專利名稱：罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種只讀存儲器(Read Only Memory，ROM)的結(jié)構(gòu)與制造方法，且特別是有關(guān)于一種罩幕式只讀存儲器(Mask ROM)的結(jié)構(gòu)與制造方法。
一般罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)將復(fù)晶硅字符線(Word Line，WL)橫跨于位線(Bit Line，BL)上，而位于字符線下方以及位線間的區(qū)域則作為存儲單元的信道區(qū)。對部分工藝而言，罩幕式只讀存儲器即以信道中離子植入與否，來儲存二進(jìn)制數(shù)據(jù)“0”或“1”。其中，植入離子到指定信道區(qū)域的工藝又稱為編碼布植(Coding Implantation)工藝。
請參照

圖1，其為公知一種罩幕式只讀存儲器的俯視示意圖。在圖1中數(shù)條平行的字符線102橫跨過數(shù)條平行的位線104，并由在選定的存儲單元的信道區(qū)域中，即是在圖標(biāo)的離子植入?yún)^(qū)塊110的基底中植入離子，以進(jìn)行程序化步驟，調(diào)整啟始電壓，達(dá)到控制存儲單元在讀取操作時的開關(guān)的目的。
接著請參照圖2，其為公知罩幕式只讀存儲器的剖面示意圖及其程序化方法。在圖2中，基底200上具有復(fù)數(shù)個由柵極介電層202與柵極導(dǎo)體層204組成的柵極結(jié)構(gòu)206、位于柵極結(jié)構(gòu)206間的基底200中的埋入式位線208以及覆蓋埋入式位線208的絕緣層210。在進(jìn)行編碼布植工藝時，先利用光罩形成一圖案化的光阻層212，以暴露欲編碼區(qū)域。接著，進(jìn)行摻質(zhì)植入工藝214，以光阻層212為罩幕，將摻質(zhì)植入欲編碼區(qū)域的底部柵極堆棧結(jié)構(gòu)206下方的基底200中，以進(jìn)行程序化，將所欲形成的程序代碼編入只讀存儲器中。
由于公知的罩幕式只讀存儲器，在進(jìn)行編碼布植時，在前段工藝中，選擇性的植入摻質(zhì)于存儲晶體管信道區(qū)，因此罩幕式只讀存儲器在植入摻質(zhì)后必須再經(jīng)過許多工藝步驟，才能夠裝箱出貨。這樣的只讀存儲器接單后交貨所需的時間較長，并需要一個專用于編碼的編碼罩幕來進(jìn)行信道離子植入的步驟。而且，在進(jìn)行信道離子植入步驟時，若離子植入?yún)^(qū)塊的位置產(chǎn)生對不準(zhǔn)(misalignment)的情形，就會直接影響存儲單元的操作特性，造成只讀存儲器存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)錯誤，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性變差。
本發(fā)明的另一目的為提供一種罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可省去一道專用于編碼的編碼罩幕。
本發(fā)明的又一目的為提供一種罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)及其制造方法，以減少出貨時間。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，此方法依序于基底上形成一電荷陷入層(例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層)與復(fù)數(shù)個柵極結(jié)構(gòu)，且任一柵極結(jié)構(gòu)與基底間的電荷陷入層作為一預(yù)定編碼區(qū)。接著，于柵極結(jié)構(gòu)間的基底中形成復(fù)數(shù)條位線，并且于基底上形成與柵極結(jié)構(gòu)電連接的復(fù)數(shù)條字符線。然后，于基底上形成具有編碼窗口的紫外光阻擋層與內(nèi)層介電層。然后，進(jìn)行一編碼工藝，以紫外光阻擋層為編碼罩幕，利用紫外光照射基底，以使編碼窗口暴露的柵極結(jié)構(gòu)下方的預(yù)定編碼區(qū)形成復(fù)數(shù)個寫入編碼區(qū)，再于編碼窗口內(nèi)形成插塞。
本發(fā)明所提出的罩幕式只讀存儲器的制造方法中，以電荷陷入層作為罩幕式只讀存儲器的編碼區(qū)域，并且利用具有編碼窗口的紫外光阻擋層作為編碼罩幕，而照射紫外光以進(jìn)行編碼工藝。由于在內(nèi)層介電層與紫外光阻擋層中定義形成編碼窗口時，可同時于外圍電路區(qū)的內(nèi)層介電層中定義形成接觸窗，因此編碼窗口的工藝可與接觸窗工藝整合，而能減少一道光罩，降低生產(chǎn)成本。
