專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光輸出功率大的發(fā)光二極管陣列，尤其是能夠適合使用于電子照相方式的打印機(jī)光源的發(fā)光二極管陣列。
背景技術(shù)：
電子照相方式的打印機(jī)由對(duì)應(yīng)圖像信號(hào)的光在感光鼓上形成靜電潛影，在使碳粉選擇性地附著而顯影之后，轉(zhuǎn)印到紙張上而得到圖像。作為用于形成潛影的光源，廣泛使用著激光方式以及發(fā)光二極管陣列方式。尤其是發(fā)光二極管陣列方式的光源，由于它不需要像激光方式那樣采用長(zhǎng)的光路，因此非常適合于小型打印機(jī)和大尺寸印刷。近年來(lái)，隨著印刷的高速化和高畫(huà)質(zhì)化以及打印機(jī)的小型化，希望得到更高精細(xì)度大功率的發(fā)光二極管陣列。
通常，夾住半導(dǎo)體基片和基片上的發(fā)光部，而在上表面(出光側(cè))和背面具有一對(duì)電極的發(fā)光二極管為人們廣泛知曉。在具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的上表面和背面電極之間外加一個(gè)電壓時(shí)，在相對(duì)半導(dǎo)體基片垂直方向上流過(guò)電流，在發(fā)光部電子·空穴對(duì)再結(jié)合而發(fā)光。因此，雖然在上表面電極正下方的發(fā)光部的發(fā)光輸出功率最大，但是在該部分發(fā)出的光被上表面電極反射和吸收，因此不能高效地放出。因此，特別是作為需要使放出光部分的面積小的600dpi、1200dpi等高分辨打印機(jī)的光源來(lái)說(shuō)，存在著以現(xiàn)有的發(fā)光二極管其發(fā)光輸出功率不充分的問(wèn)題。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中在發(fā)光部的兩側(cè)形成陽(yáng)電極和陰電極的發(fā)光二極管中，公布了一種發(fā)光二極管陣列，其通過(guò)在發(fā)光部的發(fā)光面正下方形成電流擴(kuò)散層，并在陽(yáng)電極的正下方形成電流阻止層，將來(lái)自陽(yáng)電極的電流由電流阻止層導(dǎo)向發(fā)光面的正下方，并且通過(guò)電流擴(kuò)散層使電流擴(kuò)散到發(fā)光面正下方全體中。但是，分離各發(fā)光部之間的臺(tái)面腐蝕溝部的導(dǎo)電層，成為從陽(yáng)電極不通過(guò)發(fā)光部的活性層而直接回流到陰電極的電流路徑，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管的發(fā)光輸出功率降低。
特愿2002-004874號(hào)中提出了通過(guò)把陰電極和陽(yáng)電極設(shè)在基片的同一面上，以改善發(fā)出光的放出效率的方式。圖3是示出具有這樣的結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列的頂視圖，圖4(a)僅表示圖3中單個(gè)單元。另外圖4(b)是圖4(a)的沿A-A線的截面圖，圖4(c)是圖4(a)沿B-B線的截面圖。在n型GaAs基片10上生長(zhǎng)的p型GaAs導(dǎo)電層11之上以所定間隔設(shè)置了多個(gè)發(fā)光部2。各發(fā)光部2由依次沉積在p型GaAs導(dǎo)電層11之上的p型AlGaAs刻蝕阻擋層12、p型AlGaAs接地層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAs接地層15以及n型GaAs頂層16所構(gòu)成。發(fā)光部2的發(fā)光二極管區(qū)域具有由p型AlGaAs接地層13、p型AlGaAs活性層14、以及n型AlGaAs接地層15所構(gòu)成的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
各發(fā)光部2是利用臺(tái)面腐蝕除去外延生長(zhǎng)層而形成的。臺(tái)面腐蝕溝由分離發(fā)光部2和焊接部8a、8c的第一臺(tái)面腐蝕溝部21與第二臺(tái)面腐蝕溝部22所構(gòu)成。
