專利名稱：利用含胺聚合物的cmp系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于包含含胺聚合物的化學-機械拋光組合物。
背景技術(shù)：
集成電路是由數(shù)百萬個由于其中或在基底(如硅晶圓)上形成的有源裝置制成。有源裝置化學地及物理地連接至基底中且使用多層互連接互連而形成功能電路。典型的多層互連接包含第一金屬層、層間介電層、有時及第三與后續(xù)金屬層。層間介電層，如摻雜與未摻雜二氧化硅(SiO2)及/或低K介電體，用以電隔離不同的金屬層。
不同互連層次間的電連接系使用金屬導孔完成。例如，美國專利5,741,626敘述一種制備介電TaN層的方法。此外，美國專利4,789,648敘述一種在絕緣膜制備多重金屬化層與金屬化導孔的方法。以類似的方式，使用金屬接點在井區(qū)中形成互連接層與裝置間的電連接。金屬導孔與接點可充填各種金屬與合金，例如，鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鋁銅(Al-Cu)、鋁硅(Al-Si)、銅(Cu)、鎢(W)、鉑(Pt)、釕(Ru)、銥(Ir)、及其組合(以下稱為“導孔金屬”)。
導孔金屬通常使用黏附層(即，屏障膜)，如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鎢(W)、或氮化鎢(WN)屏障膜將導孔黏附于SiO2基底。在接點層，屏障膜作為擴散屏障以防止導孔金屬與SiO2反應。
在一種半導體制造方法中，金屬導孔及/或接點系通過全面性金屬沉積繼而化學-機械拋光(CMP)步驟而形成。在典型的方法中，蝕刻通過層間介電體(ILD)至互連接線或至半導體基底的導孔洞。其次，在ILD上形成屏障膜且導引至蝕刻的導孔洞中。然后將導孔金屬全面性沉積在屏障膜上及導孔洞中。持續(xù)沉積直到導孔洞充滿全面性沉積金屬。最后，通過CMP法移除過量金屬以形成金屬導孔。導孔的制造及/或CMP方法揭示于美國專利4,671,851、4,910,155與4,944,836。
典型金屬CMP系統(tǒng)含懸浮在氧化水溶液中的磨料，如硅膠或氧化鋁。例如，美國專利5,244,534揭示一種含氧化鋁、過氧化氫、及氫氧化鉀或銨的系統(tǒng)，其可用于移除鎢且移除極少的底下絕緣層。美國專利5,209,816揭示一種可用于將鋁拋光的系統(tǒng)，其包含高氯酸、過氧化氫、及在水溶性介質(zhì)中的固態(tài)磨料。美國專利5,340,370揭示一種鎢拋光系統(tǒng)，其包含鐵氰化鉀、乙酸鉀、乙酸、與硅膠。美國專利5,391,258與5,476,606揭示將金屬與硅膠的復合物拋光的系統(tǒng)，其包括水溶性介質(zhì)、磨料顆粒、與控制硅膠移除速率的陰離子。美國專利5,770,095揭示一種拋光系統(tǒng)，其包含氧化劑、化學劑、及選自氨基乙酸與酰胺硫酸的蝕刻劑。美國專利6,290,736揭示一種將貴重金屬表面拋光的拋光組合物，其包含磨料、鹵素化合物、與堿性水溶液。其它用于CMP方法的拋光系統(tǒng)敘述于美國專利4,956,313、5,137,544、5,157,876、5,354,490、與5,527,423。
鈦、氮化鈦、類似金屬(如鎢)的屏障膜具有類似導孔金屬的化學活性。結(jié)果，可使用單一系統(tǒng)有效地將Ti/TiN屏障膜與導孔金屬以類似的速率拋光。然而，Ta與TaN屏障膜顯著地與Ti、TiN、及類似屏障膜不同。Ta與TaN的化學本性與Ti與TiN比較為相當惰性。因此，上述系統(tǒng)將鉭層拋光顯著地不如將鈦層拋光有效(例如，鉭移除速率顯著地比鈦移除速率低)。雖然導孔金屬與屏障金屬由于其類似的高移除速率而傳統(tǒng)上以單一系統(tǒng)拋光，使用傳統(tǒng)拋光系統(tǒng)將導孔金屬及鉭與類似材料共同拋光造成令人不滿意的作用，如氧化物腐蝕及導孔金屬凹狀扭曲。
在使用貴重金屬作為導孔金屬時觀察到氧化物腐蝕的類似問題。貴重金屬具有顯著較低的化學活性，而且被傳統(tǒng)CMP組合物不當?shù)貟伖?。貴重金屬的有效平面化經(jīng)常需要具堿性pH的CMP組合物，造成令人不滿意的較高氧化物層移除速率。
結(jié)果，仍有以下需要以使得第一金屬層的平面化效率、均勻性、及移除速率最大且第二層的平面化最小，因而使令人不滿意的作用(如第一金屬層凹狀扭曲、表面不完美、及損壞底下形貌)最小的方式，將包含第一金屬層與第二層的基底拋光的系統(tǒng)、組合物、及/或方法。本發(fā)明提供此系統(tǒng)、組合物及方法。本發(fā)明的這些及其它特征與優(yōu)點由在此提供的發(fā)明說明而顯而易知。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種化學-機械拋光系統(tǒng)，其包含液態(tài)載劑、拋光墊及/或磨料、及至少一種含胺聚合物，其具有5個或更多個分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子。本發(fā)明亦提供一種化學-機械拋光系統(tǒng)，其包含液態(tài)載劑、拋光墊及/或磨料、及至少一種含胺嵌段共聚物，其具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段。本發(fā)明進一步提供一種化學-機械拋光方法，其利用本發(fā)明的CMP系統(tǒng)將基底拋光。
