專利名稱：掩模及其制造方法、場(chǎng)致發(fā)光裝置及其制造方法以及電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩模及其制造方法、場(chǎng)致發(fā)光裝置及其制造方法以及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
需要高精密的掩模。例如，我們知道，在彩色的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(以下稱作“EL”)裝置的制造過(guò)程中，通過(guò)使用了掩模的蒸鍍，形成各色的有機(jī)材料。作為掩模的制造方法，有蝕刻基體材料的方法，但是，用該方法制造的掩模非常薄，所以會(huì)產(chǎn)生翹曲、撓曲等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的就在于解決以往的問(wèn)題，提供一種強(qiáng)度大的掩模及其制造方法、EL裝置及其制造方法以及電子機(jī)器。
(1)本發(fā)明的掩模的制造方法包括在形成了開(kāi)口的第一襯底上安裝形成了多個(gè)貫通孔的第二襯底；把所述多個(gè)貫通孔配置在所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榈谝灰r底加固了第二襯底，所以能制造強(qiáng)度大的掩模。
(2)在該掩模的制造方法中，可以通過(guò)陽(yáng)極接合，接合所述第一和第二襯底。
這里，所謂陽(yáng)極接合是指通過(guò)外加電壓使接合界面上產(chǎn)生靜電引力、從而在接合界面產(chǎn)生化學(xué)結(jié)合的接合方法。
(3)在該掩模的制造方法中，可以通過(guò)能量硬化性粘合劑接合所述第一和第二襯底。
這里，能量包含光(紫外線、紅外線、可見(jiàn)光)、X射線等放射線、熱。由此，能使第一和第二襯底位置對(duì)準(zhǔn)后，向其提供能量，能簡(jiǎn)單地進(jìn)行第一和第二襯底的對(duì)位。
(4)在該掩模的制造方法中，可以通過(guò)一工序形成所述第二襯底，該工序包括在硅片上形成所述多個(gè)貫通孔，切割所述硅片，使與所述第二襯底的外形對(duì)應(yīng)。
(5)在該掩模的制造方法中，所述第一襯底具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；所述第二襯底具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；通過(guò)所述第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位來(lái)安裝所述第一和第二襯底。
(6)在該掩模的制造方法中，可以包括在所述第一和第二襯底的至少一方上形成掩模定位標(biāo)記。
這里，掩模定位標(biāo)記是指使用掩模進(jìn)行蒸鍍等時(shí)用于掩模對(duì)位的。
(7)在該掩模的制造方法中，還可以包含在所述第二襯底上形成磁性體膜。
通過(guò)這樣，能制造能用磁力吸附的掩模。
(8)在該掩模的制造方法中，可以把多個(gè)所述第二襯底安裝在所述第一襯底上；在所述第一襯底上形成多個(gè)所述開(kāi)口；各所述第二襯底與一個(gè)所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)地安裝。
由此，能制造大型的掩模(把多個(gè)掩模一體化的掩模)。
(9)在該掩模的制造方法中，把所述第一襯底和所述多個(gè)第二襯底安裝成可裝卸的。
由此，能更換破損的各第二襯底，所以比較經(jīng)濟(jì)。
(10)在該掩模的制造方法中，還包含研磨安裝在所述第一襯底上的所述第二襯底的表面，使高度均勻化。
由此，因?yàn)槎鄠€(gè)第二襯底的表面被平坦化，所以能提高與進(jìn)行蒸鍍等的對(duì)象物的緊貼性。
(11)本發(fā)明的掩模，具有形成了開(kāi)口的第一襯底、以及安裝在所述第一襯底上并且形成了多個(gè)貫通孔的第二襯底；所述多個(gè)貫通孔配置在所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榈谝灰r底加固了第二襯底，所以能防止第二襯底的翹曲、撓曲。
(12)在該掩模中，所述第一和第二襯底可通過(guò)陽(yáng)極接合而接合。
這里，所謂陽(yáng)極接合是指通過(guò)外加電壓使接合界面上產(chǎn)生靜電引力、從而在接合界面產(chǎn)生化學(xué)結(jié)合的接合方法。
(13)在該掩模中，所述第一和第二襯底可通過(guò)能量硬化性粘合劑而接合。
(14)在該掩模中，所述第一襯底可具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第二襯底可具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第一和第二襯底通過(guò)所述第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而定位。
(15)在該掩模中，可以在所述第一和第二襯底的至少一方上形成掩模定位標(biāo)記。
這里，掩模定位標(biāo)記是指使用掩模進(jìn)行蒸鍍等時(shí)用于掩模對(duì)位的。
(16)在該掩模中，可以在所述第二襯底上形成磁性體膜。
由此，能用磁力吸附第二襯底。
(17)在該掩模中，可在所述第一襯底上形成多個(gè)所述開(kāi)口；多個(gè)所述第二襯底被安裝在所述第一襯底上；各所述第二襯底與一個(gè)所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)地安裝。
