專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
圖15是表示現(xiàn)有的EL顯示裝置的一像素的平面圖。圖16是表示沿圖15中的B-B線的剖視圖。在具有柵極電極11的柵極信號(hào)線51與漏極信號(hào)線52的交叉點(diǎn)附近具備有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)用的TFT，并且將該TFT的漏極連接于漏極信號(hào)線52，且將柵極連接于柵極信號(hào)線51，而將源極連接于EL元件的陽(yáng)極61。故在實(shí)際的EL顯示裝置中，該像素構(gòu)成以多個(gè)、矩陣狀配置的顯示區(qū)域。
顯示像素110是在由玻璃或合成樹脂等形成的基板，或具有導(dǎo)電性的基板，或半導(dǎo)體基板等的基板10上，以TFT及有機(jī)EL元件的順序?qū)臃e而形成。但是，在使用具有導(dǎo)電性的基板或半導(dǎo)體基板作為基板10時(shí)，在這些基板10上，在形成SiO2或SiN的絕緣膜后，再在其上形成TFT。
首先，在絕緣性基板10上，形成由鉻(Cr)等高融點(diǎn)金屬形成的柵極電極11，然后，在其上依序形成柵極絕緣膜12，及由p-Si膜形成的有源層13。
在該有源層13上，設(shè)置有在柵極電極11上方的溝道13c、及在該溝道13c兩側(cè)，以溝道13c上的定位絕緣膜(stopper insulation film)14作為掩膜后進(jìn)行離子摻雜，再將柵極電極11兩側(cè)，以抗蝕膜覆蓋后，進(jìn)行離子摻雜，在柵極電極11兩側(cè)設(shè)低濃度區(qū)域，而在其外側(cè)設(shè)置高濃度區(qū)域的源極13s及漏極13d。即所謂的LDD(Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)。
然后，在柵極絕緣膜12、有源層13及定位絕緣膜14上的全面，形成以SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的順序?qū)臃e的層間絕緣膜15，在對(duì)應(yīng)于漏極13d而設(shè)置的接觸孔內(nèi)，充填A(yù)l等金屬，形成漏極電極16。進(jìn)一步在整個(gè)面上形成使例如由有機(jī)樹脂形成的表面為平面的平面化絕緣膜17。
之后，在該平面化絕緣膜17的對(duì)應(yīng)于源極13s的位置，形成接觸孔，在平面化絕緣膜17上，形成陽(yáng)極61，該陽(yáng)極61同時(shí)作為由借助于該接觸孔而與源極13s接觸的ITO(Indium Tin Oxide)形成的源極電極18。陽(yáng)極61是由ITO等透明電極形成。且在該陽(yáng)極61上，形成EL元件60。
作為一般的結(jié)構(gòu)，有機(jī)EL元件60的結(jié)構(gòu)是依照如下順序形成的結(jié)構(gòu)陽(yáng)極61、由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)形成的第1空穴輸送層與由TPD(4，4，4-tris(3-methylphenyl phenylamino)triphenylanine)形成的第2空穴輸送層形成空穴輸送層62、含有喹吖啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex)形成的發(fā)光層69、由Bebq2形成的電子輸送層64、以及鎂銦合金或由鋁、或鋁合金等形成的陰極65。
有機(jī)EL元件60，是通過借助于上述驅(qū)動(dòng)用TFT而供給的電流發(fā)光。也就是說是從陽(yáng)極61注入的空穴，及從陰極65注入的電子在發(fā)光層內(nèi)部進(jìn)行再結(jié)合，以將形成發(fā)光層的有機(jī)分子予以激勵(lì)而產(chǎn)生激發(fā)子，且在該激發(fā)子輻射鈍化過程中，由發(fā)光層63放射光線，由該透明陽(yáng)極61借助于透明絕緣性基板向外部放光。
上述技術(shù)，記載在例如日本特開平11-283182號(hào)公報(bào)。
