專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有自發(fā)光元件的顯示裝置，尤其涉及具有電致發(fā)光元件及薄膜晶體管的顯示裝置。
上述EL顯示裝置，是在例如透明玻璃基板(以下稱(chēng)絕緣性基板)上依次層壓形成TFT及有機(jī)EL元件。
然后在該絕緣性基板上形成柵極電極，再在其上依次形成柵極絕緣膜及由p-Si膜所構(gòu)成的有源層。
該有源層上設(shè)有在柵極電極上方的溝道、和隔著該溝道而位于柵極電極兩側(cè)的源極、漏極區(qū)域。
而且，在上述柵極絕緣膜、有源層上的全面形成層間絕緣膜，在與上述漏極區(qū)域?qū)?yīng)而設(shè)的接觸孔中充填鋁(Al)等金屬而形成漏極電極。
而且，再于全面形成由例如有機(jī)樹(shù)脂構(gòu)成、用以使表面平坦的平坦化絕緣膜，并在該平坦化絕緣膜的與源極區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成接觸孔后，在平坦化絕緣膜上形成透過(guò)該接觸孔與源極區(qū)域接觸的由ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)所構(gòu)成的兼作為源極電極的EL元件的陽(yáng)極。
然后，在該ITO所構(gòu)成的陽(yáng)極上形成空穴(hole)輸送層后，在該空穴輸送層上形成EL元件，并以覆蓋該EL元件的方式形成電子輸送層，再在其上層壓形成陰極。
以下，將組裝有上述EL元件的基板稱(chēng)為裝置基板來(lái)說(shuō)明公知的EL顯示裝置的封裝狀態(tài)。
首先，通過(guò)利用分配器(dispenser)裝置等涂布的例如環(huán)氧樹(shù)脂等的密封樹(shù)脂，使上述裝置基板和由玻璃基板等所構(gòu)成的封裝基板貼合，再通過(guò)加熱使樹(shù)脂固化而使裝置基板與封裝基板相貼合。
在上述將裝置基板與封裝基板貼合時(shí)所進(jìn)行的加熱處理或加壓處理過(guò)程中，封入上述EL顯示裝置內(nèi)的惰性氣體會(huì)膨脹。此時(shí)，為了使密封樹(shù)脂不至于破裂，必須在密封樹(shù)脂上預(yù)留供多余的惰性氣體逸出的開(kāi)口部(作為逸出通道)。因此，在封入惰性氣體后，要將該開(kāi)口部封閉。
然而，如上述的在貼合后封閉開(kāi)口部的場(chǎng)合，有水分等混入EL顯示裝置內(nèi)的可能性，成為EL顯示裝置的特性劣化的原因。
另外，不形成開(kāi)口部而進(jìn)行貼合的場(chǎng)合，由于EL顯示裝置內(nèi)外的壓力差，會(huì)有密封樹(shù)脂破裂的危險(xiǎn)性。
并且，上述密封樹(shù)脂的粘度在40000cp以上，不超過(guò)170000cp。
再者，上述裝置基板與上述封裝基板之間的空間封入有惰性氣體。
通過(guò)上述構(gòu)成，通過(guò)提高密封樹(shù)脂的粘性可抑制將裝置基板和封裝基板貼合進(jìn)行加熱處理時(shí)的密封樹(shù)脂的破裂。
圖2是適用本發(fā)明的EL顯示裝置的平面圖。
圖3(a)及(b)是適用本發(fā)明的EL顯示裝置的剖視圖。
符號(hào)說(shuō)明200裝置基板，300封裝基板，400密封樹(shù)脂。
以下，說(shuō)明將本發(fā)明顯示裝置的制造方法應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置中的情況。
圖2是表示適用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的顯示像素附近的平面圖，圖3(a)表示沿圖2中的A-A線(xiàn)的剖視圖，圖3(b)表示沿圖2中的B-B線(xiàn)的剖視圖。
如圖2及圖3所示，顯示像素110形成于由柵極信號(hào)線(xiàn)51和漏極信號(hào)線(xiàn)52所圍住的區(qū)域，且配置成矩陣狀。
