專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode；LED)芯片結(jié)構及其制造方法，特別是一種有關磷化鋁鎵銦(AlGaInP)發(fā)光二極管的結(jié)構及其制造方法。
接著利用改變活性層5的組成，便可以改變發(fā)光二極管發(fā)光波長，使其產(chǎn)生從650nm紅色至555nm純綠色的波長。但此一傳統(tǒng)的發(fā)光二極管有一缺點，就是活性層產(chǎn)生的光，往下入射至砷化鎵基板3時，由于砷化鎵基板3的能隙較小，因此入射至砷化鎵基板3的光將會被吸收掉，而無法產(chǎn)生高效率的發(fā)光二極管。
為了避免基板3的吸光，傳統(tǒng)上有一些文獻揭露出LED的技術，然而這些技術都有其缺點以及限制。例如Sugawara等人發(fā)表于[Appl.Phys Lett.Vol.61，1775-1777(1992)]便揭示了一種利用加入一層分散布拉格反射層(Distributed BraggReflector；DBR)于砷化鎵基板上，以反射入射向砷化鎵基板的光，并減少砷化鎵基板吸收，然而由于DBR反射層祗對于較接近垂直入射于砷化鎵基板的光能有效的反射，因此效果并不大。
Kish等人發(fā)表于[Appl.Phys Lett.Vol.64，No.21，2839，(1994)之文獻，名稱為“Very high-efficiency semiconductorwafer-bonded transparent-substrate(AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP”，揭示一種黏接晶圓(Wafer bonding)的透明式基板(Transparent-Substrate；TS)(AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP發(fā)光二極管。這種TSAlGaInP LED是利用氣相磊晶法(VPE)而形成厚度相當厚(約50μm)的P型磷化鎵(GaP)窗戶(Window)層，然后再以已知的化學蝕刻法，選擇性地移除N型砷化鎵(GaAs)基板。接著將此曝露出的N型(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層，黏接至厚度約為8-10mil的n型磷化鎵基板上。
由于此晶圓黏接(Wafer Bonding)是將二種III-V族化合物半導體直接黏接在一起，因此要在較高溫度下，加熱加壓一段時間才能完成。就發(fā)光亮度而言，以這種方式所制得的TSAlGaInP LED，比傳統(tǒng)吸收式基板(Absorbing-Substrate；AS)AlGaInP LED其亮度大兩倍以上。然而，這種TS AlGaInP LED的缺點就是制造過程太過繁雜，且通常會在接合界面具有一非歐姆接點的高電阻特性，因此，無法獲得高生產(chǎn)良率且難以降低制造成本。
另一種傳統(tǒng)技術，例如Horng等人發(fā)表于[Appl.Phys.Lett.Vol.75，No.20，3054(1999)文獻，名稱為“AlGaInP light-emittingdiodes with mirror substrates fabricated by wafer bonding”]。Horng等人揭示一種利用芯片融合技術以形成鏡面基板(Mirror-Substrate；MS)磷化鋁鎵銦/金屬/二氧化硅/硅LED。其使用AuBe/Au作為黏著材料以接合硅基板與LED磊晶層。然而，在20mA操作電流下，這種MS AlGaInP LED的發(fā)光強度僅約為90mcd，仍然比TS AlGaInP LED的發(fā)光強度少至少百分之四十，所以其發(fā)光強度無法令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，其提供一簡單的LED芯片黏結(jié)結(jié)構，可在較低的溫度下進行芯片黏結(jié)，減少V族元素在黏結(jié)過程中揮發(fā)的問題。且由于沒有基板吸光的缺點，因此可大幅提升LED的發(fā)光效率。
本發(fā)明的制程簡單，且可以采用玻璃等低成本之透明基板，因此可獲得高良率與低成本之量產(chǎn)結(jié)果。
本發(fā)明由信道連接可以得到較佳的光電特性，在相同定電流下，有較小的電壓，以及較佳的電流分布。在相同電壓下，可以得到較佳發(fā)光強度。
本發(fā)明的發(fā)光二極管是采用一軟質(zhì)的透明黏接層，來接合發(fā)光二極管與一透明基板，因此，即便發(fā)光二極管磊芯片表面不平整，也可以利用黏接層將其緊密地接合在一起。
