專利名稱：Z3ms刻蝕后的干法去膠工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝。
本發(fā)明提出的Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝，是用氧等離子體燃燒法去除光刻膠，具體步驟如下將要刻蝕后的Z3MS硅片放入刻蝕設(shè)備，然后采用N2和O2干法去膠。
本發(fā)明在干法去膠過程中，N2的流量控制為36-54sccm；O2的流量控制為12-18scc；干法去膠過程中，底部偏壓RF的功率控制為405-495W；氣壓控制為6.3-7.7mTorr，溫度控制為16-24℃；在深紫外光刻膠厚度為520-780nm時干法去膠時間為80-120秒。
Z3MS低介電材料是Dow Corning公司研發(fā)的新產(chǎn)品，其主要成分為Si、O和C，還有少量的H。由于其結(jié)構(gòu)與SiO2的略有相似，并與光刻膠的選擇比較高，故可采用N2/O2干法去膠(主要用氧等離子體燃燒法)。通過調(diào)整并優(yōu)化了三個主要參數(shù)N2、O2和底部偏壓RF功率(用LAM 9100刻蝕機)，我們獲得了合適的干發(fā)去膠工藝參數(shù)，從而防止了去膠過程對Z3MS介電常數(shù)的增加、減少了對刻蝕后的槽/孔壁的影響(如槽/孔壁的彎曲等)、提高了槽/孔尺寸的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。為Z3MS的干法去膠找到了一種新工藝。
本發(fā)明工藝簡單，容易操作，穩(wěn)定性好，適用于大生產(chǎn)線。
3、最后將去膠后的Z3MS硅片取出。
權(quán)利要求
1.一種Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝，其特征在于用氧等離子體燃燒法去除光刻膠，具體步驟為，將刻蝕后的Z3MS硅片放入刻蝕設(shè)備，然后用N2/O2干法去膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠工藝，其特征在于干法去膠過程中N2的流量為36-54sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠工藝，其特征在于干法去膠過程中O2的流量為12-18sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠工藝，其特征在于干法去膠過程中底部偏壓RF的功率為405-495W。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠工藝，其特征在于干法去膠過程中的氣壓為6.3-7.7mTorr，溫度16-24℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去膠工藝，其特征在于在深紫外光刻膠厚度為520-780nm時干法去膠時間為80-120秒。
全文摘要
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝。隨著器件尺寸愈來愈小，互連RC延遲對器件開啟速度影響愈來愈大。目前人們用銅和低介電材料來減少RC互連延遲。Z3MS是一種新的低介電材料，在工藝集成過程中還需要解決一些相關(guān)工藝問題，如刻蝕后的去膠工藝。本發(fā)明采用N
文檔編號H01L21/311GK1419270SQ0213719
公開日2003年5月21日 申請日期2002年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月27日
發(fā)明者繆炳有, 徐小誠 申請人:上海華虹(集團)有限公司