該顯示像素110中配置有作為自發(fā)光元件的有機(jī)EL元件60、控制將電流供給至該有機(jī)EL元件60的時(shí)序的開(kāi)關(guān)用TFT30、將電流供給至有機(jī)EL元件60的驅(qū)動(dòng)用TFT40、及保持電容。其中，有機(jī)EL元件60包括由作為第一電極的陽(yáng)極61和發(fā)光材料所構(gòu)成的發(fā)光元件層、及作為第二電極的陰極65。
詳細(xì)地說(shuō)，兩信號(hào)線(xiàn)51、52的交點(diǎn)附近設(shè)有作為開(kāi)關(guān)用TFT的第一TFT30，此TFT30的源極33s，兼作為電容電極55，在其與保持電容電極線(xiàn)54之間形成電容，并與作為EL元件驅(qū)動(dòng)用TFT的第二TFT40的柵極電極41相連接，第二TFT的源極43s與有機(jī)EL元件60的陽(yáng)極61相連接，其另一方的漏極43d則與驅(qū)動(dòng)電源線(xiàn)53(作為將電流供給至有機(jī)EL元件60的電流源)相連接。
另外，配置有與柵極信號(hào)線(xiàn)51并行的保持電容電極線(xiàn)54。此保持電容電極線(xiàn)54由鉻等所構(gòu)成，且和與TFT的源極33s連接的電容電極55之間夾著柵極絕緣膜12而形成可蓄積電荷的電容(保持電容)。此保持電容56是為了保持施加于第二TFT40的柵極電極41的電壓而設(shè)置。
如圖3所示，有機(jī)EL顯示裝置，是在由玻璃、合成樹(shù)脂等所構(gòu)成的基板、或具有導(dǎo)電性的基板、或半導(dǎo)體基板等基板10上，依次層壓形成TFT及有機(jī)EL元件而成。但是，只使用具有導(dǎo)電性的基板及半導(dǎo)體基板作為基板10時(shí)，要在這些基板10上形成SiO2、SiN等的絕緣膜后才形成第一、第二TFT及有機(jī)EL元件。其中的任一TFT皆為柵極電極隔著柵極絕緣膜設(shè)置于有源層上方的所謂的頂部柵極構(gòu)造。
首先，說(shuō)明作為開(kāi)關(guān)用TFT的第一TFT30。
如圖3(a)所示，在石英玻璃、無(wú)堿玻璃等所構(gòu)成的絕緣性基板10上，以CVD法等形成非晶硅膜(以下稱(chēng)“a-Si膜”)，在該a-Si膜上照射激光使之熔融再結(jié)晶化而成為多晶硅膜(以下稱(chēng)“p-Si膜”)，以此作為有源層33。接著在上面形成SiO2膜、SiN膜的單層或?qū)訅后w作為柵極絕緣膜12。再在上面，設(shè)置由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成的兼作為柵極電極31的柵極信號(hào)線(xiàn)51及由Al所構(gòu)成的漏極信號(hào)線(xiàn)52，并配置作為有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電源的由Al所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電源線(xiàn)53。
然后，在柵極絕緣膜12及有源層33上的全面，形成依次層壓SiO2膜、SiN膜及SiO2膜而成的層間絕緣膜15后，設(shè)置在對(duì)應(yīng)于漏極33d而設(shè)的接觸孔中充填A(yù)l等金屬而成的漏極電極36，再在全面形成由有機(jī)樹(shù)脂所構(gòu)成、用以使表面平坦的平坦化絕緣膜17。
其次，說(shuō)明作為有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)用TFT的第二TFT40。如圖3(b)所示，在石英玻璃、無(wú)堿玻璃等所構(gòu)成的絕緣性基板10上，依次形成在a-Si膜上照射激光使之多結(jié)晶化而成為有源層43、柵極絕緣膜12、及由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成的柵極電極41，并在該有源層43上設(shè)置溝道43c、和在該溝道43c兩側(cè)的源極43s和漏極43d。然后，在柵極絕緣膜12及有源層43上的全面，形成依次層壓SiO2膜、SiN膜及SiO2膜而成的層間絕緣膜15后，配置在對(duì)應(yīng)于漏極43d而設(shè)的接觸孔中充填A(yù)l等金屬并與驅(qū)動(dòng)電源連接的驅(qū)動(dòng)電源線(xiàn)53。再在全面設(shè)置由例如有機(jī)樹(shù)脂所構(gòu)成、用以使表面平坦的平坦化絕緣膜17。然后，在該平坦化絕緣膜17的與源極43s對(duì)應(yīng)的位置形成接觸孔，而在平坦化絕緣膜17上設(shè)置通過(guò)該接觸孔與源極43s接觸的由ITO構(gòu)成的透明電極，即有機(jī)EL元件的陽(yáng)極61。此陽(yáng)極61在每個(gè)顯示像素中形成島狀。
