專(zhuān)利名稱(chēng)：多層阻抗元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層阻抗元件，更具體的涉及一種被安裝在各種的電路中用做噪聲濾波器的多層阻抗元件。
然而，針對(duì)如下的情況，此類(lèi)的多層阻抗元件存在一定的問(wèn)題，即當(dāng)將阻抗元件固定到印刷電路板上時(shí)，其電學(xué)特性會(huì)由于設(shè)置在固定面上的多層結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)上下線圈的位置的不同而發(fā)生變化，其中的兩個(gè)線圈具有不同的磁導(dǎo)率。
另外，經(jīng)本發(fā)明的發(fā)明者的研究表明，在將脈沖信號(hào)輸入到多層阻抗元件中的情況下，其電學(xué)特性會(huì)因連接到外部電極的輸入輸出端是高磁導(dǎo)率線圈的線圈導(dǎo)線圖形還是低磁導(dǎo)率線圈的線圈導(dǎo)線圖形而有所不同。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種多層阻抗元件，其包含一個(gè)高磁導(dǎo)率線圈部分和一個(gè)低磁導(dǎo)率線圈部分，其中的高磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第一纏繞部分和第三纏繞部分，其中的第一纏繞部分和第三纏繞部分是通過(guò)將多個(gè)由相對(duì)高磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；上述的低磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第二纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)低的磁導(dǎo)率材料制成的多個(gè)磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成。將高磁導(dǎo)率線圈部分和低磁導(dǎo)率線圈部分進(jìn)行疊加，從而第一、第二和第三纏繞部分被順序串聯(lián)連接，形成線圈，所述高磁導(dǎo)率線圈部分的第一纏繞部分和第三纏繞部分與輸入和輸出的外部電極相連。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種多層阻抗元件，其包含一個(gè)第一高磁導(dǎo)率線圈部分和一個(gè)低磁導(dǎo)率線圈部分，其中的第一高磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第一纏繞部分，其中的第一纏繞部分是通過(guò)將多個(gè)由相對(duì)高磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；上述的低磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第二纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)低的磁導(dǎo)率材料制成的多個(gè)磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成。第二高磁導(dǎo)率線圈部分包含至少一個(gè)第三纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)高的磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成。低磁導(dǎo)率線圈部分設(shè)置在第一高磁導(dǎo)率線圈部分和第二高磁導(dǎo)率線圈部分之間，從而第一、第二和第三纏繞部分順序串聯(lián)連接而形成線圈，第一高磁導(dǎo)率線圈部分的第一纏繞部分和第二高磁導(dǎo)率線圈部分的第三纏繞部分與輸入和輸出外部電極相連。
通過(guò)上述的結(jié)構(gòu)，當(dāng)將脈沖波形信號(hào)輸入到多層阻抗元件時(shí)，在高磁導(dǎo)率線圈的纏繞部分的信號(hào)波形變得相對(duì)逼真，而在低磁導(dǎo)率線圈的纏繞部分的信號(hào)波形變得相對(duì)失真。如果低磁導(dǎo)率線圈線圈導(dǎo)線圖形與輸入和輸出外部電極相連，低磁導(dǎo)率線圈的信號(hào)波形變得相對(duì)失真，而此后高磁導(dǎo)率線圈中的信號(hào)波形變得相對(duì)逼真。
針對(duì)信號(hào)波形的失真程度而言，通常的，信號(hào)越接近脈沖波其越失真。相應(yīng)的，帶有自輸入和輸出外部電極輸入的脈沖波信號(hào)從低磁導(dǎo)率線圈傳遞到高磁導(dǎo)率線圈的結(jié)構(gòu)的多層阻抗元件的失真大。換句話說(shuō)，帶有高磁導(dǎo)率線圈的線圈導(dǎo)線圖形與輸入和輸出外部電極相連的結(jié)構(gòu)的多層阻抗元件具有更加優(yōu)良的電學(xué)特性。
