專利名稱：表面發(fā)射型發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，具體涉及一種可通過(guò)僅從期望的表面發(fā)光來(lái)準(zhǔn)確測(cè)量距離的表面發(fā)射型發(fā)光二極管。本發(fā)明還涉及一種用于制造該表面發(fā)射型發(fā)光二極管的方法。
這種LED由于可設(shè)計(jì)成小型化、輕型化、耐久性長(zhǎng)和耗電量低，因而可用于各種應(yīng)用，例如傳感裝置和測(cè)距裝置。特別是，該LED已在虹膜掃描系統(tǒng)內(nèi)用作測(cè)距裝置。
眾所周知，虹膜掃描系統(tǒng)是一種用于對(duì)人員身份進(jìn)行驗(yàn)證以便僅使經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的人員能進(jìn)入限定區(qū)域或者能訪問(wèn)限定信息的安全系統(tǒng)。該虹膜掃描系統(tǒng)與指紋掃描系統(tǒng)相比，具有高的識(shí)別速度和準(zhǔn)確度。
虹膜掃描系統(tǒng)對(duì)虹膜進(jìn)行拍片，通過(guò)對(duì)拍片圖像的典型圖案進(jìn)行圖像處理來(lái)生成圖像數(shù)據(jù)，并把該圖像數(shù)據(jù)與預(yù)登記的虹膜數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，從而對(duì)人員身份進(jìn)行驗(yàn)證。
在該虹膜掃描系統(tǒng)中，使用了用于對(duì)到用戶的距離進(jìn)行測(cè)量的位置敏感探測(cè)器(PSD)。該P(yáng)SD具有發(fā)光部和光接收部。當(dāng)從發(fā)光部發(fā)光時(shí)，光接收部接收從對(duì)象反射的光，以便使用三角測(cè)量對(duì)該對(duì)象與PSD之間的距離進(jìn)行測(cè)量。然而，該P(yáng)SD價(jià)格太高，以致無(wú)法用于應(yīng)廣泛使用且價(jià)格適中的虹膜掃描系統(tǒng)。此外，該P(yáng)SD在測(cè)量距離時(shí)經(jīng)常出錯(cuò)。
因此，開(kāi)發(fā)了一種使用LED的低價(jià)格虹膜掃描系統(tǒng)，通過(guò)捕獲在拍片圖像上出現(xiàn)的LED的位置來(lái)測(cè)量距離。也就是說(shuō)，通過(guò)把一種預(yù)先計(jì)算的算法安裝在虹膜掃描系統(tǒng)內(nèi)，并對(duì)在拍片圖像上出現(xiàn)的LED的位置進(jìn)行檢測(cè)，可對(duì)到對(duì)象的距離進(jìn)行準(zhǔn)確和快速的測(cè)量。
然而，該常規(guī)表面發(fā)射型LED存在一個(gè)問(wèn)題，該問(wèn)題可結(jié)合圖1予以說(shuō)明，圖1示出了常規(guī)表面發(fā)射型LED的側(cè)發(fā)射問(wèn)題。
也就是說(shuō)，如圖1所示，即使使用掩蔽處理，常規(guī)表面發(fā)射型LED100也設(shè)計(jì)成從外圍發(fā)光區(qū)域120和期望的發(fā)光區(qū)域110發(fā)光。因此，在采用該常規(guī)表面發(fā)射型LED的虹膜掃描系統(tǒng)中，對(duì)象距離測(cè)量的準(zhǔn)確度由于在外圍發(fā)光區(qū)域120發(fā)光而降低。
本發(fā)明的目的是提供一種可通過(guò)防止在外圍表面區(qū)域發(fā)光來(lái)準(zhǔn)確測(cè)量距離的表面發(fā)射型LED及其制造方法。
在以下說(shuō)明中將部分地提出本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)，其中，部分內(nèi)容對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過(guò)以下檢驗(yàn)或者從本發(fā)明的實(shí)踐中來(lái)領(lǐng)會(huì)時(shí)是顯而易見(jiàn)的。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可采用在本說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在本文中具體體現(xiàn)和廣泛說(shuō)明地那樣，提供了一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，該表面發(fā)射型發(fā)光二極管包括p-n結(jié)層，其設(shè)置(elevated)在基片的一部分上用于發(fā)光；以及隔離層，其形成在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的外圍部分上，除了該頂表面的中心區(qū)域以外。