專(zhuān)利名稱(chēng)：形成電容器的方法及形成電容器介電層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成電容器的方法及形成電容器介電層的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體電路中，如在DRAM電路中，電容器是通常使用的電子元器件。隨著集成電路密度增加，盡管降低了電容器的面積，但充分地保持高存儲(chǔ)電容仍存在持續(xù)的挑戰(zhàn)。典型的電容器包含兩個(gè)由非導(dǎo)電介電區(qū)域分開(kāi)的導(dǎo)電電極。介電區(qū)域優(yōu)選包含一種或多種具有高介電常數(shù)和低漏電特性的材料。材料實(shí)例包括硅化合物如SiO2和Si3N4。典型地優(yōu)選Si3N4，原因在于其比SiO2更高的介電常數(shù)。
在致力于滿(mǎn)足生產(chǎn)用于更高密度的集成電路的越來(lái)越小的電容器器件的日益嚴(yán)格的要求，已經(jīng)開(kāi)發(fā)和正在開(kāi)發(fā)大量的電容器介電材料。但是，對(duì)于利用常規(guī)SiO2和Si3N4電容器介電材料，這些材料的大多數(shù)附加提高了工藝的復(fù)雜性或成本。
一種現(xiàn)在所用的介電區(qū)域包括氧化硅層和氮化硅層的復(fù)合物。具體地，形成第一電容器電極使其上具有含氧化硅的層，典型地為6至10埃的二氧化硅。這可以通過(guò)沉積方法形成，或更典型地通過(guò)大氣或在暴露于清潔的室內(nèi)環(huán)境氣氛時(shí)第一電極材料(例如導(dǎo)電摻雜的多晶硅)的氧化導(dǎo)致的環(huán)境或天然氧化物形成的方法而形成。然后，典型地由低壓化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅層。但是，這可以不適宜地在氮化硅層中，特別是在小于200埃的薄層中形成非常小的針孔，其中針孔在小于或等于約75埃厚的層中導(dǎo)致的問(wèn)題尤其明顯。這些針孔不適宜地降低薄膜的密度，并且導(dǎo)致操作中不適宜的電流泄漏。
一種用于填充這種針孔的技術(shù)是例如在750℃-800℃，大氣壓并且進(jìn)料5slpm的H2，10slpm的O2濕式氧化基底15-60分鐘。這樣形成了氧化硅材料，其填充了針孔并且在氮化硅層上形成了典型地約5埃至約25埃厚的氧化硅層。但是，通常適宜的是，在制造集成電路過(guò)程中總體上晶片/基底的熱暴露最小化。在這點(diǎn)上，于750℃-800℃暴露15分鐘-60分鐘是有意義的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括形成電容器的方法及形成電容器介電層的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，一種形成電容器介電層的方法包括在基底上方形成含氮化硅的層。在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的基底。遠(yuǎn)離腔室產(chǎn)生含氧等離子體。在不超過(guò)750℃的基底溫度，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的基底，所述的溫度對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的。
在一個(gè)實(shí)施方案中，一種形成電容器的方法包含在半導(dǎo)體基底上形成包含硅的第一電容器電極材料。在所述第一電容器電極材料上方形成含氮化硅的層。所述含氮化硅的層包含在其中形成的針孔。在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的半導(dǎo)體基底。遠(yuǎn)離腔室產(chǎn)生含氧等離子體。在不超過(guò)550℃的基底溫度并且不長(zhǎng)于30秒的時(shí)間下，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧(remoteplasma generated oxygen)進(jìn)料給腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基底，所述的溫度和時(shí)間對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的和對(duì)于用氧化硅填充所述的針孔是有效的。所述的腔室在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫氣。在進(jìn)料后，在所述含氧化硅的層上形成第二電容器電極材料。
附圖簡(jiǎn)述以下通過(guò)參考下面的附圖來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。


圖1是在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的方法中的半導(dǎo)體晶片片段的示意剖視圖。
圖2為加工設(shè)備的示意圖。
圖3為晶片片段在圖1所示之后加工步驟的圖。
圖4為晶片片段在圖3所示之后加工步驟的圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的內(nèi)容是因應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利法的立法目的“促進(jìn)科學(xué)和實(shí)用技術(shù)的進(jìn)步”(第1條，第8節(jié))而提交的。
首先參考附圖1，在按照根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的形成電容器的方法中的晶片片段一般性地由參考數(shù)字10指示。它包含塊狀單晶硅基底12。在本申請(qǐng)文件中，定義術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體基底”或“半導(dǎo)體的基底”表示包含任何半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體材料包括但不限于，塊狀半導(dǎo)體材料，如半導(dǎo)體晶片(單獨(dú)的或以在其上包含其它材料的組件形式)，和半導(dǎo)體材料層(單獨(dú)的或以包含其它材料的組件形式)。術(shù)語(yǔ)“基底”是指任何支持結(jié)構(gòu)，包括但不限于，如上所述的半導(dǎo)體基底。此外，在本申請(qǐng)文件中，術(shù)語(yǔ)“層”既包括多層又包括單層，除非另有說(shuō)明。在塊狀基底12上形成例如摻雜或未摻雜二氧化硅或氮化硅的絕緣層14。