綜上所述，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構，其結(jié)構包括一具有一發(fā)光層的多層磊晶結(jié)構，由一黏接層與一透明基板相結(jié)合。此二極管的發(fā)光層可為同質(zhì)結(jié)構(Homostructure)、單異質(zhì)結(jié)構(Single heterostructure，SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(Doubleheterostructure，DH)或多重量子井結(jié)構(Multi quantum wells，MQWs)。
發(fā)光二極管結(jié)構亦包括第一歐姆接點金屬電極層和第二歐姆接點金屬電極層。第一歐姆接點金屬電極層由信道與第一金屬釘線電極層連接，第二金屬釘線電極層在第二歐姆接點金屬電極層上方，使得第一金屬釘線電極層與第二金屬釘線電極層在相對于透明基板是位于同一側(cè)。
此外，本發(fā)明更提供一種發(fā)光二極管的制造方法。首先，在發(fā)光二極管磊晶層上形成第一歐姆接點金屬電極層。接著，由一透明黏接層，如BCB(B-staged bisbenzocyclobutene；BCB)樹脂，本發(fā)明所使用的黏接層的材質(zhì)并不限于BCB樹脂，其它具有類似性質(zhì)可形成透明狀態(tài)之黏著物質(zhì)，如環(huán)氧樹脂(Epoxy)，均適用于本發(fā)明。將發(fā)光二極管磊晶層、第一歐姆接點金屬電極層與透明基板相結(jié)合，并把發(fā)光二極管基板移除至導電型蝕刻終止層。
其次，分兩部分蝕刻，以便能與第一歐姆接點金屬電極層相通。第一部份，大面積蝕刻寬約3～6mils，蝕刻至第一導電型磊晶層。第二部分，蝕刻寬約1～3mils的通道，并蝕刻至第一歐姆接點金屬電極層。接下來，形成第一金屬釘線電極層，讓第一金屬釘線電極層和第一歐姆接點金屬電極層相通。最后再形成第二歐姆接點金屬電極層和第二金屬釘線電極層。因此，第一金屬釘線電極層與第二金屬釘線電極層在相對于透明基板，是位于同一側(cè)。
本發(fā)明的一項優(yōu)點，為本發(fā)明提供一簡單的LED芯片黏結(jié)結(jié)構，可在較低的溫度下進行芯片黏結(jié)，減少V族元素在黏結(jié)過程中揮發(fā)的問題。且由于沒有基板吸光的缺點，因此可大幅提升LED的發(fā)光效率。
本發(fā)明的另一項優(yōu)點，為制程簡單，且可以采用玻璃等低成本的透明基板，因此可獲得高良率與低成本的量產(chǎn)結(jié)果。
本發(fā)明的再一項優(yōu)點，為由信道連接可以得到較佳的光電特性，在相同定電流下，有較小的電壓，以及較佳的電流分布。在相同電壓下，可以得到較佳發(fā)光強度。
本發(fā)明的再一項優(yōu)點，為本發(fā)明的發(fā)光二極管是采用一軟質(zhì)的透明黏接層，來接合發(fā)光二極管與一透明基板，因此，即便發(fā)光二極管磊芯片表面不平整，也可以利用黏接層將其緊密地接合在一起。
圖4至圖5是繪示本發(fā)明的另一較佳實施例發(fā)光二極管的結(jié)構示意圖；以及圖6是繪示傳統(tǒng)的發(fā)光二極管結(jié)構示意圖。
首先請先參照

圖1，本發(fā)明發(fā)光二極管的磊晶結(jié)構包括依序堆棧的N型砷化鎵(GaAs)基板26、蝕刻終止層(Etching StopLayer)24、N型磷化鋁鎵銦(AlXGa1-X)0.5In0.5P的下包覆(Cladding)層22與磷化鋁鎵銦(AlXGa1-X)0.5In0.5P的活性層(ActiveLayer)20，P型磷化鋁鎵銦(AlXGa1-X)0.5In0.5P的上包覆層18以及P型歐姆接點磊晶層(Ohmic Contact Epitaxial Layer)16。接著，在P型歐姆接點磊晶層16上形成P型歐姆接點金屬電極層28。
P型歐姆接點磊晶層16的材料可以是砷化鋁鎵、磷化鋁鎵銦或磷砷化鎵，祗要其能隙大于活性層20，不會吸收活性層產(chǎn)生的光，但又必須具有高的載子濃度，以利于形成歐姆接點，便可以選擇為P型歐姆接點磊晶層16。
上述的活性層20，其鋁含量的范圍是在x＝0～0.45，而上、下包覆層其鋁含量約控制在x＝0.5～1.0，當活性層20的鋁含量x＝0時，活性層的組成是Ga0.2In0.5P，而發(fā)光二極管的波長λd約是在635nm。
