專利名稱：包括磁性材料的電子電路的磁屏蔽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。
更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于包括磁性材料的半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的磁屏蔽。
背景技術(shù)：
來自外部磁場的干擾在包括磁性材料的半導(dǎo)體器件中是一個(gè)嚴(yán)重的問題。這種器件可能包括磁場傳感器、磁阻隨機(jī)存取存儲器(下文稱為“MRAM”)器件等，并且通常利用磁化矢量的取向用于器件的操作。在MRAM器件中，例如非易失性存儲器狀態(tài)的穩(wěn)定性、讀/寫周期的可重復(fù)性和存儲器元件至元件開關(guān)磁場的均勻性是這種器件設(shè)計(jì)特征的三個(gè)最重要方面。這些特征取決于磁化矢量的行為和特性。
在MRAM器件中存儲數(shù)據(jù)通過如下過程實(shí)現(xiàn)應(yīng)用磁場并使在MRAM器件中的磁性材料磁化到兩種可能的存儲狀態(tài)中的一種。調(diào)用數(shù)據(jù)是通過感測在MRAM器件在兩種狀態(tài)之間的電阻差實(shí)現(xiàn)的。寫磁場通過使電流流過磁結(jié)構(gòu)外部的導(dǎo)電線或者流過磁性結(jié)構(gòu)本身形成。
如果磁場在寫的過程中施加到MRAM器件，則進(jìn)入MRAM器件的總的磁場小于寫所要求的磁場，這可能造成編程錯(cuò)誤。此外，典型的MRAM結(jié)構(gòu)具有多個(gè)位，這多個(gè)位在對一個(gè)MRAM器件編程時(shí)暴露在磁場中。這些選擇一半的MRAM器件對來自外部磁場的意料之外的編程特別敏感。此外，如果磁場足夠大，則即使在不存在編程電流的情況下，通過外部磁場也可能無意地開關(guān)MRAM器件。
降低磁場干擾的影響的方法是對電子電路部件進(jìn)行磁屏蔽。已有技術(shù)的磁屏蔽方案通常涉及使用包圍器件的蓋子或罩子，其中蓋子或罩子可以連接到地電位。然而已有技術(shù)的屏蔽方案通常太昂貴并且不容易與磁性器件集成。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于包括磁性材料的電子電路的新穎的改進(jìn)磁屏蔽方案。

發(fā)明內(nèi)容
為實(shí)現(xiàn)上述和其它的目的和優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明公開了一種屏蔽的電子集成電路，該屏蔽的電子集成電路包括襯底和在所說的襯底上提供的電子集成電路。在優(yōu)選的實(shí)施例中，電介質(zhì)區(qū)設(shè)置在該襯底和電子集成電路上，其中襯底和電介質(zhì)區(qū)形成了外表面。磁性材料層形成在襯底和電介質(zhì)區(qū)的外表面上，其中磁性材料層使用電化學(xué)淀積進(jìn)行淀積以使襯底、電介質(zhì)區(qū)和磁性材料層都集成在一起。
在優(yōu)選實(shí)施例中，磁性材料層的電化學(xué)淀積通過如下過程形成在襯底和電介質(zhì)區(qū)的外表面上設(shè)置粘膠層，并在粘膠層上形成籽晶層，其中籽晶層隨后浸入在電化學(xué)淀積槽中。在優(yōu)選實(shí)施例中，籽晶層包括導(dǎo)電材料比如銅，以及電化學(xué)淀積槽包括磁性屏蔽材料比如鎳-鐵(NiFe)、鎳-鐵-鉬(NiFeMb)、鎳-鐵-鈷(NiFeCo)等。此外，一部分磁性材料層可以使用磁性環(huán)氧樹脂或其中懸浮有的鐵磁性或超順磁性顆粒的類似的模制材料形成。


通過下文結(jié)合附圖的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會容易理解本發(fā)明的前述和進(jìn)一步的更具體的目的和優(yōu)點(diǎn)。
附圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的剖視圖；附圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的另一剖視圖；附圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的剖視圖；
附圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的剖視圖；附圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的另一剖視圖；附圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的另一剖視圖，說明了觸點(diǎn)焊盤的形成；附圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的剖視圖；附圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的另一剖視圖；附圖9所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子電路設(shè)備的制造的步驟的剖視圖；附圖10所示為根據(jù)本發(fā)明平行于屏蔽的電子電路設(shè)備的長度取向的磁場的幅值的曲線圖；附圖11所示為根據(jù)本發(fā)明垂直于屏蔽的電子電路設(shè)備的長度取向的磁場的幅值的曲線圖；附圖12所示為根據(jù)本發(fā)明具有屏蔽的金屬支撐的屏蔽的電子集成設(shè)備的剖視圖；附圖13所示為典型的磁性材料和包括其中懸浮有的超順磁性顆粒的環(huán)氧樹脂的磁性材料的磁滯曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖1，所示為根據(jù)本發(fā)明的屏蔽的電子集成電路設(shè)備5的簡化的剖面視圖。設(shè)備5包括具有厚度11的襯底10，其中襯底10具有表面17和表面16。電子集成電路15提供在所說的表面17上。在本實(shí)施例中，集成電路15包括多個(gè)MRAM位14，但應(yīng)該理解的是，也可以包括其它的磁阻器件。此外，應(yīng)該理解的是，雖然為了方便示出了三個(gè)MRAM位，但是在磁性存儲器位的陣列的周圍，完整的器件陣列或控制/驅(qū)動器電路可以作為電路片形成襯底10上。此外，集成電路15通常包括能夠?qū)⑿盘柊l(fā)送給電路15和從其中接收信號的互連和觸點(diǎn)焊盤，但為了簡潔，沒有示出這些互連和觸點(diǎn)焊盤。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，電介質(zhì)區(qū)12設(shè)置在襯底10的表面17以及電子集成電路15上，其中電介質(zhì)區(qū)12包括表面18。在優(yōu)選的實(shí)施例中，電介質(zhì)區(qū)12可以包括氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、聚酰亞胺或其組合。電介質(zhì)區(qū)12用作鈍化層和應(yīng)力緩沖層，并被選擇使其具有理想的熱膨脹系數(shù)以避免由于電介質(zhì)區(qū)12和隨后形成的層的彈性變形引起的斷裂。
在優(yōu)選的實(shí)施例以及如附圖12所示，粘膠層36淀積在電介質(zhì)區(qū)12的表面18上。籽晶層28淀積在粘膠層36上。然而，應(yīng)該理解的是粘膠層36的可選擇的，但是在本優(yōu)選實(shí)施例一種包括它以增強(qiáng)籽晶層28的粘合。如附圖3所示，光致抗蝕劑層19設(shè)置籽晶層28上并被構(gòu)圖和蝕刻以在集成電路15的附近形成溝38。