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，該表面發(fā)射型發(fā)光二極管包括基片；用于發(fā)光的p-n結(jié)層，該p-n結(jié)層具有n型外延層，其設(shè)置在基片的一部分上，以及p型外延層，其形成在n型外延層的頂表面的中心區(qū)域上；以及隔離層，其形成在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的外圍部分上，除了該頂表面的中心區(qū)域以外。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造表面發(fā)射型發(fā)光二極管的方法。該方法包括以下步驟在基片上淀積p-n結(jié)層；對(duì)p-n結(jié)層和基片進(jìn)行蝕刻，以便把p-n結(jié)層劃分為設(shè)置在基片上的具有矩陣形狀的多個(gè)塊；在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的外圍部分上形成隔離層，除了該頂表面的中心區(qū)域以外；以及切割這些塊，以便提供多個(gè)發(fā)光二極管。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造表面發(fā)射型發(fā)光二極管的方法。該方法包括以下步驟在基片上淀積n型外延層；對(duì)n型外延層和基片進(jìn)行蝕刻，以便把n型外延層劃分為設(shè)置在基片上的具有矩陣形狀的多個(gè)塊；除了該頂表面的中心區(qū)域之外，在n型外延層的側(cè)壁以及n型外延層的頂表面的外圍部分上形成隔離層；通過(guò)摻雜p型離子在n型外延層的頂表面上形成p型外延層來(lái)形成p-n結(jié)；以及切割這些塊，以便提供多個(gè)發(fā)光二極管。
應(yīng)理解的是，本發(fā)明的以上一般說(shuō)明和以下詳細(xì)說(shuō)明都是示范性和說(shuō)明性的，并都用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


附圖是為了能進(jìn)一步了解本發(fā)明而包含的，并且被納入本說(shuō)明書(shū)中構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，這些附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并用于與本說(shuō)明書(shū)一起對(duì)本發(fā)明的原理進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中圖1是示出外圍發(fā)光現(xiàn)象的常規(guī)表面發(fā)射型LED的示意圖；圖2A～2C是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的制造方法的圖；圖3A～3D是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的制造方法的圖；圖4A～4D是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的制造方法的圖；以及圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的截面圖。
首先參照?qǐng)D2A，把外延層202首先淀積在基片201上，從而形成晶片。
此處，淀積在基片201上的外延層202是通過(guò)把n型包層、有源層和p型包層按該順序進(jìn)行分層而形成的p-n結(jié)層。盡管未在圖中示出，然而還可以在基片201和外延層202之間形成緩沖層。
在此之后，對(duì)沉積有外延層202的晶片進(jìn)行清潔，并按照?qǐng)D2B所示的預(yù)定圖案對(duì)外延層202和基片201進(jìn)行蝕刻。
更詳細(xì)地說(shuō)，在形成該圖案之前，通過(guò)例如旋轉(zhuǎn)涂敷處理，把光致抗蝕劑層按預(yù)定厚度淀積在晶片上。
在此之后，把具有期望的圖案的掩模設(shè)置在光致抗蝕劑層上，并且通過(guò)照射紫外線來(lái)進(jìn)行曝光處理。然后，使用顯像溶液來(lái)進(jìn)行顯像處理，從而利用在曝光部分和非曝光部分之間的溶解度差別來(lái)使圖案顯像，之后，進(jìn)行蝕刻處理，以獲得圖2B所示的圖案。也就是說(shuō)，對(duì)外延層202和基片201進(jìn)行蝕刻，以便可在基片201上把外延層202劃分為具有矩陣形狀的多個(gè)塊。