有機(jī)EL元件60的發(fā)光面積S如圖16所示，根據(jù)在陽(yáng)極61上形成的發(fā)光層63的平面面積而定。因發(fā)光面積S0愈大，該有機(jī)EL元件60的亮度愈高。但因發(fā)光面積S的增大，必招致像素面積的增大，而有妨礙高精細(xì)化的所謂問題。
另一方面，該有機(jī)EL元件60的壽命，即為在發(fā)光亮度衰減至規(guī)定亮度為止的時(shí)間，如圖17所示，在有機(jī)EL元件60上流通的電流的電流密度愈低，壽命愈長(zhǎng)。然而，降低其電流密度，會(huì)產(chǎn)生有機(jī)EL元件60的亮度下降的所謂問題。
本發(fā)明是有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的課題而作，其特點(diǎn)是，在有機(jī)EL元件的發(fā)光層表面設(shè)置凹凸部，以增大其有效發(fā)光面積。
由此，本發(fā)明的EL顯示裝置即使具有與現(xiàn)有例的無(wú)凹凸部的有機(jī)EL元件同樣的平面面積，但因表面的凹凸而可增大其有效發(fā)光面積，因而，得以提高有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度。而且，由于本發(fā)明的EL顯示裝置與現(xiàn)有例相比可減少用于得到規(guī)定發(fā)光亮度的電流密度，因此，可以在維持發(fā)光亮度的同時(shí)延長(zhǎng)發(fā)光元件的發(fā)光壽命。
現(xiàn)將在有機(jī)EL元件發(fā)光層形成凹凸部的方法概述如下使覆蓋在驅(qū)動(dòng)用TFT的平面化絕緣膜的表面粗糙，也就是說，在平面化絕緣膜表面設(shè)置凹凸部，可使層積在該平面化絕緣膜的上層的有機(jī)EL元件的陽(yáng)極、發(fā)光層、陰極等反映其凹凸而形成凹凸部。作為在平面化絕緣膜表面形成凹凸部的方法，例如有(1)使用半曝光方法，(2)利用底層的圖案化在形成絕緣膜的凹凸部后，再形成平面化絕緣膜的方法等。
圖2是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖4是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法的剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖9是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖11是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖12是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法的剖視圖。
圖13是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法的剖視圖。
圖14是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法的剖視圖。
圖15現(xiàn)有EL顯示裝置的一像素的平面圖。
圖16沿圖13中B-B線的剖視圖。
圖17是表示有機(jī)EL元件的壽命與電流密度的關(guān)系的圖。
符號(hào)說明10絕緣性基板；11柵極電極；13有源層；14定位絕緣膜；15層間絕緣膜；16漏極電極；20平面化絕緣膜；20A凹凸部；21接觸孔；22陽(yáng)極；23空穴輸送層；24發(fā)光層；25電子輸送層；26陰極；30第1TFT；40第2TFT；130絕緣膜；131光致抗蝕摸；132凸部；133平面化絕緣膜；134接觸孔；135陽(yáng)極；136空穴輸送層；137發(fā)光層；138電子輸送層；139陰極。
下面參照附圖針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