在優(yōu)選實(shí)施例中并如附圖4所示，磁性材料層30通過對籽晶層28電鍍形成在溝38內(nèi)?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖5，清除光致抗蝕劑層19并通過濕或干蝕刻對層28和36進(jìn)行構(gòu)圖以使層28和36被夾在磁性材料30和電介質(zhì)區(qū)12之間。此外，在優(yōu)選實(shí)施例中，襯底10變薄到小于厚度11的厚度13以形成表面21。然而，應(yīng)該理解的是薄襯底10是可選擇的，但在優(yōu)選實(shí)施例中包括這個(gè)步驟以改善磁性屏蔽的特性，如下文分別討論。
包括光致抗蝕劑層19和隨后的清除層28和36的濕蝕刻步驟，用以降低在電路片的邊緣上的多個(gè)觸點(diǎn)焊盤不通過層36、38或30電短路在一起的可能性。觸點(diǎn)焊盤一般用于提供到與電路15電連接的互連和來自該互連的信號路徑，其中引線接合設(shè)置在觸點(diǎn)焊盤上。
通過在電介質(zhì)區(qū)12中負(fù)性下部切割，可以免除光致抗蝕劑層19和隨后的濕蝕刻步驟。附圖6所示為緊接具有表面45的觸點(diǎn)焊盤44的、具有磁性材料形成層的集成電路15的集成電路部分42。如附圖6所示，在觸點(diǎn)焊盤44的附近的電介質(zhì)區(qū)12被構(gòu)圖和蝕刻以形成具有負(fù)性側(cè)壁的溝46。結(jié)果，在粘膠層36和籽晶層28淀積在電介質(zhì)區(qū)12的表面18上時(shí)，層36和28的一部分也淀積在表面45上。然而，負(fù)性側(cè)壁將使在表面18上設(shè)置的層36和28與在表面45上設(shè)置的層36和28分離。因此，在電鍍磁性材料層30時(shí)，磁性材料層30僅形成在表面18附近設(shè)置的籽晶層28，因?yàn)橛|點(diǎn)焊盤44被電隔離。
磁屏蔽也可以提供在底部表面20上。在優(yōu)選的實(shí)施例中，粘膠層40設(shè)置在襯底10的表面21上，如附圖7所示。籽晶層24設(shè)置在粘膠層40上。然而，應(yīng)該理解的是粘膠層40是可選擇的，但在本優(yōu)選實(shí)施例中包括它以增強(qiáng)籽晶層24的粘合。在優(yōu)選實(shí)施例中，磁性材料層26通過在籽晶層24上電鍍形成。在優(yōu)選實(shí)施例中，粘膠層36和40包括鈦化鎢(TiW)，然而，應(yīng)該理解的是，粘膠層36和40也可以包括其它合適的材料，比如氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)或鉭(Ta)。此外，籽晶層24和28可以包括銅或具有比在磁性材料層26和30中包含的材料更小惰性(noble)的另一適合的導(dǎo)電材料。此外，使用化學(xué)氣相淀積(下文稱為“CVD”)、物理氣相淀積(下文稱為“PVD”)等也可以淀積層24、28、36和40。
此外，磁性材料層26和30可以包括鎳-鐵(NiFe)、鎳-鐵-鉬(NiFeMb)、鎳-鐵-鈷(NiFeCo)、鎳-銅-鉻-鐵(NiCuCrFe)或其合金，但應(yīng)該理解的是，也可以使用其它的材料。例如，高導(dǎo)磁率(mu)金屬比較適當(dāng)，其中高導(dǎo)磁率金屬和它的成分對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是十分公知的，在此不需要進(jìn)一步詳細(xì)解釋。磁性材料層26和30可以包括具有足夠高的導(dǎo)磁率以將集成電路15從磁通量屏蔽開并在冶金上可與其它的材料結(jié)構(gòu)相容的任何適合的材料。
導(dǎo)磁率衡量材料在磁場的影響下傳輸磁通量的能力。具有導(dǎo)磁率的材料能夠使磁性材料的微型結(jié)構(gòu)通過磁疇的對齊磁化而傳導(dǎo)磁場。包括磁疇的材料是鐵磁材料。鐵磁材料容易被磁化，因此表現(xiàn)為一種非常有效的磁屏蔽材料。