而且，由于本發(fā)明的罩幕式只讀存儲器的工藝可以停止在接觸窗工藝前，等到客戶下單后，再同時進(jìn)行外圍電路區(qū)的接觸窗工藝與存儲單元區(qū)的編碼工藝，因此可以減少出貨時間。
本發(fā)明提供一種罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)是由基底、電荷陷入層(例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層)、柵極結(jié)構(gòu)、位線、字符線、紫外光阻擋層、內(nèi)層介電層與插塞所構(gòu)成。其中電荷陷入層位于基底上；柵極結(jié)構(gòu)位于電荷陷入層上，且柵極結(jié)構(gòu)與基底間的電荷陷入層作為復(fù)數(shù)個編碼區(qū)；位線位于柵極結(jié)構(gòu)間的基底中；字符線位于柵極結(jié)構(gòu)上，并與柵極結(jié)構(gòu)電連接；紫外光阻擋層覆蓋于基底上；內(nèi)層介電層位于紫外光阻擋層上；且內(nèi)層介電層與紫外光阻擋層內(nèi)包括一插塞。
圖2為公知一種罩幕式只讀存儲器的剖面示意圖及其程序化方法。
圖3A至圖3G為依照本發(fā)明實施例的罩幕式只讀存儲器的工藝俯視示意圖。
圖4A至圖4G為依照本發(fā)明實施例的罩幕式只讀存儲器的工藝剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說明102、422字符線104、418位線110離子植入?yún)^(qū)塊200、400基底202、410柵極介電層204柵極導(dǎo)體層206、414、424柵極結(jié)構(gòu)208埋入式位線210、420絕緣層212光阻層214、416摻質(zhì)植入工藝402存儲單元區(qū)404外圍電路區(qū)
406隔離結(jié)構(gòu)408復(fù)合介電層(電荷陷入層)412導(dǎo)體層414條狀導(dǎo)體層426淡摻雜區(qū)428間隙壁430重?fù)诫s區(qū)432源極/漏極區(qū)434材料層436內(nèi)層介電層438編碼窗口440接觸窗開口442編碼區(qū)444插塞446內(nèi)聯(lián)機(jī)首先，請參照圖3A與圖4A，提供一基底400，此基底400例如是半導(dǎo)體硅基底。此基底400可劃分為存儲單元區(qū)402以及外圍電路區(qū)404。
接著，在此基底400的外圍電路區(qū)404中形成多個隔離結(jié)構(gòu)406。此處所示的隔離結(jié)構(gòu)406是一淺溝渠隔離(Shallow Trench Isolation，STI)，但在其它情形下也可以是局部區(qū)域熱氧化(Local Oxidation，LOCOS)隔離層。
然后，于存儲單元區(qū)402形成一層復(fù)合介電層408(電荷陷入層)，并且于外圍電路區(qū)404形成一層?xùn)艠O介電層410，復(fù)合介電層408例如是一氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)層。柵極介電層410的材質(zhì)例如是氧化硅，形成柵極介電層410的方法例如是熱氧化法(Thermal Oxidation)。其中，于存儲單元區(qū)402形成一層復(fù)合介電層408以及于外圍電路區(qū)404形成一柵極介電層410的步驟例如是先形成一層罩幕層(未圖標(biāo))覆蓋住存儲單元區(qū)402并裸露外圍電路區(qū)404，接著于外圍電路區(qū)404的基底400上形成柵極介電層410，再移除覆蓋住存儲單元區(qū)402的罩幕層。然后，再形成另一層罩幕層(未圖標(biāo))覆蓋住外圍電路區(qū)404并裸露存儲單元區(qū)402，接著于存儲單元區(qū)402的基底400上形成一層復(fù)合介電層408(電荷陷入層)，再移除覆蓋住外圍電路區(qū)404的罩幕層。當(dāng)然也可以先形成一層罩幕層(未圖標(biāo))覆蓋住外圍電路區(qū)404并裸露存儲單元區(qū)402，接著于存儲單元區(qū)402的基底400上形成一層復(fù)合介電層408(電荷陷入層)，再移除覆蓋住外圍電路區(qū)404的罩幕層。然后，再形成另一層罩幕層(未圖標(biāo))覆蓋住存儲單元區(qū)402并裸露外圍電路區(qū)404，接著于外圍電路區(qū)404的基底400上形成柵極介電層410，再移除覆蓋住存儲單元區(qū)402的罩幕層。