發(fā)明詳述本發(fā)明的化學-機械拋光系統(tǒng)包含液態(tài)載劑、拋光墊及/或磨料、及至少一種含胺聚合物。含胺聚合物可為(1)具有5或更多個分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子的含胺聚合物及/或(2)含胺嵌段共聚物，其具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段。
液態(tài)載劑、磨料(在存在時懸浮在液態(tài)載劑中)與含胺聚合物、及懸浮在液態(tài)載劑中中的任何其它成分，形成CMP系統(tǒng)的拋光組合物。
此化學-機械拋光系統(tǒng)包含磨料、拋光墊、或兩者。優(yōu)選為，CMP系統(tǒng)包含磨料與拋光墊。磨料可固定在拋光墊上及/或可為粒狀形式且懸浮在液態(tài)載劑中。拋光墊可為任何適合的拋光墊。
磨料可為任何適合的磨料，其中許多在本領(lǐng)域為已知的。例如，磨料可為天然或合成且可包含鉆石(例如，多晶鉆石)、寶石、玻璃、金剛砂、金屬氧化物、氮化物(例如，氮化硅)、碳化物(例如，碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢)、聚合物、復合物(例如，聚合物復合物或聚合物/金屬氧化物復合物)、涂覆顆粒磨料等。磨料的選擇可視所拋光基底的特定本性而定。磨料優(yōu)選為包含金屬氧化物、鉆石、碳化硅、氮化硅、氮化硼、或其組合。金屬氧化物希望選自氧化鋁、硅膠、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂、其共同形成產(chǎn)物、及其組合。更優(yōu)選為，磨料為以氧化鋁、碳化硅、碳化鈦、碳化硼、或氮化硅。
在磨料存在于CMP系統(tǒng)中且懸浮在液態(tài)載劑中時(即，在磨料為拋光組合物的成分時)，任何適合量的磨料可存在于拋光組合物中。一般而言，0.1重量％或更多(例如，0.5重量％或更多)的磨料存在于拋光組合物中。更常為，1重量％或更多的磨料存在于拋光組合物中。拋光組合物中的磨料量一般不超過30重量％，更常為不超過20重量％(例如，不超過10重量％)。
使用液態(tài)載劑以利于將磨料(在存在時)、含胺聚合物、及任何其它添加劑涂布于所拋光或平面化的適當基底的表面。液態(tài)載劑可為任何適合的液態(tài)載劑。一般而言，液態(tài)載劑為水、水與適當與水互溶溶劑的混合物、或乳液。優(yōu)選為，液態(tài)載劑包含、本質(zhì)上包括、或包括水，更優(yōu)選為去離子水。
在第一具體實施例中，含胺聚合物優(yōu)選為具有5或更多個分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子。例如，含胺聚合物可具有7或更多個(例如，10或更多個)分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子。因此，如聚乙烯胺與聚氮丙啶(各具有3個分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子)的含胺聚合物作為含胺聚合物并不合格。含胺聚合物可為包含含氨基官能團的重復單元的縮合聚合物(例如，聚氨基酰胺)。此縮合聚合物可通過多胺單體與二酸單體的反應制備。優(yōu)選為，縮合共聚物為二亞乙基三胺/己二酸縮合共聚物。此含胺聚合物亦可為聚氯化二烯丙基二甲基銨，或包含含一或更多個胺官能團的重復單元及選自由酰胺、乙酸乙烯酯、乙烯醇、環(huán)氧乙烷、與環(huán)氧丙烷組成的群組的重復單元的共聚物。例如，此含胺聚合物可為乙烯胺與乙烯醇的共聚物。
在第二具體實施例中，含胺聚合物為嵌段共聚物，其具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段。此含胺嵌段共聚物可為AB二嵌段、ABA三嵌段、或ABC三嵌段共聚物。此含胺嵌段共聚物亦可為接枝共聚物。一般而言，包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段為含胺嵌段共聚物的10重量％或更多。優(yōu)選為，包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段為含胺嵌段共聚物的20重量％或更多(例如，40％或更多)。含胺嵌段可為任何含胺聚合物嵌段且可具有3或更多個(例如，5或更多個)分離氨基官能團的氮原子的連續(xù)原子。
