專利名稱：確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法及所用光刻膠掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法及所用光刻膠掩模，以防止化學(xué)機(jī)械研磨之后產(chǎn)生氮化硅殘留物而發(fā)生微粒污染。
然而，在化學(xué)機(jī)械式研磨(chemical mechanical polishing，CMP)的技術(shù)引進(jìn)于淺溝道隔離(shallow trench isolation，STI)工藝，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記周圍的由氮化硅層(用作確定溝道圖形的掩模層)所構(gòu)成的大面積空白區(qū)域(無(wú)圖像區(qū)域)，由于研磨厚度不足，而在后續(xù)工藝中造成微粒污染。
為了解決上述問(wèn)題，通常是在晶片對(duì)準(zhǔn)區(qū)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)標(biāo)記外圍形成輔助圖形(dummy pattern)，用以減少對(duì)準(zhǔn)區(qū)中無(wú)圖像區(qū)域，防止在進(jìn)行淺溝道隔離的化學(xué)機(jī)械研磨之后產(chǎn)生氮化硅殘留。傳統(tǒng)上，形成輔助圖形的方法是采用掩模板來(lái)遮蔽部分的組件圖形光刻膠掩模，將組件圖形以拼湊的方式轉(zhuǎn)移至對(duì)準(zhǔn)區(qū)。然而，此方式中，由于掩模板與光刻膠掩模之間具有一間距，所以在確定圖形時(shí)，光刻膠掩模上的圖形無(wú)法精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移至晶片上，且無(wú)法在對(duì)準(zhǔn)區(qū)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍完全地形成輔助圖形而仍留有無(wú)圖像區(qū)域。因此，無(wú)法有效防止微粒污染。另外，有人通過(guò)研磨(over polish)的方式來(lái)去除殘留的氮化硅層。不幸的是，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記會(huì)受損，例如角圓化，而失去對(duì)準(zhǔn)作用。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的光刻膠掩模，以在晶片的對(duì)準(zhǔn)區(qū)中形成輔助圖形。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種在晶片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的方法，以防止在進(jìn)行淺溝道隔離結(jié)構(gòu)的化學(xué)機(jī)械研磨工藝之后產(chǎn)生微粒污染。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的光刻膠掩模，包括一第一輔助圖形區(qū)，此第一輔助圖形區(qū)具有一第一圖形，用以遮蔽對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，及一第二圖形，用以在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定一第一輔助圖形；以及一第二輔助圖形區(qū)，此第二輔助圖形區(qū)具有一第三圖形，用以在第一輔助圖形外圍確定一第二輔助圖形。而且，第二圖形及第三圖形系由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口、以及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。
根據(jù)上述的另一目的，本發(fā)明提供一種在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的方法，包括下列步驟提供一晶片，晶片具有一對(duì)準(zhǔn)區(qū)，且對(duì)準(zhǔn)區(qū)中設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；由一光刻膠掩模來(lái)實(shí)施一光刻程序，以在對(duì)準(zhǔn)區(qū)中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定一第一輔助圖形及在第一輔助圖形外圍確定一第二輔助圖形；其中，此光刻膠掩模具有一第一輔助圖形區(qū)及一第二圖形輔助區(qū)，第一輔助圖形區(qū)具有一第一圖形及一第二圖形，第二輔助圖形區(qū)具有一第三圖形。而且，第二圖形及第三圖形系由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口、以及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的光刻膠掩模平面圖；圖2a示出圖1中第一輔助圖形區(qū)的平面放大圖；圖2b示出圖1中第一輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；圖2c示出圖1中第一輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；圖2d示出圖1中第一輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；
圖3a示出圖1中第二輔助圖形區(qū)平面放大圖；圖3b示出圖1中第二輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；圖3c示出圖1中第二輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；圖3d示出圖1中第二輔助圖形區(qū)的另一型態(tài)平面放大圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的晶片經(jīng)過(guò)淺溝道隔離工藝后的平面仰視圖；圖5示出圖4中對(duì)準(zhǔn)區(qū)平面放大圖；圖6示出圖4中對(duì)準(zhǔn)區(qū)另一型態(tài)的平面放大圖；圖7a到7f示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的方法剖面示意圖。