此外，在優(yōu)選實(shí)施例中磁性材料層26和30分別包括比在籽晶層24和28中包括的材料更大惰性的材料以促進(jìn)粘附。此外，應(yīng)該理解的是，在某些實(shí)施例中磁性材料26和30可以同時(shí)被電鍍。
形成磁性材料層26和30的方法涉及使用電化學(xué)淀積(比如在優(yōu)選實(shí)施例中的電解電鍍)以形成所需的層。然而，應(yīng)該理解的是，也可以使用其它的電化學(xué)淀積技術(shù)比如無電鍍或沉浸，其中制造步驟一般不同。電化學(xué)淀積用于形成各種層以改善薄膜均勻性控制并消除對復(fù)雜且昂貴的真空淀積工具的需要。此外，通過使用電化學(xué)淀積，在更短的時(shí)間內(nèi)可以形成厚層。電化學(xué)淀積是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員十分公知的技術(shù)，在此省去對其的進(jìn)一步詳細(xì)描述。
在另一實(shí)施例中，一部分磁性材料層26和30可以包括非晶磁性材料或者毫微結(jié)晶磁性材料。一部分磁性材料層26和30也可以包括在非磁性基材中懸浮的多種鐵磁或超順磁性顆粒。非磁性基材可以包括環(huán)氧樹脂、聚合物、金屬或其它的適合的非磁性基材材料。環(huán)氧樹脂是一種能夠形成緊密的交聯(lián)聚合物結(jié)構(gòu)的熱固性樹脂，其特征在于韌性、強(qiáng)粘合力和低收縮性，并且專用于表面涂層和粘合。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖8，在優(yōu)選實(shí)施例中電子集成電路5被切割成具有寬度9和側(cè)面20和22的電路片7。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員十分公知的是，在多個(gè)集成電路被切割成單個(gè)電路片之前它們通常形成在相同的襯底上。這個(gè)步驟降低了成本并且允許制造多個(gè)幾乎相同的集成電路。然而，應(yīng)該理解的是，在某些實(shí)施例中，也可以提供單個(gè)電路片，其中這個(gè)步驟是可選擇的。
在優(yōu)選實(shí)施例中并且如附圖9所示，磁性材料層32形成在側(cè)面20上并且磁性材料層34形成在側(cè)面22上，其中電子集成電路5基本被磁性材料層包圍。應(yīng)該理解的是部分磁性材料層32和34可以包括其中懸浮鐵磁或超順磁性顆粒的磁性環(huán)氧樹脂等。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖10，所示為與電路片7的長度9平行取向的磁場幅值(奧斯特)的曲線圖。附圖10的數(shù)據(jù)是在二維數(shù)值靜磁仿真的結(jié)果。然而，使用三維仿真可以獲得類似的結(jié)果。仿真包括施加具有與電路片7的長度9的平行的磁場矢量的50奧斯特的磁場。然后沿與表面17平行并緊接集成電路15的線測量磁場幅值。
為了說明的目的，在三種條件下執(zhí)行仿真，其中假設(shè)磁性材料層26，30，32和34具有等于大約20微米的厚度72。然而，應(yīng)該理解的是層26，30，32和34可以具有的不同的厚度，但為了討論的方便，在本實(shí)施例中假設(shè)具有厚度72。此外，為了說明的目的，假設(shè)磁性材料層26，30，32和34具有2000的導(dǎo)磁率和1特斯拉的飽和通量密度。也是在本實(shí)例中，假設(shè)長度9大約為5毫米。
在附圖10中包括的一種仿真(曲線62)是具有如附圖7中所示的電路片7，其中電路片7通過磁性材料層26和30屏蔽并且厚度13大約27密耳(千分之一英寸)。曲線62顯示在磁場矢量平行于長度9取向時(shí)磁性材料層26和30使得在電路片7里面的磁場降低到了大約零奧斯特。