第1實(shí)施方式參照?qǐng)D1～圖5，說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式。與圖15、圖16相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注同一符號(hào)。
如圖1所示，在絕緣性基板10上形成TFT。即，在絕緣性基板10上形成由鉻(Cr)等高融點(diǎn)金屬形成的柵極電極11，然后，在其上依序形成柵極絕緣膜12以及由p-Si膜形成的有源層13。
在該有源層13上，設(shè)置有在柵極電極11上方的溝道13c，及在該溝道13c兩側(cè)，將溝道13c上的定位絕緣膜14作為掩膜后，進(jìn)行離子摻雜，再在柵極電極11兩側(cè)，以抗蝕膜覆蓋后，進(jìn)行離子摻雜，在柵極電極11兩側(cè)設(shè)置低濃度區(qū)域，且在外側(cè)設(shè)置高濃度區(qū)域的源極13s及漏極13d。即所謂的LDD(Lightly Doped Drain)結(jié)構(gòu)。
然后，在柵極絕緣膜12、有源層13及定位絕緣膜14上的整個(gè)面上，形成以SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的順序?qū)臃e的層間絕緣膜15，再在對(duì)應(yīng)漏極13d而設(shè)置的接觸孔內(nèi)，充填A(yù)l等金屬，而形成漏極電極16。然后，形成由感光性樹脂形成的平面化絕緣膜20(如；日本合成橡膠公司的JSR-315)(以上參照?qǐng)D1)。
其次，如圖2所示，在平面化絕緣膜20表面進(jìn)行半曝光現(xiàn)像處理，使平面化絕緣膜20表面粗糙，在其表面上形成多個(gè)凹凸部20A。此處，半曝光就是相比于在平面化絕緣膜20上形成后述的接觸孔時(shí)的正常曝光，曝光約20％至40％的曝光量。
再次，如圖3所示，在TFT的源極13s上形成接觸孔21。本工序是在對(duì)應(yīng)于TFT源極s的區(qū)域，使用具有開口部的掩膜，進(jìn)行正常的100％曝光，利用現(xiàn)像處理去除該開口部的平面化絕緣膜20后，由蝕刻法將層間絕緣膜15予以選擇性的去除，以使TFT的源極13s的表面露出。
再次，如圖4所示，將以ITO形成的陽(yáng)極22形成在平面化絕緣膜17上，作圖案使陽(yáng)極22經(jīng)由接觸孔21，連接于TFT的源極13s。如此，陽(yáng)極22的表面反映平面化絕緣膜17的凹凸?fàn)?，形成凹凸部?br> 再次，如圖5所示，在形成凹凸部的陽(yáng)極22上，順序積層形成如下部位以由MTDATA(4，4-bis(3-methy lphenylphenylamino)biphenyl)形成的第1空穴輸送層及由TPD(4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)形成的第2空穴輸送層形成的空穴輸送層23、由含有喹吖啶酮(Quinacridone)衍生體的Bebq2(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex)等形成的發(fā)光層24、由Bebq2形成的電子輸送層25、以及鎂銦合金或由鋁、或鋁合金等形成的陰極26。而這些空穴輸送層23、發(fā)光層24、電子輸送層25及陰極26，是通過使用了遮光板(shadow mask)的真空蒸鍍法形成。又在圖5中，發(fā)光層24是以每一像素形成在陽(yáng)極22上，而其它的空穴輸送層23、電子輸送層25及陰極26形成于EL顯示裝置的整個(gè)顯示區(qū)域。
由此，在空穴輸送層23、發(fā)光層24、電子輸送層25及陰極26表面將反映陽(yáng)極22的凹凸形狀，結(jié)果，可分別形成該凹凸部。因此，得以將發(fā)光層24的有效發(fā)光面積S1較現(xiàn)有例的S0增大。于是，若單位面積的電流密度相同，該部分的亮度K就能依照(S1/S0)的比例增加。又若發(fā)光亮度K為相同時(shí)，該電流密度將以(S0/S1)的比例減少。因此，有機(jī)EL元件的壽命得以延長(zhǎng)(參照?qǐng)D17)。
