專利名稱：X射線光刻對準標記圖形的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)中的微細加工領(lǐng)域，特別涉及一種X射線光刻對準標記圖形。它的特點是采用多線坐標值平均的方法來降低X射線掩模對準標記圖形、半導(dǎo)體基片對準標記圖形的定位和識別誤差，具有很強的實用價值。
背景技術(shù)：
通常的X射線光刻對準標記圖形采用方框套十字的型式，X射線掩模對準標記圖形為方框，半導(dǎo)體基片的對準標記圖形為十字。
圖1A是常用的X射線刻對準標記圖形的平面圖，其中半導(dǎo)體基片的對準標記圖形3由直線1x2和1y2組成，X射線掩模對準標記圖形4由直線1x1、1y1、1x3、1y3組成。圖1B-1和圖1B-2表示出根據(jù)圖1A的對準標記圖形在X軸和Y軸的光反射圖形分布。分別求出1x1、1x2、1x3三條直線的中分值，將這三個中分值相加得到1x，分別求出1y1、1y2、1y3三條直線的中分值，將這三個中分值相加得到1y，當(dāng)1x小于所預(yù)先設(shè)定的閾值并且1y小于所預(yù)先設(shè)定的閾值時，即可認為X射線掩模和半導(dǎo)體基片的對準完畢。X射線掩模對準標記圖形和半導(dǎo)體基片的對準標記圖形的制作過程和隨后處理過程往往會引入定位誤差，對X射線掩模對準標記圖形和半導(dǎo)體基片的對準標記圖形的識別過程也往往會引入誤差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種X射線光刻對準標記圖形，其為了降低上述誤差、提高X射線光刻的對準精度，它采用多線坐標值平均的方法來降低X射線掩模對準標記圖形、半導(dǎo)體基片對準標記圖形的定位和識別誤差，從而提高X射線光刻的對準精度和增加X射線光刻的對準寬容度。
本發(fā)明的目的是通過如下方法來實現(xiàn)的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，包括一套用于對準的被指定測量圖形，該用于對準的被指定測量圖形制作在X射線掩模上，該用于對準的被指定測量圖形為2-4個大小不等的方框；一套半導(dǎo)體基片的對準標記圖形，該半導(dǎo)體基片的對準標記圖形制作在用于對準的被指定測量圖形的中間，該半導(dǎo)體基片的對準標記圖形為井字形或縮小的圍棋盤形。
其中用于對準的被指定測量圖形的結(jié)構(gòu)為碳化硅/鉭或者氮化硅/金或者碳化硅/鎢或者金剛石/鉭。
其中半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的結(jié)構(gòu)為硅/金或者砷化鎵/金鍺鎳金。
其中用于對準的被指定測量圖形的每個方框的邊緣間距為2μm到6μm。
其中用于對準的被指定測量圖形的方框之間距離為2μm到20μm。
其中半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形由兩條或者兩條以上X軸方向直線圖形和兩條或者兩條以上Y軸方向直線圖形交叉而成。
其中每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm。
其中X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。
其中X軸方向X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的間距至少為2μm。
其中Y軸方向X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的間距至少為2μm。


為進一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明做詳細描述，其中圖1A常用的X射線刻對準標記圖形的平面圖。
圖1B-1和圖1B-2表示出根據(jù)圖1A的對準標記圖形在X軸和Y軸的光反射圖形分布。
圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的對準標記圖形的平面圖。
圖2B-1和圖2B-2表示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的對準標記圖形在X軸和Y軸的光反射圖形分布。
圖3、圖4和圖5是根據(jù)本發(fā)明的其它實施例的對準標記圖形的平面圖。
具體實施例方式
下面參照圖2A、圖2B、圖3到圖5，對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。
圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的對準標記圖形的平面圖。其中的半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30由X軸方向的三條直線2x4、2x5、2x6和Y軸方向的三條直線2y4、2y5、2y6交叉組成，每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm，X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。X射線掩模對準標記圖形40由直線2x1、2x2、2x3、2x7、2x8、2x9、2y1、2y2、2y3、2y7、2y8、2y9組成的三個方框組成，X軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距D至少為2μm，Y軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距A至少為2μm。
圖2B-1和圖2B-2表示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的對準標記圖形在X軸和Y軸的光反射圖形分布。
圖3、圖4和圖5表示根據(jù)本發(fā)明其它實施例的對準標記圖形的平面圖(其中各附圖中的相同部件的標號為相同標號)。