另外，當(dāng)高磁導(dǎo)率線圈的第一和第三纏繞部分與輸入和輸出外部電極相連時(shí)，可消除電學(xué)特性的方向性受安裝方向的影響。
另外，在高磁導(dǎo)率線圈部分和低磁導(dǎo)率線圈部分之間可設(shè)置由非磁性材料制成的中間層。此外，由非磁性材料制成的中間層還可設(shè)置在第一和第二高磁導(dǎo)率線圈部分與低磁導(dǎo)率線圈部分之間。中間層結(jié)構(gòu)的作用在于防止高低磁導(dǎo)率線圈中所產(chǎn)生的磁通量發(fā)生耦合。另外，上述結(jié)構(gòu)還可防止高低磁導(dǎo)率材料之間的相互擴(kuò)散，同時(shí)還可防止由于材料收縮率的差別而導(dǎo)致的包覆和斷裂。
線圈導(dǎo)線圖形16-27由Cu、Au、Ag、Ag-Pd、Ni等制成。圖形16-27借助形成在磁片3-11中的通孔30a-30r串聯(lián)連接，在阻抗元件1中形成大致為U-形的螺旋線圈L。更具體的，線圈導(dǎo)線圖形16-19通過(guò)通孔30a-30c串聯(lián)連接，形成高磁導(dǎo)率線圈25的第一纏繞部分L1。線圈導(dǎo)線圖形20-23通過(guò)通孔30g-30I串聯(lián)連接，形成低磁導(dǎo)率線圈36的第二纏繞部分L2。線圈導(dǎo)線圖形24-27通過(guò)通孔30p-30r串聯(lián)連接，形成高磁導(dǎo)率線圈35的第三纏繞部分L3。
第一纏繞部分L1和第二纏繞部分L2由阻抗元件1的上表面按順時(shí)針?lè)较蜻M(jìn)行纏繞。第三纏繞部分L3按逆時(shí)針?lè)较蜻M(jìn)行纏繞。第一纏繞部分L1和第二纏繞部分L2通過(guò)通孔30d到30f串聯(lián)連接。第二纏繞部分L2和第三纏繞部分L3通過(guò)通孔30j-30o串聯(lián)連接。在磁片3的左邊露出線圈導(dǎo)線圖形16的導(dǎo)引端16a。在磁片3的右邊露出線圈導(dǎo)線圖形27的導(dǎo)引端27a。通過(guò)印刷或其他的方法在磁片3-6和9-12的表面上形成線圈導(dǎo)線圖形16-27。
如

圖1中所示，磁片2-12順序疊壓。然后，對(duì)片進(jìn)行整體煅燒，從而獲得圖2中所示的多層結(jié)構(gòu)40。在多層結(jié)構(gòu)40的左右端面上，設(shè)置一個(gè)輸入外部電極41和一個(gè)輸出外部電極42。輸入外部電極41與線圈導(dǎo)線圖形16的導(dǎo)引端16a相連，而輸出外部電極42與線圈導(dǎo)線圖形27的導(dǎo)引端27a相連。
如圖3中所示，多層阻抗元件1包含一個(gè)通過(guò)對(duì)具有相對(duì)高的磁導(dǎo)率的磁片2-6進(jìn)行疊加而形成的高磁導(dǎo)率線圈35，通過(guò)對(duì)具有相對(duì)低的磁導(dǎo)率的磁片8-12進(jìn)行疊加而形成的低磁導(dǎo)率線圈36。
高磁導(dǎo)率線圈35的第一和第三纏繞部分L1和L3主要消除低頻噪聲，而低磁導(dǎo)率線圈36的第二纏繞部分L2主要消除高頻噪聲。
螺旋線圈L的各端從形成在高磁導(dǎo)率線圈部分35中的線圈導(dǎo)線圖形16-27引入到各個(gè)輸入外部電極41和輸出外部電極42。相應(yīng)的，各個(gè)部分如同等效電路一樣對(duì)稱(chēng)。結(jié)果，該結(jié)構(gòu)可消除受多層阻抗元件1的固定方向特別是安裝表面限制的電學(xué)特性的方向性。因此，不再需要標(biāo)記方向。在此情況下，由于高磁導(dǎo)率線圈35的第一纏繞部分L的纏繞方向與第三纏繞部分L3的纏繞方向相反，在第一纏繞部分L1中產(chǎn)生的磁通量不會(huì)與在第三纏繞部分L3中產(chǎn)生的磁通量相耦合。結(jié)果，從輸入外部電極41輸入的高頻成分順序通過(guò)第一、第二和第三纏繞部分L1到L3，然后從輸出外部電極42輸出。結(jié)果，通過(guò)第一和第三纏繞部分L1和L3之間的電磁耦合，可確保從輸入外部電極41輸入的高頻成分不從輸出外部電極42直接輸出。
輸入外部電極41與高磁導(dǎo)率線圈35的線圈導(dǎo)線圖形16電連接。因此，當(dāng)如圖4中所示將脈沖波形信號(hào)輸入到多層阻抗元件1時(shí)，信號(hào)波形首先在高磁導(dǎo)率線圈35的第一纏繞部分L1中逼真，然后在低磁導(dǎo)率線圈36的第二纏繞部分L2中相對(duì)失真。
現(xiàn)在，當(dāng)考慮信號(hào)波形的失真程度時(shí)，通常的，信號(hào)越接近脈沖波形，其失真程度越大。因此，帶有輸入外部電極與低磁導(dǎo)率線圈的線圈導(dǎo)線圖形相連的結(jié)構(gòu)的多層阻抗元件的波形失真大。換句話說(shuō)，象本發(fā)明的第一實(shí)施例的多層阻抗元件一樣，在將信號(hào)順序發(fā)送到輸入外部電極41、高磁導(dǎo)率線圈35的第一纏繞部分L1、低磁導(dǎo)率線圈36的第二纏繞部分L2、高磁導(dǎo)率線圈35的第三纏繞部分L3和輸出外部電極42的結(jié)構(gòu)中，阻抗元件的電學(xué)特性更優(yōu)。