在絕緣層14上形成第一電容器電極材料16。在此點(diǎn)上，或優(yōu)選隨后的方法中，電極材料16最終被形成圖案或提供成某種適宜的第一電容電極電極形狀。電極16的示例性的材料包括硅(例如多晶硅)金屬，導(dǎo)電金屬氧化物，和任何其它的導(dǎo)電層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，特別是在層16包含多晶硅的情況中，示例性的厚度為600埃。在第一電容器電極16的上面和如所示的“直接上面”形成第一或里面的含氧化硅的層18。形成層18的示例性方法為例如通過(guò)暴露于清潔的室內(nèi)環(huán)境中，氧化電極材料16的外面部分。不優(yōu)選氧化物層，而優(yōu)選暴露的硅或其它可氧化基底的作用。層18的典型厚度為小于或等于15埃。優(yōu)選層18基本上由二氧化硅組成。
含氮化硅的層20形成在第一電容器電極材料16上，并且在舉例說(shuō)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，其形成在第一或里面的含氧化硅的層18上。示例性的厚度為30埃至80埃。但是，在一個(gè)實(shí)施方案中，形成含氮化硅的層20，以使其具有在其中形成的多個(gè)針孔22。為了清楚起見(jiàn)，在附圖中其以放大的寬度/尺寸顯示。在舉例說(shuō)明的實(shí)施方案中，至少一些針孔完全地從層20延伸至含氧化硅的層18?？梢酝ㄟ^(guò)任何現(xiàn)有的或仍在開(kāi)發(fā)的技術(shù)沉積含氮化硅的層20，但其中化學(xué)氣相沉積或等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積為實(shí)例。一種由此由化學(xué)氣相沉積法來(lái)沉積氮化硅層20的示例性方法包括在300sccm的NH3，100sccm的二氯甲硅烷，750毫托，600℃和60分鐘下處理。
參考附圖2，在處理腔室60內(nèi)提供具有含氮化硅的層20的半導(dǎo)體基底10。處理腔室可以與任何用來(lái)制備具有附圖1的結(jié)構(gòu)的任何腔室相同或不同。優(yōu)選的處理腔室的實(shí)例是快速熱處理機(jī)(rapid thermal processor)，本發(fā)明實(shí)際使用容積為2700cc的Applied Materials RIP-XE Chamber。示意性地顯示并且在處理腔室60的上游提供適宜的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器62。期待任何適宜的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器(remote plasma generation)，不管是現(xiàn)有的或仍在開(kāi)發(fā)的，其中僅作為示例的是，微波和RF等離子體產(chǎn)生器。本發(fā)明實(shí)際使用微波單元號(hào)為Ax3151-1的ASTEX FI20160-02電源，其可以商購(gòu)于美國(guó)馬薩諸塞州Wilmington的ASTEX。附圖2描繪了供應(yīng)給示意性遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器62的適宜的氧氣和惰性氣體。
遠(yuǎn)離腔室60，例如在發(fā)生器62中產(chǎn)生含氧等離子體。然后將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給在腔室60內(nèi)的半導(dǎo)體基底，其中基底的溫度不超過(guò)750℃，該溫度對(duì)于在含氮化硅的層20的上面優(yōu)選如所示的“直接上面”形成含氧化硅的層24(圖3)是有效的，并且對(duì)于用氧化硅填充針孔22是有效的。更優(yōu)選地，保持在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)550℃，且再更優(yōu)選不超過(guò)500℃。更優(yōu)選，進(jìn)料不長(zhǎng)于1分鐘，其中更優(yōu)選進(jìn)料短于或等于30秒，并且最優(yōu)選進(jìn)料短于或等于15秒。在最優(yōu)選的實(shí)施方案中，層18，20和24構(gòu)成形成的電容器的介電區(qū)域27，其中該介電區(qū)域基本上由ONO復(fù)合物組成，該ONO復(fù)合物基本上由這種含氧化硅的層-含氮化硅的層-含氧化硅的層組成。
優(yōu)選含氧等離子體至少部分來(lái)自O(shè)2，O3，NyOx(其中，“x”和“y”大于零)及它們的混合物中的氣體。再如附圖2的實(shí)施方案所示，優(yōu)選含氧等離子體除氧氣進(jìn)料氣體外，至少部分產(chǎn)生自適宜的惰性氣體。其實(shí)例包括N2，Ar和He。一個(gè)具體的實(shí)例包括至少部分地來(lái)自進(jìn)料O2和N2的含氧等離子體。按照上面的參數(shù)，另一個(gè)示例性實(shí)施方案包括形成至少部分地來(lái)自N2O、及Ar和He二者中的至少一種的含氧等離子體。優(yōu)選在該后一種實(shí)例中，遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子材料向腔室60的最終進(jìn)料沒(méi)有N2的進(jìn)料，但是，對(duì)于N2，其是由遠(yuǎn)程的等離子體發(fā)生過(guò)程中的N2O的離解而本身產(chǎn)生的。更優(yōu)選并且與上面所述的現(xiàn)有技術(shù)相反地，腔室60在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫氣，由此防止任何蒸汽的形成。在本申請(qǐng)文件中，“基本上沒(méi)有”是指低于檢測(cè)限。
圖2用ASTEX和Applied Materials設(shè)備處理的具體實(shí)例包括2000sccmO2和1000sccm N2的進(jìn)料。用提供2000瓦的微波功率將遠(yuǎn)程等離子體單元中的壓力保持在大約2.9托。晶片的溫度為650℃，其中壓力保持在2.9托。僅為了舉例并且對(duì)于上面所述的實(shí)際使用的設(shè)備，優(yōu)選在系統(tǒng)內(nèi)保持壓力為1至8托，向遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器供應(yīng)的能量為500瓦至3000瓦，并且系統(tǒng)內(nèi)的溫度保持在500℃至750℃。優(yōu)選O2和N2的各自的流量為0.5slm至5slm。低至350℃的溫度可以用于其它設(shè)備。