按照圖3所示的本發(fā)明的又一實施例，半導(dǎo)體基片上的對準標記圖形30由X軸方向的兩條直線2x3、2x4和Y軸方向的兩條直線2y3、2y4交叉組成，每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm，X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。X射線掩模對準標記圖形40由直線2x1、2x2、2x5、2x6、2y1、2y2、2y5、2y6組成的兩個方框組成，X軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距D至少為2μm，Y軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距A至少為2μm。
按照圖4所示的本發(fā)明的又一實施例，半導(dǎo)體基片上的對準標記圖形30由X軸方向的四條直線和Y軸方向的四條直線交叉組成，每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm，X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。X射線掩模對準標記圖形40由四個方框組成，X軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距D至少為2μm，Y軸方向半導(dǎo)體基片的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距A至少為2μm。
按照圖5所示的本發(fā)明的又一實施例，半導(dǎo)體基片上的對準標記圖形30由X軸方向的兩條直線和Y軸方向的兩條直線交叉組成，每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm，X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。X射線掩模對準標記圖形40由四個方框組成，X軸方向半導(dǎo)體基片上的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距D至少為2μm，Y軸方向半導(dǎo)體基片上的對準標記圖形30與X射線掩模對準標記圖形40的間距A至少為2μm。
上述所選的實施例對本發(fā)明所進行的直觀說明并不是對本發(fā)明保護范圍的限定，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該懂得，在不背離權(quán)利要求所規(guī)定的本發(fā)明的范圍的前提下，對其在形式上的細節(jié)作不同的改變均應(yīng)含蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，包括一套用于對準的被指定測量圖形，該用于對準的被指定測量圖形制作在X射線掩模上，該用于對準的被指定測量圖形為2-4個大小不等的方框；一套半導(dǎo)體基片的對準標記圖形，該半導(dǎo)體基片的對準標記圖形制作在用于對準的被指定測量圖形的中間，該半導(dǎo)體基片的對準標記圖形為井字形或縮小的圍棋盤形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中用于對準的被指定測量圖形的結(jié)構(gòu)為碳化硅/鉭或者氮化硅/金或者碳化硅/鎢或者金剛石/鉭。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的結(jié)構(gòu)為硅/金或者砷化鎵/金鍺鎳金。
4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中用于對準的被指定測量圖形的每個方框的邊緣間距為2μm到6μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中用于對準的被指定測量圖形的方框之間距離為2μm到20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形由兩條或者兩條以上X軸方向直線圖形和兩條或者兩條以上Y軸方向直線圖形交叉而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中每條X軸方向直線和每條Y軸方向直線的邊緣間距為2μm到6μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中X軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm，Y軸方向直線圖形之間距離為2μm到20μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中X軸方向X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的間距至少為2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X射線光刻對準標記圖形，其特征在于，其中Y軸方向X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導(dǎo)體基片上的用于對準的被指定測量圖形的間距至少為2μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一套X射線光刻對準標記圖形，包括X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導(dǎo)體基片上用于對準的被指定測量圖形。本發(fā)明通過采用多線坐標值平均的方法來降低X射線掩模對準標記圖形、半導(dǎo)體基片對準標記圖形的定位和識別誤差，降低X射線光刻的對準誤差，提高X射線光刻的對準精度。
文檔編號G03F9/00GK1567096SQ03148990
公開日2005年1月19日 申請日期2003年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月3日
發(fā)明者謝常青, 葉甜春, 陳大鵬, 李兵 申請人:中國科學(xué)院微電子中心