可以以幾種方式理解磁場屏蔽效應(yīng)。一種解釋是因?yàn)樗母邔?dǎo)磁率對于磁場通過磁屏蔽材料特別有利。另一等效的解釋是磁荷主要形成在磁屏蔽材料的端部以使來自磁荷的磁場趨向于抵消所施加的磁場。這個(gè)實(shí)例表明為了屏蔽較大的磁場而不飽和，磁場屏蔽材料應(yīng)該較厚或者具有較大的飽和通量密度。如果磁通量密度增加超過飽和值，則磁場一般穿過磁屏蔽。
附圖7示出了電路片7的另一仿真(曲線60)，其中電路片7通過磁性材料層26和30屏蔽，并且厚度13大約是13密耳。在本實(shí)例中，厚度13越小，所施加的磁場的屏蔽作為電路片7中的距離的函數(shù)發(fā)生越快。磁場降到零的特征距離大約是在磁屏蔽層之間的距離，這意味著隨著厚度13的減小提供了更好的磁屏蔽。
附圖8示出了電路片7的另一仿真(曲線61)，其中電路片7通過磁性材料層26，30，32和34屏蔽，并且厚度13大約為27密耳。在磁性側(cè)壁32和34包括在電路片7上時(shí)，幾乎一到電路片7的里面，磁場就降低到大約零奧斯特。這種設(shè)計(jì)是有利的，因?yàn)榇判噪娐房梢栽O(shè)置到緊接電路片7的側(cè)面而沒有磁性干擾，因此，增加了可形成集成電路15的可用的表面15的大小。通過增加可用表面15的大小，將會降低制造屏蔽的電子集成電路5的成本。
附圖11所示為垂直于電路片7的長度9取向的仿真的磁場幅值(奧斯特)的曲線圖。附圖11的數(shù)據(jù)是二維數(shù)字靜磁仿真的結(jié)果。然而，使用三維仿真也可以獲得類似的結(jié)果。在本實(shí)例中，仿真包括施加具有垂直于電路片7取向的磁場矢量的50奧斯特磁場。在附圖11中包括如附圖8中所示的電路片7的曲線68和如在附圖7中所示的電路片7的曲線70。在本實(shí)例中，在磁性層32和34包括在電路片7上時(shí)，極大地改進(jìn)了垂直磁場的磁屏蔽，這表明磁壁對平面磁場之外屏蔽有益。
這種結(jié)果的原因在于層26和30在垂直方向上是不可透過的，因?yàn)樵诒∧さ娜ゴ呕瘓龅钠矫嬷狻Ｈ欢?，?2和34確實(shí)在垂直方向上具有極大的導(dǎo)磁率，因此連同層26和30一起可以提供磁屏蔽。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖12，附圖12所示為屏蔽的電子集成電路設(shè)備50的另一實(shí)施例，其中具有集成電路15的襯底10安裝到具有粘合劑(未示)的金屬支撐52。金屬支撐52例如可以包括引線框、球柵陣列等。金屬支撐52可以包括磁性材料以增加它的磁屏蔽能力。支撐52也包括觸點(diǎn)焊盤54和金屬引線56，其中引線接合60設(shè)置成形成所示的與MRAM位14和觸點(diǎn)焊盤54的電觸點(diǎn)。屏蔽材料層58然后形成在襯底10和金屬支撐52的附近。
在某些實(shí)施例中，屏蔽材料層58可以包括磁性環(huán)氧樹脂或其中有懸浮的鐵磁或超順磁性顆粒的類似的模制材料。此外，金屬支撐52可以具有其上電鍍的磁性材料層，或者由磁性材料制成，因此襯底10基本由磁性材料層包圍。在另一實(shí)施例中，通過在非磁性基材中懸浮的超順磁性顆粒提供屏蔽，以使集成電路15基本被非磁性基材包圍。非磁性基材可以包括環(huán)氧樹脂、聚合物、金屬等。
一般地，非磁性基材中懸浮顆粒的尺寸應(yīng)該在幾十微米的數(shù)量級。然而，這種顆粒有時(shí)具有不理想的磁性特性，如在附圖13中所示的磁滯曲線80所示。較大的剩余磁化Mr或矯頑力Hc阻礙了磁性材料最佳地屏蔽集成電路15。此外，更大的顆粒的磁性特性敏感地取決于顆粒成分、制造方法、形狀等。
為獲得如在附圖13中所示的更理想的磁滯回線82，在磁性環(huán)氧樹脂中懸浮的顆粒的尺寸可以被選擇為使它們變?yōu)槌槾判缘摹ｋS著顆粒尺寸減小，在環(huán)氧樹脂中的磁性顆粒由于熱激勵的作用去磁化。這種效應(yīng)稱為超順磁化，在特定的頻率下測量時(shí)，導(dǎo)致顆粒的零剩余磁化Mr和零矯頑力Hc。