接著，請參照圖3B與圖4B，于基底400上形成一層導(dǎo)體層412，此導(dǎo)體層412的材質(zhì)例如是摻雜復(fù)晶硅，形成導(dǎo)體層的方法例如是以臨場(In-Situ)摻雜離子的方式，利用化學(xué)氣相沉積法于基底400上形成一層摻雜復(fù)晶硅層。接著，利用微影蝕刻工藝，圖案化此導(dǎo)體層412以于存儲單元區(qū)402形成復(fù)數(shù)個條狀導(dǎo)體層414。
然后進(jìn)行一摻質(zhì)植入工藝416，以條狀導(dǎo)體層414為罩幕，于條狀導(dǎo)體層414所裸露的基底400中形成復(fù)數(shù)條位線418。而摻質(zhì)植入工藝416所使用的摻質(zhì)例如是N型的離子。形成位線418的步驟例如是以離子植入法植入摻質(zhì)后，進(jìn)行一快速回火工藝(Rapid Thermal Anneal，RTA)以修復(fù)基底400中受損的晶格結(jié)構(gòu)。
接著，請參照圖3C與圖4C，于基底400上形成一層絕緣層420，以填滿條狀導(dǎo)體層414間的間隙，此絕緣層420的材質(zhì)例如是氧化硅，形成絕緣層420的步驟例如是先以化學(xué)氣相沉積法于存儲單元區(qū)402形成一層氧化硅層，再進(jìn)行回蝕(Etching Back)工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝(Chemical Mechanical Polishing，CMP)直到暴露條狀導(dǎo)體層414的表面。
然后，于基底400上形成另一層導(dǎo)體層(未圖標(biāo))，導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是摻雜復(fù)晶硅，形成導(dǎo)體層的方法例如是以臨場摻雜離子的方式，利用化學(xué)氣相沉積法于基底400上形成一層摻雜復(fù)晶硅層。接著，利用微影蝕刻工藝，圖案化此導(dǎo)體層以于存儲單元區(qū)402行成復(fù)數(shù)個字符線422，再繼續(xù)定義條狀導(dǎo)體層414而形成多個柵極結(jié)構(gòu)414，并且于外圍電路區(qū)404形成復(fù)數(shù)個柵極結(jié)構(gòu)424。其中，字符線422與柵極結(jié)構(gòu)414電連接，且字符線422橫跨于位線418上，而一柵極結(jié)構(gòu)414與其下的復(fù)合介電層408、上方的字符線422、以及兩側(cè)的兩條位線418則構(gòu)成一存儲單元。
接著，請參照圖3D與圖4D，進(jìn)行一摻質(zhì)植入步驟，以外圍電路區(qū)404的柵極結(jié)構(gòu)424為罩幕，于柵極結(jié)構(gòu)424兩側(cè)的基底400中植入摻質(zhì)，以形成一淡摻雜區(qū)426。
然后，于基底400上形成一層介電層(未圖標(biāo))，此介電層的材質(zhì)例如是氧化硅或氮化硅，形成介電層的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。接著，移除部分介電層以于外圍電路區(qū)404的柵極結(jié)構(gòu)424的側(cè)壁形成間隙壁428。移除部分介電層的方法例如是非等向性蝕刻法。
然后，在外圍電路區(qū)404中，以間隙壁428與柵極結(jié)構(gòu)424為罩幕，進(jìn)行一摻質(zhì)植入步驟，于外圍電路區(qū)404的柵極結(jié)構(gòu)424兩側(cè)的基底400中植入摻質(zhì)，以形成一濃摻雜區(qū)430。其中淡摻雜區(qū)426與濃摻雜區(qū)430作為源極/漏極區(qū)432。
接著，請參照圖3E與圖4E，于基底400上形成一層材料層434，此材料層434可以防止紫外光穿透而照射到復(fù)合介電層408(電荷陷入層)。此材料層包括一化學(xué)氣相沉積抗反射層(Chemical VaporDeposition Anti-reflective Coating，CVDARC)，其材質(zhì)例如是SixNy(OH)z。
然后，于材料層434上形成一層內(nèi)層介電層436，此內(nèi)層介電層436的材質(zhì)例如是以四乙基硅酸酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)/臭氧(O3)為反應(yīng)氣體源，并利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)所形成的氧化硅。接著，進(jìn)行一平坦化工藝而使內(nèi)層介電層436具有一平坦表面。使內(nèi)層介電層436平坦化的方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨法或回蝕刻法。