在各發(fā)光部2上表面的一部分形成有陰極電極3。在p型GaAs導(dǎo)電層11上接近發(fā)光部2處所設(shè)置的帶狀的陽(yáng)電極4是通過(guò)在p型GaAs導(dǎo)電層11上蒸鍍、合金化各種金屬而形成。除了陰電極3以及陽(yáng)電極4的觸點(diǎn)孔7c、7a，發(fā)光部2以及露出的導(dǎo)電層11的表面均由PSG(磷玻璃)構(gòu)成的絕緣膜17所覆蓋。Au布線層5c形成為其一端連接在沒(méi)有被絕緣膜17覆蓋的陰電極3上，Au布線層5c一直延伸到焊接部8c的表面，在Au布線層5c的另一端形成有焊接區(qū)6c。另一方面，Au布線層5a形成為其一端連接在陽(yáng)電極4側(cè)，Au布線層5a一直延伸到焊接部8a的表面，在Au布線層5a的另一端形成有焊接區(qū)6a。
在這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列中，從陽(yáng)電極4向陰電極3的電流路徑19流經(jīng)發(fā)光部2，此時(shí)在p型AlGaAs活性層14產(chǎn)生光L。該光L從利用刻蝕除去n型GaAs頂層16而設(shè)置的光放出部9被發(fā)射到外部。在這種原有的發(fā)光二極管陣列中，從圖4(a)、(b)、(c)來(lái)判斷，通過(guò)分離發(fā)光部2與焊接部8c的第一臺(tái)面腐蝕溝部21、和進(jìn)一步分離p型GaAs導(dǎo)電層11的第二臺(tái)面腐蝕溝部22，電流路徑19借助位于光放出部9的正下方的p型AlGaAs活性層14從陽(yáng)電極4直接被導(dǎo)入陰電極3。因此能夠中斷無(wú)助于發(fā)光的電流路徑，從而能夠有效獲得發(fā)光輸出功率。
但是，在上述的發(fā)光二極管陣列中，由于一旦完全阻擋住該巡回電流則正向電流IF就僅限于電流路徑19的電流，所以為了得到一定的發(fā)光輸出功率就需要更大的工作電壓，這樣就不能滿足近年來(lái)的低消費(fèi)電力的要求。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2000-323750號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是，提供一種僅抑制無(wú)助于發(fā)光的巡回電流路徑中的電流以增大發(fā)光輸出功率，并且能夠在低電壓下工作的發(fā)光二極管陣列。
為了上述目的而鉆研的結(jié)果，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(guò)利用第二臺(tái)面腐蝕溝部而留下通往導(dǎo)電層中發(fā)光部的電流路徑的區(qū)域，而除去相鄰的發(fā)光部之間的區(qū)域，來(lái)抑制無(wú)助于發(fā)光的巡回電流的同時(shí)，通過(guò)在光放出部上配置帶狀電極，將有助于發(fā)光的巡回電流高效率地導(dǎo)向各發(fā)光二極管以增大發(fā)光輸出功率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)，由此想到本發(fā)明。
即，本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列具有如下特征具有在基片上生長(zhǎng)的導(dǎo)電層、在上述導(dǎo)電層上形成的各自獨(dú)立的多個(gè)發(fā)光部、在各發(fā)光部上表面一部分上形成的第一電極、以及在上述導(dǎo)電層上接近上述發(fā)光部形成的第二電極，上述第二電極是使多個(gè)上述發(fā)光部工作的共同電極，在上述導(dǎo)電層中僅留下通往上述發(fā)光部的電流路徑的區(qū)域，并除去相鄰的發(fā)光部之間的區(qū)域。