上述化合物的比例，例如活性層(AlXGa1-X)0.5In0.5P，僅是舉出一較佳例子，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明同樣適用于其它的比例。此外在本發(fā)明中，AlGaInP活性層20的結(jié)構可以是采用傳統(tǒng)的同質(zhì)結(jié)構(Homostructure)，單異質(zhì)結(jié)構(SingleHeterostructure)，雙異質(zhì)結(jié)構(Double Heterostructure；DH)或是多重量子井(Multiple Quantum Well；MQW)。所謂的雙異質(zhì)結(jié)構(DH)即包括圖1所示的N型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P下包覆層22與一磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P活性層20、一P型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P上包覆層18，其中這三層的較佳厚度分別約為0.5～3.0、0.5～2.0、0.5～3.0μm。
在本發(fā)明中蝕刻終止層24的材質(zhì)可以是任何III-V族元素的化合物半導體，只要其晶格常數(shù)可以和砷化鎵基板26相匹配以免產(chǎn)生差排，且蝕刻速率是遠低于由砷化鎵物質(zhì)所組成的基板26，便可以當作蝕刻終止層24。
在本發(fā)明中蝕刻終止層24的較佳材質(zhì)可為磷化銦鎵(InGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)。在本實施例N型磷化鋁鎵銦下包覆層22的蝕刻速率也遠低于砷化鎵基板26。因此，只要其厚度較厚，也可以不需要另一層組成不同的磊晶層來當作蝕刻終止層。
接著，提供如圖2所示的結(jié)構，此結(jié)構包括透明黏接層14，所使用的材質(zhì)可為BCB(B-staged bisbenzocyclobutene；BCB)樹脂和一透明基板(Transparent Substrate；TS)10。本發(fā)明所使用的黏接層14的材質(zhì)并不限于BCB樹脂，其它具有類似性質(zhì)可形成透明狀態(tài)的黏著物質(zhì)，如環(huán)氧樹脂，均適用于本發(fā)明。
而透明基板可以采用玻璃、藍寶石(Sapphire)芯片、碳化硅(SiC)芯片、磷化鎵(GaP)芯片、磷砷化鎵(GaAsP)芯片、硒化鋅(ZnSe)芯片、硫化鋅(ZnS)芯片及硒硫化鋅(ZnSSe)芯片等，只要這些芯片對于發(fā)光層20發(fā)出的光不會有很大的吸收，都可以當作本發(fā)明的透明基板10。而且本發(fā)明的另一項優(yōu)點是所使用的透明基板10不一定要是單芯片，由于發(fā)光二極管發(fā)光時，電流并不通過透明基板10，故此透明基板10的目的只是當作一機械式的支撐來防止發(fā)光二極管磊晶層在制造晶粒過程中破裂。所以，透明基板10也可以使用復晶(Polycrystal)基板或非晶系(Amorphous)基板，以大幅降低生產(chǎn)成本。
接著將圖1已形成P型歐姆接點金屬電極層28的發(fā)光二極管芯片及圖2的透明基板10由BCB黏接層14黏在一起，黏著的過程是在250℃左右的高溫加壓加熱一段時間完成。為了改善發(fā)光二極管磊芯片與透明基板10之間的接合特性，也可以在發(fā)光二極管磊芯片及透明基板10的表面涂布上一層接著促進劑，然后再涂布上BCB，在250℃左右的高溫加壓加熱一段時間來完成磊芯片與透明基板10的黏合。為了使得黏合的效果更好，也可以將以BCB14黏接的發(fā)光二極管磊芯片及透明基板10，先在60℃～100℃的低溫加熱一段時間，再將BCB內(nèi)的有機溶劑趕掉，然后再升高溫度至200℃～600℃的范圍，讓透明黏接層14與發(fā)光二極管磊芯片及透明基板10緊密的黏結(jié)在一起。
黏著好的磊芯片，接著以腐蝕液(如5H3PO4∶3H2O2∶3H2O或是1NH4OH∶35H2O2)腐蝕，將不透光的N型砷化鎵基板26除去。蝕刻終止層24如果采用InGaP或AlGaAs仍然會吸收活性層20產(chǎn)生的光。因此，也必須以腐蝕液完全除去，或只留下與N型歐姆接點金屬電極層30接觸的部分。然后分兩部分，以干式蝕刻法如RIE進行蝕刻。