該掩模是多個(gè)掩模一體化的產(chǎn)物，成為大型的掩模。
(18)在該掩模中，把所述第一襯底和所述多個(gè)第二襯底安裝成可裝卸的。
由此，能更換破損的各第二襯底，所以比較經(jīng)濟(jì)。
(19)在該掩模中，安裝在所述第一襯底上的所述多個(gè)第二襯底，其表面被研磨，高度被均勻化。
由此，因?yàn)槎鄠€(gè)第二襯底的表面被平坦化，所以能提高與進(jìn)行蒸鍍等的對(duì)象物的緊貼性。
(20)本發(fā)明的EL裝置的制造方法包括使用所述掩模，使發(fā)光材料成膜。
(21)本發(fā)明的EL裝置由所述方法制造。
(22)本發(fā)明的電子機(jī)器具有所述EL裝置。


下面簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖。
圖1A～圖1B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的圖。
圖2A～圖2B是本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的放大圖。
圖3是表示第一襯底的圖。
圖4是表示第二襯底的圖。
圖5A～圖5B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的制造方法的圖。
圖6是說(shuō)明本實(shí)施例的變形例的圖。
圖7是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的制造方法的圖。
圖8是表示本實(shí)施例的變形例的圖。
圖9A、圖9B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模和EL裝置的制造方法的圖。
圖10A～圖10C是說(shuō)明發(fā)光材料的成膜方法的圖。
圖11是表示通過(guò)使用了本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的發(fā)光材料的成膜方法制造的EL裝置的圖。
圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施例的電子機(jī)器的圖。
圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施例的電子機(jī)器的圖。
下面簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖符號(hào)。
10-第一襯底；12-開(kāi)口；14-第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；16-掩模定位標(biāo)記；20-第二襯底；22-貫通孔；24-第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；26-硅片；30-粘合劑；50-掩模；52-磁性體膜。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1A～圖1B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的圖。圖1B是圖1A所示的IB-IB線的剖視圖。圖2A～圖2B是本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的放大圖。圖2B是圖2 A所示的IIB-IIB線的剖視圖。掩模具有第一襯底10和至少一個(gè)(圖1A所示的例子中為多個(gè))第二襯底20。圖3是表示第一襯底的圖，圖4是表示第二襯底的圖。
第一襯底10可以是透明襯底。在本實(shí)施例中，第一襯底10由能與第二襯底20陽(yáng)極接合的材料(例如，硼硅酸玻璃)構(gòu)成。在第一襯底10上形成了至少一個(gè)(圖1A所示的例子中為多個(gè))開(kāi)口12。第一襯底10可以稱作框板(frame)，開(kāi)口12比第二襯底20小?？墒牵_(kāi)口12比第二襯底20的形成了多個(gè)貫通孔22的區(qū)域大。開(kāi)口12可以是矩形。
在第一襯底10上形成了第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14被用于與第二襯底20的對(duì)位。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14能用金屬膜形成，或者也可以蝕刻形成。在第一襯底10上形成了掩模定位標(biāo)記16。掩模定位標(biāo)記16是當(dāng)使用掩模進(jìn)行蒸鍍等時(shí)，用于進(jìn)行掩模的對(duì)位。掩模定位標(biāo)記16也能用金屬膜形成。作為變形例，可以在第二襯底20上形成掩模定位標(biāo)記16。
第二襯底20可以是矩形。在第二襯底20上形成了多個(gè)貫通孔22(參照?qǐng)D2A和圖2B)。貫通孔22的形狀可以是正方形、平行四邊形、圓形中的任意一個(gè)。根據(jù)貫通孔22的形狀、排列以及個(gè)數(shù)，構(gòu)成了掩模圖案。能把第二襯底20稱作篩板。
在第二襯底20上形成了第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24。第一和第二襯底10、20使用第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14、24對(duì)位。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24能通過(guò)蝕刻第二襯底20形成，或者用金屬膜形成。