有機(jī)EL元件60，為由ITO(Indium Tin Oxide)等透明電極所構(gòu)成的陽(yáng)極61、由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)所構(gòu)成的第一空穴輸送層、由TPD(4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)所構(gòu)成的作為第二空穴輸送層的空穴輸送層62、由含有喹吖酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-benzo[h]quinolinolberyllium-complex)所構(gòu)成的發(fā)光層63、及Bebq2所構(gòu)成的電子輸送層64、由鎂-銦合金或鋁、或鋁合金所構(gòu)成的陰極65，依次層壓而形成的構(gòu)造。
有機(jī)EL元件60，從陽(yáng)極61注入的空穴和從陰極65注入的電子在發(fā)光層的內(nèi)部再結(jié)合，而產(chǎn)生激發(fā)形成發(fā)光層的有機(jī)分子的激發(fā)子。此激發(fā)子在放射能量回到穩(wěn)態(tài)的過(guò)程中從發(fā)光層放出光，此光從透明的陽(yáng)極61穿過(guò)透明絕緣性基板向外部放射而發(fā)光。
以下，將組裝有上述EL元件60的基板稱(chēng)為裝置基板200來(lái)繼續(xù)以下的說(shuō)明。


圖1是用以說(shuō)明適用本發(fā)明的EL顯示裝置的封裝狀態(tài)的圖。首先，通過(guò)利用分配器裝置等涂布的例如環(huán)氧樹(shù)脂等的密封樹(shù)脂400，使形成有如上述的EL元件60的裝置基板200和由玻璃基板等所構(gòu)成的封裝基板300貼合，再通過(guò)加熱使樹(shù)脂固化而使裝置基板200與封裝基板300相貼合，利用樹(shù)脂將EL元件60密封起來(lái)而完成EL顯示裝置。
在此，本發(fā)明的特征在于在通過(guò)密封樹(shù)脂400將上述裝置基板200與上述封裝基板300貼合而成的顯示裝置中，將貼合時(shí)的上述密封樹(shù)脂400的粘度設(shè)定在40000cp(centipoise)以上。
即，不在密封樹(shù)脂形成作為惰性氣體的逸出通道的開(kāi)口部，以這種狀態(tài)將裝置基板和密封基板貼合時(shí)，密封樹(shù)脂破裂的危險(xiǎn)性相當(dāng)高而成為問(wèn)題，但本發(fā)明在進(jìn)行樹(shù)脂密封時(shí)的處理中，通過(guò)規(guī)定密封樹(shù)脂的粘度，抑制密封樹(shù)脂的破裂，而使樹(shù)脂密封可行。
并且，密封樹(shù)脂的粘度只要能夠承受貼合時(shí)顯示裝置內(nèi)外的壓力差即可，本實(shí)施方式中，更具體地將該密封樹(shù)脂的粘度范圍設(shè)定為40000cp以上，不超過(guò)170000cp。此處，使粘度的上限不超過(guò)170000cp是因?yàn)檎承蕴^(guò)高的話(huà)，貼合時(shí)的壓合(密封樹(shù)脂的壓散)會(huì)變得困難之故，但若使用壓合力較通常所用的壓合裝置強(qiáng)的裝置，則使用具有高粘性的密封樹(shù)脂也可以。
并且，密封樹(shù)脂的粘度優(yōu)選為80000cp以上，不超過(guò)150000cp，更優(yōu)選為100000cp以上，不超過(guò)130000cp。