10～光刻膠掩模；12、22～第一輔助圖形區(qū)；12a～第一圖形； 12b～第二圖形；14～第二輔助圖形區(qū)；14a～第三圖形；100～半導(dǎo)體基底； 102～對(duì)準(zhǔn)區(qū)；102a～對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；102b～第一輔助圖形；103c～第二輔助圖形；104～組件區(qū)；110～底氧化層； 112～氮化硅層；114、122～光刻膠層；116、118～開(kāi)口；117～產(chǎn)品圖形； 120～氧化層；116a、118a～淺溝道隔離氧化層。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2a，它示出圖1中第一輔助圖形區(qū)12的平面放大圖。第一輔助圖形區(qū)12中具有一第一圖形12a及一第二圖形12b。第一圖形12a是用以遮蔽晶片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未畫)，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記尺寸大體相同。第二圖形12b是用以在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外圍確定一第一輔助圖形(未畫)，其由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且這些島狀結(jié)構(gòu)之間間距寬度依照第一圖形12a寬度決定，使島狀結(jié)構(gòu)可對(duì)齊第一圖形12a。在本實(shí)施例中，第二圖形12b亦可由多個(gè)洞口所構(gòu)成，且這些洞口之間間距寬度同樣依照第一圖形12a寬度決定，如圖2b所示。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2c，它示出圖1中第一輔助圖形區(qū)12的另一型態(tài)平面放大圖。第二圖形12b由多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且這些條狀結(jié)構(gòu)之間間距寬度依照第一圖形12a寬度決定，使條狀結(jié)構(gòu)可對(duì)齊第一圖形12a。在本實(shí)施例中，第二圖形12b亦可由多個(gè)條狀開(kāi)口所構(gòu)成，且這些條狀開(kāi)口之間間距寬度同樣依照第一圖形12a寬度決定，如圖2b所示。而且，第二圖形12b亦可由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)(未畫)或是多個(gè)洞口及多個(gè)條狀開(kāi)口(未畫)所構(gòu)成。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3a，它示出圖1中第二輔助圖形區(qū)14的平面放大圖。第二輔助圖形區(qū)14中具有一第三圖形14a，用以在第一輔助圖形之外圍確定第二輔助圖形(未畫)，且由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。在本實(shí)施例中，第三圖形14a亦可由多個(gè)洞口(如圖3b所示)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)(如圖3c所示)、以及多個(gè)條狀開(kāi)口(如圖3d所示)中任一種所構(gòu)成。同樣地，第三圖形14a亦可由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)(未畫)或是多個(gè)洞口及多個(gè)條狀開(kāi)口(未畫)所構(gòu)成。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D4，它示出根據(jù)本發(fā)明的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的晶片經(jīng)過(guò)淺溝道隔離工藝后的平面仰視圖。此晶片包括一半導(dǎo)體基底100，此基底100具有一對(duì)準(zhǔn)區(qū)(alignment area)102及一組件區(qū)(product area)104。在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102上設(shè)置有一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark，AM)102a及位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a外圍的具有重復(fù)性結(jié)構(gòu)的輔助圖形(dummy pattern)(未畫)，其中此輔助圖形可藉由圖1的光刻膠掩模來(lái)形成。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D5，它示出圖4中對(duì)準(zhǔn)區(qū)102的平面放大圖。在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)區(qū)102中第一輔助圖形102b由圖1的光刻膠掩模的第一輔助圖形區(qū)12所形成，其可為多個(gè)洞口或多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)。需注意的是，當(dāng)?shù)谝惠o助圖形102b無(wú)法完全占滿對(duì)準(zhǔn)區(qū)102時(shí)，可由圖1的光刻膠掩模的第二輔助圖形區(qū)14在第一輔助圖形102b外圍重復(fù)性地形成第二輔助圖形102c至完全占滿對(duì)準(zhǔn)區(qū)102。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D6，它示出圖4中對(duì)準(zhǔn)區(qū)102的另一型態(tài)的平面放大圖，在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)區(qū)102中的第一及第二輔助圖形102b及102c可由多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)或多個(gè)條狀開(kāi)口所構(gòu)成。同樣地，當(dāng)?shù)谝惠o助圖形102b無(wú)法完全占滿對(duì)準(zhǔn)區(qū)102時(shí)，可由圖1的光刻膠掩模的第二輔助圖形區(qū)14在第一輔助圖形102b外圍重復(fù)性地形成第二輔助圖形102c至完全占滿對(duì)準(zhǔn)區(qū)102。
需注意的是，上述第一及第二輔助圖形102b及102c亦可由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)或是多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口所構(gòu)成。