第一及第二具體實施例的含胺聚合物意圖作為減緩通過化學-機械拋光移除位于基底層底下的基底層(例如，金屬或基于硅的絕緣層)移除的“中止化合物”。此聚合物經(jīng)胺官能團黏附于底下基底層的表面。在胺官能團之間引入間隔原子或重復單元意圖改良聚合物的“中止”性質(zhì)。雖然不希望受任何特定理論限制，據(jù)信具此額外“空間”的含胺聚合物在底下(例如，氧化物絕緣)層的表面上產(chǎn)生較厚的聚合物膜，因此進一步降低此底下層的移除速率而不影響其它(例如，金屬)層的移除速率。此額外的空間引入到各胺官能團之間(依照第一具體實施例)、胺官能團的嵌段間(依照第二具體實施例)、或兩者。
此化學-機械拋光組合物視情況地進一步包含氧化劑。氧化劑希望為碘酸鹽或過態(tài)型(per-type)氧化劑，其包括無機或有機過氧化合物。過氧化合物(如《海氏簡明化學詞典》(Hawley’s Condensed Chemical Dictionary)所定義)為含至少一個過氧基(-O-O-)的化合物、或含在其最高氧化狀態(tài)的元素的化合物。含至少一個過氧基的化合物的實例包括但不限于過氧化氫及其加成物(如尿素過氧化氫與過氧碳酸鹽)、有機過氧化物(如過氧化苯甲酰基、過氧乙酸、與過氧化二叔丁基)、過單硫酸鹽(SO52-)、過二硫酸鹽(S2O82-)、及過氧化鈉。含在其最高氧化狀態(tài)的元素的化合物的實例包括但不限于高碘酸、高碘酸鹽、過溴酸、過溴酸鹽、高氯酸、高氯酸鹽、過硼酸、過硼酸鹽、及高錳酸鹽。優(yōu)選為，過態(tài)型氧化劑選自過氧化物、過硫酸鹽、高碘酸鹽、與高錳酸鹽。過態(tài)型氧化劑可結(jié)合任何其它的氧化劑使用，其包括金屬化合物(例如，鐵鹽)。
此化學-機械拋光組合物視情況地進一步包含螯合或配合劑。配合劑為增強所移除基底層的移除速率的任何適合化學添加劑。例如，適合的螯合或配合劑包括羰基化合物(例如，乙酰丙酮酸鹽等)、簡單羧化物(例如，乙酸鹽、芳基羧化物等)、含一或更多個羥基的羧化物(例如，羥乙酸鹽、乳酸鹽、葡萄庚酸鹽、五倍子酸與其鹽等)、二-、三-與多-羧化物(例如，草酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、檸檬酸鹽、琥珀酸鹽、酒石酸鹽、蘋果酸鹽、依地酸鹽(例如，EDTA二鉀)、其混合物等)、含一或更多個磺酸及/或磷酸基的羧化物等。適合的螯合或配合劑亦包括，例如，二-、三-或多醇(例如，乙二醇、兒茶酚、五倍子酚、單寧酸)及含胺化合物(例如，氨、氨基酸、氨基醇、二-、三-與多胺等)。優(yōu)選為，配合劑為羧酸鹽，更優(yōu)選為草酸鹽。螯合或配合劑的選擇視移除的基底層型式而定。
應了解，許多上述化合物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽等)、酸、或部份鹽的形式存在。例如，檸檬酸鹽包括檸檬酸及其單、二、與三鹽；鄰苯二甲酸鹽包括鄰苯二甲酸及其單鹽(例如，鄰苯二甲酸氫鉀)與二鹽；高氯酸鹽包括對應的酸(即，高氯酸)及其鹽。此外，特定的化合物或試劑可表現(xiàn)超過一種功能。例如，一些化合物可作為螯合劑與氧化劑(例如，特定的硝酸鐵等)。
此化學-機械拋光系統(tǒng)試情況地進一步包含表面活性劑。適合的表面活性劑包括，例如，陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑、兩性表面活性劑、其混合物等。優(yōu)選的表面活性劑為Triton DF-16。
此化學-機械拋光系統(tǒng)可具有任何適合其意圖最終用途的pH。視所拋光基底的型式而定，希望此CMP系統(tǒng)具有2至12范圍的pH。此CMP系統(tǒng)可具有小于7的pH(例如，小于6、2至5、或3至4.5)或大于7的pH(例如，8至14、9至13、或10至12)。在使用此CMP系統(tǒng)將含銅基底拋光時，pH優(yōu)選為4至8。在使用此CMP系統(tǒng)將含鉭基底拋光時，pH優(yōu)選為8至11。在鉭拋光用CMP系統(tǒng)進一步包含氧化劑時，pH優(yōu)選為4至7。在使用此CMP系統(tǒng)將含鎢的基底層拋光時，pH優(yōu)選為1.5至5。在使用此CMP系統(tǒng)將含鉑基底拋光時，pH優(yōu)選為2至7。在使用此CMP系統(tǒng)將含釕基底拋光時，pH優(yōu)選為5或更高(例如，7至11)。在使用此CMP系統(tǒng)將含銥基底拋光時，pH優(yōu)選為5至12(例如，7至9)。
