技術(shù)編號：6932889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及確定晶片對準標記外圍輔助圖形的方法及所用光刻膠掩模，以防止化學(xué)機械研磨之后產(chǎn)生氮化硅殘留物而發(fā)生微粒污染。然而，在化學(xué)機械式研磨(chemical mechanical polishing，CMP)的技術(shù)引進于淺溝道隔離(shallow trench isolation，STI)工藝，對準標記周圍的由氮化硅層(用作確定溝道圖形的掩模層)所構(gòu)成的大面積空白區(qū)域(無圖像區(qū)域)，由于研磨厚度不足，而在后續(xù)工藝中造成微粒污染。為了解決上述問題，通常是在晶...
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