理想上，發(fā)光層24的凹凸部為半球面時(shí)，發(fā)光面積為最大。與無(wú)凹凸時(shí)相比可增加2倍的發(fā)光面積。其理由如下因球半徑為r，即因1個(gè)凸部(或凹部)表面積為2πr2，又因圓面積為πr2，故可增加為2倍表面積。此時(shí)，該有機(jī)EL元件的壽命得為4倍。
第2實(shí)施方式以圖6至圖12說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。對(duì)于與圖15、圖16相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注同一符號(hào)。
圖6中，在絕緣性基板10上形成TFT、層間絕緣膜15，及漏極電極16。至此的工序與第1實(shí)施方式相同。
其次，如圖7所示，將絕緣膜130(如SiO2膜)以CVD法等形成，在該絕緣膜130上形成多個(gè)圖案化成島狀的光致抗蝕膜131。
然后，以該光致抗蝕膜131為掩膜蝕刻絕緣膜30，而去除光致抗蝕膜131后，即如圖8所示，可在層間絕緣膜15形成由絕緣膜作成的多個(gè)凸部132。
其次，如圖9所示，以有機(jī)樹脂形成平面化絕緣膜133。由該平面化絕緣膜133表面反映底層的多個(gè)凸部132，形成多個(gè)凹凸部。
再次，如圖10所示，將平面化絕緣膜133及層間絕緣膜15予以選擇性蝕刻，在TFT的源極13s上形成接觸孔134。然后，如圖11所示，將由ITO形成的陽(yáng)極135形成在平面化絕緣膜133上。陽(yáng)極135被圖案化，以便借助于接觸孔134而連接于TFT的源極13s。于是，陽(yáng)極135的表面反映平面化絕緣膜133的凹凸，從而形成凹凸部。
再次，如圖12所示，在形成凹凸部的陽(yáng)極135上，與第1實(shí)施方式一樣，將有機(jī)EL元件的空穴輸送層136、發(fā)光層137、電子輸送層138及陰極139，通過使用了遮光板的真空蒸鍍法予以形成。圖中，發(fā)光層137是以每一像素形成在陽(yáng)極135上，其它的空穴輸送層136、電子輸送層138及陰極139形成于EL顯示裝置的全體顯示區(qū)域。
由此，在有機(jī)EL元件的空穴輸送層136、發(fā)光層137、電子輸送層138及陰極139表面將反映陽(yáng)極135的凹凸形狀，結(jié)果可分別形成為凹凸部。因此，與第1實(shí)施方式相同，將發(fā)光層137的有效發(fā)光面積S2與現(xiàn)有例的S0相比而增大。
第3實(shí)施方式在上述第1、第2實(shí)施方式中，是以由含有一個(gè)TFT(有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)用TFT)的顯示像素形成的顯示裝置說明適用的實(shí)例，但本發(fā)明并不限定于該方式，對(duì)由含有二個(gè)TFT(開關(guān)用TFT、驅(qū)動(dòng)用TFT)的顯示像素形成的顯示裝置，也同樣可適用。因此，參照


下述的第3實(shí)施方式。
圖13是表示有機(jī)EL顯示裝置的顯示像素附近的平面圖。而在圖14(a)表示沿圖13中A-A線的剖視圖。再以圖14(b)表示沿圖13中B-B線的剖視圖。
如圖13及圖14所示，是在由柵極信號(hào)線51及漏極信號(hào)線52所圍區(qū)域形成顯示像素111，且配置為矩陣狀。
在該顯示像素111上配置有作為自發(fā)光元件的有機(jī)EL元件60；控制向該有機(jī)EL元件60供給電流的時(shí)序的開關(guān)用TFT30；向有機(jī)EL元件60供給電流的驅(qū)動(dòng)用TFT40；以及保持電容。此外，有機(jī)EL元件60是由作為第1電極的陽(yáng)極61，由發(fā)光材料形成的發(fā)光元件層，以及作為第2電極的陰極63形成。
也就是說，在兩信號(hào)線51、52交叉點(diǎn)附近具備作為開關(guān)用TFT的第1TFT30，該TFT30的源極33s兼作為在與保持電容電極線54之間形成電容的電容電極55，同時(shí)，連接于作為EL元件驅(qū)動(dòng)用TFT的第2TFT40的柵極41，第2TFT的源極43s連接于有機(jī)EL元件60的陽(yáng)極61。另一方的漏極43d連接于作為向有機(jī)EL元件60提供的電流源的驅(qū)動(dòng)電源線53。
