化鈦、氧化錫、硫酸鈣、以及摻銻的氧化錫。
25.如權(quán)利要求18所述的套，其中所述至少一種金屬氧化物存在的濃度為大約50重量％至70重量％。
26.如權(quán)利要求18所述的制品，其中所述表面進(jìn)一步包括顏料。
27.一種用于處理電子元件的方法，該方法包括將電子元件放置在著色載體的防靜電放電危害表面上，所述表面包括至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物，至少一種金屬氧化物，以及至少一種顏料的混合物；其中所述該載體選自磁盤處理盒，矩陣托盤，以及芯片托盤。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述至少一種高溫高強(qiáng)度聚合物選自聚苯硫醚、聚醚酰亞胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述至少一種金屬氧化物存在的濃度為大約40重量％至大約75重量％。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述表面具有的L值至少為大約40。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中至少部分所述表面的平整度好于大約0.03英寸每英寸的平均值。
32.如權(quán)利要求27所述的方法，其中包括顆粒的所述至少一種金屬氧化物以至少大約40重量％的濃度存在于混合物中。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，其中至少部分所述至少一種金屬氧化物包括晶須。
34.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述至少一種金屬氧化物包括包含各向同性流動(dòng)形狀的顆粒。
35.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述至少一種顏料為所述至少一種金屬氧化物。
36.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述表面包括的電阻率為103至1014歐姆每平方。
37.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述著色托盤為矩陣托盤。
38.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述至少一種顏料選自二氧化鈦、氧化鐵、氧化鉻綠、鐵藍(lán)、鉻綠、硫硅酸鋁、鋁酸鈷、錳酸鋇、鉻酸鉛、硫化鎘以及硒化物。
39.一種制造用于電子處理過程的制品的方法，該方法包括模制包括防靜電放電危害表面的載體，該表面包含高溫高強(qiáng)度聚合物和導(dǎo)電性填料，L值至少為大約40，電阻率為103至1014歐姆每平方，其中所述載體選自矩陣托盤和芯片托盤。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述聚合物具有的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或者熔點(diǎn)高于大約150℃，并且剛度至少為大約1Gpa。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述導(dǎo)電性填料是存在濃度為大約40重量％至大約75重量％的金屬氧化物。
42.一種用于容納電子元件的載體，包括具有用于接觸并支持電子元件的結(jié)構(gòu)的載體，所述結(jié)構(gòu)包含至少一個(gè)防靜電放電危害表面，其包含至少一種高溫高強(qiáng)度的聚合物和至少一種金屬氧化物的混合物，其中所述表面具有的L值大于大約40，其中所述載體選自基片載體和磁盤處理盒。
43.如權(quán)利要求42所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物存在的濃度為大約40重量％至大約75重量％。
44.如權(quán)利要求42所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物存在的濃度為至少大約50重量％。
45.如權(quán)利要求42所述的制品，其中所述至少一種金屬氧化物選自硼酸鋁、氧化鋅、堿性硫酸鎂、氧化鎂、石墨、鈦酸鉀、硼酸鎂、二硼化鈦、氧化錫、硫酸鈣、以及摻銻的氧化錫。
46.如權(quán)利要求42所述的制品，其中所述聚合物的剛度至少大約1Gpa，并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或者熔點(diǎn)高于大約150℃。
47.如權(quán)利要求42所述的制品，進(jìn)一步包括顏料。
48.如權(quán)利要求47所述的制品，其中所述顏料選自二氧化鈦、氧化鐵、和氧化鉻綠。
49.如權(quán)利要求47所述的制品，其中所述顏料不是氧化物。
50.如權(quán)利要求42所述的制品，其中所述高溫高強(qiáng)度聚合物選自聚苯硫醚、聚醚酰亞胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
51.如權(quán)利要求42所述的方法，其中所述至少一種金屬氧化物包括具有各向同性流動(dòng)形狀的顆粒。
52.一種制造用于電子處理過程的制品的方法，該方法包括模制包括防靜電放電危害表面的載體，該表面包括高溫高強(qiáng)度聚合物和導(dǎo)電性填料，L值至少為大約40，電阻率為103至1014歐姆每平方，其中所述載體選自基片載體和磁盤處理盒。
53.如權(quán)利要求52所述的方法，進(jìn)一步包括用顏料染色所述載體。
54.如權(quán)利要求52所述的方法，其中所述導(dǎo)電性填料包括存在濃度為大約40重量％至大約75重量％的金屬氧化物
55.如權(quán)利要求54所述的方法，其中所述金屬氧化物包括具有各向同性流動(dòng)形狀的顆粒。
56.如權(quán)利要求52所述的方法，其中所述填料包括具有各向同性流動(dòng)形狀的顆粒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于處理電子元件的防靜電放電危害設(shè)備，例如矩陣托盤、芯片托盤、以及基片載體，其由高溫高強(qiáng)度聚合物與至少一種金屬氧化物以及任選的至少一種顏料的混合物制成。使用金屬氧化物作為導(dǎo)電性材料有利于制造出淺色的防靜電放電材料。這類材料可以用顏料染色而不損害材料的性能規(guī)格。
文檔編號(hào)H01L21/673GK1942304SQ200380105499
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2003年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月9日
發(fā)明者C·W·埃西蘭德, R·布查 申請(qǐng)人:誠(chéng)實(shí)公司