技術(shù)編號：6835972
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝，具體涉及到Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝。本發(fā)明提出的Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝，是用氧等離子體燃燒法去除光刻膠，具體步驟如下將要刻蝕后的Z3MS硅片放入刻蝕設(shè)備，然后采用N2和O2干法去膠。本發(fā)明在干法去膠過程中，N2的流量控制為36-54sccm；O2的流量控制為12-18scc；干法去膠過程中，底部偏壓RF的功率控制為405-495W；氣壓控制為6.3-7.7mTorr，溫度控制為16-24℃；在深紫外光刻膠厚度為5...
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