首先，大面積蝕刻寬約3～6mils，將部分N型磷化鋁鎵銦下包覆層22，磷化鋁鎵銦活化層20及P型磷化鋁鎵銦上包覆層18和部份P型歐姆接點磊晶層16除去。接著，在暴露出來的P型歐姆接點磊晶層16下方寬約1～3mils的部分除去，蝕刻成一暴露出P型歐姆接點金屬電極層28的信道。接著，形成N型歐姆接點金屬電極層30于N型磷化鋁鎵銦下包覆層22上。最后，形成釘線金屬層32，例如鋁(Al)或金(Au)，分別在P型歐姆接點磊晶層16上與信道中，使得能夠與P型歐姆接點電極層28形成電氣連接通，以及N型歐姆接點金屬電極層30上。于是，便形成了兩個金屬釘線電極層32在相對于透明基板，都在同一側(cè)的發(fā)光二極管結(jié)構，如圖3所示。
依據(jù)本發(fā)明所得的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管所發(fā)出的光波長約為635nm，且在20mA的操作電流下，其光輸出功率約為4mW，是傳統(tǒng)吸收式基板磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管的光輸出功率的2倍以上。
本發(fā)明并不限于只適用于高亮度磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管，本發(fā)明也可以適用于其它發(fā)光二極管材料，如砷化鋁鎵紅色及紅外線發(fā)光二極管。
圖4是本發(fā)明第二實施例的磊晶結(jié)構示意圖。本發(fā)明650nm砷化鋁鎵紅色發(fā)光二極管的磊晶結(jié)構包括依序堆棧的N型砷化鎵基板51、N型砷化鋁鎵下包覆層52，鋁含量約70～80％，厚度約0.5μm～3μm、砷化鋁鎵活性層53，鋁含量約35％，厚度約0.5μm～2μm、以及一P型砷化鋁鎵上包覆層54，鋁含量約70～80％，厚度約0.5μm～3μm。然后，如圖5所示，形成P型歐姆接點金屬電極層57于P型砷化鋁鎵上包覆層54上，并將上述的砷化鋁鎵紅色發(fā)光二極管磊芯片與一透明基板56(如藍寶石芯片)，以BCB硅樹脂55黏合在一起。
黏著好的磊芯片接著以腐蝕液(如NH4OH∶H2O2＝1.7∶1)腐蝕，將不透光的N型砷化鎵基板51除去。然后，以濕式蝕刻法或干式蝕刻法將部分的N型砷化鋁鎵下包覆層52，及砷化鋁鎵活性層53和P型砷化鋁鎵上包覆層54除去，并在P型砷化鋁鎵上包覆層54上形成信道，暴露出P型歐姆接點金屬電極層57。因此，使得形成的金屬釘線電極層59能與P型歐姆接點金屬電極層57相通。最后，形成N型歐姆接點金屬電極層58和金屬釘線電極層59，例如鋁(Al)或金(Au)，于N型砷化鋁鎵下包覆層52上，便形成了兩個金屬釘線電極層59在相對于透明基板56，都在同一側(cè)的發(fā)光二極管，如圖5所示。
依據(jù)本發(fā)明所得的紅色砷化鋁鎵發(fā)光二極管所發(fā)出的光波長約為650nm，且在20mA的操作電流下，其光輸出功率是傳統(tǒng)吸收式基板砷化鋁鎵發(fā)光二極管的光輸出功率的2倍。
本發(fā)明的發(fā)光二極管由于采用透明基板10，且藉由信道使得兩個金屬釘線電極層32都位在透明基板10的同一側(cè)，因此可以復晶(Flip Chip)的方式封裝，而不需要采用傳統(tǒng)的金屬打線(Wire Bonding)，組件的可靠性較佳。且由于透明基板10不吸光，發(fā)光二極管的亮度可以顯著增加。此外，透明基板如采用藍寶石、玻璃或碳化硅等材質(zhì)，由于這些材料非常硬，因此基板厚度可以降低至100微米左右，而不會在晶粒制程或封裝制程中破裂，可制造出厚度較薄且體積較小的發(fā)光二極管。
本發(fā)明的發(fā)光二極管是采用一軟質(zhì)的透明黏接層14來接合發(fā)光二極管與一透明基板10，因此，即便發(fā)光二極管磊芯片表面不平整，也可以利用黏接層14將其緊密地接合在一起。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請專利范圍，凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在下述的申請專利范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含一多層磷化鋁鎵銦磊晶層結(jié)構，該磊晶層結(jié)構包含一上包覆層，一活性層，以及一下包覆層；一歐姆接點磊晶層形成于該上包覆層上；一第一歐姆接點金屬電極層形成于該第一歐姆接點磊晶層上；一透明黏接層；一透明基板以該透明黏接層黏合于該第一歐姆接點金屬電極層上；一第二歐姆接點金屬電極層形成于該下包覆層上；一第一金屬釘線電極層形成于該第一歐姆接點磊晶層上；一第二金屬釘線電極層形成于該第二歐姆接點金屬電極層上；以及一電極信道，用以電氣連接該第一金屬釘線電極層與該第一歐姆接點金屬電極層；其中，相對于該透明基板，該第一金屬釘線電極層與該第二金屬釘線電極層是位于同一側(cè)。