技術(shù)編號(hào)：6989308
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體電路中，如在DRAM電路中，電容器是通常使用的電子元器件。隨著集成電路密度增加，盡管降低了電容器的面積，但充分地保持高存儲(chǔ)電容仍存在持續(xù)的挑戰(zhàn)。典型的電容器包含兩個(gè)由非導(dǎo)電介電區(qū)域分開(kāi)的導(dǎo)電電極。介電區(qū)域優(yōu)選包含一種或多種具有高介電常數(shù)和低漏電特性的材料。材料實(shí)例包括硅化合物如SiO2和Si3N4。典型地優(yōu)選Si3N4，原因在于其比SiO2更高的介電常數(shù)。在致力于滿足生產(chǎn)用于更高密度的集成電路的越來(lái)越小的電容器器件的日益嚴(yán)格的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。