另外，由于高磁導(dǎo)率線圈35的相對(duì)磁導(dǎo)率μ被設(shè)置為300或更高，可產(chǎn)生阻尼作用，從而可防止信號(hào)波形振鈴的發(fā)生。結(jié)果，可提高信號(hào)波形質(zhì)量。另外，由于低磁導(dǎo)率線圈36的相對(duì)磁導(dǎo)率μ被設(shè)置在100或更低，在高頻區(qū)(100MMz或更高)可獲得高阻抗。因此，同樣可產(chǎn)生阻尼作用，由此即使在高頻區(qū)也可保持優(yōu)良的阻抗特性。
最好將高磁導(dǎo)率線圈35的第一和第三纏繞部分L1和L3的總阻抗設(shè)定在200歐姆或更低(100MHz)，而低磁導(dǎo)率線圈36的第二纏繞部分L2的阻抗被設(shè)定在220歐姆或更低(100MHz)。這是因?yàn)楫?dāng)高磁導(dǎo)率線圈35具有很高的阻抗時(shí)，信號(hào)電平變低，信號(hào)波形變逼真。另一方面，當(dāng)?shù)痛艑?dǎo)率線圈36具有很高的阻抗時(shí)，存在一個(gè)問(wèn)題，即阻抗曲線的斜率變陡，從而Q因數(shù)變大，結(jié)果阻尼效應(yīng)不起作用，無(wú)法對(duì)波形失真進(jìn)行控制。
圖5示出了多層阻抗元件1(實(shí)線47)的外部電極41和42之間的阻抗特性。在圖5中，虛線45表示高磁導(dǎo)率線圈35的阻抗特性，而虛線46表示低磁導(dǎo)率線圈36的阻抗特性。
在多層阻抗元件1中，由非磁性材料制成的中間層37設(shè)置在高磁導(dǎo)率線圈35和低磁導(dǎo)率線圈36之間。此結(jié)構(gòu)可防止在高磁導(dǎo)率線圈35的第一和第三纏繞部分L1和L3中產(chǎn)生的磁通量和在低磁導(dǎo)率線圈36中產(chǎn)生的磁通量相耦合。另外，中間層37的作用在于防止高磁導(dǎo)率線圈35的材料和低磁導(dǎo)率線圈36的材料之間的相互擴(kuò)散，同時(shí)其還可防止由于材料的伸縮率的不同所導(dǎo)致的包覆和斷裂。第二實(shí)施例如圖6中所示，通過(guò)將上面的高磁導(dǎo)率線圈71和72與下面的低磁導(dǎo)率線圈73進(jìn)行疊加而形成本發(fā)明的第二實(shí)施例的多層阻抗元件51。在高磁導(dǎo)率線圈71和72與低磁導(dǎo)率線圈73之間，設(shè)置由諸如玻璃或玻璃陶瓷等制成的中間層74和75。
通過(guò)疊加高磁導(dǎo)率磁片而形成高磁導(dǎo)率線圈71，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形52到55。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形52到55進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成高磁導(dǎo)率線圈71的第一纏繞部分L1。
通過(guò)對(duì)高磁導(dǎo)率磁片進(jìn)行疊加而形成高磁導(dǎo)率線圈72，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形60到63。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形60到63進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成高磁導(dǎo)率線圈72的第一纏繞部分L3。
通過(guò)對(duì)低磁導(dǎo)率磁片進(jìn)行疊加而形成低磁導(dǎo)率線圈73，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形56到59。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形56到59進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成低磁導(dǎo)率線圈73的第二纏繞部分L2。
通過(guò)形成在磁片中的通孔65和66將第一纏繞部分L1、第二纏繞部分L2和第三纏繞部分L3進(jìn)行串聯(lián)連接以形成螺旋線圈L。線圈導(dǎo)線圖形52的引線端52a與輸入外部電極77進(jìn)行電連接，而線圈導(dǎo)線圖形63的引線端63a與輸出外部電極78進(jìn)行電連接。
在具有上述結(jié)構(gòu)的多層阻抗元件51中，螺旋線圈L的軸向與磁片疊加的方向平行，同時(shí)還平行于輸入和輸出外部電極77和78，以形成具有所謂的縱向纏繞結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線。多層阻抗元件51具有與第一實(shí)施例的阻抗元件1相同的優(yōu)點(diǎn)。