第二襯底20安裝在第一襯底10上。如圖2A所示，安裝第二襯底20時(shí)要使多個(gè)貫通孔22配置在開(kāi)口12的內(nèi)側(cè)。第二襯底20上斷部安裝在第一襯底10的開(kāi)口12的端部。具體而言，第二襯底20的全周端部(角環(huán)狀的部分)安裝在第一襯底10的開(kāi)口的全周端部(角環(huán)狀的部分)上。與一個(gè)開(kāi)口12對(duì)應(yīng)，配置了一個(gè)第二襯底20。第二襯底20安裝在與第一襯底10的形成了第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14的面相對(duì)一側(cè)的面上。在本實(shí)施例中，第一和第二襯底10、20被陽(yáng)極接合在一起。第二襯底20由能與第一襯底10陽(yáng)極接合的材料(例如硅)構(gòu)成。
圖5A～圖5B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模的制造方法的圖。在本實(shí)施例中，準(zhǔn)備第一和第二襯底10、20。在形成第一襯底10的開(kāi)口12時(shí)，可以使用噴砂。在形成第一襯底10的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14或掩模定位標(biāo)記16時(shí)，可以使用濺射或蒸鍍，也可以使用蝕刻。
在第二襯底20上形成多個(gè)貫通孔22。在形成這些孔時(shí)，可以使用蝕刻(例如，具有晶面取向依存性的各向異性蝕刻)。貫通孔22的壁面可以垂直于第二襯底20，也可以有斜度。如圖4所示，可以從硅片26形成第二襯底20。這時(shí)，可以與第二襯底20對(duì)應(yīng)切割硅片26。在形成第二襯底20的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24時(shí)，可以使用蝕刻，也可以使用濺射或蒸鍍。
如圖5A所示，對(duì)位、配置第一和第二襯底10、20。配置多個(gè)第二襯底20，使其不重疊。在第一襯底10的一面，配置多個(gè)第二襯底20。對(duì)位時(shí)，使用第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14、24。關(guān)于位置的其它細(xì)節(jié)如上所述。
如圖5B所示，安裝第一和第二襯底10、20。因?yàn)榈谝灰r底10加固了第二襯底20，所以能制造強(qiáng)度大的掩模。在本實(shí)施例中，使用陽(yáng)極接合。具體而言，配置第一和第二襯底10、20，使接合面彼此合在一起，加熱到300～500℃，外加500V左右的電壓。第一襯底10由硼硅酸玻璃(例如corning#7740(派熱克斯(商標(biāo)名稱)玻璃))構(gòu)成，當(dāng)?shù)诙r底20由硅構(gòu)成時(shí)，第一襯底10與負(fù)極相連。這樣，則第一襯底10的正離子(鈉離子)向負(fù)極方向移動(dòng)，第一襯底10的第二襯底20一側(cè)的面帶負(fù)電。而第二襯底20的第一襯底10一側(cè)的面帶正電。這樣，第一和第二襯底10、20由靜電引力吸引，發(fā)生化學(xué)結(jié)合，被接合在一起。
構(gòu)成第一襯底10的corning#7740(派熱克斯(商標(biāo)名稱)玻璃)的熱膨脹系數(shù)約為3.5ppm/℃，接近構(gòu)成第二襯底20的硅的熱膨脹系數(shù)。因此，即使在高溫下使用掩模，翹曲、變形也很小，可以忽略。另外，根據(jù)陽(yáng)極接合，因?yàn)椴皇褂谜澈蟿?，所以不?huì)產(chǎn)生硬化收縮導(dǎo)致的變形，不會(huì)出氣體。這樣，本實(shí)施例的掩模最適于高真空下的蒸鍍。
須指出的是，本發(fā)明并不排除使用粘合劑的接合。圖6是說(shuō)明本實(shí)施例的變形例的圖。在該變形例中，用粘合劑30接合第一和第二襯底10、20。粘合劑30可以是能量硬化性粘合劑。能量包含光(紫外線、紅外線、可見(jiàn)光)、X射線等放射線、熱。由此，能使第一和第二襯底10、20對(duì)位后，向其提供能量，能簡(jiǎn)單地進(jìn)行第一和第二襯底的對(duì)位。
用以上的步驟能安裝第一和第二襯底10、20。如圖7所示，當(dāng)由于多個(gè)第二襯底20的厚度有不均等，導(dǎo)致它的高度不均勻時(shí)，可以用砂輪40等研磨第二襯底20的表面。由此，因?yàn)槎鄠€(gè)第二襯底20表面被平坦化，所以能提高與進(jìn)行蒸鍍等的對(duì)象物的緊貼性。
圖8是表示本實(shí)施例的變形例的圖。在該變形例中，把第二襯底20可裝卸地安裝在第一襯底10上。例如，在第一襯底10上安裝安裝部42，構(gòu)成導(dǎo)向溝，在該導(dǎo)向溝中嵌入第二襯底20。另外，可以用圖中未顯示的螺釘實(shí)現(xiàn)第二襯底20的固定或防止脫開(kāi)。由此，能更換各破損的第二襯底20，所以比較經(jīng)濟(jì)。
圖9A、圖9B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的掩模和EL裝置的制造方法的圖。在圖9A所示的掩模50(例如第二襯底20)上，形成了磁性體膜52。能用鐵、鈷、鎳等強(qiáng)磁性材料形成磁性體膜52?；蛘撸蒒i、Co、Fe或包含F(xiàn)e成分的不銹鋼等磁性金屬材料、或磁性金屬材料與非磁性金屬材料的結(jié)合，形成磁性體膜52。在實(shí)施例1中已經(jīng)說(shuō)明了掩模50的其它細(xì)節(jié)。