在制備電容器介電區(qū)域如區(qū)域27中，與現(xiàn)有技術(shù)上比，上面所述的優(yōu)選實(shí)施方案減少了熱暴露，在最優(yōu)選的實(shí)施方案中，從超過(guò)750℃降低至低于550℃，而且，其中優(yōu)選的實(shí)施方案，在降低的溫度下，還將暴露時(shí)間減少至適當(dāng)?shù)氐陀?分鐘。如上所述形成的電容器介電區(qū)域的性能可與由現(xiàn)有技術(shù)方法制備的ONO層相媲美。例如，介電區(qū)域氮化物暴露至2000瓦的遠(yuǎn)程氧氣等離子體10秒，得到的電容器介電區(qū)域具有大致等于現(xiàn)有技術(shù)對(duì)照濕式氧化的電容和泄漏。此外，在2000瓦的擊穿電壓，10秒處理中的改進(jìn)表明對(duì)于通過(guò)減少厚度來(lái)增大電容可能也是可行的。
參考圖4，且在進(jìn)料后，在含氧化硅的層24上形成第二電容器電極材料40。在優(yōu)選和舉例說(shuō)明的實(shí)施方案中，在氧化物層24直接上方(與之接觸)形成第二電容器電極材料40。層40示例性的厚度為300埃至600埃。第二電極材料40可以包含與第一電極材料16相同或不同的材料。
按照有關(guān)法規(guī)，本發(fā)明對(duì)于其結(jié)構(gòu)和方法特征以或多或少具體的語(yǔ)言進(jìn)行了描述。但是，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于所示和所描述的具體特征，由于此處所公開(kāi)的手段包含實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)選形式。因此，本發(fā)明要求其在根據(jù)等同替換的原則適宜解釋的后附權(quán)利要求適宜范圍內(nèi)的任何形式或變化。
權(quán)利要求
1.一種形成電容器的方法，該方法包含在半導(dǎo)體基底上形成第一電容器電極材料；在所述第一電容器電極材料之上形成含氮化硅的層；在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的半導(dǎo)體基底；產(chǎn)生遠(yuǎn)離腔室的含氧等離子體；在不大于750℃的基底溫度，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基底，所述的溫度對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的；和在進(jìn)料后，在所述含氧化硅的層上形成第二電容器電極材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)550℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)500℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的腔室包含快速熱處理腔室。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)1分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)30秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)15秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的腔室在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于選自O(shè)2，O3，NyOx及它們的混合物中的氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分產(chǎn)生自惰性氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于O2和N2。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種，所述的進(jìn)料沒(méi)有N2的進(jìn)料而有由遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子體中的N2O的離解產(chǎn)生的N2。
14.一種形成電容器的方法，該方法包含在半導(dǎo)體基底上形成第一電容器電極材料；在所述第一電容器電極材料之上形成含氮化硅的層；在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的半導(dǎo)體基底；產(chǎn)生遠(yuǎn)離腔室的含氧等離子體；在不超過(guò)550℃的基底溫度并且不長(zhǎng)于30秒的時(shí)間，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基底，所述的溫度和時(shí)間對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的；和在進(jìn)料后，在所述含氧化硅的層上形成第二電容器電極材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)500℃。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包含在形成含氮化硅的層之前，在第一電容器電極材料上形成含氧化硅的層，使電容器形成以具有基本上由ONO復(fù)合物組成的介電區(qū)域，所述的ONO復(fù)合物基本上由所述的含氧化硅的層和所述的含氮化硅的層組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)15秒。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的腔室在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于選自O(shè)2，O3，NyOx及它們的混合物中的氣體。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分產(chǎn)生自惰性氣體。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于O2和N2。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種，所述進(jìn)料沒(méi)有N2的進(jìn)料而是有由遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子體中的N2O的離解產(chǎn)生的N2。