在此之后，如圖2C所示，使用剝落處理(lift-off process)在外延層202的各塊上形成隔離層203。
現(xiàn)對(duì)剝落處理進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明，按照期望圖案形成光致抗蝕劑層，并在光致抗蝕劑層上形成薄膜層。然后，把形成在光致抗蝕劑層上的薄膜層的一部分與光致抗蝕劑層一起除去，以使不形成在光致抗蝕劑層上的薄膜層的僅一部分得以保留，從而形成薄膜層的期望圖案。由于該剝落處理在本領(lǐng)域是公知的，因而此處將省略對(duì)其詳細(xì)說(shuō)明。
現(xiàn)對(duì)如圖2C所示的LED的形成處理作進(jìn)一步說(shuō)明，首先在基片201上設(shè)置的外延層202的各塊的期望中心發(fā)光區(qū)域形成光致抗蝕劑層(未示出)，然后把隔離層203淀積成覆蓋基片201、光致抗蝕劑層和外延層202。
此處，隔離層203采用諸如SiO2和Al2O3那樣的氧化物或聚合物來(lái)形成，并且通過(guò)噴涂處理，按約1-30μm的厚度進(jìn)行淀積。此時(shí)，隔離層203采用多個(gè)氧化物層根據(jù)所用氧化物的折射率形成為具有預(yù)定厚度。也就是說(shuō)，該厚度被設(shè)定為約λ/4n(其中，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，和n表示隔離層材料的折射率)。
在此之后，把形成在光致抗蝕劑層上的隔離層203的一部分與光致抗蝕劑層一起除去，從而獲得圖2C所示的隔離層203的期望圖案。
然后，對(duì)具有采用矩陣形狀的多個(gè)塊的晶片進(jìn)行切割，以獲得多個(gè)LED。
如上所述制造的LED被設(shè)計(jì)成僅在外延層202的外露區(qū)域發(fā)光。因此，當(dāng)虹膜掃描系統(tǒng)采用該LED時(shí)，可更準(zhǔn)確地測(cè)量對(duì)象距離。(第二實(shí)施例)圖3A～3D示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的制造方法。
參照?qǐng)D3A，首先把外延層302淀積在基片301上，從而形成晶片。
此處，淀積在基片301上的外延層302是通過(guò)把n型包層、有源層和p型包層按該順序進(jìn)行分層而形成的p-n結(jié)層。盡管未在圖中示出，然而，還可以在基片301和外延層302之間形成緩沖層。
在此之后，對(duì)沉積有外延層302的晶片進(jìn)行清潔，并按照?qǐng)D3B所示的預(yù)定圖案對(duì)外延層302和基片301進(jìn)行蝕刻。也就是說(shuō)，對(duì)外延層302和基片301進(jìn)行蝕刻，以便可在基片301上把外延層302劃分為具有矩陣形狀的多個(gè)塊。
然后，如圖3C所示，使用剝落處理在外延層302的各塊上形成隔離層303。
現(xiàn)對(duì)圖3C所示的LED的形成處理作進(jìn)一步說(shuō)明，首先在比基片301上設(shè)置的外延層302的各塊的期望中心發(fā)光區(qū)域略微大的部分上形成光致抗蝕劑層(未示出)，然后把隔離層303淀積成覆蓋基片301、光致抗蝕劑層和外延層302。
此處，隔離層303采用諸如SiO2和Al2O3那樣的氧化物或聚合物來(lái)形成，并且使用噴涂處理，按約1-30μm的厚度進(jìn)行淀積。此時(shí)，隔離層303形成為根據(jù)所用氧化物的折射率的具有預(yù)定厚度的多個(gè)氧化物層。也就是說(shuō)，該厚度被設(shè)定為約λ/4n(其中，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，以及n表示隔離層材料的折射率)。
在此之后，把形成在光致抗蝕劑層上的隔離層303的一部分與光致抗蝕劑層一起除去，從而獲得圖3C所示的隔離層303的期望圖案。
接下來(lái)，如圖3D所示，通過(guò)剝離處理來(lái)形成金屬層304。
也就是說(shuō)，在基片301上設(shè)置的外延層302的期望中心發(fā)光區(qū)域上形成光致抗蝕劑層(未示出)，之后，把金屬層304淀積成覆蓋隔離層303、外延層302和光致抗蝕劑層。
此處，金屬層304采用從由Au、Ti、Al和Ag構(gòu)成的組中所選的一種材料或者諸如Ti/Pt/Au那樣的一種組合來(lái)形成。金屬層與引線具有相同特性，從而增強(qiáng)接觸力。此時(shí)，金屬層具有預(yù)定厚度，優(yōu)選的是約1～30μm。
此后，把形成在光致抗蝕劑層上的金屬層304的一部分與光致抗蝕劑層一起除去，從而獲得圖3D所示的圖案。
在上述步驟之后，把基片301切割成具有矩陣形狀的多個(gè)塊，從而制造多個(gè)LED。