接著，請參照圖3F與圖4F，利用微影蝕刻技術(shù)圖案化內(nèi)層介電層436與材料層434，以于存儲單元區(qū)402的欲編碼存儲單元上形成編碼窗開口438(Code Window)，并且于外圍電路區(qū)404形成暴露柵極結(jié)構(gòu)424的接觸窗開口440(Contact Window)。
然后，以材料層434為編碼罩幕，利用紫外光照射基底400以進(jìn)行編碼工藝，使紫外光經(jīng)由編碼窗開口438照射欲編碼的存儲單元，使電子注入存儲單元的復(fù)合介電層408(電荷陷入層)中形成電荷編碼區(qū)442，而由此將預(yù)定的程序代碼編入罩幕式只讀存儲器中。
接著請參照圖3G與圖4G，于基底400上形成一層導(dǎo)體層(未圖標(biāo))，此導(dǎo)體層填滿編碼窗開口438與接觸窗開口440。然后，移除編碼窗開口438與接觸窗開口440以外的多余導(dǎo)體層以形成插塞444。然后，于基底400上形成另一層導(dǎo)體層(未圖標(biāo))，并圖案化此導(dǎo)體層以形成與插塞444電接觸的內(nèi)聯(lián)機(jī)446。
依上述的制造方法，可形成本發(fā)明所提供的罩幕式只讀存儲器組件的結(jié)構(gòu)。請參照圖4G，以明了本發(fā)明所提出的罩幕式只讀存儲器組件的結(jié)構(gòu)，其包括基底400、復(fù)合介電層408(電荷陷入層)(例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層)、柵極結(jié)構(gòu)414、位線418、字符線422、可阻擋紫外光的材料層434(例如是化學(xué)氣相沉積抗反射層)與內(nèi)層介電層436。其中復(fù)合介電層408位于基底400上；柵極結(jié)構(gòu)414位于復(fù)合介電層408上；位線418位于柵極結(jié)構(gòu)414間的基底400中；字符線422位于柵極結(jié)構(gòu)414上，并與柵極結(jié)構(gòu)414電連接；材料層434覆蓋于基底400上；內(nèi)層介電層436位于材料層434上；且內(nèi)層介電層436與材料層434內(nèi)包括插塞444。
依照上述實施例所述，本發(fā)明利用氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層(電荷陷入層)經(jīng)過紫外光照射后，會使電荷會陷入氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層(電荷陷入層)中的原理，以氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層(電荷陷入層)作為罩幕式只讀存儲器的編碼區(qū)域，然后于存儲單元區(qū)上形成一層能夠防止紫外線穿透的材料層，在進(jìn)行編碼工藝時，于材料層中形成編碼窗口，直接以材料層作為編碼罩幕，照射紫外光以進(jìn)行編碼工藝，由存儲單元是否照射到紫外光，而使電荷會陷入氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層(電荷陷入層)中，來儲存二階式位數(shù)據(jù)“0”或“1”。
由于，本發(fā)明直接以可阻擋紫外光的材料層作為編碼罩幕，并將編碼窗口的工藝與接觸窗工藝整合，因此可以減少一道光罩，降低生產(chǎn)成本。
而且，由于在可阻擋紫外光的材料層中形成編碼窗口的工藝可以與外圍電路區(qū)的接觸窗工藝整合在一起，所以本發(fā)明的罩幕式只讀存儲器的工藝可以停在接觸窗工藝前，等到客戶下單后，同時進(jìn)行外圍電路區(qū)的接觸窗工藝與存儲單元區(qū)的編碼工藝，可以減少出貨時間。