獲得超順磁化特性的顆粒尺寸大約1微米或者更小。然而，如果顆粒尺寸太小，則熱去磁化效應(yīng)變得太強(qiáng)并且導(dǎo)磁率降低。對于非常有效的磁場屏蔽，超順磁化顆粒的導(dǎo)磁率非常高(即大約1000-10,000)。超順磁化顆粒的附加優(yōu)點(diǎn)在于在它們的磁特性方面它們是各向同性。
顆粒的熱去磁化的時(shí)間大致給定為τ＝τ0exp[KV/κT]，這里τ0是1納秒的數(shù)量級，K是磁性各向異性，V是顆粒的體積，κ是玻爾茲曼常數(shù)，以及T是溫度。由于對于給定的磁性材料，K相對固定，因此熱去磁化或超順磁化容易通過降低V以使τ小于1秒或者KV/κT小于25而被觀測。由于K通常為1000erg/cm3，因此磁性顆粒的直徑應(yīng)該在0.1微米的數(shù)量級(或更小，如果K更大的話)以實(shí)現(xiàn)足夠的超順磁化。
如從下文τ的定義那樣，V越小，超順去磁化的時(shí)間越短。因此，需要更小的顆粒來屏蔽更高頻率的磁場。一般地，τ應(yīng)該小于1/f，這里f是外部磁場的頻率，因此顆粒能夠去磁化并順從磁場，提供了充分的磁場屏蔽。
因此，本發(fā)明公開了一種新穎的改進(jìn)的屏蔽的集成電路。通過使用電化學(xué)淀積通過緊接集成電路形成磁性材料屏蔽層，屏蔽的集成電路減小了電磁干擾的存在。屏蔽的集成電路與便攜式電子系統(tǒng)更加兼容，因?yàn)榇判圆牧蠈优c電子電路集成在一起，因此，更加緊湊地形成。屏蔽的集成電路也更加低廉，因?yàn)殡婂兪沟貌恍枰褂冒嘿F且復(fù)雜的真空淀積工具。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易對為說明的目的選擇的這些實(shí)施例做出各種改變和改進(jìn)。在這些改進(jìn)和變化不脫離本發(fā)明的精神的范圍的程度內(nèi)，希望這些改進(jìn)和變化都被包括在由下面的權(quán)利要求的公平的解釋所界定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
已經(jīng)清楚、簡潔、完整地描述了本發(fā)明以使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解和實(shí)踐本發(fā)明，本發(fā)明的權(quán)利要求如下。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽的電子電路設(shè)備，包括在襯底的表面上設(shè)置的電子電路，其中襯底具有厚度并且包括相對表面和至少一個(gè)側(cè)面，在電子電路上設(shè)置的電介質(zhì)區(qū)，其中電介質(zhì)區(qū)包括表面和至少一個(gè)側(cè)面；設(shè)置在襯底的相對表面上或緊接電介質(zhì)區(qū)的表面的第一磁性材料區(qū)；和其中使用第一電化學(xué)淀積槽形成第一磁性材料區(qū)。
2.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中第二磁性材料區(qū)設(shè)置在襯底的另一相對表面上并且緊接電介質(zhì)區(qū)的表面，其中使用第二電化學(xué)淀積槽形成第二磁性材料區(qū)。
3.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括設(shè)置在第一磁性材料和襯底的相對表面之間或設(shè)置在對著襯底的第一磁性材料上的金屬支撐。
4.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括設(shè)置在襯底的相對表面上的金屬支撐，該第一磁性材料緊接電介質(zhì)區(qū)的表面設(shè)置，其中金屬支撐是磁性的。
5.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中第二磁性材料區(qū)設(shè)置在襯底的另一相對表面上并緊接電介質(zhì)區(qū)的表面，其中第二磁性材料區(qū)包括在非磁性基材中懸浮的多個(gè)超順磁性顆粒、在非磁性基材中懸浮的多個(gè)鐵磁性顆粒及其組合中的一種。