希望此CMP系統(tǒng)用于將包含至少一個金屬層與第二(例如，絕緣或金屬)層的基底拋光的方法，其中第一及第二層不相同。使基底與化學-機械拋光系統(tǒng)接觸，及磨擦至少一部份基底(優(yōu)選為基底的金屬層)使得基底被拋光。基底可為任何適當?shù)幕?例如，集成電路、內(nèi)存或硬盤、金屬、ILD層、半導體、微電機械系統(tǒng)、鐵電體、磁頭、聚合膜、及低或高介電膜)，而且可含任何適當?shù)慕饘倩蚪饘俸辖?例如，金屬導電層)。例如，金屬可為銅、鉭、鎢、鈦、鋁、或鎳。CMP系統(tǒng)特別適合將含貴重金屬基底拋光，特別是用于電子工業(yè)者?；變?yōu)選為包含選自由錸、釕、銠、鈀、銀、鋨、銥、鉑、與金組成的群組的貴重金屬。在更優(yōu)選具體實施例中，貴重金屬為鉑、釕或銥。貴重金屬層趨于機械上硬及化學上耐受性，而且在移除貴重金屬所需的條件下，底下(例如，絕緣層，如氧化物)的移除速率經(jīng)常為高。希望CMP系統(tǒng)的含胺聚合物保護含貴重金屬基底的底下(例如，絕緣層，如氧化物)層，同時維持相對貴重金屬層的高移除速率。例如，使用本發(fā)明的CMP系統(tǒng)可得到相對底下氧化物移除的良好鉑移除選擇性(大于10∶1)。在非貴重金屬的情形，金屬層對底下基底層的選擇性可為30∶1或更高(或甚至50∶1或更高)。
具體實施例方式
本實施例進一步描述本發(fā)明，但是當然絕不應視為限制其范圍。此實施例證明CMP系統(tǒng)的含胺聚合物對于金屬對氧化物移除速率的選擇性的效果。
以七種不同化學機械拋光系統(tǒng)將包含鉑與氧化硅層的類似基底拋光，系統(tǒng)各包含相同的拋光墊結(jié)合不同的拋光組合物(拋光組合物1A-1G)。拋光組合物1A(對照)包含8重量％氧化鋁磨料與1重量％過氧化氫而無含胺聚合物。拋光組合物1B-1G相同，除了其進一步包含含胺聚合物。拋光組合物1B與1C(比較性)各包含1重量％聚氮丙啶(MW＝20,000)與聚氮丙啶(MW＝80,000)。拋光組合物1C(本發(fā)明)包含1重量％聚(氯化二烯丙基二甲基銨)。拋光組合物相容譯本(購自Edge Biosystems)，其中感興趣的cDNA在人EF1α啟動子的控制下表達。pEAK12d按以下方法產(chǎn)生用限制酶HindIII和NotI消化pEAK12，用克列諾(New England Biolabs)平端，并用牛小腸堿性磷酸鹽(Roche)脫磷酸。在脫磷酸作用之后，使載體與含有ccdB基因旁側(cè)的AttR重組位點和氯霉素抗性的平端Gateway讀框盒C(Gateway載體轉(zhuǎn)化系統(tǒng)，Invitrogen cat no.11828-019)連接，再轉(zhuǎn)化到大腸桿菌DB3.1細胞(可使含ccdB基因的載體增殖)中。用Wizard Plus SV Minipreps試劑盒(Promega)使小量制備DNA從幾個所得集落中分離出來，以AseI/EcoRI消化鑒定集落，得到670bp片段，這表示讀框盒以正確方向插入。得到的質(zhì)粒命名為pEAK12d(圖6)。
3.含有IPAAA44548的cDNA文庫的鑒定在文庫3、8和12(分別是推定、大腦皮層和胎兒腎)中鑒定用CP1和CP2獲得，并以正確大小(264bp)遷移的PCR產(chǎn)物。
表I 人cDNA文庫

在此敘述本發(fā)明的優(yōu)選具體實施例，其包括完成本發(fā)明的發(fā)明人已知的最佳模式。這些優(yōu)選具體實施例的變化對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀以上說明后為顯而易知的。本發(fā)明人預期本領(lǐng)域技術(shù)人員適當?shù)厥褂么俗兓?，及本發(fā)明人認為本發(fā)明可按在此特定地敘述以外而實行。因此，本發(fā)明包括所述申請專利范圍所列對象的所有修改及等同物，如適用的法律所許可。此外，本發(fā)明包含上述組件于其所有可能變化的任何組合，除非在此另有指示或在內(nèi)文中明確地否認。
權(quán)利要求
1.一種化學-機械拋光系統(tǒng)，其包含(a)液態(tài)載劑；(b)拋光墊及/或磨料；及(c)至少一種含胺聚合物，其具有5或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中至少一種含胺聚合物為包含含氨基官能團的重復單元的縮合聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中縮合聚合物為聚氨基酰胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的系統(tǒng)，其中縮合聚合物為二亞乙基三胺/己二酸縮合聚合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中至少一種含胺聚合物為聚氯化二烯丙基二甲基銨。