第三實(shí)施例圖7如圖7中所示，通過(guò)在低磁導(dǎo)率線圈103的各側(cè)面上設(shè)置高磁導(dǎo)率101和102而形成本發(fā)明第三實(shí)施例的多層阻抗元件81。在高磁導(dǎo)率線圈101和102與低磁導(dǎo)率線圈103之間，設(shè)置由諸如玻璃或玻璃陶瓷等制成的中間層104和105。
通過(guò)疊加高磁導(dǎo)率磁片而形成高磁導(dǎo)率線圈101，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形82到85。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形82到85進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成高磁導(dǎo)率線圈101的第一纏繞部分L1。
通過(guò)對(duì)高磁導(dǎo)率磁片進(jìn)行疊加而形成高磁導(dǎo)率線圈102，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形90到93。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形90到93進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成高磁導(dǎo)率線圈102的第三纏繞部分L3。
通過(guò)對(duì)高磁導(dǎo)率磁片進(jìn)行疊加而形成低磁導(dǎo)率線圈103，其中磁片上形成有線圈導(dǎo)線圖形86到89。通過(guò)形成在磁片中的通孔(未示出)將線圈導(dǎo)線圖形86到89進(jìn)行串聯(lián)連接，由此形成低磁導(dǎo)率線圈103的第二纏繞部分L2。
通過(guò)形成在磁片中的通孔95和96將第一纏繞部分L1、第二纏繞部分L2和第三纏繞部分L3進(jìn)行串聯(lián)連接以形成螺旋線圈L。通過(guò)形成在磁片中的引線通孔97將線圈導(dǎo)線圖形82與輸入外部電極107進(jìn)行電連接，通過(guò)形成在磁片中的引線通孔98將線圈導(dǎo)線圖形93與輸出外部電極108進(jìn)行電連接。
在具有上述結(jié)構(gòu)的多層阻抗元件81中，螺旋線圈L的軸向與磁片疊加的方向平行，而與輸入和輸出外部電極107和108垂直，以形成具有所謂的水平纏繞結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線。多層阻抗元件81具有與第一實(shí)施例的阻抗元件1相同的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的多層阻抗元件并不限于上述的實(shí)施例，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可做各種的變化。例如，線圈的圈數(shù)、線圈導(dǎo)線圖形的結(jié)構(gòu)等都可根據(jù)說(shuō)明書(shū)進(jìn)行變化。在上述的每個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將線圈導(dǎo)線圖形相連而形成盤(pán)旋線圈。然而，在磁片上可形成具有一圈或多圈的盤(pán)旋導(dǎo)線圖形。另外，還可通過(guò)通孔或印刷圖形、直線圖線圈導(dǎo)線圖形等形成線圈。此外，可將螺旋、盤(pán)旋和直線線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行結(jié)合而形成線圈。
除了上述實(shí)施例的多層導(dǎo)線外，本發(fā)明的多層阻抗元件還包含多層共用模式扼止線圈、多層LC合成元件等。
另外，在上述的實(shí)施例中，高磁導(dǎo)率線圈的相對(duì)磁導(dǎo)率被設(shè)置在300或更高。然而，本發(fā)明并不限于此。高磁導(dǎo)率線圈的相對(duì)磁導(dǎo)率可被設(shè)置在100和300之間。在此情況下，除了線圈L的峰值阻抗外，高磁導(dǎo)率線圈的感抗與并行產(chǎn)生的游離電容產(chǎn)生共振，從而在低于上述阻抗峰值的頻率上可形成另外一個(gè)阻抗峰值。結(jié)果，多層阻抗元件可獲得陡阻抗特性。
另外，在上述的實(shí)施例中，雖然將上面具有線圈導(dǎo)線圖形的磁片進(jìn)行疊加，然后整體進(jìn)行煅燒，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的使用的磁片也可提前進(jìn)行煅燒。另外，也可通過(guò)下面的方法形成阻抗元件。在通過(guò)印刷等方法形成糊狀磁性材料的磁片后，將糊狀導(dǎo)電材料施加到磁片上，以形成線圈導(dǎo)線圖形。接著，將糊狀磁性材料施加到線圈導(dǎo)線圖形上，以形成包含線圈導(dǎo)線圖形的磁層。類(lèi)似的，在將線圈導(dǎo)線圖形彼此進(jìn)行電連接時(shí)，順序使用糊狀磁性材料可形成具有多層結(jié)構(gòu)的阻抗元件。