接下來(lái)，結(jié)合圖7a到7f說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的在晶片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形方法。圖7a到7f示出沿圖4的I-I線的剖面示意圖。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D7a，提供一晶片100，晶片100上具有一對(duì)準(zhǔn)區(qū)102及一組件區(qū)104，且在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102上設(shè)置有一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a。而且，在晶片100上依序形成一底氧化層110、氮化硅層112及一光刻膠層114，準(zhǔn)備進(jìn)行淺溝道隔離工藝，用以形成作為組件隔離用的淺溝道。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D7b，由圖1的光刻膠掩模10的第一輔助圖形區(qū)12來(lái)實(shí)施一光刻程序，以在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a外圍確定一第一輔助圖形102b，且在組件區(qū)104確定一產(chǎn)品圖形117。此第一輔助圖形102b由多個(gè)洞口116或多個(gè)條狀開(kāi)口116所構(gòu)成。如先前所述，第一輔助圖形102b亦可由多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。第一輔助圖形102b包圍對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a，且對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a上的光刻膠層114并沒(méi)有被去除。而組件圖形117中的多個(gè)開(kāi)口118系用以隔離組件。
如先前所述，如果對(duì)準(zhǔn)區(qū)(alignment area)102無(wú)法被第一輔助圖形102b占滿而使對(duì)準(zhǔn)區(qū)102還是有許多的空白(不具有圖形)的部分時(shí)，可以在進(jìn)行曝光程序時(shí)，利用上述光刻膠掩模10的第二輔助圖形區(qū)14，在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102內(nèi)曝光顯影以重復(fù)性形成第二輔助圖形(未繪示)。亦即，盡可能的填補(bǔ)對(duì)準(zhǔn)區(qū)102中沒(méi)有圖形的部分。第二輔助圖形可以是由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口、多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。第一輔助圖形102b與第二輔助圖形系用以填補(bǔ)習(xí)知技術(shù)中對(duì)準(zhǔn)區(qū)102空白的部分，可以避免在后續(xù)的化學(xué)機(jī)械研磨時(shí)，鄰近效應(yīng)(proximity effect)的發(fā)生。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D7c，在剝離光刻膠層114之后，在基底100上依序形成一氧化層120及一光刻膠層122。接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D7d，實(shí)施明暗相反(reverse tone)光刻程序，以去除殘留于氮化硅層112上方的氧化層120而露出氮化硅層112。其中，位于開(kāi)口116，118內(nèi)的氧化層120構(gòu)成淺溝道隔離氧化層116a，118a。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D7e，在剝離光刻膠層122之后，對(duì)淺溝道隔離氧化層116a，118a實(shí)施化學(xué)機(jī)械研磨并以氮化硅層112作為終止層。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D7f，以磷酸作為蝕刻劑來(lái)去除氮化硅層112。在本實(shí)施例中，由于在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記102a外圍形成第一輔助圖形102b，甚至是重復(fù)性地形成第二輔助圖形，對(duì)準(zhǔn)區(qū)102中不再具有大面積的無(wú)圖像區(qū)域。因此，不會(huì)在對(duì)準(zhǔn)區(qū)102中產(chǎn)生因鄰近效應(yīng)而殘留的氧化層120，進(jìn)而防止在后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨工藝及去除氮化硅層112時(shí)產(chǎn)生氮化硅殘留。亦即，根據(jù)本發(fā)明的方法可有效防止微粒污染而提高產(chǎn)品合格率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本行業(yè)技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，可進(jìn)行某些變更和改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍由后附的權(quán)利要求書界定。
權(quán)利要求
1.確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形用光刻膠掩模，包括一第一輔助圖形區(qū)，該第一輔助圖形區(qū)具有一第一圖形，用以遮蔽該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，及一第二圖形，用以在該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外圍確定一第一輔助圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形用光刻膠掩模，還包括一第二輔助圖形區(qū)，該第二輔助圖形區(qū)具有一第三圖形，用以在該第一輔助圖形外圍確定一第二輔助圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形用光刻膠掩模，其中，該第三圖形由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求2所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形用光刻膠掩模，其中，該第三圖形由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求2所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形用光刻膠掩模，還包括一組件圖形區(qū)，用以在該晶片上確定一產(chǎn)品圖形。