此外，保持電容電極線54與柵極信號(hào)線51并行配置。該保持電容電極線54由鉻等形成，在與借助于柵極絕緣膜12而與TFT的源極33s連接的電容電極55之間積蓄電荷而形成電容。設(shè)置該保持電容56是為了保持施加于第2TFT的柵極電極41的電壓。
又如圖14所示，有機(jī)EL顯示裝置是在由玻璃或合成樹脂等形成的基板、具有導(dǎo)電性的基板、或半導(dǎo)體基板等的基板100上，依序?qū)臃eTFT及有機(jī)EL元件等而形成。但在使用具有導(dǎo)電性的基板及半導(dǎo)體基板作為基板100時(shí)，須在該基板100上，以SiO2或SiN形成絕緣膜后，在其上形成第1、第2TFT及有機(jī)EL元件。任一TFT即為柵極電極借助于柵極絕緣膜而形成于有源層的上方的所謂頂部柵極(topgate)的構(gòu)造。
首先，就開關(guān)用TFT的第1TFT30，說明如下。
如圖14(a)所示，在石英玻璃、無(wú)堿玻璃等形成的絕緣性基板100上，以CVD法將非晶硅(以下簡(jiǎn)稱“a-Si”)予以成膜后，對(duì)該a-Si膜照射激光，使其溶融再結(jié)晶化而形成多晶硅膜(以下簡(jiǎn)稱為“p-Si”)，以此作為有源層33。在其上形成SiO2膜、SiN膜的單層或?qū)臃e體作為柵極絕緣膜32。而且，在其上面，具有以Cr、Mo等高融點(diǎn)金屬形成的兼為柵極電極31的柵極信號(hào)線51及由Al形成的漏極信號(hào)線52，并且配置作為有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電源的由Al形成的驅(qū)動(dòng)電源線53。
然后，在柵極絕緣膜112及有源層33上的全面形成由SiO2膜、SiN膜，及SiO2膜依序?qū)臃e而成的層間絕緣膜115，且在對(duì)應(yīng)于漏極33d而設(shè)的接觸孔內(nèi)，充填A(yù)l等金屬而形成漏極電極36，而且形成對(duì)由有機(jī)樹脂在整個(gè)面上形成的表面進(jìn)行平坦處理后的平面化絕緣膜117。
其次，就有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)用TFT的第2TFT40說明如下如圖14(b)所示，在石英玻璃、無(wú)堿玻璃等形成的絕緣性基板100上，依序形成向a-Si膜照射激光形成多結(jié)晶化的有源層43、柵極絕緣膜112、以及由Cr、Mo等高融點(diǎn)金屬形成的柵極電極41。在該有源層43設(shè)置溝道43c，在該溝道43c兩側(cè)設(shè)置源極43s及漏極43d。然后，在柵極絕緣膜112及有源層43上的整個(gè)面上，形成依序?qū)臃eSiO2膜、SiN膜，及SiO2膜而成的層間絕緣膜115，且在對(duì)應(yīng)漏極43d而設(shè)置的接觸孔內(nèi)充填A(yù)l等金屬，以形成連接于驅(qū)動(dòng)電源的驅(qū)動(dòng)電源線53。再在全面形成由例如有機(jī)樹脂所形成、用于使表面平坦的平面化絕緣膜117。然后，在該平面化絕緣膜117的表面形成凹凸。
之后，在該平面化絕緣膜117的源極43s所對(duì)應(yīng)的位置形成接觸孔，在平面化絕緣膜117上，設(shè)置借助于該接觸孔而與源極43s接觸的由ITO形成的透明電極、即有機(jī)EL元件160的陽(yáng)極161。該陽(yáng)極161在每一像素中形成分離的島狀。由此，得以在陽(yáng)極161表面反映平面化絕緣膜117的凹凸形狀，形成為凹凸部。
再次，如圖14所示，在形成凹凸部的陽(yáng)極161上，以使用了遮光板的真空蒸鍍法形成空穴輸送層162、發(fā)光層163、電子輸送層164及陰極165。