在本實(shí)施例中，使用掩模50，在襯底54上使發(fā)光材料成膜。襯底54是用于形成多個(gè)EL裝置(例如有機(jī)EL裝置)的，并且是玻璃襯底等透明襯底。如圖10A所示，在襯底54上，形成了電極(例如由ITO等構(gòu)成的透明電極)56、空穴輸送層58。須指出的是，也可以形成電子輸送層。
如圖9A所示，配置掩模50，使第二襯底20位于襯底54一側(cè)。在襯底54的背后配置了磁鐵48，把掩模50(第二襯底20)上形成的磁性體膜52吸引到跟前。由此，即使在掩模50(第二襯底20)上產(chǎn)生翹曲，也能校正。
圖9B是說(shuō)明掩模的對(duì)位方法的圖。如上所述，在第一襯底10上形成了掩模定位標(biāo)記16。在襯底54上也形成了定位標(biāo)記55。使用掩模定位標(biāo)記16和定位標(biāo)記55，使第一襯底10和襯底54對(duì)位。
圖10A～圖10C是說(shuō)明發(fā)光材料成膜方法的圖。發(fā)光材料例如是有機(jī)材料，作為低分子有機(jī)材料，有鋁的絡(luò)合物(Alq3)，作為高分子有機(jī)材料，有PPV。發(fā)光材料的成膜能通過(guò)蒸鍍進(jìn)行。例如，如圖10A所示，通過(guò)掩模50一邊對(duì)紅色的發(fā)光材料刻膜，一邊成膜，形成紅色發(fā)光層60。然后，如圖10B所示，把掩模50錯(cuò)開(kāi)一點(diǎn)，一邊對(duì)綠色的發(fā)光材料刻膜，一邊成膜，形成綠色發(fā)光層62。然后，如圖10C所示，把掩模50再錯(cuò)開(kāi)一點(diǎn)，一邊對(duì)藍(lán)色的發(fā)光材料刻膜，一邊成膜，形成藍(lán)色發(fā)光層62。
在本實(shí)施例中，第一襯底10加固了成為篩(screen)的第二襯底20。因此，不會(huì)發(fā)生第二襯底20的翹曲、撓曲，選擇蒸鍍的再現(xiàn)性高，生產(chǎn)性高。在本實(shí)施例中，在掩模50中，在第一襯底10上形成了多個(gè)開(kāi)口12，第二襯底20位于與各開(kāi)口12對(duì)應(yīng)的位置。每個(gè)第二襯底20都與一個(gè)EL裝置對(duì)應(yīng)。即，使用掩模50，能制造一體化的多個(gè)EL裝置。切斷襯底54，能得到各EL裝置。
圖11是表示通過(guò)使用了上述發(fā)光材料的成膜方法制造的EL裝置的圖。EL裝置(例如有機(jī)EL裝置)具有襯底54、電極56、空穴輸送層58、發(fā)光層60、62、64等。在發(fā)光層60、62、64上，形成了電極66。電極66例如是陰極電極。EL裝置(EL面板)成為顯示裝置(顯示器)。
作為具有本發(fā)明的實(shí)施例的EL裝置的電子機(jī)器，在圖12中表示了筆記本式個(gè)人電腦1000，在圖13中表示了移動(dòng)電話2000。
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施例，能有各種變形。例如，本發(fā)明包含與實(shí)施例中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)在實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)或目的以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實(shí)施例中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)中非本質(zhì)的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含能取得實(shí)施例中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果或達(dá)到同一目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含在實(shí)施例中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)上附加眾所周知的技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種掩模的制造方法，其中，包括在形成了開(kāi)口的第一襯底上安裝形成了多個(gè)貫通孔的第二襯底；把所述多個(gè)貫通孔配置在所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模的制造方法，其中，通過(guò)陽(yáng)極接合，接合所述第一和第二襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模的制造方法，其中，通過(guò)能量硬化性粘合劑，接合所述第一和第二襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的掩模的制造方法，其中，通過(guò)一工序形成所述第二襯底，該工序包括在硅片上形成所述多個(gè)貫通孔，切割所述硅片，使與所述第二襯底的外形對(duì)應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的掩模的制造方法，其中，所述第一襯底具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第二襯底具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過(guò)所述第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位來(lái)安裝所述第一和第二襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的掩模的制造方法，其中，還包括在所述第一和第二襯底的至少一方上形成掩模定位標(biāo)記。