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中至少一種含胺聚合物為包含含胺官能團的重復單元與選自酰胺、乙酸乙烯酯、環(huán)氧乙烷、與環(huán)氧丙烷的重復單元的共聚物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中至少一種含胺聚合物具有7或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中至少一種含胺聚合物具有10或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其進一步包含過態(tài)型氧化劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中過態(tài)型氧化劑選自過氧化物、過硫酸鹽、高碘酸鹽、與高錳酸鹽。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其進一步包含配合劑。
12.一種化學-機械拋光系統(tǒng)，其包含(a)液態(tài)載劑；(b)拋光墊及/或磨料；及(c)至少一種含胺嵌段共聚物，其具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中至少一種含胺嵌段共聚物為AB二嵌段、ABA三嵌段、或ABC三嵌段共聚物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段為含胺嵌段共聚物的10重量％或更多。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的系統(tǒng)，其中包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段為含胺嵌段共聚物的20重量％或更多。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段為含胺嵌段共聚物的40重量％或更多。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中至少一個含胺嵌段具有5或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子。
18.一種拋光多層基底中一或更多層的方法，其包含(i)提供包含第一含金屬層與第二層的基底，其中第一與第二層不相同，(ii)提供一種化學-機械拋光系統(tǒng)，其包含(a)液態(tài)載劑；(b)拋光墊及/或磨料；及(c)至少一種含胺聚合物，其為(1)具有5或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子的含胺聚合物，或(2)具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段的含胺嵌段共聚物；(iii)使基底與化學-機械拋光系統(tǒng)接觸；及(iv)研磨至少一部份基底以拋光基底。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第一含金屬層包含銅、鉭、鈦、或鎢。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第一含金屬層包含選自鉑、銥、錸、釕、銠、鈀、銀、鋨、與金的貴重金屬。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中貴重金屬為鉑。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中貴重金屬為銥。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中貴重金屬為釕。
24.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第二層包含金屬氧化物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種化學－機械拋光系統(tǒng)及方法，其包含液態(tài)載劑、拋光墊和/或磨料、及至少一種含胺聚合物，其中含胺聚合物具有5或更多個分離氨基官能團中氮原子的連續(xù)原子，或為嵌段共聚物，其具有至少一個包含一或更多個胺官能團的聚合物嵌段與至少一個不含任何胺官能團的聚合物嵌段。
文檔編號H01L21/304GK1620488SQ03802445
公開日2005年5月25日 申請日期2003年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月18日
發(fā)明者凱文·J·莫根伯格, 艾薩克·K·切里安, 弗拉斯塔·布魯西克 申請人:卡伯特微電子公司