由此，在空穴輸送層162、發(fā)光層163、電子輸送層164及陰極165的表面反映陽(yáng)極161的凹凸?fàn)?，結(jié)果可分別形成凹凸部，因此，得以增大發(fā)光層163的有效發(fā)光面積。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置及顯示裝置的制造方法，由于在EL元件的發(fā)光層的表面設(shè)置凹凸部，增大其有效表面積，所以可在不導(dǎo)致像素面積增大的情形下增大有機(jī)EL元件60的有效發(fā)光面積，實(shí)現(xiàn)高亮度，而且，也能在維持EL元件的發(fā)光亮度的同時(shí)延長(zhǎng)其壽命。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，具備形成于基板上的薄膜晶體管；覆蓋所述薄膜晶體管的絕緣膜；和在所述絕緣膜上形成的借助于在該絕緣膜處形成的接觸孔，與所述薄膜晶體管的源極或漏極連接的陽(yáng)極、形成于所述陽(yáng)極上的發(fā)光層、以及形成于所述發(fā)光層上的陰極；其特征為，至少在所述發(fā)光層的表面形成凹凸部。
2.一種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上形成薄膜晶體管的工序；第1工序，在所述薄膜晶體管上形成由感光性材料形成的平面化絕緣膜，第2工序，通過在所述平面化絕緣膜的整個(gè)面上實(shí)施半曝光及現(xiàn)像處理，在所述平面化絕緣膜的表面形成凹凸部；第3工序，在所述平面化絕緣膜上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管的漏極的位置形成具有開口部的光致抗蝕膜；第4工序，通過實(shí)施一般曝光及現(xiàn)像處理，在所述平面化絕緣膜處形成接觸孔；第5工序，形成借助于所述接觸孔而與所述薄膜晶體管的源極或漏極連接的陽(yáng)極；第6工序，在所述陽(yáng)極上形成發(fā)光層；以及第7工序，在所述發(fā)光層上形成陰極，其特征在于，在所述陽(yáng)極、所述發(fā)光層、及所述陰極的表面處形成凹凸部。
3.一種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括第1工序，在基板上形成薄膜晶體管；第2工序，在所述薄膜晶體管上形成層間絕緣膜；第3工序，在所述層間絕緣膜上形成由絕緣膜作成的多個(gè)凸部；第4工序，在所述層間絕緣膜及多個(gè)凸部上形成平面化絕緣膜；第5工序，在所述平面化絕緣膜處形成接觸孔；第6工序，形成借助于所述接觸孔而與所述薄膜晶體管的源極或漏極連接的陽(yáng)極；第7工序，在所述陽(yáng)極上形成發(fā)光層；以及第8工序，在所述發(fā)光層上形成陰極，其特征在于，在所述陽(yáng)極、所述發(fā)光層、及所述陰極的表面上形成凹凸部。
4.如權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第3工序是在所述層間絕緣膜上形成絕緣膜的工序及在所述絕緣膜實(shí)施光刻工序、以形成由所述絕緣膜作成的多個(gè)凸部的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光顯示裝置，是為了增大EL元件的有效發(fā)光面積，以實(shí)現(xiàn)高亮度。而且在維持EL元件的發(fā)光亮度的同時(shí)，延長(zhǎng)該EL元件的壽命。在平面化絕緣膜(20)表面形成凹凸。陽(yáng)極(22)的表面反映平面化絕緣膜(20)的凹凸?fàn)疃纬砂纪共?。將空穴輸送?23)、發(fā)光層(24)、電子輸送層(25)及陰極(26)，以真空蒸鍍法形成在陽(yáng)極(22)上。因在空穴輸送層(23)、發(fā)光層(24)、電子輸送層(25)及陰極(26)的表面反映陽(yáng)極(22)的凹凸形狀，結(jié)果可分別形成凹凸部。由此，發(fā)光層(24)的有效發(fā)光面積(S1)與現(xiàn)有例的(S0)相比而可以增大。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1444426SQ0310506
公開日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月4日
發(fā)明者西川龍司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社