如上所述，在本發(fā)明中，由于輸入和輸出外部電極與高磁導(dǎo)率線圈的第一和第三纏繞部分相連，從輸入和輸出外部電極輸入的信號(hào)波形略微失真。因此，多層阻抗元件可獲得優(yōu)良的電學(xué)特性。另外，由于線圈的各端從高磁導(dǎo)率線圈的第一和第三纏繞部分引入到輸入和輸出外部電極，該部分象等效電路一樣對(duì)稱(chēng)。結(jié)果，該結(jié)構(gòu)可消除電學(xué)特性受多層阻抗元件固定的方向性(固定時(shí)使用的表面)限制的方向性。
權(quán)利要求
1.一種多層阻抗元件，其包含一個(gè)高磁導(dǎo)率線圈部分，其中的高磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第一纏繞部分和第三纏繞部分，其中的第一纏繞部分和第三纏繞部分是通過(guò)將多個(gè)由相對(duì)高磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；一個(gè)低磁導(dǎo)率線圈部分，所述的低磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第二纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)低的磁導(dǎo)率材料制成的多個(gè)磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；其中將高磁導(dǎo)率線圈部分和低磁導(dǎo)率線圈部分進(jìn)行疊加，從而第一、第二和第三纏繞部分被順序串聯(lián)連接，形成線圈，所述高磁導(dǎo)率線圈部分的第一纏繞部分和第三纏繞部分與輸入和輸出的外部電極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層阻抗元件，其特征在于其還包含一個(gè)由非磁性材料形成的中間層，所述中間層設(shè)置在高磁導(dǎo)率線圈部分和低磁導(dǎo)率線圈部分之間。
3.一種多層阻抗元件，其包含第一高磁導(dǎo)率線圈部分，其至少包含第一纏繞部分，其中的第一纏繞部分是通過(guò)將多個(gè)由相對(duì)高磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；低磁導(dǎo)率線圈部分，其至少包含第二纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)低的磁導(dǎo)率材料制成的多個(gè)磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；第二高磁導(dǎo)率線圈部分包含至少一個(gè)第三纏繞部分，該部分是通過(guò)將由相對(duì)高的磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成；其中低磁導(dǎo)率線圈部分設(shè)置在第一高磁導(dǎo)率線圈部分和第二高磁導(dǎo)率線圈部分之間，從而第一、第二和第三纏繞部分順序串聯(lián)連接而形成線圈，第一高磁導(dǎo)率線圈部分的第一纏繞部分和第二高磁導(dǎo)率線圈部分的第三纏繞部分與輸入和輸出外部電極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層阻抗元件，其特征在于其還包含一個(gè)由非磁性材料形成的中間層，所述中間層設(shè)置在第一和第二高磁導(dǎo)率線圈部分和低磁導(dǎo)率線圈部分之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層阻抗元件,其在固定時(shí)不具有方向性,并可獲得優(yōu)良的電學(xué)特性。多層阻抗元件包含一個(gè)高磁導(dǎo)率線圈部分,至少包含第一纏繞部分和第三纏繞部分,其中的第一纏繞部分和第三纏繞部分是通過(guò)將多個(gè)由相對(duì)高磁導(dǎo)率材料制成的磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成;一個(gè)低磁導(dǎo)率線圈部分,所述的低磁導(dǎo)率線圈部分至少包含第二纏繞部分,該部分是通過(guò)將由相對(duì)低的磁導(dǎo)率材料制成的多個(gè)磁層與多個(gè)線圈導(dǎo)線圖形進(jìn)行疊加而形成;三個(gè)纏繞部分順序串聯(lián)連接,形成螺旋線圈。螺旋線圈的各端從形成在高磁導(dǎo)率線圈中的線圈導(dǎo)線圖形中引入到各個(gè)輸入和輸出外部電極。
文檔編號(hào)H01F17/00GK1372273SQ0210520
公開(kāi)日2002年10月2日 申請(qǐng)日期2002年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月19日
發(fā)明者高嶋浩一, 德田博道 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所