在本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列中，發(fā)光部最好是通過(guò)臺(tái)面腐蝕溝把在導(dǎo)電層上生長(zhǎng)的外延層分割而成。所期望的實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列具有為形成各自獨(dú)立的多個(gè)發(fā)光部而將上述發(fā)光部與焊接部分離的第一臺(tái)面腐蝕溝部、分離上述各發(fā)光部之間的第二臺(tái)面腐蝕溝部，通過(guò)上述第二臺(tái)面腐蝕溝部除去上述發(fā)光部之間的導(dǎo)電層，由此在上述的第一電極與第二電極之間不會(huì)有無(wú)助于發(fā)光的電流流動(dòng)。
第二臺(tái)面腐蝕溝部是除去相鄰的發(fā)光部之間的區(qū)域中光放出部之間的區(qū)域而形成的，最好通過(guò)分離上述發(fā)光部與焊接部的第一臺(tái)面腐蝕溝部和分離上述各發(fā)光部的第二臺(tái)面腐蝕溝部，使臺(tái)面腐蝕溝部形成為梳形。在此情況下，第二臺(tái)面腐蝕溝部最好形成在從上述第一電極側(cè)到上述第一電極與上述光放出部的邊界。
還有，若在發(fā)光部2的光放出部9上將第一電極設(shè)置為帶狀，就能夠?qū)⒀不仉娏饕矊?dǎo)入光放出部9的正下方，這樣即使用低驅(qū)動(dòng)電壓也能夠有效提高發(fā)光輸出功率。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列，將第一及第二電極間的電流路徑高效率地導(dǎo)向光放出部9的正下方，能夠提高內(nèi)部發(fā)光效率，因此不必升高驅(qū)動(dòng)電壓就能夠增大發(fā)光輸出功率。


圖1是示意本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的頂視圖。
圖2是示意構(gòu)成圖1的發(fā)光二極管陣列的單個(gè)單元，(a)是單個(gè)單元的頂視圖，(b)是(a)沿A-A線的截面圖，(c)是(a)沿B-B線的截面圖。
圖3是示意原有的發(fā)光二極管陣列的頂視圖。
圖4是示意構(gòu)成圖3的發(fā)光二極管陣列的單個(gè)單元，(a)是單個(gè)單元的頂視圖，(b)是(a)沿A-A線的截面圖，(c)是(a)沿B-B線的截面圖。
圖5是示意采用本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列的發(fā)光面、電極結(jié)構(gòu)的應(yīng)用例的頂視圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)如圖1以及圖2所示，本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列具有基片10、在基片10上形成的多個(gè)發(fā)光部2、在各發(fā)光部2的上表面部分形成的第一電極3、以及在導(dǎo)電層11上接近發(fā)光部2位置上形成的第二電極4。在圖示的實(shí)施例中，各發(fā)光部2是在均勻生長(zhǎng)于基片10上的外延生長(zhǎng)層上設(shè)置了臺(tái)面腐蝕溝，而使它們成為分別獨(dú)立的外延生長(zhǎng)層部。
(1)基片基片10只要是能用于發(fā)光二極管的材料就可以不用特別限定，只要是可與發(fā)光部電性絕緣的結(jié)構(gòu)就可以?？梢杂胣型基片也可以用p型基片，也可以使用半絕緣性GaAs基片等的半絕緣性基片或者絕緣性基片。也可以通過(guò)在基片10與導(dǎo)電層11之間設(shè)置無(wú)摻雜GaAs層等高電阻層來(lái)進(jìn)行絕緣，或者是設(shè)置與導(dǎo)電層11極性相反的半導(dǎo)體層進(jìn)行絕緣。
(2)發(fā)光部在基片10的導(dǎo)電層11上沉積的化合物半導(dǎo)體的種類(lèi)和結(jié)晶層的厚度，根據(jù)所要的發(fā)光波長(zhǎng)以及發(fā)光輸出功率來(lái)適當(dāng)選擇。作為化合物半導(dǎo)體，可以使用AlGaAs、AlGalnP等。發(fā)光部2最好具有由第一導(dǎo)電型的接地層、活性層以及第二導(dǎo)電型的接地層所構(gòu)成的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其是可通過(guò)刻蝕將在導(dǎo)電層上形成的外延生長(zhǎng)層分割而得到。