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的掩模的制造方法，其中，還包括在所述第二襯底上形成磁性體膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的掩模的制造方法，其中，把多個(gè)所述第二襯底安裝在所述第一襯底上，在所述第一襯底上形成多個(gè)所述開(kāi)口，各所述第二襯底與一個(gè)所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)地安裝。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模的制造方法，其中，把所述第一襯底和所述多個(gè)第二襯底安裝成可裝卸的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模的制造方法，其中，還包括研磨安裝在所述第一襯底上的所述第二襯底的表面，使高度均勻化。
11.一種掩模，其中，具有形成了開(kāi)口的第一襯底、以及安裝在所述第一襯底上并且形成了多個(gè)貫通孔的第二襯底；所述多個(gè)貫通孔配置在所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中，所述第一和第二襯底通過(guò)陽(yáng)極接合而接合。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中，所述第一和第二襯底通過(guò)能量硬化性粘合劑而接合，。
14.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的掩模，其中，所述第一襯底具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第二襯底具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述第一和第二襯底通過(guò)所述第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而定位。
15.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的掩模，其中，在所述第一和第二襯底的至少一方上形成有掩模定位標(biāo)記。
16.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的掩模，其中，在所述第二襯底上形成有磁性體膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的掩模，其中，在所述第一襯底上形成有多個(gè)所述開(kāi)口，多個(gè)所述第二襯底安裝在所述第一襯底上，各所述第二襯底與一個(gè)所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)地安裝。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的掩模，其中，把所述第一襯底和所述多個(gè)第二襯底安裝為可裝卸的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的掩模，其中，安裝在所述第一襯底上的所述多個(gè)第二襯底，其表面被研磨，高度被均勻化。
20.一種場(chǎng)致發(fā)光裝置的制造方法，其中，包括使用權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的掩模來(lái)使發(fā)光材料成膜。
21.一種場(chǎng)致發(fā)光裝置，其中，是以權(quán)利要求20所述的方法制造的。
22.一種電子機(jī)器，其中，具有權(quán)利要求21所述的場(chǎng)致發(fā)光裝置。
全文摘要
一種掩模的制造方法，其中包括在形成了開(kāi)口(12)的第一襯底(10)上，安裝形成了多個(gè)貫通孔(22)的第二襯底(20)。把多個(gè)貫通孔(22)配置在開(kāi)口(12)的內(nèi)側(cè)?？梢酝ㄟ^(guò)陽(yáng)極接合接合第一和第二襯底(10、20)。通過(guò)第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(14、24)，對(duì)位、安裝第一和第二襯底(10、20)。可提供強(qiáng)度大的掩模及其制造方法、EL裝置及其制造方法以及電子機(jī)器。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1514675SQ02142598
公開(kāi)日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2002年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月25日
發(fā)明者四谷真一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社