雖然本發(fā)明已以一實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為該方法包括于一基底上形成一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層；于該氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層上形成復(fù)數(shù)個柵極結(jié)構(gòu)，每一該些柵極結(jié)構(gòu)與該基底間的該氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層分別作為一預(yù)定編碼區(qū)；于該些柵極結(jié)構(gòu)間的該基底中形成復(fù)數(shù)條位線；于該基底上形成復(fù)數(shù)條字符線，且該些字符線與該些柵極結(jié)構(gòu)電連接；于該基底上形成一化學(xué)氣相沉積抗反射層；于該化學(xué)氣相沉積抗反射層上形成一內(nèi)層介電層；于該內(nèi)層介電層與該化學(xué)氣相沉積抗反射層中形成復(fù)數(shù)個編碼窗口，該編碼窗口位于復(fù)數(shù)個欲寫入的預(yù)定編碼區(qū)的上方；進(jìn)行一編碼工藝，以該化學(xué)氣相沉積抗反射層為編碼罩幕，利用紫外光照射該基底，以使該些編碼窗口下方的該些預(yù)定編碼區(qū)形成復(fù)數(shù)個編碼區(qū)；以及于每一該些該編碼窗口內(nèi)形成一插塞。
2.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該化學(xué)氣相沉積抗反射層的材質(zhì)包括SixNy(OH)z。
3.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于該些柵極結(jié)構(gòu)間的該基底中形成該些位線的步驟后與于該基底上形成該些字符線步驟前，還包括于該些位線上形成一介電層填滿該些柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙。
4.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于該基底中形成該些位線的步驟包括進(jìn)行一摻質(zhì)植入步驟，于該些柵極結(jié)構(gòu)間的該基底中植入一摻質(zhì)；以及進(jìn)行一回火工藝。
5.一種罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為該結(jié)構(gòu)包括一基底；一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層，該氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層位于該基底上；復(fù)數(shù)個柵極，該些柵極位于該氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層上，且該些柵極與該基底間的該氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層作為復(fù)數(shù)個編碼區(qū)；復(fù)數(shù)條位線，該些位線位于該些柵極之間；一化學(xué)氣相沉積抗反射層，該化學(xué)氣相沉積抗反射層覆蓋于該基底上；一內(nèi)層介電層，該內(nèi)層介電層位于該化學(xué)氣相沉積抗反射層上；一插塞，該插塞位于該內(nèi)層介電層與該化學(xué)氣相沉積抗反射層內(nèi)，且位于一編碼區(qū)上方。
6.如權(quán)利要求5所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其中該化學(xué)氣相沉積抗反射層的材質(zhì)包括SixNy(OH)z。
7.如權(quán)利要求5所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其特征為其中該些柵極之間還包括一絕緣層。
8.一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為該方法包括于一基底上形成一電荷陷入層；于該電荷陷入層上形成復(fù)數(shù)個柵極結(jié)構(gòu)，每一該些柵極結(jié)構(gòu)與該基底間的該電荷陷入層作為一預(yù)定編碼區(qū)；于該些柵極結(jié)構(gòu)間的該基底中形成復(fù)數(shù)條位線；于該基底上形成復(fù)數(shù)條字符線，且該些字符線與該些柵極結(jié)構(gòu)電連接；于該基底上形成一材料層，該材料層的材質(zhì)能夠防止紫外光穿透；于該材料層上形成一內(nèi)層介電層；于該內(nèi)層介電層與該材料層中形成復(fù)數(shù)個編碼窗口，該編碼窗口位于復(fù)數(shù)個欲編碼的預(yù)定編碼區(qū)的上方；進(jìn)行一編碼工藝，以該材料層為編碼罩幕，利用紫外光照射該基底，以使該些編碼窗口下方的該些預(yù)定編碼區(qū)形成復(fù)數(shù)個編碼區(qū)；于每一該些該編碼窗口內(nèi)形成一插塞。