在圖示的實(shí)施例中，本發(fā)明的二極管陣列的發(fā)光部2，由以p型GaAs導(dǎo)電層為介質(zhì)而在n型GaAs基片10上依次形成的p型AlGaAs刻蝕阻擋層12、p型AlGaAs接地層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAs接地層15以及n型GaAs頂層16所構(gòu)成。n型GaAs頂層16在光放出部9的區(qū)域內(nèi)被刻蝕除去。為防止與Au布線層5之間的短路，絕緣膜(絕緣性PSG膜)17覆蓋住除陰電極3以外的發(fā)光部2的全部表面。另外，在圖1以及圖2的頂視圖中為了方便而省略了絕緣性PSG膜。
上述發(fā)光部2中直接關(guān)系到發(fā)光的區(qū)域具有如下結(jié)構(gòu)將具有對(duì)應(yīng)于發(fā)光波長(zhǎng)的禁帶寬度的p型AlGaAs活性層14，利用禁帶寬度比其更大的p型AlGaAs接地層13(第一導(dǎo)電型的接地層)以及n型AlGaAs接地層15(第二導(dǎo)電型的接地層)夾住的所謂雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
(3)電極以及布線層只要第一以及第二電極之一為陰電極，另一方則為陽(yáng)電極就可以，例如對(duì)第一電極而言其為陽(yáng)電極或陰電極都可以。由于要求各電極的焊接特性、與下層之間的歐姆接觸特性以及緊密性都要好，所以最好由多層金屬層構(gòu)成。此外，各電極具有氧化物層也可以，但在最上層最好是具有焊接特性良好的Ti/Au、Mo/Au等金屬層。例如可以在陽(yáng)電極使用AuZn/Ni/Au的積層電極，在陰電極使用AuGe/Ni/Au等積層電極。
各電極的金屬層可以用電阻加熱蒸鍍方法、電子束加熱蒸鍍方法制備，氧化物層可以用各種常用的成膜方法制備。為了得到歐姆特性最好對(duì)金屬層施實(shí)進(jìn)一步的熱處理(合金化)。
在圖1以及圖2所示的實(shí)施例中，在各發(fā)光部2的臺(tái)面頂面形成有陰電極3，在光放出部9上陰電極3的形狀為多根帶狀結(jié)構(gòu)。該發(fā)光二極管陣列的特征點(diǎn)是n型頂層16的一部分通過(guò)刻蝕被梳形地去除，使n型AlGaAs接地層15上表面的一部分梳形地露出，從而使光放出部9形成為梳形；在梳形地剩余的n型頂層16的上表面陰電極3通過(guò)歐姆接觸進(jìn)一步形成為梳形。即，陰電極3是由形成于各發(fā)光部2上的2根帶狀電極形成。該帶狀電極并非局限于該例，也可以配置為如圖5所示的多根帶狀或者網(wǎng)狀。各發(fā)光部2的側(cè)面以及陰電極3的周邊部分由絕緣膜(絕緣性PSG膜)17(無(wú)圖示)所覆蓋。各發(fā)光部2的陰電極3與Au布線層5c的一端相連接，各Au布線層5c的另一端形成焊接部8c的各焊接區(qū)6c。另一方面，在p型GaAs導(dǎo)電層11上接近各發(fā)光部2的位置帶狀地形成了作為共通電極的陽(yáng)電極4并使之成為歐姆接觸。陽(yáng)電極4經(jīng)由Au布線層5a與焊接區(qū)6a相連接。
(4)臺(tái)面腐蝕溝為制備各自獨(dú)立的發(fā)光部2，臺(tái)面腐蝕溝由分離發(fā)光部2與焊接部8的第一臺(tái)面腐蝕溝部21、去除發(fā)光部2之間的導(dǎo)電層11的第二臺(tái)面腐蝕溝部22所構(gòu)成，兩溝部連接起來(lái)而整體構(gòu)成一個(gè)梳形。圖示中的實(shí)施例發(fā)光二極管陣列的其他主要特征點(diǎn)是，第二臺(tái)面腐蝕溝部22是在把相鄰的光放出部9之間區(qū)域去除了的發(fā)光部2之間的區(qū)域形成的，第二臺(tái)面腐蝕溝部22的梳形前端位于光放出部9與第一電極3的邊界。
發(fā)光二極管陣列的動(dòng)作由于在與陽(yáng)電極4歐姆接觸的p型GaAs導(dǎo)電層11和位于發(fā)光部2上表面的陰電極3之間產(chǎn)生電位差，所以電流路徑19必須通過(guò)發(fā)光部2正下方的p型GaAs導(dǎo)電層11，從發(fā)光區(qū)域內(nèi)的p型AlGaAs活性層14產(chǎn)生光L。產(chǎn)生的光L再?gòu)墓夥懦霾?被引到外部。