24.一種形成電容器的方法，該方法包含在半導(dǎo)體基底上形成含硅的第一電容器電極材料；在所述第一電容器電極材料上形成含氮化硅的層，所述含氮化硅的層包含在其中形成的針孔；在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的半導(dǎo)體基底；產(chǎn)生遠(yuǎn)離腔室的含氧等離子體；在不超過(guò)550℃的基底溫度并且不長(zhǎng)于30秒的時(shí)間，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基底，所述的溫度和時(shí)間對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的，并且對(duì)于用氧化硅填充所述針孔是有效的，所述的腔室在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫氣；和在進(jìn)料后，在所述含氧化硅的層上形成第二電容器電極材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)500℃。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，該方法還包含在形成含氮化硅的層之前，在第一電容器電極材料上形成含氧化硅的層，使電容器形成以具有基本上由ONO復(fù)合物組成的介電區(qū)域，所述的ONO復(fù)合物基本上由所述的含氧化硅的層和所述的含氮化硅的層組成。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)15秒。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于選自O(shè)2，O3，NyOx及它們的混合物中的氣體。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分產(chǎn)生自惰性氣體。
30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于O2和N2。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種，進(jìn)料沒(méi)有N2的進(jìn)料而有由遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子體中的N2O的離解產(chǎn)生的N2。
33.一種形成電容器介電層的方法，該方法包含在基底上形成含氮化硅的層，在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的基底；產(chǎn)生遠(yuǎn)離腔室的含氧等離子體；和在不大于750℃的基底溫度，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的基底，所述的溫度對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的腔室包含快速熱處理腔室。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)550℃。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中在進(jìn)料過(guò)程中的基底溫度不超過(guò)500℃。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)1分鐘。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)30秒。
39.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的進(jìn)料的進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)15秒。
40.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的腔室在進(jìn)料過(guò)程中基本上沒(méi)有氫。
41.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于選自O(shè)2，O3，NyOx及它們的混合物中的氣體。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分產(chǎn)生自惰性氣體。
43.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于O2和N2。
44.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種。
45.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述含氧等離子體至少部分來(lái)自于N2O、及Ar與He二者中的至少一種，進(jìn)料沒(méi)有N2的進(jìn)料而有由遠(yuǎn)程產(chǎn)生的等離子體中的N2O的離解產(chǎn)生的N2。
46.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，該方法還包含在形成含氮化硅的層之前，在第一電容器電極材料上形成含氧化硅的層，使電容器形成以具有基本上由ONO復(fù)合物組成的介電區(qū)域，所述的ONO復(fù)合物基本上由所述的含氧化硅的層和所述的含氮化硅的層組成。
全文摘要
一種形成電容器的方法包括在半導(dǎo)體基底上形成第一電容器電極材料。在第一電容器電極材料上形成含氮化硅的層。在腔室內(nèi)提供具有含氮化硅的層的半導(dǎo)體基底。遠(yuǎn)離腔室產(chǎn)生含氧等離子體。在750℃的基底溫度下，將遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的氧進(jìn)料給腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基底，所述的溫度對(duì)于在含氮化硅的層上形成含氧化硅的層是有效的。在進(jìn)料后，在含氧化硅的層上形成第二電容器電極材料。還公開(kāi)了形成電容器介電層的方法。
文檔編號(hào)H01L27/04GK1701423SQ02824062
公開(kāi)日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2002年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月3日
發(fā)明者D·M·埃皮希, K·L·比曼 申請(qǐng)人:微米技術(shù)有限公司