6.如權(quán)利要求1所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形用光刻膠掩模，其中，該第二圖形由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的光刻膠掩模，其中，該第二圖形由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。
8.確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的方法，包括下列步驟提供一晶片，該晶片具有一對(duì)準(zhǔn)區(qū)，且該對(duì)準(zhǔn)區(qū)中設(shè)置有該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；以及由一光刻膠掩模來(lái)實(shí)施一曝光程序，以在該對(duì)準(zhǔn)區(qū)中的該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定一第一輔助圖形，其中該光刻膠掩模具有一第一輔助圖形區(qū)，它具有一第一圖形及一第二圖形。
9.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，還包括在確定該第一輔助圖形之后實(shí)施一明暗相反的曝光步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該第一圖形用以遮蔽該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
11.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該第二圖形用以確定該第一輔助圖形。
12.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該第二圖形由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的光刻膠掩模，其中，該第二圖形由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求8所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該光刻膠掩模還包括一第二輔助圖形區(qū)，其具有一第三圖形。
15.如權(quán)利要求14所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，還包括由該光刻膠掩模在該第一輔助圖形外圍確定一第二輔助圖形的步驟。
16.如權(quán)利要求14所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該第三圖形由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求14所述的確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的光刻膠掩模，其中，該第三圖形由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口的任一種所構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求14所述的確定晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍輔助圖形的方法，其中，該光刻膠掩模還包括一組件圖形區(qū)，用以在該晶片上確定一產(chǎn)品圖形。
19.一種具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的晶片，包括一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底具有一對(duì)準(zhǔn)區(qū)；一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，設(shè)置于該對(duì)準(zhǔn)區(qū)中；以及一輔助圖形，設(shè)置于該對(duì)準(zhǔn)區(qū)中該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外圍，其具有重復(fù)性結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求19所述的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的晶片，其中，該輔助圖形由多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)及多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)與多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)中任一種所構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求19項(xiàng)所述的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的晶片，其中該輔助圖形由多個(gè)洞口、多個(gè)條狀開(kāi)口及多個(gè)洞口與多個(gè)條狀開(kāi)口中任一種所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種在晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定輔助圖形的方法。首先，提供具有對(duì)準(zhǔn)區(qū)的晶片，對(duì)準(zhǔn)區(qū)中設(shè)置有一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。然后，藉由一光刻膠掩模來(lái)進(jìn)行曝光，以在對(duì)準(zhǔn)區(qū)上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記外圍確定一第一輔助圖形。此光刻膠掩模具有一第一輔助圖形區(qū)，第一輔助圖形區(qū)具有一第一圖形來(lái)遮蔽該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，及一第二圖形來(lái)確定第一輔助圖形。而且，此光刻膠掩模還包括一第二輔助圖形區(qū)，具有一第三圖形，用以在第一輔助圖形的外圍確定一第二輔助圖形。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1480985SQ0213199
公開(kāi)日2004年3月10日 申請(qǐng)日期2002年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月4日
發(fā)明者何溓澤, 林鼎章, 丁茂益, 何 澤 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司