如原有的發(fā)光二極管陣列那樣從陽(yáng)電極4導(dǎo)入陰電極3的電流路徑中，無(wú)助于發(fā)光的巡回電流路徑通過(guò)第二臺(tái)面腐蝕溝部22被阻止。另一方面，通過(guò)帶狀電極被引過(guò)來(lái)的巡回電流20因其經(jīng)由發(fā)光部，從而能夠提高內(nèi)部發(fā)光效率。因此，通過(guò)發(fā)光部2的p型AlGaAs活性層14的電流路徑19的電流密度增大，隨之放出的光量也增加。在圖示結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列中，可不必增加驅(qū)動(dòng)電壓就能夠得到相當(dāng)于以往的約1.5倍的發(fā)光輸出功率。
為進(jìn)一步提高發(fā)光二極管陣列的光輸出功率，也可以將電流從陰電極3引進(jìn)光放出部9的下部區(qū)域。在該場(chǎng)合，在陰電極3的正下方設(shè)置電流阻止層，在光放出部9的正下方設(shè)置電流擴(kuò)散層。電流擴(kuò)散層由對(duì)發(fā)光波長(zhǎng)的吸收少、電阻率小的化合物形成。采用這種結(jié)構(gòu)，電流就通過(guò)電流阻止層從陰電極3被引進(jìn)光放出部9的下部區(qū)域，再通過(guò)電流擴(kuò)散層均勻擴(kuò)散到光放出部9的全部區(qū)域而通過(guò)發(fā)光部。
發(fā)光二極管陣列的制造方法本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列，除了可通過(guò)第二臺(tái)面腐蝕溝部22除去發(fā)光部2之間的導(dǎo)電層11，以及陰電極3在梳形狀地剩余的n型GaAs頂層16的上表面可通過(guò)歐姆性接合進(jìn)一步形成為梳形狀之外，用與以往相同的方法能夠制造。比較好的制造例是，首先利用有機(jī)金屬氣相沉積法(MOVPE法)在n型GaAs基片10的上表面依次生長(zhǎng)p型GaAs導(dǎo)電層11(載流子濃度4×1019cm-3、厚度1μm)、p型AlGaAs刻蝕阻擋層12(載流子濃度3×1019cm-3、厚度0.1μm)、p型AlGaAs接地層13(載流子濃度1×1018cm-3、厚度1μm)、p型AlGaAs活性層14(載流子濃度1×1018cm-3、厚度1μm)、n型AlGaAs接地層15(載流子濃度2×1018cm-3、厚度3μm)、以及n型GaAs頂層16(載流子濃度1×1018cm-3、厚度0.5μm)。
對(duì)已經(jīng)生長(zhǎng)好的結(jié)晶層有選擇地施行濕刻。首先留下與陰電極3接觸的部分并除去發(fā)光部2的n型GaAs頂層16。其次，以露出p型GaAs導(dǎo)電層11的深度設(shè)置臺(tái)面腐蝕溝，將p型GaAs導(dǎo)電層11上的外延生長(zhǎng)層分隔成多個(gè)發(fā)光部2的同時(shí)，分離發(fā)光部2和焊接部8。然后，通過(guò)第一臺(tái)面腐蝕溝部21除去p型GaAs導(dǎo)電層11上的發(fā)光部2與焊接部8之間的區(qū)域，同時(shí)，通過(guò)第二臺(tái)面腐蝕溝部22除去相鄰的發(fā)光部2之間的導(dǎo)電層11、以及陽(yáng)電極4與焊接部8之間的導(dǎo)電層11。這時(shí)，假如臺(tái)面腐蝕溝部22的深度設(shè)定為使得n型GaAs基片10也稍微被刻蝕到，那么即使刻蝕有誤差導(dǎo)電層11也不會(huì)殘留。
可覆蓋發(fā)光二極管陣列那樣利用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)生長(zhǎng)PSG膜17之后，用氟酸僅除去陰電極3以及陽(yáng)電極4的部分，再蒸鍍陰電極3用的AuGe/Ni/Au。接著蒸鍍陽(yáng)電極4用的AuGe/Ni/Au，形成陰電極3以及陽(yáng)電極4。利用CVD法生長(zhǎng)絕緣膜(PSG膜)17后，在陰電極3、陽(yáng)電極4的上部用氟酸只除去觸點(diǎn)孔7的部分，形成延伸至焊接部8的Au布線層5。