9.如權(quán)利要求8所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于該材料層包括一化學(xué)氣相沉積抗反射層。
10.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于該材料層的材質(zhì)包括SixNy(OH)z。
11.如權(quán)利要求8所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中該電荷陷入層包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層。
12.如權(quán)利要求8所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于該些柵極結(jié)構(gòu)之間的該基底中形成該些位線的步驟后與于該基底上形成該些字符線步驟前，還包括于該些位線上形成一絕緣層以填滿該些柵極結(jié)構(gòu)間的間隙。
13.如權(quán)利要求8所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征為其中于形成該些位線的步驟包括進(jìn)行一摻質(zhì)植入步驟，于該些柵極結(jié)構(gòu)間的該基底中植入一摻質(zhì)；以及進(jìn)行一回火工藝。
14.一種罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為該結(jié)構(gòu)包括一基底；一電荷陷入層，該電荷陷入層位于該基底上；復(fù)數(shù)個柵極結(jié)構(gòu)，該些柵極結(jié)構(gòu)位于該電荷陷入層上，且該些柵極結(jié)構(gòu)與該基底之間的該電荷陷入層作為復(fù)數(shù)個編碼區(qū)；復(fù)數(shù)條位線，該些位線位于該些柵極結(jié)構(gòu)間；一材料層，其覆蓋于該基底上，該材料層的材質(zhì)能夠防止紫外光穿透；一內(nèi)層介電層，該內(nèi)層介電層位于該材料層上；以及一插塞，該插塞位于該內(nèi)層介電層與該材料層內(nèi)，且位于一編碼區(qū)上方。
15.如權(quán)利要求14所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其中該材料層包括一化學(xué)氣相沉積抗反射層。
16.如權(quán)利要求15所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其中該化學(xué)氣相沉積抗反射層的材質(zhì)包括SixNy(OH)z。
17.如權(quán)利要求14所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其中該些柵極結(jié)構(gòu)之間還包括一介電層。
18.如權(quán)利要求14所述的罩幕式只讀存儲器的結(jié)構(gòu)，其特征為其中該電荷陷入層包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層。
全文摘要
一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，此方法依序于基底上形成一氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層與復(fù)數(shù)個柵極，且任一柵極與基底之間的氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層作為一預(yù)定編碼區(qū)。接著，于柵極間的基底中形成復(fù)數(shù)條位線，并且于基底上形成與柵極電連接的復(fù)數(shù)條字符線。然后，于基底上形成具有編碼窗口的化學(xué)氣相沉積抗反射材料層與內(nèi)層介電層。然后，進(jìn)行一編碼工藝，以化學(xué)氣相沉積抗反射層為編碼罩幕，利用紫外光照射基底，以使編碼窗口暴露的柵極下方的預(yù)定編碼區(qū)形成復(fù)數(shù)個寫入編碼區(qū)，再于編碼窗口內(nèi)形成插塞。
文檔編號H01L21/70GK1449028SQ0210845
公開日2003年10月15日 申請日期2002年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月1日
發(fā)明者郭東政, 劉建宏, 潘錫樹, 黃守偉 申請人:旺宏電子股份有限公司