因此，具有上述結(jié)構(gòu)的LED被設(shè)計(jì)成僅在外延層302的外露區(qū)域發(fā)光。因此，當(dāng)虹膜掃描系統(tǒng)采用該LED時(shí)，可更準(zhǔn)確地測(cè)量對(duì)象距離。(第三實(shí)施例)圖4A～4D示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的表面發(fā)射型LED的制造方法。
首先參照?qǐng)D4A，首先把n型外延層402淀積在基片401上，從而形成晶片。
此后，對(duì)沉積有n型外延層402的晶片進(jìn)行清潔，并按照?qǐng)D4B所示的預(yù)定圖案對(duì)n型外延層302和基片301進(jìn)行蝕刻。也就是說(shuō)，對(duì)n型外延層402和基片401進(jìn)行蝕刻，以便可在基片401上把n型外延層402劃分為具有矩陣形狀的多個(gè)塊。
此后，如圖4C所示，通過(guò)剝落處理在外延層402的各塊上形成隔離層403。
現(xiàn)對(duì)圖4C所示的LED的形成處理作進(jìn)一步說(shuō)明，首先在基片401上設(shè)置的外延層402的各塊的期望中心發(fā)光區(qū)域形成光致抗蝕劑層(未示出)，然后淀積隔離層403以覆蓋基片401、光致抗蝕劑層和外延層402。
此處，隔離層303采用諸如SiO2和Al2O3那樣的氧化物或聚合物來(lái)形成，并且使用噴涂處理，按約1～30μm的厚度進(jìn)行淀積。此時(shí)，隔離層403根據(jù)所用氧化物的折射率形成為具有預(yù)定厚度的多個(gè)氧化物層。也就是說(shuō)，該厚度被設(shè)定為約λ/4n(其中，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，以及n表示隔離層材料的折射率)。
此后，把形成在光致抗蝕劑層上的隔離層403的一部分與光致抗蝕劑層一起除去，從而獲得圖4C所示的隔離層303的期望圖案。
然后，如圖4D所示，通過(guò)離子注入處理，在n型外延層402內(nèi)摻雜p型離子。此時(shí)，隔離層403用作在外延層402內(nèi)摻雜離子的掩模。結(jié)果，在不覆蓋有隔離層403的外延層404的僅一部分內(nèi)摻雜p型離子，從而把n型外延層402的預(yù)定的上部變?yōu)閜型外延層404。此時(shí)，p型外延層404具有約10～30μm的厚度。
如上構(gòu)成的LED被設(shè)計(jì)成僅在n型外延層402和p型外延層404的p-n結(jié)發(fā)光。
此后，把基片401切割成具有矩陣形狀的多個(gè)塊，從而制造多個(gè)LED。
因此，當(dāng)虹膜掃描系統(tǒng)采用該LED時(shí)，可更準(zhǔn)確地測(cè)量對(duì)象距離。
同時(shí)，根據(jù)晶片特性，摻雜離子可以是n型離子和p型離子中的一種。也就是說(shuō)，當(dāng)晶片是p型時(shí)，摻雜n型離子，當(dāng)晶片是n型時(shí)，摻雜p型離子。
并且，當(dāng)通過(guò)離子注入處理來(lái)形成n型外延層402和p型外延層404的p-n結(jié)時(shí)，通過(guò)對(duì)用于阻隔離子的掩模進(jìn)行修改，可形成具有特定形狀的發(fā)光區(qū)域。例如，當(dāng)掩模形狀采用桿形(stick-shape)或心形來(lái)設(shè)計(jì)時(shí)，通過(guò)摻雜p型離子形成的p型外延層404可采用桿形或心形來(lái)形成。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)一種被設(shè)計(jì)成用于發(fā)光的具有桿形或心形的LED。(第四實(shí)施例)眾所周知，電極應(yīng)形成為用于驅(qū)動(dòng)表面發(fā)射型LED。在本發(fā)明中，該電極不形成在外延層502的整個(gè)頂表面上，而是形成在頂表面的有限的期望部分上。此處，該有限期望部分表示期望發(fā)光區(qū)域。
此外，淀積在基片501上的外延層502是通過(guò)把n型包層、有源層和p型包層按該順序進(jìn)行分層而形成的p-n結(jié)層。盡管未在圖中示出，然而還可以在基片501和外延層502之間進(jìn)一步形成緩沖層。
更詳細(xì)地說(shuō)，把歐姆性的金屬層506淀積在外延層502的頂表面的預(yù)定部分上，并且在歐姆性的金屬層506上形成接合金屬層507。也就是說(shuō)，歐姆性的金屬層506不形成在外延層502的整個(gè)頂表面上，而是形成在外延層502的頂表面的預(yù)定期望部分上。因此，當(dāng)在圖5所示的部分中觀察時(shí)，歐姆性的金屬層以彼此隔開(kāi)的多個(gè)塊的形式出現(xiàn)。