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管陣列利用臺(tái)面腐蝕溝除去相鄰的發(fā)光部之間的導(dǎo)電層，而且由于把電極形成為帶狀，因此能夠主動(dòng)吸收在第一電極以及第二電極之間經(jīng)由發(fā)光部的電流。因此，將第一以及第二電極間的電流路徑高效率地引向光放出部正下方，使通過(guò)內(nèi)部發(fā)光部的活性層的電流密度變大，不用升高驅(qū)動(dòng)電壓就能夠增大發(fā)光輸出功率。這樣的發(fā)光二極管陣列適宜于用作電子照相方式的打印機(jī)光源等。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管陣列，其特征在于，具有在基片上生長(zhǎng)的導(dǎo)電層、在上述導(dǎo)電層上形成的各自獨(dú)立的多個(gè)發(fā)光部、在各發(fā)光部上表面的一部分形成的第一電極、以及在上述導(dǎo)電層上接近上述發(fā)光部形成的第二電極，上述第二電極是使多個(gè)上述發(fā)光部工作的共同電極，上述導(dǎo)電層中僅留下通往上述發(fā)光部的電流路徑的區(qū)域并除去相鄰的發(fā)光部之間的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，其具有為形成各自獨(dú)立的多個(gè)發(fā)光部而分離上述發(fā)光部和焊接部的第一臺(tái)面腐蝕溝部以及分離上述各發(fā)光部之間的第二臺(tái)面腐蝕溝部，通過(guò)上述第二臺(tái)面腐蝕溝部除去了上述發(fā)光部之間的導(dǎo)電層，由此控制上述第一電極和上述第二電極之間的電流路徑。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，上述第二臺(tái)面腐蝕溝部是在相鄰的上述發(fā)光部之間的區(qū)域內(nèi)將設(shè)于上述發(fā)光部的光放出部之間的區(qū)域除去而形成。
4.如權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，由上述第一臺(tái)面腐蝕溝部和上述第二臺(tái)面腐蝕溝部所組成的臺(tái)面腐蝕溝部，形成為梳形。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，上述第二臺(tái)面腐蝕溝部形成在從上述第一電極側(cè)到上述第一電極與上述光放出部的邊界。
6.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，上述第一電極是單個(gè)或多個(gè)有所定寬度的帶狀電極。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，上述帶狀電極用連接電極相互連接而形成為網(wǎng)狀。
8.如權(quán)利要求6和7所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，上述帶狀電極是由高摻雜濃度半導(dǎo)體層形成。
全文摘要
提供一種僅抑制無(wú)助于發(fā)光的巡回電流路徑中的電流并增大發(fā)光輸出功率并且能夠在低電壓下工作的發(fā)光二極管陣列。其特征在于，其具有在基片上生長(zhǎng)的導(dǎo)電層、在上述導(dǎo)電層上形成的各自獨(dú)立的多個(gè)發(fā)光部、在各發(fā)光部上表面的一部分上形成的第一電極、以及在上述導(dǎo)電層上接近上述發(fā)光部形成的第二電極，上述第二電極是使多個(gè)上述發(fā)光部工作的共同電極，上述導(dǎo)電層中僅留下通往上述發(fā)光部的電流路徑的區(qū)域并除去了相鄰的發(fā)光部之間的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L27/15GK1527642SQ0314301
公開(kāi)日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2003年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月7日
發(fā)明者行本富久 申請(qǐng)人:日立電線株式會(huì)社