6.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中至少一部分第一磁性材料區(qū)包括非晶磁性材料和毫微結(jié)晶磁性材料中的一種。
7.一種屏蔽的電子集成電路設(shè)備，包括具有厚度、表面、相對表面和至少一個(gè)側(cè)面的襯底，其中電子集成電路形成在所說的表面上；在電子集成電路上設(shè)置的電介質(zhì)區(qū)，其中電介質(zhì)區(qū)包括表面和至少一個(gè)側(cè)面；在電介質(zhì)區(qū)的表面和襯底的相對表面中的一個(gè)表面上設(shè)置的第一磁性材料區(qū)；其中第一磁性材料區(qū)包括在電介質(zhì)區(qū)的表面和襯底的相對表面中的一個(gè)表面附近設(shè)置的第一粘膠層、在第一粘膠層上設(shè)置的第一籽晶層和在第一籽晶層上設(shè)置的第一磁性材料層；和其中通過將第一籽晶層浸入在第一電化學(xué)淀積槽中形成第一磁性材料層。
8.一種屏蔽電子電路的方法，包括如下步驟提供具有厚度的襯底和在所說的襯底上形成的電子集成電路，該襯底包括表面、相對表面和至少一個(gè)側(cè)面；提供設(shè)置在電子集成電路上的電介質(zhì)區(qū)，其中電介質(zhì)區(qū)包括表面和至少一個(gè)側(cè)面；形成設(shè)置在電介質(zhì)區(qū)的表面和襯底的相對表面中的一個(gè)表面上的第一磁性材料區(qū)，其中第一磁性材料區(qū)包括設(shè)置在電介質(zhì)區(qū)的表面和襯底的相對表面中的一個(gè)表面附近的第一粘膠層、設(shè)置在第一粘膠層上的第一籽晶層和設(shè)置在第一籽晶層上的第一磁性材料層；和其中通過將第一籽晶層浸入在第一電化學(xué)淀積槽中形成第一磁性材料層。
9.一種屏蔽的電子集成電路設(shè)備，包括具有厚度的襯底，該襯底包括表面、相對表面和至少一個(gè)側(cè)面的襯底，其中電子集成電路形成在所說的表面上；設(shè)置在襯底的表面和電子集成電路上的電介質(zhì)區(qū)，其中電介質(zhì)區(qū)包括表面和至少一個(gè)側(cè)面；設(shè)置在電介質(zhì)區(qū)的表面上的第一磁性材料區(qū)；其中第一磁性材料區(qū)包括具有顆粒尺寸的多個(gè)超順磁性顆粒，該多個(gè)超順磁性顆粒懸浮在非磁性基材中；其中多個(gè)超順磁顆粒的顆粒尺寸被選擇為衰減所需頻率范圍內(nèi)的電磁輻射。
10.一種屏蔽的電子集成電路設(shè)備，包括；金屬支撐，其中金屬支撐包括作為屏蔽的第一磁性材料；設(shè)置在金屬支撐上具有厚度的襯底，該襯底包括表面、設(shè)置在金屬支撐附近的相對表面和至少一個(gè)側(cè)面，其中電子集成電路形成在所說的表面上；和在襯底的表面和電子集成電路上設(shè)置的電介質(zhì)區(qū)，其中電介質(zhì)區(qū)包括表面和至少一個(gè)側(cè)面。
全文摘要
一種屏蔽的電子集成電路設(shè)備(7)，包括具有在其上形成的電子集成電路(14)的襯底(10)和設(shè)置在襯底和電子集成電路上的電介質(zhì)區(qū)(12)，其中電介質(zhì)區(qū)和襯底基本被使用電化學(xué)淀積進(jìn)行淀積的磁性材料區(qū)(26，30，32，34)包圍，以及其中對電子集成電路屏蔽了電磁輻射。
文檔編號H01L27/105GK1666585SQ03815278
公開日2005年9月7日 申請日期2003年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月28日
發(fā)明者尼古拉斯·D.·里澤, 馬克·A.·杜爾蘭姆, 邁克爾·J.·洛爾, 凱利·凱勒, 杰奈爾·A.·莫拉 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司