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該多層磷化鋁鎵銦磊晶層結(jié)構是為磷化鋁鎵銦的同質(zhì)結(jié)構、單異質(zhì)結(jié)構、雙異質(zhì)結(jié)構或量子井結(jié)構當中一種。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該透明基板是選自復晶基板或非晶系基板，例如藍寶石、玻璃、磷化鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、硫化鋅、硒化鋅硫或碳化硅等當中一種。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該軟質(zhì)的透明黏接層的材質(zhì)包括BCB與樹脂環(huán)氧樹脂。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該信道與該第一金屬釘線電極層是為同一物質(zhì)。
6.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，至少包括提供一基板；形成一蝕刻終止層；形成一多層磷化鋁鎵銦磊晶層結(jié)構在該基板上，該磊晶層結(jié)構包含一下包覆層，一活性層，一上包覆層；形成一歐姆接點磊晶層于該上包覆層上；形成一第一歐姆接點金屬電極層于該歐姆接點磊晶層上；提供一透明基板；涂布一軟質(zhì)的透明黏接層于該透明基板上，用以黏合該透明基板與該第一歐姆接點金屬電極層；去除該基板與該終止蝕刻層；去除部份的該多層磷化鋁鎵銦磊晶層結(jié)構與該歐姆接點磊晶層，直到該歐姆接點磊晶層的部分深度，并使得該歐姆接點磊晶層暴露出來，且在該歐姆接點磊晶層上形成一信道，該信道使得該第一歐姆接點金屬電極層暴露出來；形成一第一金屬釘線電極層于暴露出的該歐姆接點磊晶層上與該信道內(nèi)，該信道用以電氣連接該第一歐姆接點金屬電極層；形成一第二歐姆接點金屬電極層于該下包覆層上；以及形成一第二金屬釘線電極層于該第二歐姆接點金屬電極層上；其中該第一和該第二金屬釘線電極層，在相對于該透明基板為同一側(cè)。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該多層磷化鋁鎵銦結(jié)構是選自磷化鋁鎵銦的同質(zhì)結(jié)構、單異質(zhì)結(jié)構、雙異質(zhì)結(jié)構或量子井結(jié)構的中一種。
8.如權利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明基板是選自復晶基板或非晶系基板，例如藍寶石、玻璃、磷化鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、硫化鋅、硒化鋅硫或碳化硅等當中一種。
9.如權利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明黏接層的材質(zhì)包括BCB樹脂與環(huán)氧樹脂。
10.如權利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明黏接層接合該透明基板與該發(fā)光二極管磊晶層表面的步驟，至少包括下列方式第一階段在60℃～100℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成，第二階段在200℃～600℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成。
11.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含一多層砷化鋁鎵磊晶層結(jié)構，該磊晶層結(jié)構包含一上包覆層，一活性層，以及一下包覆層；一第一歐姆接點金屬電極層形成于該多層磷化鋁鎵磊晶層結(jié)構上；一透明黏接層；一透明基板以該透明黏接層黏合于該第一歐姆接點金屬電極層上；一第二歐姆接點金屬電極層形成于該下包覆層上；一第一金屬釘線電極層形成于該第一歐姆接點金屬電極層上；一第二金屬釘線電極層形成于該第二歐姆接點金屬電極層以形成電氣連接；以及一電極信道，用以電氣連接該第一金屬釘線電極層與該第一歐姆接點金屬電極層；其中，相對于該透明基板，該第一金屬釘線電極層與該第二金屬釘線電極層是位于同一側(cè)。