如上所述，一方面，粘性太過(guò)高的話(huà)，貼合時(shí)的壓合會(huì)變得困難，而有無(wú)法確保經(jīng)密封的兩基板間為均一的間隔(間隙)的問(wèn)題點(diǎn)。另一方面，粘性太過(guò)低的話(huà)，所涂布的密封樹(shù)脂無(wú)法形成直線(xiàn)狀，而有難以維持密封的形狀的問(wèn)題點(diǎn)。因此，密封樹(shù)脂的粘度的高低為互相折衷的關(guān)系。所以，如上述那樣設(shè)定密封樹(shù)脂的粘度，可加以權(quán)衡而平衡性良好地采用粘度高與粘度低的優(yōu)點(diǎn)。
如上所述的本發(fā)明，在將裝置基板和封裝基板貼合時(shí)，即使不在密封樹(shù)脂形成作為惰性氣體的逸出通道的開(kāi)口部，也可抑制密封樹(shù)脂因EL顯示裝置內(nèi)外的壓力差而破裂的情形。因此，由于可在不設(shè)置開(kāi)口部的狀況下進(jìn)行惰性氣體的封入，故不會(huì)有惰性氣體的純度降低的情形。并且，不會(huì)有水分通過(guò)開(kāi)口部混入EL顯示裝置內(nèi)的情形，可抑制EL顯示裝置的特性劣化的發(fā)生。
并且，上述實(shí)施方式是以將本發(fā)明用于EL顯示裝置為例所作的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于此，也可用于液晶顯示裝置等的各種顯示裝置。
發(fā)明效果依照本發(fā)明，規(guī)定密封樹(shù)脂的粘性，可以抑制將裝置基板和封裝基板貼合進(jìn)行加熱處理或加壓處理時(shí)的密封樹(shù)脂的破裂。
另外，由于無(wú)須形成開(kāi)口部，不會(huì)有惰性氣體的純度降低的情形，故可抑制EL元件的特性劣化的發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，是通過(guò)密封樹(shù)脂將裝置基板與封裝基板貼合而成的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述密封樹(shù)脂的粘度為40000cp以上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述密封樹(shù)脂的粘度為40000cp以上、不超過(guò)170000cp。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述裝置基板與所述封裝基板之間的空間封入有惰性氣體。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述裝置基板與所述封裝基板之間的空間封入有惰性氣體。
5.如權(quán)利要求1至3中任一頂所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述裝置基板構(gòu)成EL顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法，可抑制將裝置基板和封裝基板貼合時(shí)的密封樹(shù)脂的破裂。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，是一種通過(guò)密封樹(shù)脂(400)將裝置基板(200)與封裝基板(300)貼合而成的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述密封樹(shù)脂(400)的粘度為40000cp以上。通過(guò)提高密封樹(shù)脂的粘性使之高于目前的粘性，即可抑制將裝置基板(200)和封裝基板(300)貼合進(jìn)行加熱處理時(shí)的密封樹(shù)脂(400)的破裂。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1444421SQ0310506
公開(kāi)日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月4日
發(fā)明者笹谷亨, 小村哲司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社