當(dāng)歐姆性的金屬層形成在有限的期望區(qū)域上時(shí)，電流僅流經(jīng)形成歐姆金屬層506和接合金屬層507的區(qū)域。也就是說(shuō)，可把電流控制成使其僅流經(jīng)期望區(qū)域，從而可能僅在期望的區(qū)域允許光被發(fā)射出來(lái)。
此外，為了防止側(cè)向漏光，在外延層502的側(cè)壁和頂表面的外圍部分形成采用多層形成的光屏蔽層508。
也就是說(shuō)，如圖5所示，光屏蔽層508由第一隔離層503、反射層504和第二隔離層505構(gòu)成。第一和第二隔離層503和505采用諸如SiO2那樣的絕緣材料來(lái)形成，并且反射層504采用諸如TiO2那樣的金屬材料來(lái)形成。
此處，采用諸如TiO2那樣的金屬材料形成的反射層504可提高在第一和第二隔離層503和505之間的接合力，并且把光屏蔽層508形成得較厚，從而可有效防止從外延層502發(fā)射的光在側(cè)向泄漏。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變動(dòng)。這樣，意圖是使本發(fā)明涵蓋對(duì)本發(fā)明的修改和變動(dòng)，但條件是，這些修改和變動(dòng)應(yīng)在所附權(quán)利要求及其等效的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，包括基片；p-n結(jié)層，其設(shè)置在基片的一部分上用于發(fā)射光；以及第一隔離層，其形成在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的除去該頂表面的中心區(qū)域以外的外圍部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述p-n結(jié)層是通過(guò)對(duì)p型包層、有源層和n型包層進(jìn)行分層來(lái)形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述第一隔離層采用氧化物或聚合物來(lái)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述第一隔離層淀積成具有厚度約λ/4n(這里，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n表示隔離層材料的折射率)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，進(jìn)一步包括金屬層，其形成在第一隔離層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述金屬層采用從由Au、Ti、Al、Ag和Pt構(gòu)成的組中所選的一種材料或一種組合來(lái)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，進(jìn)一步包括第二隔離層，其形成在所述金屬層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述第一和第二隔離層采用SiO2形成，并且所述金屬層采用TiO2形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，進(jìn)一步包括歐姆性的金屬層，其形成在外露的p-n結(jié)層的頂表面的預(yù)定部分上；以及接合金屬層，其形成在歐姆性的金屬層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述歐姆性的金屬層采用特定形狀形成，以便對(duì)p-n結(jié)層的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行調(diào)整。
11.一種用于制造表面發(fā)射型發(fā)光二極管的方法，該方法包括以下步驟在基片上淀積p-n結(jié)層；對(duì)p-n結(jié)層和基片進(jìn)行蝕刻，以便以矩陣形狀把p-n結(jié)層劃分為設(shè)置在基片上的多個(gè)塊；在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的除去該頂表面的中心區(qū)域以外的外圍部分上形成隔離層；以及切割這些塊，以便提供多個(gè)發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述p-n結(jié)層是通過(guò)對(duì)p型包層、有源層和n型包層進(jìn)行分層來(lái)形成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述隔離層采用氧化物或聚合物來(lái)