12.如權利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該多層砷化鋁鎵磊晶層結(jié)構是選自砷化鋁鎵的同質(zhì)結(jié)構、單異質(zhì)結(jié)構、雙異質(zhì)結(jié)構或量子井結(jié)構當中一種。
13.如權利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該透明基板是選自復晶基板或非晶系基板，例如藍寶石、玻璃、磷化鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、硫化鋅、硒化鋅硫或碳化硅等當中一種。
14.如權利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該軟質(zhì)的透明黏接層的材質(zhì)包括BCB與樹脂環(huán)氧樹脂。
15.如權利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該信道與該第一金屬釘線電極層是為同一物質(zhì)。
16.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，至少包括提供一基板；形成一多層砷化鋁鎵磊晶層結(jié)構在該基板上，該磊晶層結(jié)構包含一下包覆層，一活性層，一上包覆層；形成一第一歐姆接點金屬電極層于該多層砷化鋁鎵磊晶層結(jié)構上；提供一透明基板；涂布一軟質(zhì)的透明黏接層于該透明基板上，用以黏合該透明基板與該第一歐姆接點金屬電極層；去除該基板；去除部份的該多層砷化鋁鎵磊晶層結(jié)構，直到該上包覆層的部分深度，并使得該上包覆層暴露出來，且在該上包覆層上形成一信道，該信道使得該第一歐姆接點金屬電極層暴露出來；形成一第一金屬釘線電極層于暴露出的該上包覆層上與該信道內(nèi)，該信道用以電氣連接該第一歐姆接點金屬電極層；形成一第二歐姆接點金屬電極層于該下包覆層上；以及形成一第二金屬釘線電極層于該第二歐姆接點金屬電極層上；其中該第一和該第二金屬釘線電極層，在相對于該透明基板為同一側(cè)。
17.如權利要求16所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該多層砷化鋁鎵結(jié)構是選自砷化鋁鎵的同質(zhì)結(jié)構、單異質(zhì)結(jié)構、雙異質(zhì)結(jié)構或量子井結(jié)構之中一種。
18.如權利要求16所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明基板是選自復晶基板或非晶系基板，例如藍寶石、玻璃、磷化鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、硫化鋅、硒化鋅硫或碳化硅等當中一種。
19.如權利要求16所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明黏接層的材質(zhì)包括BCB樹脂與環(huán)氧樹脂。
20.如權利要求16所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該透明黏接層接合該透明基板與該發(fā)光二極管磊晶層表面的步驟，至少包括下列方式第一階段在60℃～100℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成，第二階段在200℃～600℃范圍內(nèi)加壓及加熱而成。
全文摘要
本發(fā)明是采用一種不吸光的透明黏接層，來黏結(jié)具有吸光基板(Absorption Substrate，AS)的發(fā)光二極管磊芯片及透明基板(Transparent Substrate，TS)。接著將吸光的基板除去，形成具有透明基板的發(fā)光二極管；由于采用透明基板不會吸光，因此可大幅提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率；同時由信道連接歐姆接點與釘線電極層，在固定電流下可降低電壓及提高電流分布，以提升發(fā)光二極管的發(fā)光效益。
文檔編號H01L33/00GK1416181SQ01131400
公開日2003年5月7日 申請日期2001年10月31日 優(yōu)先權日2001年10月31日
發(fā)明者林錦源, 楊光能 申請人:國聯(lián)光電科技股份有限公司