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述隔離層被淀積成具有約λ/4n的厚度(這里，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n表示隔離層材料的折射率)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述隔離層是通過(guò)剝落處理來(lái)形成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，該方法進(jìn)一步包括在所述隔離層上形成金屬層的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬層采用從由Au、Ti、Al、Ag和Pt構(gòu)成的組中所選的一種材料或一種組合來(lái)形成。
18.一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，包括基片；p-n結(jié)層，它用于發(fā)光，該p-n結(jié)層具有n型外延層，其設(shè)置在基片的一部分上；以及p型外延層，其形成在n型外延層的頂表面的中心區(qū)域上；以及隔離層，其形成在p-n結(jié)層的側(cè)壁以及p-n結(jié)層的頂表面的除去該頂表面的中心區(qū)域以外的外圍部分上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，第一隔離層采用氧化物或聚合物來(lái)形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的表面發(fā)射型發(fā)光二極管，其中，所述隔離層被淀積成具有約λ/4n的厚度(這里，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，以及n表示隔離層材料的折射率)。
21.一種用于制造表面發(fā)射型發(fā)光二極管的方法，該方法包括以下步驟在基片上淀積n型外延層；蝕刻n型外延層和基片，以便以矩陣形狀把n型外延層劃分為設(shè)置在基片上的多個(gè)塊；在n型外延層的側(cè)壁以及n型外延層的頂表面的除去該頂表面的中心區(qū)域以外的外圍部分上形成隔離層；通過(guò)摻雜p型離子在n型外延層的頂表面上形成p型外延層來(lái)形成p-n結(jié)；以及切割這些塊，以便提供多個(gè)發(fā)光二極管。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述隔離層是由氧化物或聚合物來(lái)形成的。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述隔離層被淀積成具有約λ/4n的厚度(這里，λ表示從LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n表示隔離層材料的折射率)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述隔離層是通過(guò)剝落處理來(lái)形成的。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，通過(guò)離子注入處理來(lái)?yè)诫sp型離子。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，當(dāng)通過(guò)離子注入處理來(lái)?yè)诫sp型離子時(shí)，所述隔離層用作阻隔離子的掩模。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，當(dāng)通過(guò)離子注入處理來(lái)?yè)诫sp型離子時(shí)，通過(guò)以特定形狀形成的掩模來(lái)形成具有特定形狀的p型外延層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種表面發(fā)射型發(fā)光二極管，該表面發(fā)射型發(fā)光二極管包括基片；p－n結(jié)層，其設(shè)置在基片的一部分上用于發(fā)射光；以及第一隔離層，其形成在p－n結(jié)層的側(cè)壁以及p－n結(jié)層的頂表面的除去該頂表面的中心區(qū)域以外的外圍部分上。
文檔編號(hào)H01L33/44GK1474465SQ0312758
公開(kāi)日2004年2月11日 申請(qǐng)日期2003年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月9日
發(fā)明者李奇映, 林時(shí)鐘 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社